本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、顯示面板及顯示設(shè)備。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)中，頂柵氧化物薄膜晶體管(thinfilmtransistor，tft)驅(qū)動(dòng)的碳納米管激發(fā)的有機(jī)發(fā)光晶體管(carbon-nanotubeenabledverticalorganiclighemittingtrasistor，cn-volet)的陣列(array)基板中，頂柵氧化物tft與cn-volet通常是單獨(dú)設(shè)置的，陣列基板結(jié)構(gòu)復(fù)雜。陣列基板制程中，每一次圖形化或刻蝕過孔都需要使用一張光罩(mask)，如圖1所示，頂柵氧化物tft驅(qū)動(dòng)cn-volet的陣列基板制程包括如下步驟，其中，maskn代表陣列基板制程中使用的第n張mask，n為正整數(shù)：s101、在基板上設(shè)置頂柵氧化物tft的氧化物半導(dǎo)體層，之后對(duì)氧化物半導(dǎo)體層圖形化(mask1)，之后進(jìn)行退火(200-300℃)處理；s102、設(shè)置頂柵氧化物tft的柵極絕緣層和柵極金屬層，之后對(duì)柵極絕緣層和柵極金屬層圖形化(mask2)；s103、對(duì)氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行導(dǎo)電化處理：對(duì)氧化物半導(dǎo)體歐姆接觸區(qū)域進(jìn)行導(dǎo)電化處理(he/ar等離子處理氧化物半導(dǎo)體層)；s104、設(shè)置層間絕緣層(ild)，之后在ild層刻蝕過孔(mask3)；s105、設(shè)置金屬層，之后對(duì)金屬層圖形化(mask4)，形成源極和漏極；s106、設(shè)置cn-volet的透明柵極層(通常為銦錫氧化物ito)，對(duì)透明柵極層圖形化(mask5)；s107、設(shè)置鈍化層，之后在鈍化層上刻蝕過孔(mask6)；s108、表面層制作(mask7)；s109、碳納米管(cnt)涂覆，之后對(duì)cnt層圖形化(mask8)；s1010、擋墻(bank)層涂覆，之后對(duì)bank層圖形化(mask9)。上述過程需要使用9張mask。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種陣列基板、顯示面板及顯示設(shè)備，用以簡(jiǎn)化陣列基板的結(jié)構(gòu)，從而簡(jiǎn)化陣列基板的制備流程，節(jié)省生產(chǎn)成本。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上設(shè)置有發(fā)光晶體管和用于控制該發(fā)光晶體管發(fā)光的開關(guān)晶體管，

所述開關(guān)晶體管包括位于所述襯底基板之上的半導(dǎo)體層、第一金屬層、第二金屬層和層間絕緣層；所述層間絕緣層位于所述第一金屬層和所述第二金屬層之間；其中，

所述半導(dǎo)體層包括所述開關(guān)晶體管的有源層、第一部分和第二部分，所述第一部分作為所述開關(guān)晶體管的源極或漏極，所述第二部作為所述發(fā)光晶體管的柵極；

