本發(fā)明涉及應用于半導體封裝領(lǐng)域的線路基板、半導體封裝結(jié)構(gòu)及線路基板制作工藝。

背景技術(shù)：
目前在半導體封裝技術(shù)中，芯片載體(chipcarrier)是一種將半導體集成電路芯片(ICchip)連接至下一層級的電子元件，例如主機板或模塊板等。線路基板(circuitboard)是經(jīng)常使用于高接點數(shù)的芯片載體。線路基板主要由多個圖案化導體層(patternedconductivelayer)及多個介電層(dielectriclayer)交替疊合而成，而兩圖案化導體層之間可通過導體孔(conductivevia)而彼此電連接。倒裝接合(flip-chipbonding)是一種應用于高接點數(shù)的芯片封裝技術(shù)，其可通過多個以面陣列方式排列的接墊，將IC芯片連接至線路基板。為了連接倒裝接合用的凸塊，線路基板的接墊面積必須設計得夠大，以確保凸塊與接墊之間的接合面積足以達到所要求的接合強度。然而，較大的接墊面積也對應使得線路基板的布線密度不易提高。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于提供一種線路基板，應用于半導體封裝技術(shù)。本發(fā)明的再一目的在于提供一種半導體封裝結(jié)構(gòu)，以應用于封裝半導體集成電路芯片。本發(fā)明的又一目的在于提供一種線路基板制作工藝，用以制作出應用于半導體封裝領(lǐng)域的線路基板。為達上述目的，本發(fā)明的一種線路基板包括以下構(gòu)件。一線路疊構(gòu)具有一第一表面及相對第一表面的一第二表面。一第一圖案化內(nèi)部導體層配置在第一表面且具有多個第一接墊。一第一圖案化外部導體層配置在第一圖案化內(nèi)部導體層上且具有多個第一導體柱，其中各第一導體柱位在對應的第一接墊上。第一介電層覆蓋第一表面、第一圖案化內(nèi)部導體層及第一圖案化外部導體層且具有多個第一凹陷，其中各第一凹陷暴露出對應的第一導體柱的頂面及側(cè)面。本發(fā)明的一種半導體封裝結(jié)構(gòu)包括一線路基板及一芯片。線路基板包括以下構(gòu)件。一線路疊構(gòu)具有一第一表面及相對第一表面的一第二表面。一第一圖案化內(nèi)部導體層配置在第一表面且具有多個第一接墊。一第一圖案化外部導體層配置在第一圖案化內(nèi)部導體層上且具有多個第一導體柱，其中第一導體柱位在對應的第一接墊上。一第一介電層覆蓋第一表面、第一圖案化內(nèi)部導體層及第一圖案化外部導體層且具有多個第一凹陷，其中第一凹陷暴露出對應的第一導體柱的頂面及側(cè)面。芯片焊接至這些第一導體柱。本發(fā)明的一種線路基板制作工藝包括以下步驟。提供一線路疊構(gòu)及一第一圖案化內(nèi)部導體層，其中線路疊構(gòu)具有一第一表面及相對第一表面的一第二表面，而第一圖案化內(nèi)部導體層配置在第一表面且具有多個第一接墊。形成一第一圖案化外部導體層，其中第一圖案化外部導體層配置在第一圖案化內(nèi)部導體層上且具有多個第一導體柱，而第一導體柱位在對應的第一接墊上。形成一第一介電層，覆蓋第一表面、第一圖案化內(nèi)部導體層及第一圖案化外部導體層。移除第一介電層的局部以形成多個第一凹陷，其中第一凹陷暴露出對應的第一導體柱的頂面及側(cè)面?；谏鲜觯诒景l(fā)明中，通過介電層的凹陷來暴露出位在接墊上的導體柱的頂面及側(cè)面，以在較小的二維接墊面積下提供較大的三維焊接面積，有助于提高接墊間距及增加布線密度。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附附圖作詳細說明如下。附圖說明圖1A為本發(fā)明的一實施例的一種線路基板的局部剖視圖；。