本發(fā)明涉及一種用于對(duì)半導(dǎo)體基板的外周部進(jìn)行曝光的周邊曝光裝置。

背景技術(shù)：

在半導(dǎo)體設(shè)備的制造工序中，通常對(duì)半導(dǎo)體基板實(shí)施多次光刻工序。在光刻工序中，形成用于對(duì)半導(dǎo)體基板之上的特定部位進(jìn)行蝕刻或進(jìn)行離子注入的掩模圖案。該掩模圖案是采用例如抗蝕劑等感光性材料而形成的。

感光性材料通常通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂敷法而涂敷于半導(dǎo)體基板之上。關(guān)于旋轉(zhuǎn)涂敷法，例如在旋轉(zhuǎn)的半導(dǎo)體基板的中心之上滴下涂敷材料，通過(guò)離心力使涂敷材料進(jìn)行涂敷展開(kāi)。因此，在半導(dǎo)體基板的外周部也被涂敷了涂敷材料。此時(shí)，在半導(dǎo)體基板的外周部形成有斜面部(進(jìn)行了倒角的傾斜部)的情況下，在斜面部之上也被涂敷了涂敷材料。

由如上述那樣在外周部、斜面部之上形成的感光性材料構(gòu)成的掩模圖案在對(duì)半導(dǎo)體基板進(jìn)行收容的盒內(nèi)、半導(dǎo)體制造裝置內(nèi)由于接觸等而被破壞，成為碎粒的產(chǎn)生源。

針對(duì)這樣的問(wèn)題，在日本特愿昭60-283613號(hào)(日本特開(kāi)昭62-142321號(hào)公報(bào))中，記載了針對(duì)在端部形成有由抗蝕劑堆成的部分的半導(dǎo)體基板而僅對(duì)該端部進(jìn)行曝光的曝光裝置。另外，在日本特愿平10-025183號(hào)(日本特開(kāi)平11-214294號(hào)公報(bào))中，記載了僅對(duì)soi晶片等帶有臺(tái)階的晶片的周邊部進(jìn)行曝光的周邊曝光裝置。

另外，針對(duì)通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體基板的內(nèi)周部進(jìn)行薄化處理而在外周部形成有臺(tái)階部(在背面?zhèn)认鄬?duì)于內(nèi)周部呈凸?fàn)畹睦卟?的帶有臺(tái)階部的基板，將涂敷材料向該背面之上涂敷的情況下，在該臺(tái)階部之上也被涂敷了涂敷材料。即，在臺(tái)階部處，在位于內(nèi)周側(cè)的內(nèi)周端面及凸臺(tái)面(臺(tái)階部的頂面)之上也被涂敷了涂敷材料。

專利文獻(xiàn)1：日本特愿昭60-283613號(hào)(日本特開(kāi)昭62-142321號(hào)公報(bào))

專利文獻(xiàn)2：日本特愿平10-025183號(hào)(日本特開(kāi)平11-214294號(hào)公報(bào))

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

然而，上述的現(xiàn)有技術(shù)難以應(yīng)用于帶有臺(tái)階部的基板。具體地說(shuō)，由于無(wú)法對(duì)在臺(tái)階部的內(nèi)周端面之上形成的感光性膜進(jìn)行充分的曝光，因此存在無(wú)法通過(guò)顯影而將該感光性膜充分地去除的問(wèn)題。其結(jié)果，該感光性膜在之后的工序中成為碎粒產(chǎn)生源，存在對(duì)帶有臺(tái)階部的基板自身、半導(dǎo)體制造裝置等造成污染的問(wèn)題。

本發(fā)明就是為了解決上述課題而提出的。本發(fā)明的主要目的在于，提供一種周邊曝光裝置，該周邊曝光裝置能夠?qū)π纬捎信_(tái)階部的半導(dǎo)體基板的該臺(tái)階部的內(nèi)周端面，以可通過(guò)顯影而將在該內(nèi)周端面之上形成的感光性膜去除的程度充分地進(jìn)行曝光。