在垂直于所述襯底基板的方向上，所述第一金屬層與所述有源層交疊；

所述層間絕緣層中包括過孔，所述第二金屬層通過所述過孔與所述第一部分相連；

所述發(fā)光晶體管包括柵極以及位于所述柵極之上的第一柵極絕緣層，所述層間絕緣層在垂直于所述襯底基板的方向上覆蓋所述第二部分，所述層間絕緣層復(fù)用為所述第一柵極絕緣層。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種顯示面板，包括本申請(qǐng)實(shí)施例提供的陣列基板。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種顯示設(shè)備，包括本申請(qǐng)實(shí)施例提供的顯示面板。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請(qǐng)至少具有如下突出的優(yōu)點(diǎn)之一：本申請(qǐng)實(shí)施例提供的陣列基板，所述開關(guān)晶體管的半導(dǎo)體層的第二部分作為發(fā)光晶體管的柵極，所述開關(guān)晶體管的層間絕緣層延伸至所述發(fā)光晶體管區(qū)域作為所述開關(guān)晶體管的柵極絕緣層，即開關(guān)晶體管的半導(dǎo)體層的第二部分復(fù)用為發(fā)光晶體管的柵極，開關(guān)晶體管的層間絕緣層復(fù)用為所述發(fā)光晶體管的柵極絕緣層，從而無需再設(shè)置開關(guān)晶體管與發(fā)光晶體管電連接的電極，發(fā)光晶體管無需再設(shè)置其柵極絕緣層，從而可以簡(jiǎn)化陣列基板的結(jié)構(gòu)，簡(jiǎn)化陣列基板制備的工藝流程，從而降低陣列基板的生產(chǎn)成本。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)要介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請(qǐng)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中制備頂柵氧化物tft驅(qū)動(dòng)cn-volet的陣列基板的流程示意圖；

圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的采用開關(guān)晶體管和發(fā)光晶體管cn-volet的具體驅(qū)動(dòng)方式的電路示意圖；

圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的陣列基板中發(fā)光晶體管的有源層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種陣列基板制備流程示意圖；

圖7為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的另一種陣列基板制備流程示意圖。

具體實(shí)施方式

本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種陣列基板、顯示面板及顯示設(shè)備，用以簡(jiǎn)化陣列基板的結(jié)構(gòu)，從而簡(jiǎn)化陣列基板的制備流程，節(jié)省生產(chǎn)成本。

首先，對(duì)采用開關(guān)晶體管t1和發(fā)光晶體管cn-volet的具體驅(qū)動(dòng)方式進(jìn)行說明，如圖2所示，cn-volet的柵極與t1的源極或漏極相連，第n行掃描信號(hào)(vscan)為高電平，將t1打開，數(shù)據(jù)信號(hào)(vdata)通過t1寫入到cn-volet的柵極中，將發(fā)光晶體管cn-volet打開，使得電流流入發(fā)光晶體管cn-volet，發(fā)光晶體管cn-volet發(fā)光。然后將vscan改為低電平，將t1關(guān)閉，數(shù)據(jù)信號(hào)(vdata)儲(chǔ)存在cn-volet的柵極和源極構(gòu)成的電容中。然后，第n+1行的vscan為高電平，開始下一行的cn-volet的信號(hào)寫入和發(fā)光。所有行的信號(hào)都寫入完成后，顯示屏顯示出一幀圖像；然后開始重新從第1行開始，重復(fù)上述步驟，顯示下一幀圖像。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上設(shè)置有發(fā)光晶體管和用于控制該發(fā)光晶體管發(fā)光的開關(guān)晶體管，所述開關(guān)晶體管包括位于所述襯底基板之上的半導(dǎo)體層、第一金屬層、第二金屬層和層間絕緣層；所述層間絕緣層位于所述第一金屬層和所述第二金屬層之間；其中，所述半導(dǎo)體層包括所述開關(guān)晶體管的有源層、第一部分和第二部分，所述第一部分作為所述開關(guān)晶體管的源極或漏極，所述第二部作為所述發(fā)光晶體管的柵極；在垂直于所述襯底基板的方向上，所述第一金屬層與所述有源層交疊；所述層間絕緣層中包括過孔，所述第二金屬層通過所述過孔與所述第一部分相連；所述發(fā)光晶體管包括柵極以及位于所述柵極之上的第一柵極絕緣層，所述層間絕緣層在垂直于所述襯底基板的方向上覆蓋所述第二部分，所述層間絕緣層復(fù)用為所述第一柵極絕緣層。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的陣列基板，由于所述第一部分與第二金屬層電連接作為源極或漏極，所述第二部分作為發(fā)光晶體管的柵極，因此在一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，在陣列基板制程中可以對(duì)半導(dǎo)體層的第一部分以及第二部分進(jìn)行導(dǎo)電化處理，從而使得所述半導(dǎo)體層的第一部分和第二部分導(dǎo)電性更好。在一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，例如，對(duì)半導(dǎo)體層第一部分和第二部分導(dǎo)電化處理后，第一部分和第二部分的方塊電阻小于20000歐姆/口。

