專利名稱：濺鍍裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在反應(yīng)性濺鍍法法中在需要處理的基板表面形成規(guī)定薄膜的濺
鍍裝置。
背景技術(shù)：
濺鍍法(以下稱為"濺射")是在玻璃和硅單晶片等基板表面形成規(guī)定薄膜的方法 之一，該方法根據(jù)要在基板表面形成的薄膜的組成，使等離子體氛圍中的離子向制作的靶 材加速沖擊，使濺射粒子(靶材原子)飛散，在基板表面附著、堆積，形成規(guī)定薄膜，同時導(dǎo) 入氧和氮等反應(yīng)氣體，通過反應(yīng)性濺射得到該薄膜。 這種通過濺射法產(chǎn)生薄膜的方法，近年來被用于制造TFT (薄膜晶體管)液晶顯示 器(FPD)的工序中，也被用于在大面積玻璃基板表面形成ITO等透明導(dǎo)電膜，以及作為柵電 極提高導(dǎo)電特性好的Cu等金屬膜與該金屬膜的粘合性的氧化物膜中。 以往，對于在大面積基板上高效形成薄膜的濺鍍裝置，在特許文獻(xiàn)1中可知，在真 空室內(nèi)與處理基板相對并列設(shè)置多片靶材，在并列設(shè)置的靶材的各成對靶材中，設(shè)置交流 電源以規(guī)定頻率交替改變極性施加電壓，將各靶材交替切換為陽電極、陰電極，使在陽電極 和陰電極之間輝光放電、形成等離子體氛圍，濺鍍各靶材。 在這里，使用具有上述構(gòu)成的濺鍍裝置，通過反應(yīng)性濺射形成薄膜時，不僅可以在
全部基板表面以均勻膜厚成膜，而且必須防止反應(yīng)氣體被偏向?qū)霝R射室、在基板面內(nèi)的
反應(yīng)中產(chǎn)生不均勻，在基板面內(nèi)比電阻值等膜質(zhì)變得不均勻。由此，在特許文獻(xiàn)2中可知，
在并列設(shè)置的各靶材相互之間的各間隙中，沿著靶材的長度側(cè)面，設(shè)置導(dǎo)入濺射氣體和反
應(yīng)氣體的通氣管，由通氣管從各靶材相互之間的各間隙向基板噴出氣體。 但是，如在特許文獻(xiàn)1中的記載的，在使多片靶材相對基板并列設(shè)置、形成薄膜
時，從各靶材相互之間的各間隙不能放出濺射粒子。因此，為了在全部基板表面得到均勻的
膜厚分布，雖然希望將不能放出濺射粒子的該空間盡可能地縮小，但在如特許文獻(xiàn)2的設(shè)
置通氣管時，縮小該空間是有限度的。另外，在如此小的空間中設(shè)置具有規(guī)定外徑的通氣管
是困難的，裝置構(gòu)成變得復(fù)雜，其安裝作業(yè)變得困難。 因此，本申請人(特愿2007-120708號)提出下述構(gòu)成從各耙材的背面間隔設(shè)置 在各靶材的并列設(shè)置方向延伸的至少1根供氣管，通過從在該供氣管上形成的噴射口噴射 反應(yīng)氣體，使反應(yīng)氣體擴散到與并列設(shè)置的各靶材的濺射面背向一側(cè)(背面?zhèn)?的空間，然 后通過靶材相互之間的各間隙向基板供給反應(yīng)氣體。
特許文獻(xiàn)1 :特開2005-290550號公報
特許文獻(xiàn)2 :特開2004-91927號公報

發(fā)明內(nèi)容
在所述濺鍍裝置中，在靶材背面一側(cè)的空間、在各靶材的前方通常收納著形成隧
道狀磁束的磁鐵組合體和使該磁鐵組合體以整體往復(fù)移動的驅(qū)動手段，及向結(jié)合在靶材的
