專利名稱：封裝板與其制造方法
技術領域：
本發(fā)明是關于一種封裝板與其制造方法，且特別是一種用于半導體封裝的封裝板與其制造方法。
背景技術：
隨著技術發(fā)展的日新月異，半導體的應用領域愈來愈廣，除了邏輯運算(如CPU) 與數(shù)據(jù)儲存(如=DRAM)外，發(fā)光二極管(Light Emitting Diode，俗稱LED)的應用也愈來愈普遍。然而，隨著半導體的功效愈來愈強大，其發(fā)熱量也隨著增加，故散熱技術也愈來愈重要。就以發(fā)光二極管為例，發(fā)光二極管的發(fā)光效率與亮度已達到可被大眾接受的水平，因此目前發(fā)光二極管已被應用在背光模塊、汽車燈頭與路燈等上。然而，隨著發(fā)光二極管的亮度的提高，其龐大的發(fā)熱量也困擾著本領域的技術人員。若無法將熱量有效地排除， 則發(fā)光二極管的亮度將會降低且使用壽命也會變短。目前，于發(fā)光二極管裝置中，其所使用的封裝板主要可分為四種印刷電路板 (Print Circuit Board，簡稱PCB)、金屬基印刷電路板(Metal Core Print Circuit Board, 簡稱 MCPCB)、陶瓷基板(Ceramic Substrate)、與硅基板(Silicon Substrate)。在這四種封裝板中以印刷電路板的成本最低，然而其散熱能力并不佳。另外，由于技術與成本上的限制，硅基板上的絕緣薄膜往往較薄，這樣容易造成介電崩潰(Dielectrical Breakdown)。此夕卜，目前市面上的陶瓷基板主要為Al2O3基板，Al2O3基板的散熱能力較差。另外，同屬于陶瓷基板的AlN基板雖然散熱能力較佳，但卻有成本較高的缺點。MCPCB基板雖然比PCB基板有較高的散熱能力，但在金屬層與發(fā)光二極管晶粒之間仍有介電層的存在，故在散熱能力的提升上仍是相當有限。請參照圖1，圖1所繪示為習知的發(fā)光二極管裝置的側(cè)視圖。此發(fā)光二極管裝置 100是安裝在一電路載板10上，發(fā)光二極管裝置100包括一發(fā)光二極管110與一封裝板 102，其中封裝板102包括一基板120、一反射件130與一絕緣體140，其中基板120則為 MCPCB基板。發(fā)光二極管110與反射件130皆設置在基板120上，反射件130則構(gòu)成一杯狀的凹穴132，發(fā)光二極管110是位于凹穴132中。該凹穴132的壁面為光滑的反射面，可將發(fā)光二極管110所發(fā)出的光進行反射，以增加光線的指向性。然而，由于反射件130與基板 120是屬于兩個不同的個體，故隨著使用時間的增長，反射件130與基板120間可能會產(chǎn)生異位或脫離的現(xiàn)象。另外，發(fā)光二極管110上還連接有接線112與接線114，其中接線112是連接到基板120的正導電區(qū)121，而接線114則是連接到基板120的負導電區(qū)122，而發(fā)光二極管110 則是位于基板120的固晶區(qū)123上，其中正導電區(qū)121、負導電區(qū)122、與固晶區(qū)123是藉由絕緣體140而相隔離。由于絕緣體140是以灌膠的方式而形成于基板120的開孔中，故該開孔需具有一定的寬度大小，否則膠體便不易流入，但這樣一來除了增加基板120的寬度外， 還分別增加了正導電區(qū)121及負導電區(qū)122與發(fā)光二極管110的距離，也因此接線112，114的長度需較長。而且，當發(fā)光二極管裝置100安裝到電路載板10上時，其也是利用打線接合(wire bonding)的方式與電路載板10電連接，這會增加發(fā)光二極管裝置100在電路載板10上所占據(jù)的面積。