在一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，所述半導(dǎo)體層為透明的氧化物半導(dǎo)體層。本申請(qǐng)實(shí)施例提供的陣列基板，半導(dǎo)體層為透明的氧化物半導(dǎo)體層，這樣，可以使得在對(duì)氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行導(dǎo)電化處理后，使得氧化物半導(dǎo)體層導(dǎo)電性良好的同時(shí)還不影響顯示效果，從而可以使得發(fā)光晶體管產(chǎn)生的光在顯示區(qū)可以很好地透過柵極。

下面以半導(dǎo)體層為氧化物半導(dǎo)體層為例，對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例提供的陣列基板結(jié)構(gòu)進(jìn)行舉例說明。

如圖3所示，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的陣列基板包括：

襯底基板1、位于襯底基板1之上的發(fā)光晶體管和用于控制該發(fā)光晶體管發(fā)光的開關(guān)晶體管；

所述發(fā)光晶體管包括柵極以及位于所述柵極之上的第一柵極絕緣層；所述開關(guān)晶體管包括位于所述襯底基板1之上的氧化物半導(dǎo)體層2、第一金屬層3、第二金屬層4、層間絕緣層5和第二柵極絕緣層9；其中，所述氧化物半導(dǎo)體層2包括所述開關(guān)晶體管的有源層6、第一部分7和第二部分8，所述第一部分7作為所述開關(guān)晶體管的源極或漏極，所述第二部分8作為所述發(fā)光晶體管的柵極，第二柵極絕緣層9位于所述有源層6之上，第一金屬層3位于第二柵極絕緣層9之上，層間絕緣層5中包括過孔21，層間絕緣層5位于第一金屬層3和第二金屬層4之間，使得第一金屬層3和第二金屬層4絕緣；第二金屬層4通過設(shè)置在所述層間絕緣層上的過孔21與第一部分7相連；開關(guān)晶體管的層間絕緣層5向發(fā)光晶體管所在區(qū)域延伸，并且在垂直于所述襯底基板1的方向上覆蓋第二部分8，層間絕緣層5的延伸部分復(fù)用為所述第一柵極絕緣層。

在一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，所述發(fā)光晶體管，除了包括第二部分8和層間絕緣層5之外，還包括：表面層10、源極接觸層11、源極層12、遮光層13、有源層14以及陰極層15；其中，表面層10位于所述第二金屬層4和所述層間絕緣層5之上，源極接觸層11夾持設(shè)置于所述層間絕緣層5和所述表面層10之間，源極層12位于所述表面層10之上，并通過設(shè)置在表面層10中的過孔與源極接觸層11連接，遮光層13位于所述表面層10和所述發(fā)光晶體管的源極層12之上，并且設(shè)置于陣列基板的非顯示區(qū)，有源層14位于所述發(fā)光晶體管的源極層12之上，陰極層15位于所述有源層14之上。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的如圖3所示的陣列基板，所述開關(guān)晶體管的半導(dǎo)體層的第二部分為發(fā)光晶體管的柵極，所述開關(guān)晶體管的層間絕緣層延伸至所述發(fā)光晶體管區(qū)域作為所述第一柵極絕緣層，即開關(guān)晶體管的半導(dǎo)體層的第二部分復(fù)用為發(fā)光晶體管的柵極，開關(guān)晶體管的層間絕緣層復(fù)用為所述第一柵極絕緣層，從而無需再設(shè)置開關(guān)晶體管與發(fā)光晶體管電連接的電極，發(fā)光晶體管無需再設(shè)置第一柵極絕緣層，開關(guān)晶體管便可以驅(qū)動(dòng)發(fā)光晶體管發(fā)光，從而可以簡(jiǎn)化陣列基板的結(jié)構(gòu)，簡(jiǎn)化陣列基板制備的工藝流程，從而降低陣列基板的生產(chǎn)成本。此外，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的如圖3所示的陣列基板需要在制程中對(duì)第一部分以及第二部分進(jìn)行導(dǎo)電化處理，從而所述半導(dǎo)體層的第一部分和第二部分導(dǎo)電性良好，第一部分和第二部分分別可以作為開關(guān)晶體管的源極或漏極以及發(fā)光晶體管的柵極。

