專利名稱：基板處理裝置、基板處理方法、程序和計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)媒體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基板處理裝置、基板處理方法、程序和計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)媒體。
背景技術(shù)：
例如在半導(dǎo)體裝置的制造中的光刻處理中依次實(shí)施例如在半導(dǎo)體晶片(以下稱晶片)上涂敷抗蝕劑液形成抗蝕劑膜的抗蝕劑涂敷處理、對(duì)抗蝕劑膜的周邊部進(jìn)行選擇性地曝光的周邊曝光處理、在周邊部已被曝光的抗蝕劑膜使規(guī)定的圖案曝光的曝光處理、使曝光后的抗蝕劑膜顯影的顯影處理等，由此在晶片上形成規(guī)定的抗蝕劑的圖案。此外，對(duì)以上述方式實(shí)施光刻處理的晶片，通過檢查裝置實(shí)施所謂的宏觀缺陷檢查。宏觀缺陷檢查能在各種定時(shí)實(shí)施，例如在周邊曝光處理后實(shí)施。這樣的情況下，檢查是否在晶片表面形成有規(guī)定的抗蝕劑膜或者是否有傷、附著異物等。這樣的宏觀缺陷檢查，在檢查裝置中，例如一邊使裝置有晶片的載置臺(tái)移動(dòng)，一邊從照明部通過半透明反射鏡對(duì)載置臺(tái)上的晶片進(jìn)行照射，并且由上述半透明反射鏡反射來自晶片的反射光，通過例如CCD (Charge-Coupled Device,電荷耦合器件)線路傳感器的攝像裝置取入晶片的圖像。然后，對(duì)該圖像進(jìn)行圖像處理判定有無缺陷(專利文獻(xiàn)1)。此外，上述的光刻處理和缺陷檢查由例如涂敷顯影處理裝置和曝光裝置實(shí)施。在涂敷顯影處理裝置設(shè)置例如實(shí)施上述的抗蝕劑涂敷處理的抗蝕劑涂敷裝置和實(shí)施顯影處理的顯影處理裝置等的液處理裝置，或者除了實(shí)施周邊曝光處理的周邊曝光裝置，還設(shè)置有實(shí)施晶片的檢查的檢查裝置。即，檢查裝置與周邊曝光裝置等分開設(shè)置。并且在涂敷顯影處理裝置也設(shè)置將晶片輸送到各處理裝置的輸送裝置(專利文獻(xiàn)1)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1特開2007-240519號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題這里，為了得到?jīng)]有像的變形特別是沒有端部的變形的高精度的圖像，要確保載置臺(tái)上的晶片與攝像裝置之間的光路的工作距離盡可能的長。但是，在專利文獻(xiàn)1記載的檢查裝置中，由于有裝置空間的限制，在俯視時(shí)的攝像裝置、照明部和半透明反射鏡的配置已經(jīng)決定，所以很難將攝像裝置與照明部(半透明反射鏡)之間的工作距離變長。因此，存在由攝像裝置攝像的晶片的圖像上產(chǎn)生變形的情況，存在不能適當(dāng)?shù)貙?shí)施晶片的檢查的情況。此外，以上述方式采用專利文獻(xiàn)1的涂敷顯影處理裝置時(shí)，在周邊曝光裝置的周邊曝光處理結(jié)束的晶片由輸送裝置輸送到檢查裝置。這樣的情況下，將晶片從周邊曝光裝置輸送到檢查裝置的過程中，上述輸送裝置不能用于其他晶片的輸送。即，盡管對(duì)其他的晶片的處理結(jié)束，能輸送到別的處理裝置，但是必須使該其他的晶片待機(jī)，產(chǎn)生輸送等待。因而，對(duì)晶片處理的處理能力有改善余地。本發(fā)明是鑒于上述問題而做出的，目的是在周邊曝光處理后的基板的檢查中，取得沒有像的變形的高精度的圖像，適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行檢查，并提高包含該檢查的基板處理的處理能力。解決問題的方法為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明是基板的處理裝置，其特征在于，包括保持基板的保持部；使被上述保持部保持的基板旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部；使上述保持部在交接位置與周邊曝光位置之間移動(dòng)的移動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述交接位置是與外部之間實(shí)施基板的交接的位置，所述周邊曝光位置是對(duì)形成于基板上的涂敷膜的周邊部實(shí)施周邊曝光處理的位置；設(shè)置于上述周邊曝光位置側(cè)，對(duì)被所述保持部保持的基板上的涂敷膜的周邊部進(jìn)行曝光的曝光部；設(shè)置于上述周邊曝光位置側(cè)的所述曝光部的上方，對(duì)被上述保持部保持的基板攝像的攝像部； 和設(shè)置于上述交接位置與上述周邊曝光位置之間，改變?cè)诒簧鲜霰３植勘３值幕迮c上述攝像部之間形成的光路的方向的方向轉(zhuǎn)換部，上述方向轉(zhuǎn)換部包括第一反射鏡，其使從上述基板向垂直方向上方反射的光在上述周邊曝光位置側(cè)向水平方向反射；第二反射鏡，其使從上述第一反射鏡來的光在上述交接位置側(cè)以規(guī)定的反射角向斜上方反射；第三反射鏡，其使從上述第二反射鏡來的光在上述周邊曝光位置側(cè)向水平方向反射且送入上述攝像部。由于本發(fā)明的方向轉(zhuǎn)換部具有第一反射鏡、第二反射鏡和第三反射鏡，因此能不改變俯視時(shí)的攝像部的位置，使被保持部保持的基板與攝像部之間的光路的工作距離變長。