薄膜晶體管的制造方法及薄膜晶體管、基板、顯示面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管的制造方法及薄膜晶體管、基板、顯不面板。
【背景技術(shù)】
[0002]目前制作薄膜晶體管的步驟一般為，參見圖la，在基板101上依次形成公共電極102、柵極103、柵絕緣層104、有源層105、漏極106、源極107以及鈍化層108，在鈍化層108上沉積光刻膠層109，根據(jù)曝光顯影得到過孔的圖案。通過光刻膠層109的過孔110的位置，對鈍化層108進(jìn)行干刻，直到該過孔暴露出源極107，即圖1a所示效果。然后剝離光刻膠層109，在鈍化層上沉積像素電極111，使得該像素電極111通過過孔110與源極107相連，即圖1b所示效果。
[0003]由于現(xiàn)有技術(shù)的局限性，導(dǎo)致光刻膠層存在沉積不均勻的現(xiàn)象，即圖1a中所示的光刻膠右邊相比左邊沉積的光刻膠更厚。而且由于干刻工藝將會造成部分光刻膠的損失，因此在對過孔區(qū)域的鈍化層進(jìn)行刻蝕的同時(shí)，也將刻蝕掉非過孔區(qū)域的鈍化層108與柵絕緣層104，因此在此種情況下再沉積像素電極111，將會出現(xiàn)圖1c所示的效果，即像素電極111與公共電極102相連。而且由于干刻工藝對光刻膠的損失較大，造成過孔110在水平方向上的尺寸較大，參見圖1d圓圈中所示的效果，使得開口率變小。
[0004]綜上所述，由于干刻工藝對光刻膠的損失較大，造成過孔在水平方向上的尺寸較大，使得開口率變?。磺覍煽痰舴沁^孔區(qū)域的光刻膠層與鈍化層，即像素電極與公共電極相連導(dǎo)致短路，導(dǎo)致無法正常顯示。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管的制造方法及薄膜晶體管、基板、顯示面板，用以通過形成用于避免鈍化層過度刻蝕的保護(hù)層，從而避免了刻蝕掉在非過孔區(qū)域的鈍化層與柵絕緣層，導(dǎo)致像素電極與公共電極短路；且由于干刻工藝對保護(hù)層的刻蝕損失比光刻膠的損失較小，避免了過孔在水平方向上的尺寸較大的問題，提升了開口率。
[0006]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管的制造方法，在基板上依次形成公共電極、柵極、柵絕緣層、有源層、源極、漏極以及鈍化層之后，該方法還包括:
[0007]在形成有所述鈍化層的基板上，形成用于避免所述鈍化層過度刻蝕的保護(hù)層；
[0008]在形成有所述保護(hù)層的基板上，形成用于暴露出所述源極或者漏極的過孔；
[0009]在形成有所述過孔的基板上，形成像素電極，其中，所述像素電極通過所述過孔與所述源極或者漏極相連。
[0010]通過該方法，形成了用于避免鈍化層過度刻蝕的保護(hù)層，從而避免了刻蝕掉在非過孔區(qū)域的鈍化層與柵絕緣層，導(dǎo)致像素電極與公共電極短路；且由于干刻工藝對保護(hù)層的刻蝕損失比光刻膠的損失較小，避免了過孔在水平方向上的尺寸較大的問題，提升了開口率。
[0011]較佳地，所述在形成有所述保護(hù)層的基板上，形成用于暴露出所述源極或者漏極的過孔，包括:
[0012]在形成有所述保護(hù)層的基板上，形成光刻膠層，并通過曝光顯影工藝步驟在所述光刻膠層上形成過孔圖案；
[0013]在所述光刻膠層的過孔圖案處，形成用于暴露出所述源極或者漏極的過孔；
[0014]剝離所述光刻膠層；
[0015]所述在形成有所述過孔的基板上，形成像素電極，包括:
[0016]在剝離所述光刻膠層后的基板上，形成像素電極。
[0017]較佳地，所述保護(hù)層為能夠采用濕刻工藝進(jìn)行刻蝕的保護(hù)層；
[0018]所述在所述光刻膠層的過孔圖案處，形成用于暴露出所述源極或者漏極的過孔，包括:
[0019]在所述光刻膠層的過孔圖案處，先通過濕刻工藝在所述保護(hù)層上形成過孔，其中，該過孔的位置在豎直方向上與位于所述光刻膠層的過孔的位置相同；
[0020]然后在所述保護(hù)層的過孔處通過采用干刻工藝在所述鈍化層上形成暴露出源極的過孔，其中，該過孔的位置在豎直方向上與位于所述保護(hù)層的過孔的位置相同。
[0021]由于刻蝕溶液并不與光刻膠層、鈍化層以及柵絕緣層進(jìn)行反應(yīng)，因此不會造成光刻膠的損失，該刻蝕溶液將只刻蝕保護(hù)層的過孔處，避免了像素電極與公共電極連接導(dǎo)致的短路；且由于光刻工藝對保護(hù)層的刻蝕損失很小，甚至沒有刻蝕損失，因此通過先對保護(hù)層進(jìn)行濕刻，再對鈍化層進(jìn)行干刻的方法，有效的避免了刻蝕得到的過孔在水平方向上尺寸偏大的問題，實(shí)現(xiàn)了開口率的提升。
[0022]較佳地，所述在所述光刻膠層的過孔圖案處，先通過濕刻工藝在所述保護(hù)層上形成過孔，包括:
[0023]根據(jù)所述光刻膠層的過孔圖案的尺寸，設(shè)定刻蝕所述基板的刻蝕溶液的濃度與刻蝕時(shí)間；
[0024]利用所述濃度的刻蝕溶液，按照所述刻蝕時(shí)間，在所述光刻膠層的過孔圖案處通過濕刻工藝在所述保護(hù)層上形成過孔。