因此，如何設計出一種用于發(fā)光二極管裝置或其它半導體裝置的封裝板，其具有較佳的散熱效果、較長的使用壽命、且所占據(jù)的面積較小，已成為本領域具有通常知識者值得去思量的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種封裝板及其制造方法，該封裝板具有較佳的散熱效果、較長的使用壽命、與所占據(jù)的面積較小等優(yōu)點。根據(jù)上述目的與其它目的，本發(fā)明提供一種封裝板，此封裝板安裝于一電路載板上，且于封裝板上安裝有至少一半導體晶粒，該封裝板包括一基板、多個導電薄膜圖案、與一絕緣薄膜圖案?；逯饕怯蓪щ姴馁|(zhì)或半導體材質(zhì)所構(gòu)成，而其表面包括一固晶區(qū)與多個導電區(qū)。每個導電薄膜圖案是分別分布在不同的導電區(qū)上，而絕緣薄膜圖案是位于導電薄膜圖案與基板間，但絕緣薄膜圖案并未設置于固晶區(qū)上。其中，半導體晶粒是安裝于固晶區(qū)上且與導電薄膜圖案電連接。于上述的封裝板中，半導體晶粒為發(fā)光二極管，而導電區(qū)則包括一第一導電區(qū)與一第二導電區(qū)。導電薄膜圖案包括一第一導電薄膜圖案與一第二導電薄膜圖案，該第一導電薄膜圖案與該第二導電薄膜圖案是分別位于第一導電區(qū)與第二導電區(qū)上，且第一導電薄膜圖案與第二導電薄膜圖案彼此并不相接觸。于上述的封裝板中，于基板上設置有多個穿孔，這些穿孔是貫穿基板且分別位于不同的導電區(qū)上，且這些穿孔的孔壁上分布有導電薄膜。于上述的封裝板中，更包括一凹穴，該凹穴是位于固晶區(qū)且是一體成形于基板上， 且半導體晶粒是位于凹穴內(nèi)。于上述的封裝板中，導電薄膜圖案更包括一第三導電薄膜圖案，第三導電薄膜圖案是涂布在固晶區(qū)，且第三導電薄膜圖案是直接與基板相接觸。此外，第三導電薄膜圖案例如是與第二導電薄膜圖案電連接，且半導體晶粒的其中一電極是與第三導電薄膜圖案直接接觸，而半導體晶粒的另外一電極則是藉由一第一接線而與第一導電薄膜圖案相接觸。于上述的封裝板中，基板的材質(zhì)為銅或鋁，或含銅與鋁的任一成份的合金?；蛘咭部蔀榘雽w材質(zhì)，例如硅。另外，導電薄膜圖案的材質(zhì)主要為銅，但也可包括其它的材質(zhì)， 例如鎳、金、或銀，或者是含以上任一成份的合金。于上述的封裝板中，絕緣薄膜圖案的材質(zhì)為聚合物，此聚合物例如為環(huán)氧樹脂 (Epoxy)、硅膠(Silicone)、聚亞酰胺(Polyimide)、或防焊漆等，且其厚度較佳是大于 2 μ m0上述的封裝板中，該封裝板例如是利用表面黏著技術與母板進行電連接。根據(jù)上述目的與其它目的，本發(fā)明提供一種封裝板的制造方法，該制造方法包括以下(a) (e)所述的步驟(a)提供一基板，該基板主要是由導電材質(zhì)或半導體材質(zhì)所構(gòu)成。而且，基板上具有多個穿孔，且基板被分成一固晶區(qū)與多個導電區(qū)。
(b)于基板上形成一絕緣薄膜圖案，該絕緣薄膜圖案未形成于固晶區(qū)上，此絕緣薄膜圖案是利用電鍍法(Electrolyticd印osition)、電泳法(Electrophoretic exposition)、或電化學沈積法(Electrical Chemical Deposition)而形成于基板上。(c)形成多個導電薄膜圖案，這些導電薄膜圖案是分布在不同的導電區(qū)上。(d)安裝一半導體晶粒于固晶區(qū)內(nèi)。(e)使半導體晶粒與導電薄膜圖案電連接。由于封裝板的固晶區(qū)未涂布有絕緣薄膜圖案，故藉由封裝板可增加半導體封裝結(jié)構(gòu)的散熱效果。