因而，能在攝像部取得抑制了像的變形的高精度的圖像，能適當(dāng)?shù)貙?shí)施基板的檢查。但是，由于在本發(fā)明的基板處理裝置設(shè)置曝光部、攝像部、旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部和移動(dòng)機(jī)構(gòu)，所以能在該基板處理裝置內(nèi)輸送基板，并同時(shí)實(shí)施基板的周邊曝光處理和該基板的檢查。具體而言，首先，例如通過移動(dòng)機(jī)構(gòu)使被保持部保持的基板移動(dòng)到周邊曝光位置，在該周邊曝光位置，通過旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部使基板旋轉(zhuǎn)，并從曝光部對(duì)基板上的涂敷膜的周邊部照射光使該周邊部曝光。之后，在通過移動(dòng)機(jī)構(gòu)使被保持部保持的基板從周邊曝光位置移動(dòng)到交接位置的期間，在該基板通過方向轉(zhuǎn)換部的下方時(shí)由攝像部對(duì)基板攝像，根據(jù)該被攝像的基板的攝像圖像檢查基板的缺陷。因而，根據(jù)本發(fā)明，在實(shí)施基板的周邊曝光處理和該基板的檢查時(shí)，沒有必要想現(xiàn)有的那樣在周邊曝光裝置與檢查裝置之間使用輸送裝置輸送基板，因此能使用該輸送裝置在其他的處理裝置間實(shí)施其他的基板的輸送。因而，能減少其他基板的輸送等待，能提高基板處理的處理能力。并且，沒有必要想現(xiàn)有的那樣分別設(shè)置周邊曝光裝置和檢查裝置，因此有助于減少占地面積。也可以具有檢測被上述保持部保持的基板的周邊部的位置的位置檢查傳感器，和根據(jù)上述位置檢查傳感器的檢測結(jié)果控制上述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部來調(diào)整基板的周邊部的位置的控制部。上述規(guī)定的反射角也可以是小于45度的角度。上述曝光部配置在處理容器的內(nèi)部，設(shè)置在上述曝光部的光源裝置也可以配置在上述處理容器的外部。本發(fā)明的另一方面是使用了基板處理裝置的基板處理方法，上述基板處理裝置包括保持基板的保持部；使被上述保持部保持的基板旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部；使上述保持部在交接位置與周邊曝光位置之間移動(dòng)的移動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述交接位置是與外部之間實(shí)施基板的交接的位置，所述周邊曝光位置是對(duì)形成于基板上的涂敷膜的周邊部實(shí)施周邊曝光處理的位置；設(shè)置于上述周邊曝光位置側(cè)，對(duì)被上述保持部保持的基板上的涂敷膜的周邊部進(jìn)行曝光的曝光部；設(shè)置于上述周邊曝光位置側(cè)的上述曝光部的上方，對(duì)被上述保持部保持的基板攝的像攝像部；和設(shè)置于上述交接位置與上述周邊曝光位置之間的方向轉(zhuǎn)換部，其具備使從上述基板向垂直方向上方反射的光在上述周邊曝光位置側(cè)向水平方向反射的第一反射鏡、使從上述第一反射鏡來的光在上述交接位置側(cè)以規(guī)定的反射角向斜上方反射的第二反射鏡和使從上述第二反射鏡來的光在上述周邊曝光位置側(cè)向水平方向反射且送入上述攝像部的第三反射鏡，該方向轉(zhuǎn)換部改變?cè)诒簧鲜霰３植勘３值幕迮c上述攝像部之間形成的光路的方向。上述基板處理方法的特征在于，包括周邊曝光工序和檢查工序，所述周邊曝光工序是通過移動(dòng)機(jī)構(gòu)使被上述保持部保持的基板在上述周邊曝光位置移動(dòng)，在該周邊曝光位置，由上述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部使基板旋轉(zhuǎn)，并從上述曝光部對(duì)基板上的涂敷膜的周邊部照射光使該周邊部曝光。所述檢查工序是在上述周邊曝光工序之后，在通過移動(dòng)機(jī)構(gòu)使被上述保持部保持的基板從上述周邊曝光位置移動(dòng)到上述交接位置的期間，在該基板通過上述方向轉(zhuǎn)換部的下方時(shí)由上述攝像部對(duì)基板攝像，根據(jù)該被攝像的基板的攝像圖像，檢查基板的缺陷。上述基板處理裝置具備檢測被上述保持部保持的基板的周邊部的位置的位置檢測傳感器，在上述周邊曝光工序中，也可以根據(jù)上述位置檢測傳感器的檢測結(jié)果，由上述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部使基板旋轉(zhuǎn)，調(diào)整該基板的周邊部的位置。上述規(guī)定的反射角可以是比45度小的角度。根據(jù)本發(fā)明的再一方面，提供一種在控制部的計(jì)算機(jī)上運(yùn)行的程序，該控制部控制該基板處理裝置，用于通過基板處理裝置實(shí)行上述基板處理方法。并且根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種存儲(chǔ)上述程序的并能進(jìn)行讀取的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)媒體。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，在周邊曝光處理后的基板的檢查中，能夠獲得沒有像的變形的高精度的圖像并適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行檢查，提高包含該檢查的基板處理的處理能力。