本發(fā)明涉及的周邊曝光裝置用于對(duì)半導(dǎo)體基板的外周部進(jìn)行曝光，該周邊曝光裝置具有：光源，其設(shè)置為能夠?qū)λ鐾庵懿空丈涔猓灰约胺瓷溏R，其具有反射面，該反射面形成為沿與從所述光源照射的所述光的光軸交叉的方向進(jìn)行延伸。所述反射鏡設(shè)置為在對(duì)所述半導(dǎo)體基板的所述外周部進(jìn)行曝光時(shí)，在所述半導(dǎo)體基板的徑向上位于所述半導(dǎo)體基板的中心與所述外周部之間。

發(fā)明的效果

根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種周邊曝光裝置，該周邊曝光裝置能夠?qū)π纬捎信_(tái)階部的半導(dǎo)體基板的該臺(tái)階部的內(nèi)周端面照射由反射鏡反射的反射光，因此能夠以可通過(guò)顯影而將在該內(nèi)周端面之上形成的感光性膜去除的程度充分地進(jìn)行曝光。

附圖說(shuō)明

圖1是用于說(shuō)明本實(shí)施方式涉及的周邊曝光裝置的剖視圖。

圖2是用于說(shuō)明本實(shí)施方式涉及的周邊曝光裝置的框圖。

圖3是用于說(shuō)明本實(shí)施方式涉及的周邊曝光裝置的俯視圖。

圖4是用于說(shuō)明通過(guò)本實(shí)施方式涉及的周邊曝光裝置進(jìn)行曝光后的半導(dǎo)體基板的剖視圖。

圖5是用于說(shuō)明通過(guò)本實(shí)施方式涉及的周邊曝光裝置進(jìn)行曝光、顯影后的半導(dǎo)體基板的剖視圖。

圖6是用于說(shuō)明本實(shí)施方式涉及的周邊曝光裝置的變形例的剖視圖。

具體實(shí)施方式

下面，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。此外，在下面的附圖中對(duì)相同或相當(dāng)?shù)牟糠謽?biāo)注相同的參照標(biāo)號(hào)，不重復(fù)其說(shuō)明。

首先，參照?qǐng)D1，說(shuō)明被本實(shí)施方式涉及的周邊曝光裝置10作為處理對(duì)象的半導(dǎo)體基板100。圖1是用于說(shuō)明本實(shí)施方式涉及的周邊曝光裝置10及其曝光對(duì)象即半導(dǎo)體基板100的結(jié)構(gòu)的剖視圖。

被周邊曝光裝置10作為曝光對(duì)象的半導(dǎo)體基板100具有第1主面100a，在第1主面100a的外周具有呈凸?fàn)畹呐_(tái)階部102。換言之，半導(dǎo)體基板100具有：內(nèi)周部(平坦部)101，其具有第1主面100a；以及外周部(臺(tái)階部)102，其形成為在外周側(cè)將平坦部101包圍。

半導(dǎo)體基板100還具有第2主面100b，該第2主面100b位于第1主面100a的相反側(cè)，從平坦部101連至臺(tái)階部102。半導(dǎo)體基板100具有頂面100d，該頂面100d在臺(tái)階部102處位于第2主面100b的相反側(cè)。半導(dǎo)體基板100還具有內(nèi)周端面100c，該內(nèi)周端面100c位于臺(tái)階部102的內(nèi)周側(cè)，沿與第1主面100a交叉的方向延伸，與第1主面100a及頂面100d相連。另外，內(nèi)周端面100c形成為在俯視觀察半導(dǎo)體基板100時(shí)沿周向是連續(xù)的。在與第1主面100a垂直的方向上的第1主面100a與頂面100d之間的距離為例如680μm。

在半導(dǎo)體基板100的第1主面100a、內(nèi)周端面100c、以及頂面100d之上，作為具有感光性的膜而形成有例如抗蝕層110?？刮g層110具有：第3主面110a，其在半導(dǎo)體基板100的平坦部101之上形成為與第1主面100a大致平行；端面110c，其與第3主面110a相連，并且沿與第3主面110a交叉的方向延伸；以及頂面110d，其與端面110c相連，并且相對(duì)于第3主面110a而處于規(guī)定的高度。此外，半導(dǎo)體基板100、抗蝕層110的各面不限于平面，也可以為曲面。