圖1所繪示為習知的發(fā)光二極管裝置的側(cè)視圖。圖2A 圖2E所繪示為本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法的實施例。圖3A 圖3C所繪示為絕緣薄膜圖案的其中一種制造過程。圖4A 圖4C所繪示為絕緣薄膜圖案的另一種制造過程。圖5A 圖5D所繪示為導電薄膜圖案的其中一種制造過程。圖6A 圖6D所繪示為導電薄膜圖案的另一種制造過程。圖7A與圖7B所繪示為本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的第一實施例的示意圖，圖7A所繪示為剖面圖，圖7B所繪示為上視圖。圖8A所繪示為本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的第二實施例的示意圖。圖8B所繪示為本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的第三實施例的示意圖。圖9所繪示為本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的第四實施例的示意圖。圖10所繪示為本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的第五實施例的示意圖。
具體實施例方式為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點更能明顯易懂，下文將以實施例并配合所附圖式，作詳細說明如下。請參照圖2A 圖2E，圖2A 圖2E所繪示為本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法的實施例。首先，如圖2A所示，提供一基板220，此基板220的材質(zhì)為銅。于基板220上設置有一凹穴221與多個穿孔222 (于本實施例中為兩個)，其中凹穴221是一體成型于基板 220上，且穿孔222是貫穿基板220。此外，基板220的表面被分成一固晶區(qū)223、一第一導電區(qū)224、與一第二導電區(qū)225，其中凹穴221是位于固晶區(qū)223，而兩個穿孔222則分別位于第一導電區(qū)2 與第二導電區(qū)225。關于固晶區(qū)223、第一導電區(qū)224、與第二導電區(qū)225 如何劃分，于下文中將有較詳細的說明。再來，如圖2B所示，利用電鍍法、電泳法、或電化學沈積法于基板220上形成有一絕緣薄膜圖案M0。其中，基板220的固晶區(qū)223并未被絕緣薄膜圖案240所覆蓋。所謂電鍍法、電泳法、或電化學沈積法是指在基板220上施加一電壓，讓基板220本身帶有正電或負電，而使帶有相反電荷的粒子或離子沉積于基板220上。由于電鍍法與電泳法是本領域具有通常知識者所孰悉的技術，故在此便不再詳述。相較于習知的濺鍍、陽極氧化、或熱氧化法，本實施例的制造方法所采用的電鍍法、電泳法、或電化學沈積法具有較高的成形速
7率，故能于較短的時間內(nèi)形成厚度較厚的絕緣薄膜圖案M0。在本實施例中，絕緣薄膜圖案 240的厚度是大于2 μ m,較佳則是大于5 μ m。也因為絕緣薄膜圖案240有較大的厚度，故其后在使用時較不容易產(chǎn)生介電崩潰的現(xiàn)象。接著，如圖2C所示，于基板220上形成導電薄膜圖案230，其中導電薄膜圖案230 包括一第一導電薄膜圖案231、一第二導電薄膜圖案232、與一第三導電薄膜圖案233。其中，第一導電薄膜圖案231與第二導電薄膜圖案232是分別涂布在基板220的第一導電區(qū) 224與第二導電區(qū)225上，而第三導電薄膜圖案233則是涂布在固晶區(qū)223。由圖2C可知， 第一導電薄膜圖案231與第二導電薄膜圖案232是覆蓋在絕緣薄膜圖案240上。而且，第一導電薄膜圖案231、第二導電薄膜圖案232、與第三導電薄膜圖案233并不互相接觸。如此一來，便完成封裝板202的制作。