圖1是表示具備本實(shí)施方式的晶片處理裝置的涂敷顯影處理系統(tǒng)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的概要的俯視圖。圖2是表示涂敷顯影處理系統(tǒng)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的概要的側(cè)視圖。圖3是表示涂敷顯影處理系統(tǒng)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的概要的側(cè)視圖。圖4是表示晶片處理裝置的結(jié)構(gòu)的概要的橫截面圖。圖5是表示晶片處理裝置的結(jié)構(gòu)的概要的縱截面圖。圖6是表示輸送臂與保持部的關(guān)系的示意圖。圖7是表示晶片與攝像部之間的光路的示意圖。圖8是表示將晶片搬入晶片處理裝置的狀態(tài)的示意圖。圖9是表示在晶片的周邊部實(shí)行周邊曝光處理的狀態(tài)的示意圖。
圖10是實(shí)行晶片檢查的狀態(tài)的示意圖。圖11是表示從晶片處理裝置搬出晶片的狀態(tài)的示意圖。圖12是表示其他實(shí)施方式的晶片處理裝置的結(jié)構(gòu)的概要的縱截面圖。符號(hào)說明1、涂敷顯影處理系統(tǒng)42、晶片處理裝置70、晶片輸送裝置110、處理容器120、保持部121、驅(qū)動(dòng)部122、導(dǎo)軌130、位置檢測傳感器140、曝光部141、燈箱150、攝像部152、照明部153、方向轉(zhuǎn)換部154、第一反射鏡155、第二反射鏡156、第三反射鏡200、控制部L、光路Pl、交接位置P2、周邊曝光位置W、晶片
具體實(shí)施例方式以下說明本發(fā)明的實(shí)施方式。圖1是表示具備作為本實(shí)施方式的基板處理裝置的晶片處理裝置的涂敷顯影處理系統(tǒng)1的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的概要的俯視圖。圖2和圖3是表示涂敷顯影處理系統(tǒng)1的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的概要的側(cè)視圖。如圖1所示，涂敷顯影處理系統(tǒng)1具有將例如存儲(chǔ)盒站2、處理站3和接口站5連接為一體的結(jié)構(gòu)，所述存儲(chǔ)盒站2在與外部之間搬入搬出收納多枚晶片W的存儲(chǔ)盒C，所述處理站3具備在光刻處理中以單片式實(shí)施規(guī)定處理的多個(gè)各種處理裝置，所述接口站5在處理站3與鄰接的曝光裝置4之間進(jìn)行晶片W的交接。在存儲(chǔ)盒站2設(shè)置有存儲(chǔ)盒載置臺(tái)10。在存儲(chǔ)盒載置臺(tái)10設(shè)置有多個(gè)例如4個(gè)存儲(chǔ)盒載置板11。存儲(chǔ)盒載置板11設(shè)置為在水平方向的X方向(圖1中的上下方向)上排成一列。當(dāng)對(duì)涂敷顯影處理系統(tǒng)1的外部搬入搬出存儲(chǔ)盒C的時(shí)候，能在這些存儲(chǔ)盒載置板11上載置存儲(chǔ)盒C。如圖1所示，在存儲(chǔ)盒站2設(shè)置有能在X方向上延伸的輸送路20上自由移動(dòng)的晶片輸送裝置21。晶片輸送裝置21能在上下方向和繞垂直軸(θ方向)自由移動(dòng)，能在各存儲(chǔ)盒載置板11上的存儲(chǔ)盒C與后述的處理站3的第三區(qū)塊G3的交接裝置之間輸送晶片 I在處理站3設(shè)置有具備各種裝置的多個(gè)例如4個(gè)區(qū)塊G1、G2、G3、G4。例如在處理站3的正面?zhèn)?圖1的X方向負(fù)方向側(cè))設(shè)置第一區(qū)塊G1，在處理站3的背面?zhèn)?圖1的 X方向正方向側(cè))設(shè)置第二區(qū)塊G2。此外，在處理站3的存儲(chǔ)盒站2側(cè)(圖1的Y方向負(fù)方向側(cè))設(shè)置第三區(qū)塊G3，在處理站3的接口站5側(cè)(圖1的Y方向正方向側(cè))設(shè)置第四區(qū)塊G4。如圖3所示，例如在第一區(qū)塊Gl多個(gè)液處理裝置，例如對(duì)晶片W進(jìn)行顯影處理的顯影裝置30、在晶片W的抗蝕劑膜的下層形成防反射膜(以下稱“下部防反射膜”)的下部防反射膜形成裝置31、在晶片W涂敷抗蝕劑液形成作為涂敷膜的抗蝕劑膜的抗蝕劑涂敷裝置32、在晶片W的抗蝕劑膜的上層形成防反射膜(以下稱“上部防反射膜”)的上部防反射膜形成裝置33從下按順序重疊為四層。例如第一區(qū)塊Gl的各裝置30 33，在水平方向上具有多個(gè)處理時(shí)收納晶片W的杯F，能同時(shí)處理多個(gè)晶片W。圖2所示，例如在第二區(qū)塊G2在上下方向和水平方向排列地設(shè)置有對(duì)晶片W實(shí)施熱處理的熱處理裝置40和對(duì)晶片W實(shí)施疏水化處理的粘著裝置41、對(duì)晶片W上的抗蝕劑膜的周邊部實(shí)施周邊曝光處理的并且對(duì)該周邊曝光處理結(jié)束后的晶片W的缺陷進(jìn)行檢查的晶片處理裝置42。熱處理裝置40具有載置并加熱晶片W的熱板和載置并冷卻晶片W的冷卻板，能實(shí)施加熱處理和冷卻處理。