封裝載板及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，且特別是涉及一種封裝載板及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]芯片封裝的目的在于保護(hù)裸露的芯片、降低芯片接點(diǎn)的密度及提供芯片良好的散熱。常見的封裝方法是芯片通過打線接合(wire bonding)或倒裝接合(flip chipbonding)等方式而安裝至封裝載板，以使芯片上的接點(diǎn)可電連接至封裝載板。因此，芯片的接點(diǎn)分布可通過封裝載板重新配置，以符合下一層級的外部元件的接點(diǎn)分布。
[0003]一般來說，封裝載板的制作通常是以核心(core)介電層作為蕊材，并利用全加成法(fully additive process)、半力口成法(sem1-additive process)、減成法(subtractiveprocess)或其他方式，將圖案化線路層與圖案化介電層交錯堆疊于核心介電層上。如此一來，核心介電層在封裝載板的整體厚度上便會占著相當(dāng)大的比例。因此，若無法有效地縮減核心介電層的厚度，勢必會使封裝結(jié)構(gòu)于厚度縮減上產(chǎn)生極大的障礙。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種封裝載板，適于承載芯片，且使用此封裝載板的封裝結(jié)構(gòu)的封裝厚度較小。
[0005]本發(fā)明的再一目的在于提供一種封裝載板的制作方法，用以制作上述的封裝載板。
[0006]為達(dá)上述目的，本發(fā)明的封裝載板的制作方法包括下列步驟:首先，接合兩基底金屬層。接著，分別壓合兩支撐層于兩基底金屬層上。之后，分別設(shè)置兩離型金屬膜于兩支撐層上，其中，各離型金屬膜包括可彼此分離的第一金屬箔層以及第二金屬箔層。接著，分別形成兩第一圖案化金屬層于兩離型金屬膜上。各第一圖案化金屬層包括接墊圖案。接著，分別形成兩介電層于兩離型金屬膜上并覆蓋對應(yīng)的第一圖案化金屬層，且各介電層具有導(dǎo)通孔，分別連接對應(yīng)的接墊圖案。接著，分別形成兩第二圖案化金屬層于兩介電層上。各第二圖案化金屬層至少覆蓋對應(yīng)的導(dǎo)通孔的上表面。之后，令兩基底金屬層分離，以形成各自獨(dú)立的兩封裝載板。
[0007]本發(fā)明的封裝載板適于承載芯片，其包括支撐層、基底金屬層、離型金屬膜、第一圖案化金屬層、介電層以及第二圖案化金屬層。支撐層包括第一表面以及相對第一表面的第二表面?；捉饘賹釉O(shè)置于支撐層的第一表面上。離型金屬膜設(shè)置于支撐層的第二表面上。離型金屬膜包括可彼此分離的第一金屬箔層以及第二金屬箔層，其中第二金屬箔層與支撐層接合。第一圖案化金屬層設(shè)置于離型金屬膜上并包括至少一接墊圖案。介電層設(shè)置于離型金屬膜上并覆蓋第一圖案化金屬層。介電層具有至少一導(dǎo)通孔，連接對應(yīng)的接墊圖案。第二圖案化金屬層設(shè)置于介電層上并至少覆蓋對應(yīng)的導(dǎo)通孔的上表面。芯片適于設(shè)置于第二圖案化金屬層上并與其電連接。
[0008]基于上述，本發(fā)明的封裝載板采用對稱的方式分別于兩彼此接合的基底金屬層上進(jìn)行封裝載板的制作工藝，因此，在兩基底金屬層上分別形成堆疊結(jié)構(gòu)后，將兩彼此接合的基底金屬層分離，即可同時得到兩個各自獨(dú)立的封裝載板，有效節(jié)省制作工藝時間，并提高生產(chǎn)效能。此外，本發(fā)明利用壓合介電層于支撐層上并于介電層上形成導(dǎo)通孔及圖案化金屬層的方法來形成承載及電連接芯片的疊構(gòu)，并且將離型金屬膜連接于支撐層以及圖案化金屬層之間，使支撐層適于通過離型金屬膜的可分離特性而輕易被移除。因此，相比較于現(xiàn)有的封裝載板而言，本發(fā)明的封裝載板可使后續(xù)完成的封裝結(jié)構(gòu)具有較薄的封裝厚度。