請同時參照圖2A與圖2C，本領域具有通常知識者應可了解，基板220上的第一導電區(qū)2M是指被第一導電薄膜圖案231所覆蓋的區(qū)域，而基板220上的第二導電區(qū)225則是指被第二導電薄膜圖案232所覆蓋的區(qū)域，而固晶區(qū)223則是位于第一導電區(qū)224與第二導電區(qū)225間。而且，在本實施例中，固晶區(qū)223上未涂布有絕緣薄膜圖案M0。再來，請參照圖2D，將一發(fā)光二極管210安裝于凹穴221內(nèi)，此發(fā)光二極管210為發(fā)光二極管(Light Emitting Diode)。然后，連接一第一接線211于發(fā)光二極管210與第一導電薄膜圖案231間，同時也連接一第二接線212于發(fā)光二極管210與第二導電薄膜圖案232間。此外，于發(fā)光二極管210上還涂布有一熒光粉層沈0。接著，請參照圖2E，將透鏡270安裝在發(fā)光二極管210上方，此透鏡270是藉由注膠成型的方式所制成。如此一來， 便完成了發(fā)光二極管裝置200的制作。接下來，將對絕緣薄膜圖案MO的形成方式作較詳細的介紹。請參照圖3A 圖 3C，圖3A 圖3C所繪示為絕緣薄膜圖案的形成過程。首先，請參照圖3A，利用電鍍法、電泳法、或電化學沈積法于基板220上形成一絕緣薄膜M0’，在本實施例中，絕緣薄膜M0’的材質(zhì)為聚合物，例如為環(huán)氧樹脂、硅膠、聚亞酰胺、或防焊漆。接著，請參照圖3B，于絕緣薄膜 240'上涂布一光阻層50，其中于固晶區(qū)223上的絕緣薄膜M0’并未被光阻層50所覆蓋。 然后，進行蝕刻的制程，將未被光阻層50覆蓋的絕緣薄膜M0’清除。再來，如圖3C所示， 將光阻層50除去，便形成絕緣薄膜圖案M0。或者，也可如圖4A 圖4C所示，先于不欲形成絕緣薄膜圖案的地方(在圖4A中為固晶區(qū)223)形成光阻層50。然后如圖4B所示，利用電鍍法、電泳法、或電化學沈積法于基板220上進行絕緣薄膜M0’的沉積，由于絕緣薄膜M0’不會形成在光阻層50上，故將光阻層50除去后，便形成絕緣薄膜圖案MO (如圖4C所示)。以下，將對導電薄膜圖案230的制造過程作較詳細地介紹。請參照圖5A 圖5D， 圖5A 圖5D所繪示為導電薄膜圖案的制造過程。首先，如圖5A所示，于基板220上形成一晶種層230”，此晶種層230”的材質(zhì)為銅，其分布在整個基板220上且覆蓋整個絕緣薄膜圖案M0。于本實施例中，是利用浸鍍法(immersionplating)或濺鍍法而形成晶種層230”， 此晶種層230”的材質(zhì)例如為銅。再來，如圖5B所示，于晶種層230”上涂布一光阻層50’， 其中有部分的晶種層230”未被光阻層50’所覆蓋。然后，進行蝕刻的制程，將未被光阻層 50’覆蓋的晶種層230”清除，便形成如圖5C所示的晶種層圖案230’。將光阻層50’去除后，便可利用電鍍法、電泳法、或電化學沈積法，于晶種層圖案230’上繼續(xù)進行銅的沉積，以形成如圖5D所示的導電薄膜圖案230。另外，本領域具有通常知識者，也可于沉積銅后，另外沉積其它種類的金屬，如鎳、金、和銀或含以上任一成分的合金等，以增進導電薄膜圖案 230的物理性質(zhì)。另外，導電薄膜圖案230的形成方式也不限于圖5A 圖5D所繪示的制造過程。 請參照圖6A 圖6D，圖6A 圖6D所繪示為導電薄膜圖案的另一種制造過程。首先，如圖 6A所示，于基板220上形成一晶種層230”，此晶種層230”的材質(zhì)為銅，其覆蓋整個絕緣薄膜圖案M0。再來，如圖6B所示，于晶種層230”上涂布一光阻層50’，其中有部分的晶種層 230”未被光阻層50’所覆蓋。然后，利用電鍍法或電泳法，于未被光阻層50”所覆蓋的晶種層230”上繼續(xù)進行銅及其它種類金屬(如鎳和金)的沉積，使其增厚，而增厚的部份即為導電薄膜圖案230。