而且，熱處理裝置40、粘著裝置41和晶片處理裝置42 的數(shù)量和配置可以任意選擇。此外，后述晶片處理裝置42的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。例如在第三區(qū)塊G3從下順序地設(shè)置有多個(gè)交接裝置50、51、52、53、M、55、56。此外，在第四區(qū)塊G4從下順序地設(shè)置有多個(gè)交接裝置60、61、62。如圖1所示在被第一區(qū)塊Gl 第四區(qū)塊G4包圍的區(qū)域形成晶片輸送區(qū)域D。在晶片輸送區(qū)域D配置有例如晶片輸送裝置70。晶片輸送裝置70具有在例如Y方向、X方向、θ方向和上下方向自由移動(dòng)的輸送臂。晶片輸送裝置70在晶片輸送區(qū)域D內(nèi)移動(dòng)，能給周圍的第一區(qū)塊G1、第二區(qū)塊G2、第三區(qū)塊G3和第四區(qū)塊G4內(nèi)的規(guī)定的裝置輸送晶片W。圖2所示，晶片輸送裝置70例如在上下配置多臺(tái)，能在例如各區(qū)塊Gl G4的同程度高度的規(guī)定的裝置輸送晶片W。此外，在晶片輸送區(qū)域D設(shè)置有在第三區(qū)塊G3與第四區(qū)塊G4之間直線地輸送晶片W的梭輸送裝置80。梭輸送裝置80能在例如Y方向直線地自由移動(dòng)。梭輸送裝置80在支撐晶片W的狀態(tài)下在Y方向移動(dòng)，在第三區(qū)塊G3的交接裝置52與第四區(qū)塊G4的交接裝置62之間輸送晶片W。如圖1所示，在第三區(qū)塊G3的X方向正方向側(cè)的旁邊設(shè)置有晶片輸送裝置90。晶片輸送裝置90具有在例如X方向、θ方向和上下方向自由移動(dòng)的輸送臂。晶片輸送裝置 90在支撐晶片W的狀態(tài)下上下地移動(dòng)，能夠?qū)Φ谌齾^(qū)塊G3內(nèi)的各交接裝置輸送晶片W。在接口站5設(shè)置有晶片輸送裝置100和交接裝置101。晶片輸送裝置100具有在例如Y方向、θ方向和上下方向自由移動(dòng)的輸送臂。晶片輸送裝置100例如在輸送臂支撐晶片W，能對(duì)第四區(qū)塊G4內(nèi)的各交接裝置和交接裝置101輸送晶片W。下面，說明上述的晶片處理裝置42的結(jié)構(gòu)。如圖4和圖5所示，晶片處理裝置42 具有處理容器110。在處理容器110的晶片輸送區(qū)域D側(cè)(圖4和圖5的X方向負(fù)方向側(cè)) 的側(cè)面，形成有搬入搬出晶片W的搬入搬出口 111。在搬入搬出口 111設(shè)置有開閉閘門112。在處理容器110的內(nèi)部設(shè)置有吸附保持晶片W的保持部120。保持部120具有水平的上表面，在該上表面設(shè)置有例如吸引晶片W的吸引口(未圖示)。利用來自該吸引口的吸引能將晶片W吸附保持在保持部120上。如圖5所示，在保持部120安裝有驅(qū)動(dòng)部121。驅(qū)動(dòng)部121例如內(nèi)置有發(fā)動(dòng)機(jī)(未圖示)。而且，驅(qū)動(dòng)部121能使保持部120旋轉(zhuǎn)，具有作為本發(fā)明的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部的功能，并且具有調(diào)節(jié)晶片W位置的校準(zhǔn)功能。在處理容器110的底面設(shè)置有從處理容器110內(nèi)的一端側(cè)(圖5中的X方向負(fù)方向側(cè))延伸到另一端側(cè)(圖5中的X方向正方向側(cè))的導(dǎo)軌122。 驅(qū)動(dòng)部121設(shè)置在導(dǎo)軌122上。于是保持部120和驅(qū)動(dòng)部121沿著導(dǎo)軌122能在交接位置 Pl與周邊曝光位置Ρ2之間移動(dòng)，所述交接位置Pl是在與晶片處理裝置42的外部之間實(shí)施晶片W的交接的位置，所述周邊曝光位置Ρ2是對(duì)晶片W的周邊部實(shí)施周邊曝光處理的位置。并且，這些驅(qū)動(dòng)部121和導(dǎo)軌122構(gòu)成本發(fā)明的移動(dòng)機(jī)構(gòu)。此外，在本實(shí)施方式中，在處理容器110的底面上設(shè)置了導(dǎo)軌122，但是該導(dǎo)軌也可以埋設(shè)在處理容器110的底面。此外，在交接位置Pl在與晶片處理裝置42的外部之間交接晶片W的時(shí)候，如圖6 所示，保持部120不與設(shè)置在晶片處理裝置42的外部的晶片輸送裝置70干涉。這里，晶片輸送裝置70具有例如直徑比晶片W稍微大的大致C字型的臂部70a。在臂部70a的內(nèi)側(cè)， 在多處例如三處設(shè)置朝向內(nèi)側(cè)突出、支撐晶片W的外周部的支撐部70b。保持部120具有比晶片W的直徑小的直徑，吸附保持晶片W的中心部。因而，保持部120不與晶片輸送裝置 70干涉。在處理容器110內(nèi)部的周邊曝光位置P2設(shè)置有檢測被保持部120保持的晶片W的周邊部的位置的位置檢測傳感器130。位置檢測傳感器130具有例如具有 CCD (Charge-Coupled Device，電荷耦合器件)照相機(jī)(未圖示)，檢測被保持部120保持的晶片W的距中心的偏心量和晶片W的凹口部的位置。然后根據(jù)晶片W的偏心量，設(shè)定曝光部140的光的照射位置。此外，通過位置檢測傳感器130檢測凹口部的位置，并通過驅(qū)動(dòng)部 121使保持部120旋轉(zhuǎn)，能夠調(diào)整晶片W的凹口部的位置。