下面，參照?qǐng)D1及圖2，對(duì)本實(shí)施方式涉及的周邊曝光裝置10進(jìn)行說(shuō)明。圖2是用于說(shuō)明本實(shí)施方式涉及的周邊曝光裝置10的框圖。周邊曝光裝置10具有：控制部20，其對(duì)周邊曝光裝置10與半導(dǎo)體基板100的相對(duì)位置關(guān)系進(jìn)行控制；以及驅(qū)動(dòng)部30，其對(duì)周邊曝光裝置10或者搭載有半導(dǎo)體基板100的卡盤臺(tái)6進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。周邊曝光裝置10還具有光源1和反射鏡2。并且，周邊曝光裝置10還具有：卡盤臺(tái)6，其設(shè)置為能夠搭載半導(dǎo)體基板100；以及旋轉(zhuǎn)軸7，其設(shè)置為能夠使卡盤臺(tái)6進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。

光源1及反射鏡2設(shè)置為，能夠針對(duì)作為曝光對(duì)象的抗蝕層110部分(在臺(tái)階部102之上形成的抗蝕層110)，以可通過(guò)顯影將該抗蝕層110均勻地去除的條件進(jìn)行曝光。

光源1設(shè)置為能夠從第1主面100a側(cè)將光向半導(dǎo)體基板100的臺(tái)階部102照射。關(guān)于光源1，與所涂敷的抗蝕層110(感光性膜)的感光波長(zhǎng)、感光度等相匹配地適當(dāng)選擇即可，例如，可以是能夠照射出高壓水銀燈的g線(波長(zhǎng)：436nm)、高壓水銀燈的h線(波長(zhǎng)：405nm)、高壓水銀燈的i線(波長(zhǎng)：365nm)等的光源。或者，光源1也可以是半導(dǎo)體激光器(波長(zhǎng)：830nm、532nm、488nm、405nm等)、yag激光器(波長(zhǎng)：1064nm)、krf準(zhǔn)分子激光器(波長(zhǎng)：248nm)、arf準(zhǔn)分子激光器(波長(zhǎng)：193nm)、以及f2準(zhǔn)分子激光器(波長(zhǎng)：157nm)等。光源1設(shè)置為所照射的光的光軸l1沿與第1主面100a及頂面100d交叉的方向進(jìn)行延伸，例如設(shè)置為光軸l1與第1主面100a及頂面100d垂直。

光源1設(shè)置為，能夠向與在臺(tái)階部102之上形成的抗蝕層110的在半導(dǎo)體基板100的徑向上的寬度w1(半導(dǎo)體基板100的外周端面100e與端面110c之間的最大距離)相比更寬廣的區(qū)域進(jìn)行投光。具體地說(shuō)，考慮到在對(duì)臺(tái)階部102之上的抗蝕層110進(jìn)行曝光時(shí)的、反射鏡2的反射面2a的端部(位于半導(dǎo)體基板100的外周側(cè)的端部)與第3主面110a和端面110c的交點(diǎn)之間的在上述徑向上的距離(反射鏡2的反射面2a與端面110c之間的最短距離)l1，可由光源1進(jìn)行投光的區(qū)域?qū)挾葹榕c該寬度w1相比至少寬出大于或等于距離l1。可由光源1進(jìn)行投光的區(qū)域?qū)挾认鄬?duì)于該寬度w1，寬出例如反射面2a的端部(位于半導(dǎo)體基板100的內(nèi)周側(cè)的端部)與第3主面110a和端面110c的交點(diǎn)之間的在上述徑向上的距離l2左右。此外，距離l1能夠與在第1主面100a之上殘存抗蝕層110的區(qū)域的寬度相對(duì)應(yīng)地任意決定。