接著，將光阻層50’去除后，便可進行蝕刻制程，以將殘余的晶種層 230”移除，便形成如圖6D所示的導電薄膜圖案230。需注意的是，圖5A 圖5D與圖6A 圖6D皆僅是示意，并未按照真實的比例尺進行繪制，例如導電薄膜圖案230實際上就比晶種層圖案230’或晶種層230”還要厚上許多。1般來說，晶種層圖案230’或晶種層230”是小于1 μ m，而導電薄膜圖案230則是大于 10 μ m。此外，本領域具有通常知識者也可于晶種層230”上直接以電鍍、電泳、或電化學沈積的方式形成一導電薄膜，然后在于導電薄膜上涂布光阻層并進行蝕刻，以形成導電薄膜圖案230。圖7A與圖7B所繪示為本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的第一實施例的示意圖，圖7A所繪示為剖面圖，圖7B所繪示為上視圖。此發(fā)光二極管裝置200是藉由圖2A 圖2D所繪示的制造方法所制成，且其是安裝在一電路載板20上。此電路載板20例如為印刷電路板，于電路載板20上除了安裝有發(fā)光二極管裝置200外，還可安裝其它的電子零件(未繪示)，或安裝更多的發(fā)光二極管裝置200。由圖7A可知，發(fā)光二極管210的正下方并未涂布任何的絕緣薄膜圖案M0，由于第三導電薄膜圖案233為銅、鎳、金、或銀等金屬所構(gòu)成，而基板220的材質(zhì)為銅，故發(fā)光二極管210所產(chǎn)生的熱量可輕易地由第三導電薄膜圖案233與基板220傳導出去，而使發(fā)光二極管210較不會有過熱的情形產(chǎn)生。另外，涂布于發(fā)光二極管210上的熒光粉層260則是用于控制發(fā)光二極管裝置200所發(fā)出的色光，例如當發(fā)光二極管210所發(fā)出的光為藍光，而熒光粉層260是由黃色熒光粉所制成，則發(fā)光二極管裝置200即可產(chǎn)生出白光。由于凹穴221是一體成型在基板220上，故不會發(fā)生如圖1的發(fā)光二極管裝置100 所會產(chǎn)生的問題，即當使用時間增長后，反射件130與基板120間可能會產(chǎn)生脫離的現(xiàn)象。 因此，相較于發(fā)光二極管裝置100，發(fā)光二極管裝置200可具有較長的使用壽命。此外，凹穴 221的孔壁上涂布有第三導電薄膜圖案233，其表面具有反射的效果，故發(fā)光二極管210所發(fā)出的光線會被其反射，且透鏡270也具有聚光的作用，這些都能使發(fā)光二極管裝置200的發(fā)光質(zhì)量提高。請參照圖1、圖7A及圖7B，由于在封裝板202上無需如封裝板102般設置絕緣體140，故其基板220的面積較小，且第一接線211及第二接線212的長度會比接線112與接線114還要短，故發(fā)光二極管裝置200可有較小的面積。此外，封裝板102是利用打線接合的方式與電路載板10相連接，而封裝板202則是利用表面黏著技術(surface mount technology)與電路載板20電連接，因此比較圖1與圖7A可清楚地看出發(fā)光二極管裝置200于電路載板20上所占據(jù)的面積會小于發(fā)光二極管裝置100于電路載板10上所占據(jù)的面積。也因為發(fā)光二極管裝置200于電路載板20上所占據(jù)的面積較小，故于電路載板20 上可安裝更多其它的電子零件或更多的發(fā)光二極管裝置200。在上述的實施例中，固晶區(qū)223是位于基板220表面的中央處，但本領域具有通常知識者應可明白固晶區(qū)223并不限設置在中央處。另外，基板220的材質(zhì)為銅，但本領域具有通常知識者也可以使用其它的材質(zhì)制作基板220，例如鋁，或含銅與鋁的任一成份的合金。