圖1B為圖1A的X部分的放大圖；圖1C為圖1A的Y部分的放大圖；圖2繪示圖1A的線路基板的局部俯視圖；圖3繪示圖1A應用于半導體封裝結(jié)構(gòu)；圖4A與圖4B分別繪示圖1A的線路基板的局部放大剖面及現(xiàn)有線路基板的局部放大剖面；圖5為本發(fā)明的另一實施例的一種線路基板的局部剖視圖；圖6為本發(fā)明的另一實施例的一種線路基板的局部剖視圖；圖7繪示圖6的線路基板的局部俯視圖；圖8A為本發(fā)明的另一實施例的一種線路基板的局部剖視圖；圖8B為本發(fā)明的又一實施例的一種線路基板的局部剖視圖；圖9A至圖9G以剖面繪示本發(fā)明的一實施例的一種線路基板制作工藝；圖10A至圖10B以剖面繪示本發(fā)明的另一實施例的一種線路基板制作工藝；圖11A至圖11C以剖面繪示本發(fā)明的另一實施例的一種線路基板制作工藝。符號說明50：半導體封裝結(jié)構(gòu)52：芯片54：散熱蓋56：散熱塊57：焊料凸塊58：焊料球60：電路板100、100a、100b、100c、100d：線路基板110、202：線路疊構(gòu)110a、202a：第一表面110b、202b：第二表面120、160、204、206：圖案化內(nèi)部導體層122、162、204a、206a：接墊124、164、204b、206b：內(nèi)部導體圖案126：線路130、170、214、216：圖案化外部導體層132、172、214a、216a：導體柱132a、172a：頂面132b、172b：側(cè)面134、174、214b、216b：外部導體圖案140、180、218、220：介電層142、182、218a、220a：凹陷142a、182a、219：次凹陷150、190、222、224：保護層208、210：圖案化光致抗蝕劑層208a、210a：光致抗蝕劑開口213、215：種子層A、B、X、Y：區(qū)域P：接墊間距具體實施方式圖1A為本發(fā)明的一實施例的一種線路基板的局部剖視圖。請參考圖1A，本實施例的線路基板100包括一線路疊構(gòu)110，其具有一第一表面110a及相對第一表面110a的一第二表面110b。在本實施例中，線路疊構(gòu)110由多個圖案化導體層及一或多個介電層交替疊合而成，而這些圖案化導體層之間可通過這些導體孔而彼此電連接。然而，本發(fā)明不以此為限。在其他未繪示實施例中，線路疊構(gòu)110也可由其他數(shù)量的圖案化導體層及介電層交替疊合而成。在另一未繪示實施例中，線路疊構(gòu)110也可僅由單一介電層所構(gòu)成。圖1B為圖1A的X部分的放大圖，圖1C為圖1A的Y部分的放大圖，而圖2繪示圖1A的線路基板的局部俯視圖。請參考圖1A、圖1B、圖1C及圖2，線路基板100還包括一第一圖案化內(nèi)部導體層120、一第一圖案化外部導體層130及一第一介電層140。第一圖案化內(nèi)部導體層120配置在第一表面110a且具有多個第一接墊122。第一圖案化外部導體層130配置在第一圖案化內(nèi)部導體層120上且具有多個第一導體柱132，而第一導體柱132位在對應的第一接墊122上。第一介電層140覆蓋第一表面110a、第一圖案化內(nèi)部導體層120及第一圖案化外部導體層130，且第一介電層140具有多個第一凹陷142也如圖2所示，其中第一凹陷142暴露出對應的第一導體柱132的頂面132a及側(cè)面132b。在本實施例中，第一凹陷142暴露出對應的第一導體柱132的部分側(cè)面132b。在其他實施例中，側(cè)面132b暴露的范圍可依需求而調(diào)整。值得注意的是，第一介電層140相對于第一表面110a的高度h1大于這些第一導體柱132相對于第一表面110a的高度h2，其中高度h1例如是相對于第一表面110a的最高高度。此外，線路基板100還可包括多個第一保護層150，其分別覆蓋第一圖案化外部導體層130被第一介電層140所暴露的多個部分，例如被第一介電層140所暴露的每個第一導體柱132的頂面132a及側(cè)面132b。請再參考圖1A、圖1B及圖1C，線路基板100還包括一第二圖案化內(nèi)部導體層160、一第二圖案化外部導體層170及一第二介電層180。