反射鏡2包含反射面2a，該反射面2a配置為沿與從光源1照射的光的光軸l1交叉的方向進(jìn)行延伸。反射鏡2配置于臺(tái)階部102的內(nèi)周側(cè)。反射鏡2設(shè)置為，能夠通過(guò)反射面2a將從光源1照射出的光向內(nèi)周端面100c進(jìn)行反射。從不同的觀點(diǎn)來(lái)說(shuō)，反射鏡2設(shè)置為，在對(duì)半導(dǎo)體基板100的外周部進(jìn)行曝光時(shí)在半導(dǎo)體基板100的徑向上位于半導(dǎo)體基板100的中心c與臺(tái)階部102之間。反射面2a設(shè)置為，相對(duì)于光軸l1呈傾斜角θ1。反射鏡2配置為，反射面2a與端面110c及內(nèi)周端面100c相對(duì)。反射鏡2支撐于反射鏡支撐臺(tái)3。反射鏡2的反射面2a優(yōu)選設(shè)置為，能夠?qū)墓庠?照射出的光作為反射光而向端面110c的寬廣的區(qū)域(難以由從光源1照射出的光軸l1的光直接曝光的區(qū)域)進(jìn)行照射。反射面2a只要設(shè)置為能夠?qū)墓庠?照射出的光僅反射至規(guī)定的區(qū)域即可，也可以為具有散射功能的面(例如包含凹凸部的面)，但優(yōu)選為鏡面。反射面2a既可以為平面，也可以具有曲面部。

反射鏡支撐臺(tái)3位于臺(tái)階部102的內(nèi)周側(cè)，設(shè)置為能夠相對(duì)于半導(dǎo)體基板100將反射鏡2定位為反射面2a與端面110c及內(nèi)周端面100c相對(duì)。即，反射鏡支撐臺(tái)3能夠在與第1主面100a垂直的方向上將反射鏡2支撐在位于臺(tái)階部102的頂面100d與第1主面100a之間的區(qū)域內(nèi)。另外，反射鏡支撐臺(tái)3能夠在半導(dǎo)體基板100的徑向上將反射鏡2支撐在位于臺(tái)階部102的內(nèi)周端面100c與半導(dǎo)體基板100的中心c之間的區(qū)域內(nèi)。反射鏡支撐臺(tái)3與驅(qū)動(dòng)部30連接，設(shè)置為能夠基于來(lái)自驅(qū)動(dòng)部30的信號(hào)，相對(duì)于卡盤臺(tái)6相對(duì)地進(jìn)行移動(dòng)。

此時(shí)，從對(duì)端面110c有效地進(jìn)行曝光的觀點(diǎn)出發(fā)，反射面2a相對(duì)于光軸l1的傾斜角θ1是與端面110c和第1主面100a所成的角度相對(duì)應(yīng)地決定的。優(yōu)選的是，使反射鏡2以可變更傾斜角θ1的方式由反射鏡支撐臺(tái)3支撐。即，優(yōu)選反射鏡支撐臺(tái)3設(shè)置為，能夠以可變更反射面2a相對(duì)于光的光軸l1的角度θ1的方式對(duì)反射鏡2進(jìn)行支撐。從不同的觀點(diǎn)來(lái)說(shuō)，優(yōu)選反射鏡支撐臺(tái)3設(shè)置為能夠?qū)τ煞瓷涿?a反射出的反射光的光軸l2的延伸方向進(jìn)行變更。在該情況下，反射鏡2搭載于在反射鏡支撐臺(tái)3之上設(shè)置的反射鏡可動(dòng)部4。反射鏡可動(dòng)部4以反射鏡2可轉(zhuǎn)動(dòng)的方式對(duì)反射鏡2進(jìn)行設(shè)置，使得例如傾斜角θ1大于或等于30度且小于或等于80度。反射鏡可動(dòng)部4能夠利用以往周知的任意結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選周邊曝光裝置10還具有檢測(cè)部，該檢測(cè)部能夠?qū)Ψ瓷溏R2或者反射鏡支撐臺(tái)3與半導(dǎo)體基板100之間的距離進(jìn)行檢測(cè)。檢測(cè)部包含第1傳感器5，該第1傳感器5能夠?qū)Ψ瓷溏R2與半導(dǎo)體基板100的內(nèi)周部(第1主面100a或者第3主面110a)之間的在半導(dǎo)體基板100的厚度方向上的距離進(jìn)行檢測(cè)。