在處理容器110的內(nèi)部設(shè)置有對(duì)被保持部120保持的晶片W上的抗蝕劑膜的周邊部照射光進(jìn)行曝光的曝光部140。在曝光部140設(shè)置有燈箱141作為向該曝光部140供給光的光源裝置。在燈箱141的內(nèi)部設(shè)置有超高壓水銀燈(未圖示)或?qū)碜猿邏核y燈的光聚光的聚光鏡(未圖示)。這些曝光部140和燈箱141配置在周邊曝光位置P2的X 方向正方向側(cè)，即處理容器110的X方向正方向端部。在處理容器110的內(nèi)部設(shè)置有對(duì)被保持部120保持的晶片W攝像的攝像部150。 攝像部150配置在周邊曝光位置P2的X方向正方向側(cè)，即為處理容器110的X方向正方向端部、曝光部140和燈箱141的上方。在攝像部150使用例如CXD照相機(jī)。此外，在攝像部 150設(shè)置有檢查部151，輸出由該攝像部150攝像的圖像，根據(jù)該圖像檢查晶片W的缺陷。在處理容器110的內(nèi)部的交接位置Pl與周邊曝光位置P2之間設(shè)置有實(shí)施照明的照明部152和使在被保持部120保持的晶片W與攝像部150之間形成的光路的方向改變的方向轉(zhuǎn)換部153。照明部152和方向轉(zhuǎn)換部153分別設(shè)置在與攝像部150相對(duì)的位置，且分別設(shè)置在被保持部120保持的晶片W的上方。此外，這些照明部152和方向轉(zhuǎn)換部153例如由支撐部件(未圖示)固定在處理容器110。如圖7所示，方向轉(zhuǎn)換部153具有第一反射鏡154、第二反射鏡155和第三反射鏡 156。第一反射鏡IM設(shè)置在照明部152的下方。在第一反射鏡IM使用例如半透明反射鏡，從水平方向傾斜45度地進(jìn)行設(shè)置。于是，來自照明部152的照明通過第一反射鏡向鉛直方向下方照射，在晶片W上反射。此外，從晶片W向鉛直方向上方反射的光由第一反射鏡 154反射在周邊曝光位置P2側(cè)(圖7的X方向正方向側(cè))向水平方向前進(jìn)。第二反射鏡155配置在與第一反射鏡巧4相對(duì)的位置，比第一反射鏡巧4更靠近周邊曝光位置P2側(cè)(圖7的X方向正方向側(cè))。此外，第二反射鏡155從水平方向傾斜規(guī)定的傾斜角θ地進(jìn)行設(shè)置。規(guī)定的傾斜角θ例如是比45度大的角度。于是，來自第一反射鏡154的光在第二反射鏡155反射，在交接位置Pl側(cè)(圖7的X方向負(fù)方向側(cè))向傾斜規(guī)定的反射角的上方前進(jìn)。這時(shí)，由于第二反射鏡155的傾斜角θ比45度大，所以在該第二反射鏡155的光的反射角小于45度。第三反射鏡156在第一反射鏡巧4與第二反射鏡155之間，配置在這些第一反射鏡巧4與第二反射鏡155的上方。此外，第三反射鏡156從水平方向傾斜規(guī)定的傾斜角θ 地進(jìn)行設(shè)置。該規(guī)定的傾斜角θ與第二反射鏡155的規(guī)定的傾斜角θ相同。于是，來自第二反射鏡155的光在第三反射鏡156反射，在周邊曝光位置Ρ2側(cè)(圖7的X方向正方向側(cè))向水平方向前進(jìn)。由于如以上那樣方向轉(zhuǎn)換部153具有第一反射鏡154、第二反射鏡155和第三反射鏡156，所以與一個(gè)反射鏡的情況比較，不改變俯視時(shí)的攝像部150的位置，而能使晶片W 與攝像部150之間的光路L的工作距離變長。而且，由晶片W反射的光沿著光路L前進(jìn)被取入攝像部150，在攝像部150對(duì)晶片W進(jìn)行攝像。此外，由于第三反射鏡156設(shè)置在第一反射鏡巧4和第二反射鏡155的上方，所以與一個(gè)反射鏡的情況比較，光路L向鉛直方向上方延伸，進(jìn)而攝像部150也配置在上方。這里，因?yàn)閿z像部150與曝光部120需要配置在晶片W的中心軸線上，所以在現(xiàn)有的裝置結(jié)構(gòu)中攝像部與曝光部干涉，不能配置兩者。此外，考慮在每次周邊曝光處理或者檢查中要使曝光部或者攝像部中的任一方移動(dòng)，這時(shí)需要曝光部或者攝像部的移動(dòng)機(jī)構(gòu)，裝置變得大。這點(diǎn)，在本實(shí)施方式中，由于攝像部150配置在上方，所以能在攝像部150的下方空出的空間配置曝光部140。在以上的涂敷顯影處理系統(tǒng)1中，如圖1所示設(shè)置有控制部200。控制部200例如是計(jì)算機(jī)，具有程序存儲(chǔ)部(未圖示)。在程序存儲(chǔ)部存儲(chǔ)實(shí)行在晶片處理裝置42的晶片 W的周邊曝光處理和該晶片W的檢查的程序。除此之外，在程序存儲(chǔ)部也存儲(chǔ)在涂敷顯影處理系統(tǒng)1中實(shí)行晶片處理的程序。而且，上述程序是在例如計(jì)算機(jī)可讀取的硬盤(HD)、軟盤(FD)、光盤(⑶)、磁光碟(MO)和存儲(chǔ)卡等在計(jì)算機(jī)上能讀取的存儲(chǔ)媒體H記錄的程序， 也可以是從該存儲(chǔ)媒體H下載到控制部200的程序。接著，說明使用如上構(gòu)成的涂敷顯影處理系統(tǒng)1而實(shí)施的晶片W的處理方法。首先，把收納了多枚晶片W的存儲(chǔ)盒C載置在存儲(chǔ)盒站2的規(guī)定的存儲(chǔ)盒載置板11上。之后，由晶片輸送裝置21依次取出存儲(chǔ)盒C內(nèi)的各晶片W，輸送到處理站3的第三區(qū)塊G3的例如交接裝置53。接著晶片W由晶片輸送裝置70輸送到第二區(qū)塊G2的熱處理裝置40，進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)。