3背板供給冷媒的冷媒供給通路等多個零件，此外，在靶材背面一側(cè)，在真空室壁面上形成有 排氣口 ，該排氣口通向?qū)R射室真空排氣的真空排氣手段。 因此，如上所述，從在供氣管上形成的噴射口噴射反應(yīng)氣體，即使使反應(yīng)氣體在靶 材背面一側(cè)的空間擴散，由于裝置的構(gòu)成使氣體發(fā)生局部滯留，在各靶材相互之間的間隙 中的任意一個間隙，反應(yīng)氣體有可能被偏向?qū)氲交濉?因此，本發(fā)明的課題鑒于上述問題，提供一種結(jié)構(gòu)簡單的濺鍍裝置，其可遍布全部 基板表面、大致均等地供給反應(yīng)氣體，可以在全部基板表面形成大致均勻的膜厚分布和比 電阻值等膜質(zhì)。 為了解決上述課題，權(quán)利要求1記載的濺鍍裝置具有在濺射室內(nèi)以規(guī)定間隔并列 設(shè)置的多片靶材、能夠向各靶材輸入電力的濺射電源和能夠向濺射室導(dǎo)入濺射氣體和反應(yīng) 氣體的氣體導(dǎo)入手段；將上述反應(yīng)氣體導(dǎo)入濺射室的氣體導(dǎo)入手段具有至少1根供氣管， 該供氣管在并列設(shè)置的各靶材背面一側(cè)與各靶材間隔設(shè)置的同時形成噴射反應(yīng)氣體的噴 射口，其特征在于設(shè)置有調(diào)節(jié)手段，以調(diào)節(jié)通過上述靶材相互之間各間隙流動的上述反應(yīng) 氣體的流量。 根據(jù)本發(fā)明，如果從在各靶材背面一側(cè)設(shè)置的至少1根供氣管上形成的噴射口噴 射反應(yīng)氣體，該反應(yīng)氣體就擴散到并列設(shè)置的各靶材背面一側(cè)的空間中。然后，通過靶材 相互之間的各間隙向處理基板供給反應(yīng)氣體。此處，由于設(shè)置在靶材背面一側(cè)的零件和排 氣口位置等裝置結(jié)構(gòu)，在靶材背面一側(cè)的空間中氣體發(fā)生局部滯留，有時通過各靶材相互 之間的間隙中的任意一個間隙，反應(yīng)氣體被偏向?qū)虢o基板。但是，在本發(fā)明中，因為設(shè)置 調(diào)節(jié)手段，由該調(diào)節(jié)手段阻斷來自任意一個間隙的反應(yīng)氣體的流動等，可以適當(dāng)調(diào)節(jié)通過 該間隙流動的反應(yīng)氣體的流量。由此，對應(yīng)要處理的基板，可以確實防止反應(yīng)氣體被偏向?qū)?入，可以防止在基板面內(nèi)的反應(yīng)中產(chǎn)生不均勻而使基板面內(nèi)比電阻值等膜質(zhì)變得不均勻。
在本發(fā)明中，上述調(diào)節(jié)手段如果采用具有設(shè)置在靶材背面一側(cè)的、具有凸三角狀 前端部分的流量調(diào)節(jié)構(gòu)件，和相對上述間隙進退自如地驅(qū)動該流量調(diào)節(jié)構(gòu)件的驅(qū)動手段的 結(jié)構(gòu)，就可以根據(jù)流量調(diào)節(jié)構(gòu)件在上述間隙的侵入量，以簡單的結(jié)構(gòu)調(diào)節(jié)通過該間隙流動 的氣體的流量。 此時，根據(jù)裝置的結(jié)構(gòu)，為了適當(dāng)調(diào)節(jié)通過間隙流動的反應(yīng)氣體的流量，優(yōu)選在上 述間隙的全長上設(shè)置上述流量調(diào)節(jié)構(gòu)件。 另外，根據(jù)裝置構(gòu)成，為進行非常細(xì)小的膜質(zhì)分布調(diào)節(jié)，可以采用上述流量調(diào)節(jié)構(gòu) 件在沿著其長度方向被分割為規(guī)定長度的多段、在該被分割的部分上分別連接驅(qū)動手段的 結(jié)構(gòu)。 在本發(fā)明中，上述濺射電源是在并列設(shè)置的多片靶材中，在每1對靶材上以規(guī)定 頻率、交替改變極性施加電壓的交流電源；如果將各靶材交替切換到陽電極、陰電極，使在 陽電極和陰電極之間輝光放電，形成等離子體氛圍濺鍍各靶材，因為不需要在各靶材相互 之間的空間中設(shè)置任何陽電極和屏蔽板等構(gòu)成零件，所以，可以將不放出濺射粒子的該空 間盡可能地縮小。 為了提高各靶材利用效率，在上述并列設(shè)置的靶材和通氣管之間，在各靶材的前 方設(shè)置形成隧道狀磁束的磁鐵組合體的同時，也可以采用具備使該各磁鐵組合體整體且沿 著靶材背面平行往復(fù)運動的其它驅(qū)動手段的構(gòu)成。