第1傳感器5可以是非接觸式的任意傳感器，例如為光學(xué)式傳感器、超聲波式傳感器等。在傳感器5為光學(xué)式傳感器的情況下，傳感器5包含：投光部，其具有激光二極管、led等發(fā)光元件；以及受光部，其具有光電二極管、cmos、ccd等受光元件。傳感器5例如與反射鏡支撐臺(tái)3設(shè)置為一體。在該情況下，第1傳感器5的受光部(檢測(cè)部)與反射鏡支撐臺(tái)3的下表面配置于同一面上。即，傳感器5例如在反射鏡支撐臺(tái)3處，設(shè)置于與第1主面100a最接近的部分之上，或者在與反射鏡支撐臺(tái)3設(shè)置為一體的部件處，設(shè)置于與上述最接近的部分相對(duì)于第1主面100a具有同等的距離的部分之上。第1傳感器5與控制部20連接?？刂撇?0基于第1傳感器5的檢測(cè)結(jié)果，對(duì)由驅(qū)動(dòng)部30實(shí)現(xiàn)的驅(qū)動(dòng)進(jìn)行控制。

此外，傳感器5也可以與反射鏡2設(shè)置為一體。傳感器5設(shè)置為例如能夠?qū)Ψ瓷溏R2與第1主面100a或者第3主面110a之間的在與第1主面100a垂直的方向上的距離進(jìn)行檢測(cè)。

卡盤臺(tái)6設(shè)置為能夠?qū)Π雽?dǎo)體基板100的第2主面100b進(jìn)行真空卡裝。卡盤臺(tái)6的在沿第2主面100b的方向上的中心與旋轉(zhuǎn)軸7連接。即，卡盤臺(tái)6設(shè)置為能夠借助于旋轉(zhuǎn)軸7而以將半導(dǎo)體基板100真空卡裝的狀態(tài)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。

反射鏡支撐臺(tái)3和卡盤臺(tái)6設(shè)置為，至少任一者能夠相對(duì)于另一者相對(duì)地進(jìn)行移動(dòng)。例如，在周邊曝光裝置10中，如果卡盤臺(tái)6在將半導(dǎo)體基板100真空卡裝的狀態(tài)下，在與第1主面100a垂直的方向上被固定，則反射鏡支撐臺(tái)3設(shè)置為能夠相對(duì)于半導(dǎo)體基板100至少沿與第1主面100a垂直的方向進(jìn)行移動(dòng)。優(yōu)選反射鏡支撐臺(tái)3設(shè)置為能夠相對(duì)于卡盤臺(tái)6進(jìn)行移動(dòng)，使得例如由傳感器5檢測(cè)的反射鏡2與半導(dǎo)體基板100的第3主面110a之間的距離小于或等于1mm。

另外，如圖1所示，光源1和反射鏡支撐臺(tái)3也可以設(shè)置為一體。在該情況下，光源1和反射鏡支撐臺(tái)3也可以設(shè)置為能夠作為一體而相對(duì)于半導(dǎo)體基板100進(jìn)行移動(dòng)。此外，在卡盤臺(tái)6未設(shè)置為能夠借助于旋轉(zhuǎn)軸7進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的情況下，也可以將光源1及反射鏡支撐臺(tái)3設(shè)置為能夠以半導(dǎo)體基板100的中心為旋轉(zhuǎn)中心而在與第1主面100a平行的面內(nèi)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。

圖3是用于說(shuō)明本實(shí)施方式涉及的周邊曝光裝置的俯視圖。參照?qǐng)D3，位于半導(dǎo)體基板100的第1主面100a側(cè)的光源1、反射鏡2、反射鏡支撐臺(tái)3、反射鏡可動(dòng)部4、第1傳感器5設(shè)置為，能夠與以沿半導(dǎo)體基板100的周向連續(xù)的方式形成的內(nèi)周端面100c的至少一部分相對(duì)即可。即使這樣，也能夠通過(guò)使卡盤臺(tái)6沿該周向進(jìn)行旋轉(zhuǎn)而對(duì)在卡盤臺(tái)6搭載的半導(dǎo)體基板100的內(nèi)周端面100c整個(gè)面進(jìn)行曝光。此外，光源1、反射鏡2、反射鏡支撐臺(tái)3、反射鏡可動(dòng)部4、第1傳感器5也可以設(shè)置為能夠與以沿半導(dǎo)體基板100的周向連續(xù)的方式形成的內(nèi)周端面100c的整個(gè)面相對(duì)。