第二圖案化內(nèi)部導體層160配置在第二表面110b且具有多個第二接墊162。第二圖案化外部導體層170配置在第二圖案化內(nèi)部導體層160上且具有多個第二導體柱172，而第二導體柱172位在對應的第二接墊162上。第二介電層180覆蓋第二表面110b、第二圖案化內(nèi)部導體層160及第二圖案化外部導體層170，且第二介電層180具有多個第二凹陷182，其中第二凹陷182暴露出對應的第二導體柱172的頂面172a及側(cè)面172b。在本實施例中，第二凹陷182暴露出對應的第二導體柱172的部分側(cè)面172b。在其他實施例中，側(cè)面172b暴露的范圍可依需求而調(diào)整。另外，第二圖案化外部導體層170的厚度實質(zhì)上約與第一圖案化外部導體層130相同。值得注意的是，第二介電層180相對于第二表面110b的高度H1大于這些第二導體柱172相對于第二表面110b的高度H2，其中高度H1例如是相對于第二表面110b的最高高度。此外，線路基板100還可包括多個第二保護層190，其分別覆蓋第二圖案化外部導體層170被第二介電層180所暴露的多個部分，例如被第二介電層180所暴露的每個第二導體柱172的頂面172a及側(cè)面172b。此外，在本實施例中，第二導體柱172的外徑D2小于對應的第二接墊162的外徑D1。另外，在又一實施例中，在第二導體柱172的外徑D2小于對應的第二接墊162的外徑D1的情況下，第二凹陷182還可暴露出對應的部分第二接墊162，如第二接墊162部分頂面，甚至部分側(cè)面(未繪示)。圖3繪示圖1A應用于半導體封裝結(jié)構(gòu)。請參考圖1A、圖1B、圖1C及圖3，圖1A的線路基板100可應用于半導體封裝結(jié)構(gòu)50，使得芯片52可焊接至線路基板100的這些第一導體柱132。具體而言，芯片52可經(jīng)由多個焊料凸塊57連接至線路基板100的這些第一導體柱132上，并且有膠料填充已保護這些焊料凸塊57。此外，線路基板100還可通過焊料球58焊接至電路板60。第一圖案化內(nèi)部導體層120可具有至少一第一內(nèi)部導體圖案124，第一圖案化外部導體層130具有至少一第一外部導體圖案134，第一外部導體圖案134位在第一內(nèi)部導體圖案124上，且第一介電層140暴露出第一外部導體圖案134的局部，用以導熱地連接至散熱元件，例如圖3的散熱蓋54(heatspreader)。散熱蓋54通過如圖3所標示的區(qū)域A將熱導出。除了作為散熱途徑以外，第一內(nèi)部導體圖案124及第一外部導體圖案134也可作為參考平面(referenceplane)，例如接地平面(groundplane)或電源平面(powerplane)。值得說明的是，上述的第一內(nèi)部導體圖案124及第一外部導體圖案134的數(shù)量不以一個為限，其數(shù)量可依不同需求而進行調(diào)整與配置。第二圖案化內(nèi)部導體層160可具有至少一第二內(nèi)部導體圖案164，第二圖案化外部導體層170具有至少一第二外部導體圖案174，第二外部導體圖案174位在第二內(nèi)部導體圖案164上，且第二介電層180暴露出第二外部導體圖案174的局部，用以導熱地連接至散熱元件，例如圖3的散熱塊56(heatslug)。散熱塊56通過如圖3所標示的區(qū)域B將熱導出。除了提作為散熱途徑以外，第二內(nèi)部導體圖案164及第二外部導體圖案174也可作為參考平面，例如接地平面或電源平面。值得說明的是，上述的第二內(nèi)部導體圖案164及第二外部導體圖案174的數(shù)量不以一個為限，其數(shù)量可依不同需求而進行調(diào)整與配置。圖4A與圖4B分別繪示圖1A的線路基板的局部放大剖面及現(xiàn)有線路基板的局部放大剖面。在圖4A是圖1A的線路基板的局部放大剖面，而圖4B是現(xiàn)有線路基板的局部放大剖面。