此外，基板220的材質(zhì)也可為半導體材質(zhì)，例如硅，只要使基板220具有導電的性質(zhì)即可。此外，固晶區(qū)223上也可不需設置凹穴221，而呈一平面狀。請參照圖8A，圖8A所繪示為本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的第二實施例的示意圖。相較于圖7A的發(fā)光二極管裝置200，圖8A的發(fā)光二極管裝置200’并未設置第三導電薄膜圖案233，也就是說發(fā)光二極管210是直接與基板220相接觸。此外，在圖7A中，第一導電薄膜圖案231、第二導電薄膜圖案232、與第三導電薄膜圖案233彼此并不互相接觸，且發(fā)光二極管210是以打線的方式分別與第一導電薄膜圖案 231及第二導電薄膜圖案232電連接。然而，請參照圖8B，圖8B所繪示為本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的第三實施例的示意圖。在本實施例中，第二導電薄膜圖案232與第三導電薄膜圖案233是一體成形，也就是說彼此是互相連接在一起。此外，發(fā)光二極管裝置200”的發(fā)光二極管210的其中一電極(在本實施例為正極)是與第三導電薄膜圖案直接接觸，而發(fā)光二極管210的另外一電極(在本實施例為負極)則是藉由第一接線211而與第一導電薄膜圖案231相接觸。請參照圖9，圖9所繪示為本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的第四實施例的示意圖，發(fā)光二極管裝置300的封裝板302是安裝在一電路載板30上。相較于圖7A，封裝板302的基板 310并未設置凹穴221與任何穿孔222，且發(fā)光二極管裝置300更包括一第三接線303與一第四接線304。第三接線303是連接于一第一導電薄膜圖案331與電路載板30間，而第四接線304則是連接于一第二導電層圖案332與電路載板30間。由于于基板310上并未設置任何凹穴221與穿孔222，其表面為一平坦的表面，故在本實施例中，除了可使用電泳法、電鍍法、或電化學沈積法外，還可使用印刷涂布法、濺鍍法、或噴霧法等方式，而于基板310上形成絕緣薄膜圖案340及導電薄膜圖案330。請參照圖10，圖10所繪示為本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的第五實施例的示意圖，發(fā)光二極管裝置400的封裝板402是安裝在電路載板20上。相較于圖7A，發(fā)光二極管裝置 400的基板410并未設置任何穿孔，其第一導電薄膜圖案431與第二導電薄膜圖案432除了分布于基板410的上表面與下表面外，還分布在基板410的側(cè)壁上。因此，位于基板410 上表面的導電薄膜430是藉由位于側(cè)壁上的導電薄膜430，而與位于下表面的導電薄膜430 相導通。在本實施例中，封裝板402是利用表面黏著技術(surfacemount technology)與電路載板20電連接。在上述的實施例中，所有的發(fā)光二極管裝置皆只有安裝一發(fā)光二極管，但本領域具有通常知識者也可依情況安裝更多的發(fā)光二極管，這些發(fā)光二極管可利用并聯(lián)的方式連