下面，對(duì)本實(shí)施方式涉及的周邊曝光裝置10的作用效果進(jìn)行說(shuō)明。

本實(shí)施方式涉及的周邊曝光裝置10是用于對(duì)半導(dǎo)體基板100的外周部進(jìn)行曝光的周邊曝光裝置，該周邊曝光裝置10具有：光源1，其設(shè)置為能夠?qū)ν庵懿空丈涔?；以及反射鏡2，其具有反射面2a，該反射面2a形成為沿與從光源1照射的光的光軸交叉的方向進(jìn)行延伸。反射鏡2設(shè)置為在對(duì)半導(dǎo)體基板100的外周部進(jìn)行曝光時(shí)，在半導(dǎo)體基板100的徑向上位于半導(dǎo)體基板100的中心c與外周部之間。

這樣的周邊曝光裝置10能夠?qū)υ诎雽?dǎo)體基板100的外周部設(shè)置的臺(tái)階部102的頂面100d照射光，并且能夠?qū)墓庠?照射至反射鏡2的光作為反射光而對(duì)臺(tái)階部102的內(nèi)周端面100c進(jìn)行照射。因此，根據(jù)周邊曝光裝置10，不僅能夠?qū)υ陧斆?00d之上形成的抗蝕層110進(jìn)行曝光，而且還能夠?qū)π纬捎趦?nèi)周端面100c之上且具有端面110c的感光性膜(抗蝕層110)進(jìn)行曝光。即，周邊曝光裝置10能夠?qū)π纬捎谂_(tái)階部102之上且可能成為碎粒產(chǎn)生源的整個(gè)抗蝕層110部分進(jìn)行曝光。其結(jié)果，能夠通過(guò)顯影而去除該抗蝕層110部分，能夠抑制在后續(xù)工序中對(duì)半導(dǎo)體基板100自身、半導(dǎo)體制造裝置等造成污染這一問(wèn)題的發(fā)生。

圖4是用于說(shuō)明通過(guò)本實(shí)施方式涉及的周邊曝光裝置10進(jìn)行曝光后的半導(dǎo)體基板100的剖視圖。參照?qǐng)D4，周邊曝光裝置10能夠?qū)υ谂_(tái)階部102之上(內(nèi)周端面100c及頂面100d)形成的抗蝕層110、和在平坦部101的第1主面100a之上形成的抗蝕層110中的外周側(cè)的一部分進(jìn)行曝光。以上述方式曝光后的抗蝕層區(qū)域111包含有形成于臺(tái)階部102之上且可能成為碎粒產(chǎn)生源的整個(gè)抗蝕層110部分。

圖5是用于說(shuō)明通過(guò)本實(shí)施方式涉及的周邊曝光裝置10曝光之后進(jìn)行了顯影的半導(dǎo)體基板100的剖視圖。參照?qǐng)D5，對(duì)于通過(guò)周邊曝光裝置10曝光之后進(jìn)行了顯影的半導(dǎo)體基板100，通過(guò)顯影而將曝光后的抗蝕層區(qū)域111去除。因此，該半導(dǎo)體基板100能夠在后續(xù)工序中使用在第1主面100a之上殘存的抗蝕層110進(jìn)行加工，并且抑制了由在臺(tái)階部102之上形成的抗蝕層110引起的碎粒的產(chǎn)生。其結(jié)果，通過(guò)使用該半導(dǎo)體基板100，能夠以高成品率制造半導(dǎo)體裝置。