具體實施例方式
參照圖1來說明，1是本發(fā)明的磁控管式濺鍍裝置(以下稱為「濺鍍裝置」)。濺鍍裝置1是在線式的裝置，具有通過旋轉(zhuǎn)泵、渦輪分子泵等真空排氣手段(未圖示)和可以保持規(guī)定真空度的真空室ll。在真空室ll的上部設(shè)置著基板搬送手段2。該基板搬送手段2具有公知的結(jié)構(gòu)，具有安放玻璃基板等處理基板S的托架21，使未圖示的驅(qū)動手段間歇地驅(qū)動，可以將基板S依次搬送到后述的相對靶材的位置。 在真空室11內(nèi)，在通過濺射對被搬送到相對靶材位置的基板S形成規(guī)定薄膜時，為了防止濺射粒子附著在托架21表面和真空室11側(cè)壁等，在基板搬送手段2和靶材之間設(shè)置形成面向基板S的開口 31a的第1屏蔽板31，第1屏蔽板31的下端延伸到后述的第2屏蔽板32的近旁。然后，在真空室11的下側(cè)設(shè)置著陰電極C。 為了對大面積基板S可以有效地形成薄膜，陰電極C具有相對基板S以相等間隔設(shè)置的多片(在本實施方式中是8片)靶材41a至41h。各靶材41a至41h，根據(jù)要在基板S表面形成的Cu、Al、Ti、Mo或這些的合金和銦及錫的氧化物(IT0)等薄膜組成，以公知的方法制作，例如形成為大致長方體(在俯視中是長方形)等相同形狀。在濺射中，各靶材41a至41h通過銦和錫等焊接材料被連接在冷卻耙材41a至41h的背板42上。
各靶材41a至41h通過絕緣構(gòu)件被安裝在陰電極C的框架(未圖示)上，使未使用時的濺射面411位于平行于基板S的同一平面上。另外，在并列設(shè)置的靶材41a至41h周圍設(shè)置著第2屏蔽板32，在真空室11內(nèi)，被第1和第2屏蔽板31、32圍繞的空間構(gòu)成濺射室lla。 另外，陰電極C具有分別位于靶材41a至41h的后方(和濺射面411背向一側(cè))的磁鐵組合體5。同一結(jié)構(gòu)的各磁鐵組合體5具有平行于各靶材41a至41h設(shè)置的支持板(環(huán)口)51。靶材41a至41h在正面看是長方形時，支持板51比各靶材41a至41h的橫幅小，沿著靶材41a至41h的長度方向由從其兩側(cè)延伸出的長方形平板構(gòu)成，由可增大磁鐵吸附力的磁性材料制成。在支持板51上，設(shè)置著在其中央部分、沿長度方向設(shè)置為線狀的中央磁鐵52，和包圍在中央磁鐵52周圍的沿著支持板51的外周面設(shè)置的周邊磁鐵53，以改變?yōu)R射面411一側(cè)的極性。 換算為中央磁鐵52的同磁化時的體積，例如被設(shè)計成等于換算為周邊磁鐵53同
磁化時的體積之和(周邊磁鐵中央磁鐵周邊磁鐵=i : 2 : D，在各耙材4ia至4ih
的濺射面411的前方分別形成平衡的閉合環(huán)匝隧道狀磁束。由此，捕捉在各靶材41a至41h的前方(濺射面411) 一側(cè)電離的電子和由濺射生成的二次電子，提高在各靶材41a至41h前方的電子密度，等離子體密度升高，可以提高濺射率。 各磁鐵組合體5被分別安裝在由電動機和氣缸等構(gòu)成的驅(qū)動手段D所連接的驅(qū)動板Dl上，可以在位于沿著耙材41a至41h的并列設(shè)置方向的兩個位置之間平行且等速地整體往復(fù)運動。由此，改變?yōu)R射率變高的區(qū)域，可以在各靶材41a至41h的全部表面得到均勻侵蝕的區(qū)域。 各耙材41a至41h以相鄰2片構(gòu)成一對耙材(41a和41b、41c和41d、41e和41f 、41g和41h)，每一對耙材分配設(shè)置交流電源El至E4。然后，來自交流電源El至E4的輸出電纜K1、K2被連接在一對耙材41a、41b (41c和41d、41e和41f 、41g和41h)上，由交流電源