接在一起。而且，除了上述的發(fā)光二極管外，封裝板還可應用在其它半導體封裝結(jié)構(gòu)上。也就是說，于封裝板的固晶區(qū)上，除了可安裝發(fā)光二極管外，還可安裝其它型態(tài)的半導體晶粒，例如邏輯IC、內(nèi)存IC、模擬IC、或CMOS影像感測組件。此外，隨著所安裝的半導體晶粒的不同，導電薄膜圖案的個數(shù)也會不同，其主要是取決于半導體晶粒的接腳數(shù)，例如接腳的數(shù)目若為10個，則導電薄膜圖案的個數(shù)則為10個。由于封裝板的固晶區(qū)未涂布有絕緣薄膜圖案，故藉由封裝板可增加半導體封裝結(jié)構(gòu)的散熱效果。 本發(fā)明以實施例說明如上，然其并非用以限定本發(fā)明所主張的專利權利范圍。其專利保護范圍當視后附的申請專利范圍及其等同領域而定。凡本領域具有通常知識者，在不脫離本專利精神或范圍內(nèi)，所作的更動或潤飾，均屬于本發(fā)明所揭示精神下所完成的等效改變或設計，且應包含在下述的申請專利范圍內(nèi)。
權利要求
1.一種封裝板，安裝于一電路載板上，于該封裝板上安裝有至少一半導體晶粒，該封裝板包括一基板，該基板主要是由導電材質(zhì)或半導體材質(zhì)所構(gòu)成，該基板的表面包括一固晶區(qū)與多個導電區(qū)；多個導電薄膜圖案，這些導電薄膜圖案是分別分布在不同的導電區(qū)上；及一絕緣薄膜圖案，該絕緣薄膜圖案是位于該導電薄膜圖案與該基板間，但該絕緣薄膜圖案并未設置于該固晶區(qū)上；其中，該半導體晶粒是安裝于該固晶區(qū)上且與該導電薄膜圖案電連接。
2.如權利要求1所述的封裝板，其中該半導體晶粒為發(fā)光二極管，該導電區(qū)包括一第一導電區(qū)與一第二導電區(qū)，而該導電薄膜圖案包括一第一導電薄膜圖案與一第二導電薄膜圖案，該第一導電薄膜圖案與該第二導電薄膜圖案是分別位于該第一導電區(qū)與該第二導電區(qū)上，且該第一導電薄膜圖案與該第二導電薄膜圖案彼此并不相接觸。
3.如權利要求1或權利要求2所述的封裝板，其中于該基板上設置有多個穿孔，這些穿孔是貫穿該基板且分別位于不同的導電區(qū)上，且該穿孔的孔壁上分布有該導電薄膜。
4.如權利要求2所述的封裝板，其中該基板更包括一凹穴，該凹穴位于該固晶區(qū)且是一體成形于該基板上，且該半導體晶粒是位于該凹穴內(nèi)。
5.如權利要求2所述的封裝板，其中該導電薄膜圖案更包括一第三導電薄膜圖案，該第三導電薄膜圖案是位于該固晶區(qū)上，且該第三導電薄膜圖案是直接與該基板相接觸。
6.如權利要求5所述的封裝板，其中該第三導電薄膜圖案是與該第二導電薄膜圖案電連接，且該半導體晶粒的其中一電極是與該第三導電薄膜圖案直接接觸，而該半導體晶粒的另外一電極則是藉由一第一接線而與該第一導電薄膜圖案相接觸。
7.如權利要求1或權利要求2所述的封裝板，其中該基板的材質(zhì)為銅或鋁或含以上任一成分的合金。
8.如權利要求1或權利要求2所述的封裝板，其中該基板的材質(zhì)為硅。
9.如權利要求1或權利要求2所述的封裝板，其中該導電薄膜圖案的材質(zhì)主要含有銅、 鎳、金、銀、或含以上任一成分的合金。
10.如權利要求1或權利要求2所述的封裝板，其中該絕緣薄膜圖案的材質(zhì)為聚合物。
11.如權利要求10所述的封裝板，其中該絕緣薄膜圖案的材質(zhì)為環(huán)氧樹脂、硅膠、聚亞酰胺、或防焊漆。
12.如權利要求1或權利要求2所述的封裝板，其中該絕緣薄膜圖案的厚度大于2μ m。
13.如權利要求1或權利要求2所述的封裝板，其中該封裝板是利用表面黏著技術與該電路載板進行電連接。
14.如權利要求2所述的封裝板，其中于該半導體晶粒上連接有一第一接線與一第二接線，該第一接線是連接于該第一導電層圖案與該半導體晶粒間，而該第二接線則是連接于該第二導電層圖案與該半導體晶粒間。
15.如權利要求2所述的封裝板，更包括一第三接線與一第四接線，該第三接線是連接于該第一導電層圖案與該電路載板間，而該第四接線則是連接于該第二導電層圖案與該電路載板間。
16.如權利要求1或權利要求2所述的封裝板，其中于該基板的側(cè)壁上是分布有該導電薄膜圖案。