周邊曝光裝置10優(yōu)選還具有檢測(cè)部(具有第1傳感器5)，該檢測(cè)部能夠?qū)Ψ瓷溏R2與半導(dǎo)體基板100之間的距離進(jìn)行檢測(cè)。

由此，通過(guò)基于檢測(cè)部的檢測(cè)結(jié)果而進(jìn)行反射鏡支撐臺(tái)3或者卡盤臺(tái)6的定位，從而能夠防止反射鏡2與半導(dǎo)體基板100接觸，并且能夠使反射鏡2與半導(dǎo)體基板100之間的該距離充分地變短。具體地說(shuō)，通過(guò)基于由第1傳感器5檢測(cè)出的反射鏡2與半導(dǎo)體基板100之間的在與第1主面100a垂直的方向上的距離，對(duì)反射鏡2與半導(dǎo)體基板100的相對(duì)位置關(guān)系進(jìn)行變更，從而能夠使得反射鏡2與半導(dǎo)體基板100不會(huì)接觸，并使反射鏡2和半導(dǎo)體基板100在與第1主面100a垂直的方向上充分地接近。因此，能夠抑制下述情況，即，來(lái)自臺(tái)階部102的內(nèi)周端面100c的反射光、來(lái)自反射鏡2的反射面2a的反射光，對(duì)例如在沿光軸l1的方向上與反射鏡2、反射鏡支撐臺(tái)3重疊的區(qū)域形成的抗蝕層110等需要留下的區(qū)域的抗蝕層110也進(jìn)行曝光。

另外，周邊曝光裝置10還具有反射鏡支撐臺(tái)3，該反射鏡支撐臺(tái)3能夠以使得反射面2a與內(nèi)周端面100c相對(duì)的方式對(duì)反射鏡2進(jìn)行支撐。反射鏡支撐臺(tái)具有反射鏡可動(dòng)部4，該反射鏡可動(dòng)部4能夠變更反射面2a相對(duì)于從光源1照射出的光的光軸l1的角度。

由此，能夠?qū)⒎瓷溏R2相對(duì)于半導(dǎo)體基板100配置為，由反射鏡2反射出的光直至到達(dá)至在內(nèi)周端面100c之上形成的抗蝕層110為止不被遮擋。其結(jié)果，周邊曝光裝置10能夠?qū)π纬捎谂_(tái)階部102之上且可能成為碎粒產(chǎn)生源的整個(gè)抗蝕層110部分進(jìn)行曝光。并且，通過(guò)與抗蝕層110的端面110c的傾斜角θ2(參照?qǐng)D1)相對(duì)應(yīng)地對(duì)反射鏡2的反射面2a的角度θ1進(jìn)行變更，從而能夠使針對(duì)包含端面110c在內(nèi)的作為曝光對(duì)象的整個(gè)抗蝕層110部分的曝光條件最優(yōu)化。其結(jié)果，與角度θ1無(wú)法變更且曝光條件并非最優(yōu)的情況相比，能夠縮短以通過(guò)顯影實(shí)現(xiàn)去除而所需的曝光量對(duì)整個(gè)該抗蝕層110部分進(jìn)行曝光所需的曝光時(shí)間。

包含于檢測(cè)部的第1傳感器5也可以與反射鏡支撐臺(tái)3的下表面配置于同一面上。由此，能夠防止反射鏡支撐臺(tái)3與半導(dǎo)體基板100接觸，并且能夠使反射鏡2、反射鏡支撐臺(tái)3與半導(dǎo)體基板100在與第1主面100a垂直的方向上充分地接近。

在周邊曝光裝置10中，光源1和反射鏡支撐臺(tái)3也可以設(shè)置為能夠作為一體而相對(duì)于半導(dǎo)體基板100進(jìn)行移動(dòng)。

由此，與光源1和反射鏡支撐臺(tái)3分別具有驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的情況相比，能夠?qū)⒀b置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化，能夠降低周邊曝光裝置10的制造成本。另外，能夠減少與光源1和反射鏡2的相對(duì)位置關(guān)系相關(guān)的控制參數(shù)。