在一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的陣列基板，在如圖3所示的陣列基板的基礎(chǔ)上，還包括鈍化層，具體結(jié)構(gòu)如圖4所示，本實(shí)施例提供的陣列基板包括：襯底基板1、位于襯底基板1之上的發(fā)光晶體管和用于控制該發(fā)光晶體管發(fā)光的開關(guān)晶體管。

所述發(fā)光晶體管包括柵極以及位于所述柵極之上的第一柵極絕緣層；所述開關(guān)晶體管包括位于所述襯底基板1之上的氧化物半導(dǎo)體層2、第一金屬層3、第二金屬層4、層間絕緣層5、第二柵極絕緣層9以及鈍化層16；其中，所述氧化物半導(dǎo)體層2包括所述開關(guān)晶體管的有源層6、第一部分7和第二部分8，所述第一部7分作為所述開關(guān)晶體管的源極或漏極，所述第二部分8作為所述發(fā)光晶體管的柵極，第二柵極絕緣層9位于所述有源層6之上，第一金屬層3位于第二柵極絕緣層9之上，層間絕緣層5中包括過孔21，層間絕緣層5位于第一金屬層3和第二金屬層4之間，使得第一金屬層3和第二金屬層4絕緣；第二金屬層4通過設(shè)置在所述層間絕緣層上的過孔21與第一部分7相連；開關(guān)晶體管的層間絕緣層5向發(fā)光晶體管所在區(qū)域延伸，并且在垂直于所述襯底基板1方向上覆蓋第二部分8；鈍化層16位于所述第二金屬層4和所述層間絕緣層5之上，并且在平行所述襯底基板方向上延伸，鈍化層16與層間絕緣層5的延伸部分復(fù)用為所述第一柵極絕緣層。

所述發(fā)光晶體管除了包括第二部分8、層間絕緣層5和鈍化層16之外，還包括：表面層10、源極接觸層11、源極層12、遮光層13、有源層14以及陰極層15；其中，表面層10位于所述鈍化層16之上，源極接觸層11夾持設(shè)置于層間絕緣層5和鈍化層16之間，源極層12位于表面層10之上，并通過設(shè)置在所述表面層10中的過孔以及鈍化層16中的過孔與源極接觸層11連接，遮光層13位于表面層10和發(fā)光晶體管的源極層12之上，并且位于陣列基板的非顯示區(qū)，發(fā)光晶體管的有源層14位于所述發(fā)光晶體管的源極層12之上，陰極層15位于所述發(fā)光晶體管的有源層14之上。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的如圖4所示的陣列基板，所述開關(guān)晶體管的半導(dǎo)體層的第二部分為發(fā)光晶體管的柵極，所述開關(guān)晶體管的層間絕緣層和鈍化層延伸至所述發(fā)光晶體管區(qū)域作為所述第一柵極絕緣層，即開關(guān)晶體管的半導(dǎo)體層的第二部分復(fù)用為發(fā)光晶體管的柵極，開關(guān)晶體管的層間絕緣層加鈍化層復(fù)用為所述第一柵極絕緣層，從而開關(guān)晶體管無需再設(shè)置與發(fā)光晶體管電連接的電極，發(fā)光晶體管無需再設(shè)置第一柵極絕緣層，開關(guān)晶體管便可以驅(qū)動(dòng)發(fā)光晶體管發(fā)光，從而可以簡(jiǎn)化陣列基板的結(jié)構(gòu)，簡(jiǎn)化陣列基板制備的工藝流程，從而降低陣列基板的生產(chǎn)成本。并且，在表面層和第二金屬電極層之間設(shè)置鈍化層，可以提高第二金屬層和表面層之間的絕緣效果。此外，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的如圖4所示的陣列基板也需要在制程中對(duì)第一部分以及第二部分進(jìn)行導(dǎo)電化處理，從而所述半導(dǎo)體層的第一部分和第二部分導(dǎo)電性良好，第一部分和第二部分分別可以作為開關(guān)晶體管的源極或漏極以及發(fā)光晶體管的柵極。