[0025]通過控制濕刻工藝中刻蝕溶液的濃度與刻蝕的時(shí)間，實(shí)現(xiàn)保護(hù)層上的過孔在水平方向上尺寸減小，減緩了刻蝕得到的過孔在水平方向上的尺寸偏大的問題，實(shí)現(xiàn)了開口率的提升。
[0026]較佳地，所述保護(hù)層為透明導(dǎo)電層。
[0027]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管，該薄膜晶體管是采用上述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法制作而成的薄膜晶體管；該薄膜晶體管包括:
[0028]基板以及在該基板上形成的公共電極、柵極、柵絕緣層、有源層、源極、漏級、鈍化層、像素電極；
[0029]以及位于所述鈍化層與所述像素電極之間的用于避免所述鈍化層過度刻蝕的保護(hù)層。
[0030]通過該薄膜晶體管中的用于避免鈍化層過度刻蝕的保護(hù)層，從而避免了刻蝕掉在非過孔區(qū)域的鈍化層、鈍化層以及柵絕緣層，導(dǎo)致像素電極與公共電極短路；且由于干刻工藝對保護(hù)層的刻蝕損失比光刻膠的損失較小，避免了過孔在水平方向上的尺寸較大的問題，提升了開口率。
[0031]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種基板，所述基板包括上述的薄膜晶體管。
[0032]通過該基板中的薄膜晶體管的保護(hù)層，從而避免了刻蝕掉在非過孔區(qū)域的鈍化層、鈍化層以及柵絕緣層，導(dǎo)致像素電極與公共電極短路；且由于干刻工藝對保護(hù)層的刻蝕損失比光刻膠的損失較小，避免了過孔在水平方向上的尺寸較大的問題，提升了開口率。
[0033]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示面板，所述顯示面板包括上述的基板。
[0034]通過該顯示面板，從而避免了刻蝕掉在非過孔區(qū)域的鈍化層、鈍化層以及柵絕緣層，導(dǎo)致像素電極與公共電極短路；且由于干刻工藝對保護(hù)層的刻蝕損失比光刻膠的損失較小，避免了過孔在水平方向上的尺寸較大的問題，提升了開口率。
【附圖說明】
[0035]圖1a為現(xiàn)有技術(shù)制造的暴露出源極的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖1b為現(xiàn)有技術(shù)制造的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖1c為現(xiàn)有技術(shù)制造的薄膜晶體管造成短路的原理示意圖；
[0038]圖1d為現(xiàn)有技術(shù)制造的薄膜晶體管上的偏大的過孔的效果示意圖；
[0039]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管的制造方法的流程示意圖；
[0041]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種用于暴露出源極的過孔的制作方法的流程示意圖；
[0042]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的形成光刻膠層后的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的刻蝕保護(hù)層的過孔后的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0044]圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的刻蝕鈍化層的過孔后的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0045]圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的剝離光刻膠層后的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0046]本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管的制造方法及薄膜晶體管、基板、顯示面板，用以通過形成用于避免鈍化層過度刻蝕的保護(hù)層，從而避免了刻蝕掉在非過孔區(qū)域的鈍化層與鈍化層下的柵絕緣層，導(dǎo)致像素電極與公共電極短路；且由于干刻工藝對保護(hù)層的刻蝕損失相比光刻膠的損失小，避免了過孔在水平方向上的尺寸較大，因此提升了開口率。
[0047]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0048]參見圖2，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括:基板101、位于基板101上的公共電極102以及柵極103、位于柵極103上的柵絕緣層104、位于柵絕緣層10