之后晶片W由晶片輸送裝置70輸送到第一區(qū)塊Gl的下部防反射膜形成裝置31，在晶片W上形成下部防反射膜。之后晶片W被輸送到第二區(qū)塊G2的熱處理裝置40，進(jìn)行加熱、 溫度調(diào)節(jié)，之后回到第三區(qū)塊G3的交接裝置53。接著晶片W由晶片輸送裝置90輸送到相同的第三區(qū)塊G3的交接裝置54。之后晶片W由晶片輸送裝置70輸送到第二區(qū)塊G2的粘著裝置41，進(jìn)行粘著處理。之后晶片W由晶片輸送裝置70輸送到熱處理裝置40，進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)。之后晶片W由晶片輸送裝置70輸送到抗蝕劑涂敷裝置32，在旋轉(zhuǎn)中的晶片W上涂敷抗蝕劑液，在晶片W上形成抗蝕劑膜。之后晶片W由晶片輸送裝置70輸送到熱處理裝置40，進(jìn)行預(yù)焙處理。之后晶片W 由晶片輸送裝置70輸送到第三區(qū)塊G3的交接裝置55。接著晶片W由晶片輸送裝置70輸送到上部防反射膜形成裝置33，在晶片W上形成上部防反射膜。之后晶片W由晶片輸送裝置70輸送到熱處理裝置40，進(jìn)行加熱、溫度調(diào)節(jié)。之后晶片W由晶片輸送裝置70輸送到晶片處理裝置42。然后，在晶片處理裝置42對(duì)晶片W上的抗蝕劑膜的周邊部實(shí)施周邊曝光處理，且對(duì)該周邊曝光處理結(jié)束后的晶片W進(jìn)行缺陷的檢查。另外，后述在該晶片處理裝置42的晶片W的周邊曝光處理與檢查的詳細(xì)內(nèi)容。之后晶片W由晶片輸送裝置70輸送到第三區(qū)塊G3的交接單元56。然后，在晶片處理裝置42被判定為有缺陷的晶片W，之后由晶片輸送裝置21輸送到規(guī)定的存儲(chǔ)盒載置板 11的存儲(chǔ)盒C。另一方面，在晶片處理裝置42被判定為沒有缺陷正常的晶片W，由晶片輸送裝置 90輸送到交接裝置52，由梭輸送裝置80輸送到第四區(qū)塊G4的交接裝置62。之后晶片W由接口站5的晶片輸送裝置100輸送到曝光裝置4，進(jìn)行曝光處理。接著，晶片W由晶片輸送裝置100從曝光裝置4輸送到第四區(qū)塊G4的交接裝置 60。之后晶片W由晶片輸送裝置70輸送到熱處理裝置40，進(jìn)行曝光后預(yù)焙處理。之后晶片 W由晶片輸送裝置70輸送到顯影裝置30，實(shí)施顯影。顯影結(jié)束后，晶片W由晶片輸送裝置 70輸送到熱處理裝置40，進(jìn)行熱預(yù)焙處理。之后晶片W由晶片輸送裝置70輸送到第三區(qū)塊G3的交接裝置50，之后由存儲(chǔ)盒站2的晶片輸送裝置21輸送到規(guī)定的存儲(chǔ)盒載置板11的存儲(chǔ)盒C。這樣，一系列的光刻工序結(jié)束。下面，說明上述的晶片處理裝置42的晶片W的周邊曝光處理和該晶片W的檢查。由晶片輸送裝置70經(jīng)由搬入搬出口 111輸送到晶片處理裝置42的晶片W，首先如圖8所示在交接位置Pl被交接到保持部120，由該保持部120保持。之后通過驅(qū)動(dòng)部121 使保持部120從交接位置Pl以規(guī)定速度移動(dòng)到周邊曝光位置P2側(cè)。被保持部120保持的晶片W移動(dòng)到周邊曝光位置P2時(shí)，如圖9所示通過位置檢測傳感器130檢測晶片W的凹口部的位置，同時(shí)由驅(qū)動(dòng)部121使保持部120旋轉(zhuǎn)。然后，調(diào)整晶片W的凹口部的位置，將晶片W配置在規(guī)定的位置上。此外，通過位置檢測傳感器130檢測被保持部120保持的晶片W的距中心的偏心量，根據(jù)該晶片W的偏心量設(shè)定曝光部140 光的照射位置。之后，一邊由驅(qū)動(dòng)部121使晶片W旋轉(zhuǎn)，一邊從曝光部140對(duì)晶片W的周邊部的規(guī)定的位置照射光。這樣晶片W上的抗蝕劑膜的周邊部被曝光處理。之后，如圖10所示，通過驅(qū)動(dòng)部121使保持部120從周邊曝光位置P2以規(guī)定速度移動(dòng)到交接位置Pl側(cè)。而且，晶片W通過第一反射鏡IM下的時(shí)候，從照明部152對(duì)晶片 W進(jìn)行照明。由該照明引起的在晶片W上的反射光以上述的方式在第一反射鏡154、第二反射鏡155和第三反射鏡156反射，沿著光路L前進(jìn)，被攝像部150取入。然后，由攝像部150 對(duì)晶片W攝像。攝像后的晶片W的圖像輸出到檢查部151，在檢查部151根據(jù)所輸出的圖像檢查晶片W的缺陷。之后，如圖11所示被保持部120保持的晶片W移動(dòng)到周邊曝光位置P2時(shí)，從保持部120將晶片W交接到晶片輸送裝置70。然后，經(jīng)由搬入搬出口 111從晶片處理裝置42搬出晶片W。根據(jù)以上的實(shí)施方式，由于方向轉(zhuǎn)換部153具有第一反射鏡154、第二反射鏡155 和第三反射鏡156，所以不改變俯視時(shí)的攝像部150的位置，而能使被保持部120保持的晶片W與攝像部150之間的光路L的工作距離變長。而且，這時(shí)不需要改變攝像部150的CXD 照相機(jī)的鏡頭。因而，能在攝像部150取得抑制了像的變形的高精度的圖像，能適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行晶片W的檢查。此外，由于在第二反射鏡155和第三反射鏡156反射的光的反射角是比45度小的角度，所以能抑制光路L的向鉛直上方的延伸，并確保該光路L的工作距離。