請參考圖4A與圖4B，在相同的接墊間距P下，本實施例在第一接墊122上配置有第一導體柱132，且第一導體柱132被第一介電層140的第一凹陷142所暴露出來，用以提供較大的接合面積。因此，第一接墊122的外徑可設計得較小，使得兩相鄰的第一接墊122之間可容納更多的線路(trace)126。圖5為本發(fā)明的另一實施例的一種線路基板的局部剖視圖。請參考圖5，圖5的線路基板100a具有與圖1A的線路基板100相似的構(gòu)造。不同于圖1A的線路基板100，在圖5的線路基板100a中，第二導體柱172的外徑D2大于對應的第二接墊162的外徑D1。因此，第二凹陷182可暴露出對應的部分第二接墊162，如第二接墊162的側(cè)面。在此實施例中，第二保護層190還可覆蓋被第二介電層180所暴露的第二接墊162的側(cè)面、第二導體柱172的頂面172a及側(cè)面172b。圖6為本發(fā)明的另一實施例的一種線路基板的局部剖視圖，而圖7為圖6的線路基板的局部俯視圖。請參考圖6及圖7，圖6的線路基板100b具有與圖1A的線路基板100相似的構(gòu)造。不同于圖2的線路基板100的這些第一凹陷142是相互獨立的，在圖6的線路基板100b中，相鄰的這些第一凹陷142相互重合而構(gòu)成一次凹陷142a于其間。甚至有些次凹陷142a是由三個第一凹陷142相互重合而成。圖8A為本發(fā)明的另一實施例的一種線路基板的局部剖視圖。請參考圖8A，線路基板100c具有第二導體柱172的外徑D2大于對應的第二接墊162的外徑D1的特征，還具有相鄰的這些第一凹陷142相互重合而構(gòu)成一次凹陷142a于其間的特征。圖8B為本發(fā)明的又一實施例的一種線路基板的局部剖視圖。請參考圖8B，線路基板100d可具有第二導體柱172的外徑D2小于對應的第二接墊162的外徑D1的特征，第二凹陷182暴露出對應的部分第二接墊162的特征，還具有相鄰的這些第一凹陷142相互重合而構(gòu)成一次凹陷142a于其間的特征。圖9A至圖9G以剖面繪示本發(fā)明的一實施例的一種線路基板制作工藝。請參考圖9A，首先，提供一線路疊構(gòu)202、一第一圖案化內(nèi)部導體層204及一第二圖案化內(nèi)部導體層206。線路疊構(gòu)202具有一第一表面202a及相對第一表面202a的一第二表面202b。第一圖案化內(nèi)部導體層204配置在第一表面202a并具有多個第一接墊204a及至少一第一內(nèi)部導體圖案204b。第二圖案化內(nèi)部導體層206配置在第二面204b并具有多個第二接墊206a及至少一第二內(nèi)部導體圖案206b。相似于圖1A的線路疊構(gòu)110，這里的線路疊構(gòu)202可由不同數(shù)量的圖案化導體層及介電層交替疊合而成，并以導體孔電連接不同的圖案化導體層，或由單一介電層所構(gòu)成。在一實施例中，第一圖案化內(nèi)部導體層204的厚度小于線路疊構(gòu)202中的圖案化導體層的厚度。在另一實施例中，第二圖案化內(nèi)部導體層206的厚度小于線路疊構(gòu)202中的圖案化導體層的厚度。請參考圖9B，形成一第一圖案化光致抗蝕劑層208在線路疊構(gòu)202的第一表面202a上并覆蓋部分的第一圖案化內(nèi)部導體層204。第一圖案化光致抗蝕劑層208可由一或多個圖案化光致抗蝕劑層所構(gòu)成。第一圖案化光致抗蝕劑層208暴露出部分的第一接墊204a及第一內(nèi)部導體圖案204b。具體而言，第一圖案化光致抗蝕劑層208具有多個第一光致抗蝕劑開口208a，其覆蓋各第一接墊204a的側(cè)壁與部分的頂面，以及覆蓋第一內(nèi)部導體圖案204b的側(cè)壁與部分的頂面，而通過這些第一光致抗蝕劑開口208a分別暴露出第一接墊204a及第一內(nèi)部導體圖案204b的部分頂面。請再次參考圖9B，形成一第二圖案化光致抗蝕劑層210在線路疊構(gòu)202的第二表面202b上并覆蓋部分的第二圖案化內(nèi)部導體層206。