[0009]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖作詳細(xì)說明如下。
【附圖說明】
[0010]圖1A至圖1H是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種封裝載板的制作工藝步驟的剖面示意圖；
[0011]圖2A至圖2C為圖1H的封裝載板承載芯片的制作工藝步驟的剖面示意圖；
[0012]圖3是依照本發(fā)明的另一實(shí)施例的封裝載板承載芯片的剖面示意圖。
[0013]符號說明
[0014]10、10a:封裝結(jié)構(gòu)
[0015]100:封裝載板
[0016]105:膠層
[0017]110:基底金屬層
[0018]120:支撐層
[0019]122:第一表面
[0020]124:第二表面
[0021]130:離型金屬膜
[0022]132:第一金屬箔層
[0023]134:第二金屬箔層
[0024]140:蝕刻終止層
[0025]150:第一圖案化金屬層
[0026]152:接墊圖案
[0027]160:介電層
[0028]162:導(dǎo)通孔
[0029]164:通孔
[0030]166:導(dǎo)電層
[0031]170:第二圖案化金屬層
[0032]172:表面處理層
[0033]174:芯片接墊
[0034]176:接合接墊
[0035]180:圖案化防焊層
[0036]200:芯片
[0037]210:導(dǎo)線
[0038]220:封裝膠體
[0039]230:焊球
【具體實(shí)施方式】
[0040]圖1A至圖1H是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種封裝載板的制作工藝步驟的剖面示意圖。在本實(shí)施例中，封裝載板的制作方法包括下列步驟:首先，請參照圖1A，接合兩基底金屬層110。在本實(shí)施例中，兩基底金屬層110可分別為兩銅箔層，并通過將膠層105涂布于兩基底金屬層110的周緣來接合兩基底金屬層110，并于兩基底金屬層110的周緣形成密合區(qū)，使兩基底金屬層110暫時地接合在一起，以避免后續(xù)制作工藝中所使用的藥劑滲入于兩基底金屬層110之間。
[0041]請接續(xù)參照圖1B，分別壓合兩支撐層120于兩基底金屬層110上。接著，再分別設(shè)置兩離型金屬膜130于兩支撐層120上，其中，各離型金屬膜130包括可彼此分離的第一金屬箔層132及第二金屬箔層134。在本實(shí)施例中,第二金屬箔層134的厚度實(shí)質(zhì)上大于第一金屬箔層132的厚度。具體而言，第二金屬箔層134的厚度約為18微米(μ m)，第一金屬箔層132的厚度約為5微米(μ m)。當(dāng)然，本實(shí)施例僅用以舉例說明而并不以此為限。
[0042]接著，請同時參照圖1C，分別形成兩第一圖案化金屬層150于兩離型金屬膜130上，其中，各第一圖案化金屬層150包括至少一接墊圖案152。在此，圖1C所示的第一圖案化金屬層150僅用以舉例說明，本實(shí)施例并不限定接墊圖案152的數(shù)量。第一圖案化金屬層150可通過圖案化電鍍等加成法(additive process)而形成，當(dāng)然,在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，圖案化金屬層150也可通過蝕刻制作工藝等減成法(subtractive process)形成。
[0043]此外，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，可在形成圖案化金屬層150之前，先分別形成如圖1C所示的兩蝕刻終止層140于離型金屬膜130上。蝕刻終止層140例如為鎳層，并可通過電鍍的方式形成于離型金屬膜130上。
[0044]接著，請同時參照圖1D以及圖1E，分別形成兩介電層160于兩離型金屬膜130上，兩介電層160如圖1D所示覆蓋對應(yīng)的第一圖案化金屬層150。接著，如圖1E所示，形成至少一通孔164于各介電層160上，其中，各通孔164暴露對應(yīng)的接墊圖案