因而，能抑制晶片處理裝置42的大型化。此外，由于晶片W與攝像部150之間的光路L向鉛直上方延伸，并且攝像部150也配置在上方，因此能在攝像部150下方空出的空間配置曝光部140。這樣由于在晶片處理裝置4設(shè)置曝光部140和攝像部150，因此在該晶片處理裝置42內(nèi)能輸送晶片W，并能同時(shí)實(shí)施晶片W的周邊曝光處理和該晶片W的檢查。因而，在實(shí)施晶片W的周邊曝光處理和該晶片W的檢查的時(shí)候，因?yàn)闆]有必要享現(xiàn)有的那樣用晶片輸送裝置70在周邊曝光裝置與檢查裝置之間輸送晶片W，所以能用該晶片輸送裝置70在其他的處理裝置之間輸送其他的晶片 W。因而，能減少其他晶片W的輸送等待，能提高晶片處理的處理能力。并且，由于沒有必要項(xiàng)現(xiàn)有的那樣分別地設(shè)置周邊曝光裝置和檢查裝置，因此有助于減少占地面積。此外，由于在晶片處理裝置42設(shè)置有檢測晶片W的周邊部的位置的位置檢測傳感器130，所以通過該位置檢測傳感器130檢測凹口部的位置，并且由驅(qū)動(dòng)部121使保持部 120旋轉(zhuǎn)，能調(diào)整晶片W的凹口部的位置。這里，在如現(xiàn)有的那樣分別設(shè)置周邊曝光裝置與檢查裝置、用晶片輸送裝置70在周邊曝光裝置與檢查裝置之間輸送晶片W的情況下，即使在周邊曝光裝置調(diào)整晶片W的凹口部的位置，但是由于晶片輸送裝置70在水平方向自由移動(dòng)，所以在輸送中晶片W的凹口部的位置偏移，必須在檢查裝置對(duì)晶片W的凹口部的位置進(jìn)行再調(diào)整。這點(diǎn)，根據(jù)本實(shí)施方式，在實(shí)施晶片W的周邊曝光處理和該晶片W的檢查的時(shí)候， 只進(jìn)行一次凹口部的位置調(diào)整。因而，能提高晶片處理的處理能力。而且發(fā)明者調(diào)查時(shí)了解到通過進(jìn)行一次晶片W的凹口部的位置調(diào)整，能將晶片處理的處理過程縮短約兩秒。在以上的實(shí)施方式的晶片處理裝置42中，燈箱141設(shè)置在處理容器110的內(nèi)部， 但是也可以如圖12所示將燈箱141配置在處理容器110的外部。另外，由于晶片處理裝置42的其他的結(jié)構(gòu)與上述的晶片處理裝置42的結(jié)構(gòu)相同所以省略說明。這里，處理容器110的內(nèi)部為了實(shí)施上述的晶片W的周邊曝光處理和該晶片W的檢查而維持在正壓。在這樣的狀況下進(jìn)行燈箱141的維護(hù)時(shí)，由于燈箱141設(shè)置在處理容器 110的外部，因此不必將處理容器110內(nèi)的氛圍向大氣開發(fā)。因而，能容易地進(jìn)行燈箱141 的維護(hù)。此外，處理容器Iio的內(nèi)部也不會(huì)受到從燈箱141的發(fā)熱的影響。在以上的實(shí)施方式中晶片處理裝置42配置在處理站3的第二區(qū)塊G2，但是該晶片處理裝置42的位置可以任意選擇。例如也可以將晶片處理裝置42配置在接口站5，或者也可以配置在處理站3的第三區(qū)塊G3或第四區(qū)塊G4。以上，參照附圖針對(duì)本發(fā)明的適合的實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但是本發(fā)明不限定于這樣的例子。不言而喻，若是本領(lǐng)域技術(shù)人員，則在權(quán)利要求的范圍所記載的思想的范疇內(nèi)，能想到各種變更例子或者修正例子，對(duì)于這些例子當(dāng)然也屬于本發(fā)明的技術(shù)范圍。本發(fā)明是不限于本例子，可采用各種方式。本發(fā)明也能適用于基板是晶片以外的FPD (平板顯示器平板顯示Flat Panel Display)、光掩膜用的中間掩膜等其他基板的情況。
權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置，其特征在于，包括保持基板的保持部；使被所述保持部保持的基板旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部；使所述保持部在交接位置與周邊曝光位置之間移動(dòng)的移動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述交接位置是與外部之間實(shí)施基板的交接的位置，所述周邊曝光位置是對(duì)在基板上形成的涂敷膜的周邊部實(shí)施周邊曝光處理的位置；設(shè)置于所述周邊曝光位置側(cè)，對(duì)被所述保持部保持的基板上的涂敷膜的周邊部進(jìn)行曝光的曝光部；在所述周邊曝光位置側(cè)設(shè)置于所述曝光部的上方，對(duì)被所述保持部保持的基板進(jìn)行攝像的攝像部；和設(shè)置于所述交接位置與所述周邊曝光位置之間，改變?cè)诒凰霰３植勘３值幕迮c所述攝像部之間形成的光路的方向的方向轉(zhuǎn)換部，其中所述方向轉(zhuǎn)換部具有第一反射鏡，其使從所述基板向鉛直方向上方反射的光在所述周邊曝光位置側(cè)向水平方向反射；第二反射鏡，其使來自所述第一反射鏡的光在所述交接位置側(cè)以規(guī)定的反射角向斜上方反射；第三反射鏡，其使來自所述第二反射鏡的光在所述周邊曝光位置側(cè)向水平方向反射， 送入所述攝像部。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，包括檢測被所述保持部保持的基板的周邊部的位置的位置檢測傳感器；和根據(jù)所述位置檢測傳感器的檢測結(jié)果，以調(diào)整基板的周邊部的位置的方式控制所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部的控制部。