在一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的陣列基板中，第一金屬層的材料包括鉬、鋁、鈦或鉬、鋁、鈦中的至少一種；所述第二金屬層的材料包括鉬、鋁、鈦或鉬、鋁、鈦中的至少一種。

在一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的陣列基板中，第二金屬層與源極接觸層材料相同且同層設(shè)置，從而可以進(jìn)一步簡(jiǎn)化陣列基板制程。

在一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的陣列基板中，所述第二柵極絕緣層、所述層間絕緣層包括氧化硅。所述第二柵極絕緣層和所述層間絕緣層可以采用相同的材料，也可以采用不同的材料。

在一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的陣列基板中，所述表面層包括苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene，bcb)。

在一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的陣列基板中，所述源極層包括cnt。

在一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的陣列基板中，所述遮光層可以為擋墻(bank)層，bank層的材料包括光敏聚酰亞胺樹脂。

在一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，如圖5所示，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的陣列基板中，發(fā)光晶體管的有源層14包括有機(jī)半導(dǎo)體層17、位于所述有機(jī)半導(dǎo)體層17之上的空穴傳輸層18、位于空穴傳輸層18之上的發(fā)光層19，以及位于所述發(fā)光層19之上的電子傳輸層20。

下面，以半導(dǎo)體層為氧化物半導(dǎo)體層、發(fā)光晶體管的源極層為cnt、遮光層為bank層為例，對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例提供的陣列基板制備工藝進(jìn)行說明，

如圖6所示，制備如圖3所示的陣列基板具體包括如下步驟：

s601、在襯底基板之上沉積氧化物半導(dǎo)體層，之后對(duì)氧化物半導(dǎo)體層圖形化(mask1)；

s602、沉積第二柵極絕緣層、第一金屬層，之后對(duì)第二柵極絕緣層和第一金屬層圖形化(mask2)；

s603、對(duì)氧化物半導(dǎo)體層第一部分和第二部分進(jìn)行導(dǎo)電化處理；例如可以采用he/ar等離子處理氧化物半導(dǎo)體層的第一部分和第二部分；

s604、沉積層間絕緣層，之后在層間絕緣層上刻蝕過孔(mask3)；

s605、沉積第二金屬層，之后對(duì)第二金屬層圖形化(mask4)；

s606、沉積表面層，之后刻蝕過孔(mask5)；

s607、涂覆cnt，之后對(duì)cnt圖形化(mask6)；

s608、涂覆bank層，之后對(duì)bank層圖形化(mask7)。

需要說明的是，每一次圖形化或刻蝕過孔都需要使用一張mask，maskn代表陣列基板制程中使用的第n張mask。本申請(qǐng)實(shí)施例提供的薄膜晶體管制備方法，在設(shè)置氧化物半導(dǎo)體層到設(shè)置發(fā)光晶體管的bank層的步驟中，只需要使用7張mask，與現(xiàn)有技術(shù)中設(shè)置半導(dǎo)體層到設(shè)置發(fā)光晶體管bank層的過程相比，可以節(jié)省兩張mask；并且，氧化物半導(dǎo)體層復(fù)用為發(fā)光晶體管的柵極層，開關(guān)晶體管的層間絕緣層復(fù)用為第一柵極絕緣層，與現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板制程相比，還可以簡(jiǎn)化陣列基板結(jié)構(gòu)。