17.一種封裝板的制造方法，包括(a)提供一基板，該基板主要是由導電材質(zhì)或半導體材質(zhì)所構(gòu)成，該基板的表面被分成一固晶區(qū)與多個導電區(qū)；(b)于該基板上形成一絕緣薄膜圖案，該絕緣薄膜圖案未形成于該固晶區(qū)上；(c)形成多個導電薄膜圖案，這些導電薄膜圖案是分布在不同的導電區(qū)上；(d)安裝一半導體晶粒于該固晶區(qū)內(nèi)；及(e)使該半導體晶粒與該導電薄膜圖案電連接。
18.如權利要求17所述的封裝板的制造方法，其中在(b)步驟中，該絕緣薄膜圖案是利用電鍍法、電泳法、或電化學沈積法而形成于該基板上。
19.如權利要求17所述的封裝板的制造方法，其中該導電區(qū)包括一第一導電區(qū)與一第二導電區(qū)，該導電薄膜圖案包括一第一導電薄膜圖案與一第二導電薄膜圖案，該第一導電薄膜圖案與該第二導電薄膜圖案是分別分布于該第一導電區(qū)與該第二導電區(qū)上，而該半導體晶粒為發(fā)光二極管。
20.如權利要求17至權利要求19中任一項所述的封裝板的制造方法，其中該基板包括多個穿孔，這些穿孔是貫穿該基板且分別位于不同的導電區(qū)上，且該穿孔的孔壁上分布有該導電薄膜。
21.如權利要求17至權利要求19中任一項所述的封裝板的制造方法，其中該基板更包括一凹穴，該凹穴位于該固晶區(qū)且是一體成形于該基板上，且該半導體晶粒是位于該凹穴內(nèi)。
22.如申請專利范圍第19項所述的封裝板的制造方法，其中在(d)步驟前更包括下述的步驟形成一第三導電薄膜圖案于該固晶區(qū)。
23.如權利要求17至權利要求19中任一項所述的封裝板的制造方法，其中于該(c)步驟中包括下述的步驟(cl)形成一晶種層；(c2)以該晶種層為基底，并利用電鍍法或電泳法以形成一導電薄膜圖案。
24.如申請專利范圍第23項所述的封裝板的制造方法，其中于該(cl)步驟中，該晶種層是以浸鍍法或濺鍍法而形成。
25.如權利要求17至權利要求19中任一項所述的封裝板的制造方法，其中該基板的材質(zhì)為銅或鋁或含以上任一成分的合金。
26.如權利要求17至權利要求19中任一項所述的封裝板的制造方法，其中該基板的材質(zhì)為硅。
27.如權利要求17至權利要求19中任一項所述的封裝板的制造方法，其中該導電薄膜圖案的材質(zhì)為銅、鎳、金、或銀或含以上任一成分的合金。
28.如權利要求17至權利要求19中任一項所述的封裝板的制造方法，其中該絕緣薄膜圖案的材質(zhì)為聚合物。
29.如權利要求觀所述的封裝板的制造方法，其中該絕緣薄膜圖案的材質(zhì)為環(huán)氧樹月旨、硅膠、聚亞酰胺、或防焊漆。
30.如權利要求17至權利要求19中任一項所述的封裝板的制造方法，其中該絕緣薄膜圖案的厚度大于2 μ m。
31.如權利要求17所述的封裝板的制造方法，其中于該(b)步驟中，形成該絕緣薄膜圖案的方法包括印刷涂布法、濺鍍法、或噴霧法。
全文摘要
一種封裝板與其制造方法，此封裝板安裝于一電路載板上，且于封裝板上安裝有至少一半導體晶粒，該封裝板包括一基板、多個導電薄膜圖案、與一絕緣薄膜圖案?；逯饕怯蓪щ姴馁|(zhì)或半導體材質(zhì)所構(gòu)成，而其表面包括一固晶區(qū)與多個導電區(qū)。每個導電薄膜圖案是分別分布在不同的導電區(qū)上，而絕緣薄膜圖案是位于導電薄膜圖案與基板間，但絕緣薄膜圖案并未設置于固晶區(qū)上。其中，半導體晶粒是安裝于固晶區(qū)上且與導電薄膜圖案電連接。由于封裝板的固晶區(qū)未涂布有絕緣薄膜圖案，故藉由封裝板可增加半導體封裝結(jié)構(gòu)的散熱效果。
文檔編號H01L23/12GK102456634SQ201010578549
公開日2012年5月16日 申請日期2010年12月8日 優(yōu)先權日2010年10月19日
發(fā)明者蔡佳倫, 錢文正 申請人:聯(lián)京光電股份有限公司