3.如權(quán)利要求1或者2所述的基板處理裝置，其特征在于所述規(guī)定的反射角是小于45度的角度。
4.如權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于所述曝光部配置在處理容器的內(nèi)部，設(shè)置于所述曝光部的光源裝置配置在所述處理容器的外部。
5.一種基板處理方法，其使用基板處理裝置，所述基板處理裝置包括保持基板的保持部；使被所述保持部保持的基板旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部；使所述保持部在交接位置與周邊曝光位置之間移動(dòng)的移動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述交接位置是與外部之間實(shí)施基板的交接的位置，所述周邊曝光位置是對(duì)形成于基板上的涂敷膜的周邊部實(shí)施周邊曝光處理的位置；設(shè)置于所述周邊曝光位置側(cè)，對(duì)被所述保持部保持的基板上的涂敷膜的周邊部進(jìn)行曝光的曝光部；在所述周邊曝光位置側(cè)設(shè)置于所述曝光部的上方，對(duì)被所述保持部保持的基板進(jìn)行攝像的攝像部；和設(shè)置于所述交接位置與所述周邊曝光位置之間的方向轉(zhuǎn)換部，該方向轉(zhuǎn)換部改變?cè)诒凰霰３植勘３值幕迮c所述攝像部之間形成的光路的方向，該方向轉(zhuǎn)換部具備使從所述基板向鉛直方向上方反射的光在所述周邊曝光位置側(cè)向水平方向反射的第一反射鏡、 使來自所述第一反射鏡的光在所述交接位置側(cè)以規(guī)定的反射角向斜上方反射的第二反射鏡、和使來自所述第二反射鏡的光在所述周邊曝光位置側(cè)向水平方向反射而送入所述攝像部的第三反射鏡，所述基板處理方法的特征在于，包括周邊曝光工序，由移動(dòng)機(jī)構(gòu)使被所述保持部保持的基板移動(dòng)到所述周邊曝光位置，在該周邊曝光位置，由所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部使基板旋轉(zhuǎn)，并從所述曝光部對(duì)基板上的涂敷膜的周邊部照射光，對(duì)該周邊部進(jìn)行曝光；和檢查工序，在所述周邊曝光工序之后，在由移動(dòng)機(jī)構(gòu)使被所述保持部保持的基板從所述周邊曝光位置移動(dòng)到所述交接位置的期間，該基板通過所述方向轉(zhuǎn)換部的下方時(shí)，由所述攝像部對(duì)基板進(jìn)行攝像，根據(jù)該被攝像的基板的攝像圖像檢查基板的缺陷。
6.如權(quán)利要求5所述的基板處理方法，其特征在于所述基板處理裝置具備檢測被所述保持部保持的基板的周邊部的位置的位置檢測傳感器，在所述周邊曝光工序中，根據(jù)所述位置檢測傳感器的檢測結(jié)果，由所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部使基板旋轉(zhuǎn)，調(diào)整該基板的周邊部的位置。
7.如權(quán)利要求5或6所述的基板處理方法，其特征在于所述規(guī)定的反射角是小于45度的角度。
8.一種程序，其特征在于該程序在控制部的計(jì)算機(jī)上運(yùn)行，所述控制部控制基板處理裝置，用于通過基板處理裝置執(zhí)行權(quán)利要求5 7中任一項(xiàng)所述的基板處理方法。
9.一種計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)媒體，其特征在于存儲(chǔ)有權(quán)利要求8所述的程序并能夠讀取該程序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種基板處理裝置，能夠適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行周邊曝光處理后的基板的檢查，并提高包括該檢查的基板處理的處理能力。晶片處理裝置(42)包括保持晶片的保持部(120)；使保持部(120)旋轉(zhuǎn)的并使保持部(120)在交接位置(P1)與周邊曝光位置(P2)之間移動(dòng)的驅(qū)動(dòng)部(121)；在周邊曝光位置(P2)將晶片(W)的周邊部曝光的曝光部(140)；設(shè)置于曝光部(140)的上方對(duì)晶片(W)攝像的攝像部(150)；和改變形成于被保持部(120)保持的晶片(W)與攝像部(150)之間的光路的方向的方向轉(zhuǎn)換部(153)。方向轉(zhuǎn)換部(153)具有第一反射鏡(154)、第二反射鏡(155)和第三反射鏡(156)，通過第二反射鏡(155)和第三反射鏡(156)使形成于晶片W與攝像部(150)之間的光路折回。
文檔編號(hào)H01L21/00GK102338990SQ201110204680
公開日2012年2月1日 申請(qǐng)日期2011年7月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月16日
發(fā)明者古閑法久 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社