優(yōu)選檢測(cè)部包含有第1傳感器5，該第1傳感器5能夠?qū)Ψ瓷溏R2與半導(dǎo)體基板100處由外周部包圍的內(nèi)周部之間的在半導(dǎo)體基板100的厚度方向上的距離進(jìn)行檢測(cè)。

由此，能夠基于如上所述地由第1傳感器5檢測(cè)出的距離，使反射鏡2和半導(dǎo)體基板100在與第1主面100a垂直的方向上充分地接近。因此，能夠抑制下述情況，即，來(lái)自臺(tái)階部102的內(nèi)周端面100c的反射光、來(lái)自反射鏡2的反射面2a的反射光，對(duì)例如在沿光軸l1的方向上與反射鏡2、反射鏡支撐臺(tái)3重疊的區(qū)域形成的抗蝕層110等需要留下的區(qū)域的抗蝕層110也進(jìn)行曝光。

優(yōu)選周邊曝光裝置10還具有基板支撐臺(tái)(卡盤臺(tái)6)，該基板支撐臺(tái)將半導(dǎo)體基板100可旋轉(zhuǎn)地進(jìn)行支撐。

由此，無(wú)需使光源1及反射鏡2沿例如半導(dǎo)體基板100的周向進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，就能夠?qū)υ谝匝卦撝芟蜻B續(xù)的方式形成的臺(tái)階部102之上形成的抗蝕層110進(jìn)行曝光。

圖6是表示本實(shí)施方式涉及的周邊曝光裝置10的變形例的剖視圖。參照?qǐng)D6，檢測(cè)部基本上具有與圖1所示的周邊曝光裝置10相同的結(jié)構(gòu)，但也可以包含第2傳感器8，該第2傳感器8能夠?qū)Ψ瓷溏R2與外周部之間的在半導(dǎo)體基板100的徑向上的距離進(jìn)行檢測(cè)。第2傳感器8設(shè)置為，能夠?qū)υ谘氐?主面100a的方向上的反射鏡2或反射鏡支撐臺(tái)3與半導(dǎo)體基板100的內(nèi)周端面100c或端面110c之間的距離(例如上述最短距離l1)進(jìn)行檢測(cè)，或者對(duì)反射鏡2與內(nèi)周端面100c或端面110c之間的接觸進(jìn)行檢測(cè)。由此，通過(guò)基于由第2傳感器8檢測(cè)出的反射鏡2與外周部(臺(tái)階部102)之間的在半導(dǎo)體基板100的徑向上的距離，對(duì)反射鏡2與半導(dǎo)體基板100的相對(duì)位置關(guān)系進(jìn)行變更，從而能夠?qū)ι鲜龅木嚯xl1進(jìn)行控制，能夠使反射鏡2和端面110c在上述徑向上充分地接近。因此，能夠抑制對(duì)第1主面100a之上需要留下的區(qū)域的抗蝕層110也進(jìn)行曝光這一情況。第2傳感器8與第1傳感器5相同地，可以是非接觸式的任意傳感器，例如為光學(xué)式傳感器、超聲波式傳感器等。

如上所述，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明，但應(yīng)該認(rèn)為本次公開(kāi)的實(shí)施方式在所有方面均為例示，而非限制性的內(nèi)容。本發(fā)明的范圍通過(guò)權(quán)利要求書而示出，意在包含與權(quán)利要求書均等的含義及范圍的所有變更。

工業(yè)實(shí)用性

本發(fā)明應(yīng)用于對(duì)在外周部具有臺(tái)階部的半導(dǎo)體基板的該外周部進(jìn)行曝光所使用的曝光裝置特別有益。

標(biāo)號(hào)的說(shuō)明

1光源，2反射鏡，2a反射面，3反射鏡支撐臺(tái)，4反射鏡可動(dòng)部，5第1傳感器，6卡盤臺(tái)，7旋轉(zhuǎn)軸，8第2傳感器，10周邊曝光裝置，

100半導(dǎo)體基板，100a第1主面，100b第2主面，100c內(nèi)周端面，100d、110d頂面，100e外周端面，101平坦部，102臺(tái)階部，110抗蝕層，110a第3主面，110c傾斜面。