如圖7所示，制備如圖4所示的陣列基板，具體包括如下步驟：

s701、在襯底基板之上沉積氧化物半導(dǎo)體層，之后對(duì)氧化物半導(dǎo)體層圖形化(mask1)；

s702、沉積第二柵極絕緣層、第一金屬層，之后對(duì)第二柵極絕緣層和第一金屬層圖形化(mask2)；

s703、對(duì)氧化物半導(dǎo)體層第一部分和第二部分進(jìn)行導(dǎo)電化處理；例如可以采用he/ar等離子處理氧化物半導(dǎo)體層的第一部分和第二部分；

s704、沉積層間絕緣層，之后在層間絕緣層上刻蝕過孔(mask3)；

s705、沉積第二金屬層，之后對(duì)第二金屬層圖形化(mask4)；

s706、沉積鈍化層，之后在鈍化層上刻蝕過孔(mask5)；

s707、沉積表面層，之后刻蝕過孔(mask6)；

s708、涂覆cnt，之后對(duì)cnt圖形化(mask7)；

s709、涂覆bank層，之后對(duì)bank層圖形化(mask8)。

需要說明的是，每一次圖形化或刻蝕過孔都需要使用一張mask，maskn代表陣列基板制程中使用的第n張mask。本申請(qǐng)實(shí)施例提供的薄膜晶體管制備方法，設(shè)置氧化物半導(dǎo)體層到設(shè)置發(fā)光晶體管的bank層的步驟中，只需要使用8張mask，與現(xiàn)有技術(shù)中設(shè)置半導(dǎo)體層到設(shè)置發(fā)光晶體管bank層的過程相比，可以節(jié)省1張mask；并且，氧化物半導(dǎo)體層復(fù)用為發(fā)光晶體管的柵極層，開關(guān)晶體管的層間絕緣層和鈍化層復(fù)用為第一柵極絕緣層，與現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板制程相比，可以簡(jiǎn)化陣列基板結(jié)構(gòu)。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種顯示面板，包括本申請(qǐng)實(shí)施例提供的上述陣列基板。

例如，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的顯示面板，可以是有機(jī)發(fā)光二極管(organiclight-emittingdiode，oled)顯示面板等。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種顯示設(shè)備，包括本申請(qǐng)實(shí)施例提供的顯示面板。

例如，本申請(qǐng)實(shí)施例中所述的顯示設(shè)備，可以是手機(jī)、電視、電腦等設(shè)備。

綜上所述，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的陣列基板、顯示面板以及顯示設(shè)備，所述開關(guān)晶體管的半導(dǎo)體層的第二部分為發(fā)光晶體管的柵極，所述開關(guān)晶體管的層間絕緣層延伸至所述發(fā)光晶體管區(qū)域作為所述第一柵極絕緣層，即開關(guān)晶體管的半導(dǎo)體層的第二部分復(fù)用為發(fā)光晶體管的柵極，開關(guān)晶體管的層間絕緣層復(fù)用為所述第一柵極絕緣層，從而開關(guān)晶體管無需再設(shè)置與發(fā)光晶體管電連接的電極，發(fā)光晶體管無需再設(shè)置第一柵極絕緣層，從而可以簡(jiǎn)化陣列基板的結(jié)構(gòu)，簡(jiǎn)化陣列基板制備的工藝流程，從而降低陣列基板的生產(chǎn)成本；本申請(qǐng)實(shí)施例提供的如圖3所示的陣列基板，其制作過程只需采用7張mask，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的如圖4所示的陣列基板，其制作過程只需采用8張mask，與現(xiàn)有技術(shù)陣列基板制程相比分別減少2張、1張mask，降低陣列基板的生產(chǎn)成本。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本申請(qǐng)進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本申請(qǐng)的精神和范圍。這樣，倘若本申請(qǐng)的這些修改和變型屬于本申請(qǐng)權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本申請(qǐng)也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。