第二圖案化光致抗蝕劑層210可由一或多個圖案化光致抗蝕劑層所構(gòu)成。第二圖案化光致抗蝕劑層210暴露出部分的第二接墊206a及第二內(nèi)部導體圖案206b。具體而言，第二圖案化光致抗蝕劑層210具有多個第二光致抗蝕劑開口210a，其覆蓋各第二接墊206a的側(cè)壁與部分的頂面，以及覆蓋第二內(nèi)部導體圖案206b的側(cè)壁與部分的頂面，而通過這些第二光致抗蝕劑開口210a分別暴露出這些第二接墊206a及第二內(nèi)部導體圖案206a的部分頂面。請參考圖9C，可經(jīng)由一第一種子層213以電鍍方式在第一圖案化光致抗蝕劑層208所暴露的第一圖案化內(nèi)部導體層204上形成一第一圖案化外部導體層214。在一實施例中，在形成第一圖案化光致抗蝕劑層208之前，可先形成第一種子層213在所暴露的第一圖案化內(nèi)部導體層204表面以及所暴露的線路疊構(gòu)202的第一表面202a上。第一圖案化外部導體層214具有多個第一導體柱214a及至少一第一外部導體圖案214b。第一導體柱214a位在對應的第一接墊204a上，而第一外部導體圖案214b位在第一內(nèi)部導體圖案204b上。在一實施例中，第一種子層213的厚度小于線路疊構(gòu)202中的圖案化導體層的厚度。請再次參考圖9C，可經(jīng)由一第二種子層215以電鍍方式在第二圖案化光致抗蝕劑層210所暴露的第二圖案化內(nèi)部導體層206上形成一第二圖案化外部導體層216。在一實施例中，在形成第二圖案化光致抗蝕劑層210之前，可先形成第二種子層215在所暴露的第二圖案化內(nèi)部導體層206表面以及所暴露的線路疊構(gòu)202的第二表面202b上。第二圖案化外部導體層216具有多個第二導體柱216a及至少一第二外部導體圖案216b。第二導體柱216a位在對應的第二接墊206a上，而第二外部導體圖案216b位在第二內(nèi)部導體圖案206b上。在一實施例中，第一種子層215的厚度小于線路疊構(gòu)202中的圖案化導體層的厚度。在另一實施例中，第二圖案化外部導體層216的厚度實質(zhì)上約與第一圖案化外部導體層214相同。請參考圖9D，在形成第一圖案化外部導體層214及第二圖案化外部導體層216以后，移除第一圖案化光致抗蝕劑層208、第二圖案化光致抗蝕劑層210、所暴露的第一種子層213及所暴露的第二種子層215。在本實施例中，雖揭露可利用圖案化光致抗蝕劑層作為罩幕并搭配電鍍來形成第一圖案化外部導體層214及第二圖案化外部導體層216，但本發(fā)明不限于此。請參考圖9E，形成一第一介電層218，覆蓋所暴露的第一表面202a、第一圖案化內(nèi)部導體層204及第一圖案化外部導體層214。此外，形成一第二介電層220，覆蓋所暴露的第二表面202b、第二圖案化內(nèi)部導體層206及第二圖案化外部導體層216。請參考圖9F，可通過激光來移除第一介電層218的局部以形成第一凹陷218a及第一介電開口218b，其中第一凹陷218a暴露出對應的第一導體柱214a的頂面及側(cè)面，而第一介電開口218b則暴露出第一外部導體圖案214b。類似于圖1B及圖2的第一凹陷142，從俯視角度來看，相鄰的這些第一凹陷218a是相互獨立而不重合的。此外，在本實施例中，第一凹陷218a暴露出對應的第一導體柱214a的部分側(cè)面。在其他實施例中，第一導體柱214a的側(cè)面暴露的范圍可依需求而調(diào)整。另外，由于第一外部導體圖案214b的區(qū)域面積相較于第一導體柱214a的區(qū)域面積較大，故在進行激光蝕刻時，第一導體柱214a的側(cè)面的第一介電層218會被蝕刻，而第一外部導體圖案214b的側(cè)面的第一介電層218不會被蝕刻。因此，第一外部導體圖案214b只有頂面會暴露出來，且第一外部導體圖案214b的頂面暴露的范圍可依需求而調(diào)整。