一種銅鎳金ic封裝凸塊結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及IC封裝領(lǐng)域，具體涉及一種銅鎳金IC封裝凸塊結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]驅(qū)動IC封裝上使用的凸塊普遍為純金，成本高，目前有一種采用銅鎳金組合來代替純金的IC封裝凸塊，可以有效降低成本，其結(jié)構(gòu)包括從下向上依次設(shè)置的載體、導(dǎo)電層、絕緣層、鈦層、第一銅層、第二銅層、鎳層和金層，所述絕緣層上設(shè)有孔，露出部分導(dǎo)電層，所述鈦層底面貼合部分導(dǎo)電層以及絕緣層的表面，但是由于不同金屬的膨脹系數(shù)不一樣，在溫度變化時，各金屬層之間產(chǎn)生應(yīng)力，很容易引起基體變形或產(chǎn)生裂紋，甚至?xí)冸x脫落，因此這種銅鎳金IC封裝凸塊的可靠性差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種銅鎳金IC封裝凸塊結(jié)構(gòu)，可以解決現(xiàn)有銅鎳金IC封裝凸塊在溫度變化時，各金屬層之間產(chǎn)生應(yīng)力，很容易引起基體變形或產(chǎn)生裂紋，甚至?xí)冸x脫落，導(dǎo)致可靠性差的問題。
[0004]本發(fā)明通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
一種銅鎳金IC封裝凸塊結(jié)構(gòu)，包括從下向上依次設(shè)置的載體、導(dǎo)電層、絕緣層、鈦層、第一銅層、第二銅層、鎳層和金層，所述絕緣層上設(shè)有孔，露出部分導(dǎo)電層，所述部分導(dǎo)電層的表面至少設(shè)有一個中心緩沖塊，所述絕緣層的孔邊沿設(shè)有邊部緩沖塊，所述鈦層貼合部分導(dǎo)電層、中心緩沖塊以及邊部緩沖塊的表面成波浪形，所述第一銅層、第二銅層、鎳層和金層也成波浪形。
[0005]本發(fā)明的進(jìn)一步方案是，所述載體為硅片。
[0006]本發(fā)明的進(jìn)一步方案是，所述導(dǎo)電層為鋁墊。
[0007]本發(fā)明的進(jìn)一步方案是，所述絕緣層為PSV絕緣材料。
[0008]本發(fā)明的進(jìn)一步方案是，所述中心緩沖塊均勻分布于部分導(dǎo)電層的表面。
[0009]本發(fā)明的進(jìn)一步方案是，所述中心緩沖塊和邊部緩沖塊為聚乙烯制品。
[0010]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比的優(yōu)點(diǎn)在于:
中心緩沖塊和邊部緩沖塊一方面可以吸收鈦層與部分導(dǎo)電層之間的應(yīng)力，另一方面使各金屬層成波浪形，降低溫度變化時各金屬層的橫向位移，從而減小相鄰金屬層之間的應(yīng)力，進(jìn)而削弱應(yīng)力產(chǎn)生的負(fù)面影響，提高銅鎳金IC封裝凸塊的可靠性。
【附圖說明】
[0011]圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012]如圖1所示的一種銅鎳金IC封裝凸塊結(jié)構(gòu)，包括從下向上依次設(shè)置的硅片載體1、鋁墊導(dǎo)電層2、PSV絕緣層3、鈦層4、第一銅層5、第二銅層6、鎳層7和金層8，所述PSV絕緣層3上設(shè)有孔，露出部分鋁墊導(dǎo)電層21，所述部分鋁墊導(dǎo)電層21的表面均勻濺鍍有至少一個聚乙烯中心緩沖塊9，所述絕緣層3的孔邊沿濺鍍有聚乙烯邊部緩沖塊10，所述中心緩沖塊9和邊部緩沖塊10的橫斷面可以是矩形、三角形或弧形，所述鈦層4貼合部分鋁墊導(dǎo)電層21、聚乙烯中心緩沖塊9以及邊部緩沖塊10的表面成波浪形，所述第一銅層5、第二銅層6、鎳層7和金層8也成波浪形。
【主權(quán)項】
1.一種銅鎳金IC封裝凸塊結(jié)構(gòu)，包括從下向上依次設(shè)置的載體(1)、導(dǎo)電層(2)、絕緣層(3)、鈦層(4)、第一銅層(5)、第二銅層(6)、鎳層(7)和金層(8)，所述絕緣層(3)上設(shè)有孔，露出部分導(dǎo)電層(21)，其特征在于:所述部分導(dǎo)電層(21)的表面至少設(shè)有一個中心緩沖塊(9)，所述絕緣層(3)的孔邊沿設(shè)有邊部緩沖塊(10)，所述鈦層(4)貼合部分導(dǎo)電層(21)、中心緩沖塊(9)以及邊部緩沖塊(10)的表面成波浪形，所述第一銅層(5)、第二銅層(6 )、鎳層(7 )和金層(8 )也成波浪形。2.如權(quán)利要求1所述的一種銅鎳金IC封裝凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述載體(I)為硅片。3.如權(quán)利要求1所述的一種銅鎳金IC封裝凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述導(dǎo)電層(2)為鋁墊。4.如權(quán)利要求1所述的一種銅鎳金IC封裝凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述絕緣層(3)為PSV絕緣材料。5.如權(quán)利要求1所述的一種銅鎳金IC封裝凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述中心緩沖塊(9)均勻分布于部分導(dǎo)電層(21)的表面。6.如權(quán)利要求1所述的一種銅鎳金IC封裝凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述中心緩沖塊(9)和邊部緩沖塊(10)為聚乙烯制品。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種銅鎳金IC封裝凸塊結(jié)構(gòu)，包括從下向上依次設(shè)置的載體、導(dǎo)電層、絕緣層、鈦層、第一銅層、第二銅層、鎳層和金層，所述絕緣層上設(shè)有孔，露出部分導(dǎo)電層，所述部分導(dǎo)電層的表面至少設(shè)有一個中心緩沖塊，所述絕緣層的孔邊沿設(shè)有邊部緩沖塊，所述鈦層貼合部分導(dǎo)電層、中心緩沖塊以及邊部緩沖塊的表面成波浪形，所述第一銅層、第二銅層、鎳層和金層也成波浪形。中心緩沖塊和邊部緩沖塊一方面可以吸收鈦層與部分導(dǎo)電層之間的應(yīng)力，另一方面使各金屬層成波浪形，降低溫度變化時各金屬層的橫向位移，從而減小相鄰金屬層之間的應(yīng)力，進(jìn)而削弱應(yīng)力產(chǎn)生的負(fù)面影響，提高銅鎳金IC封裝凸塊的可靠性。
【IPC分類】H01L23/485
【公開號】CN105047631
【申請?zhí)枴緾N201510537924
【發(fā)明人】周義亮
【申請人】江蘇納沛斯半導(dǎo)體有限公司
【公開日】2015年11月11日
【申請日】2015年8月28日