請再次參考圖9F，可通過激光來移除第二介電層220的局部以形成第二凹陷220a及第二介電開口220b，其中第二凹陷220a暴露出對應的第二導體柱216a的頂面及側(cè)面，而第二介電開口220b則暴露出第二外部導體圖案216b。在另一實施例中，第二凹陷220a還可暴露出對應的第二接墊206a，以獲得更大的焊接面積(未繪示)。此外，在本實施例中，第二凹陷220a暴露出對應的第二導體柱216a的部分側(cè)面。在其他實施例中，第二導體柱216a的側(cè)面暴露的范圍可依需求而調(diào)整。另外，由于第二外部導體圖案216b的區(qū)域面積相較于第二導體柱216a的區(qū)域面積較大，故在進行激光蝕刻時，第二導體柱216a的側(cè)面的第二介電層220會被蝕刻，而第二外部導體圖案216b的側(cè)面的第二介電層220不會被蝕刻。因此，第二外部導體圖案216b只有頂面會暴露出來，且第二外部導體圖案216b的頂面暴露的范圍可依需求而調(diào)整。值得注意的是，在通過激光蝕刻來移除第一介電層218的局部及第二介電層220的局部的步驟中，可通過控制激光的能量強度及擊發(fā)數(shù)量來控制第一凹陷218a及第二凹陷220a的深度。請參考圖9G，在移除第一介電層218的局部及第二介電層220的局部后，還可形成多個第一保護層222在第一導體柱214a及第一外部導體圖案214b上，并形成多個第二保護層224在第二導體柱216a及第二外部導體圖案216b上。在另一實施例中，若第二凹陷220a暴露出對應的第二接墊206a，則第二保護層224還可形成在對應的第二接墊206a上(未繪示)。圖10A至圖10B以剖面繪示本發(fā)明的另一實施例的一種線路基板制作工藝。請參考圖10A，在接續(xù)圖9E的步驟后，移除第一介電層218的局部及第二介電層220的局部。圖10A的第一介電層218所形成的這些第一凹陷218a的外徑較大。因此，相鄰的這些第一凹陷218a相互重合而構(gòu)成一次凹陷219于其間。甚至有些次凹陷219是由三個第一凹陷218a相互重合而成(如前述圖7的相關(guān)說明)。接著，請參考圖10B，類似于圖9G的步驟，也形成第一保護層222及第二保護層224。圖11A至圖11C以剖面繪示本發(fā)明的另一實施例的一種線路基板制作工藝。請參考圖11A，在接續(xù)圖9A的步驟后，第二圖案化光致抗蝕劑層210的第二光致抗蝕劑開口210a的外徑大于第二接墊206a的外徑。接著，請參考圖11B，形成第一圖案化外部導體層216，其包含第二導體柱216a與第二外部導體圖案216b。通過第二光致抗蝕劑開口210a的外徑大于第二接墊206a的外徑，使得第二導體柱216a的外徑也大于第二接墊206a的外徑。接著進行類似圖9D至圖9F的步驟。最后，請參考圖11C，類似于圖9G的步驟，也形成第一保護層222及第二保護層224。圖9A至圖9G的實施例的線路板制作工藝可制作出類似于圖1A的實施例的線路板。圖10A至圖10B的實施例的線路板制作工藝可制作出類似于圖6的實施例的線路板。圖11A至圖11C的實施例的線路板制作工藝可制作出類似于圖5的實施例的線路板。圖10A至圖10B的實施例的線路板制作工藝結(jié)合圖11A至圖11C的實施例的線路板制作工藝可制作出類似于圖8A或圖8B的實施例的線路板。在上述線路板制作工藝的這些實施例中，可僅制作線路疊構(gòu)上方或下方的結(jié)構(gòu)，無需同時制作線路疊構(gòu)上下兩方的結(jié)構(gòu)。綜上所述，在本發(fā)明中，通過介電層的凹陷來暴露出位在接墊上的導體柱的頂面及側(cè)面，以在較小的二維接墊面積下提供較大的三維焊接面積，有助于提高接墊間距及增加布線密度。此外，可在制作導體柱時一并制作外部導體圖案，其可導熱地連接至散熱元件(例如散熱蓋或散熱塊)，并可作為參考平面(例如接地平面或電源平面)。雖然已結(jié)合以上實施例揭露了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明的保護范圍應以附上的權(quán)利要求所界定的為準。