5El至E4對各一對的靶材41a至41h交替改變極性、以任意波形(例如正弦波)外加交流電壓。 交流電源El至E4為具有公知結(jié)構(gòu)的相同交流電源，由能夠供給電力的電力供給部，以及以規(guī)定頻率交替改變極性、向一對靶材41a、41b (41c和41d、41e和41f 、41g和41h)上輸出交流電壓的振蕩部構(gòu)成。另外，各交流電源El至E4被相互通信自如地連接，以來自任意一個交流電源E1的輸出信號可以同期運轉(zhuǎn)各交流電源E1至E4。 另外，在真空室11中設(shè)置著在濺射室內(nèi)導(dǎo)入由Ar等稀有氣體組成的濺射氣體、和根據(jù)要在基板S表面形成的薄膜的組成適當(dāng)選擇的氧和氮等反應(yīng)氣體的氣體導(dǎo)入手段8 (參照圖1)?？梢栽跒R射氣體的供給中使用的氣體導(dǎo)入手段8具有被安裝在真空室11側(cè)壁的通氣管81a，通氣管81a通過質(zhì)量流量調(diào)節(jié)器82a分別連通濺射氣體和反應(yīng)氣體的氣源83a。 另外，可以在反應(yīng)氣體的供給中使用的氣體導(dǎo)入手段8具有通氣管81b，通氣管81b的一端通過質(zhì)量流量調(diào)節(jié)器82b分別連通濺射氣體和反應(yīng)氣體的氣源83b。另一方面，其另一端連接在靶材41a至41h并列設(shè)置方向上、通過各靶材中心延伸的1根供氣管84上。供氣管84，例如是具有①3 lOmm直徑的不銹鋼制造的鋼管，尺寸設(shè)定為比并列設(shè)置的靶材41a至41h全部幅度長大約1/3，在該靶材41a至41h —側(cè)的面上，例如位于各靶材41a至41h相互之間的間隙下方形成多個噴射口 84a。 然后，如果使質(zhì)量流量調(diào)節(jié)器82a、82b運轉(zhuǎn)，濺射氣體就通過第1和第2的各屏蔽板13、43之間及第1屏蔽板13和基板搬送手段2之間的間隙被導(dǎo)入濺射室lla。反應(yīng)氣體在各靶材41a至41h的背面一側(cè)(和靶材的濺射面411背向一側(cè))的空間被擴散，通過各靶材41a至41h相互之間的各間隙412供給基板S。 在本實施方式的濺鍍裝置1中，在各靶材41a至41h的背面一側(cè)的空間中設(shè)置使冷媒在磁鐵組合體5與驅(qū)動板Dl及背板中循環(huán)的冷媒循環(huán)回路等部件，另外，通向真空排氣手段的排氣口 lib也在從真空室11的中心偏置、形成于該真空室11的底面(參照圖1)。因此，如上所述在各靶材41a至41h的背面一側(cè)的空間使反應(yīng)氣體擴散時，局部產(chǎn)生氣體滯留，有通過各靶材相互之間間隙中的任意一個間隙反應(yīng)氣體被偏向?qū)牖宓目赡堋?br> 在本實施方式中，設(shè)置著可以分別調(diào)節(jié)通過靶材41a至41h相互之間的各間隙412流動的反應(yīng)氣體流量的調(diào)節(jié)手段9。調(diào)節(jié)手段9在靶材41a至41h的背面一側(cè)，由流量調(diào)節(jié)構(gòu)件91和驅(qū)動手段93構(gòu)成。該流量調(diào)節(jié)構(gòu)件91的前端部分為凸三角狀(截面大致為三角形)，位于各間隙412正下方；該驅(qū)動手段93為通過操作軸92連接在流量調(diào)節(jié)構(gòu)件91上的電動機和氣缸等。流量調(diào)節(jié)構(gòu)件91例如為氟樹脂制，使驅(qū)動手段93運轉(zhuǎn)，則流量調(diào)節(jié)構(gòu)件91相對各間隙412進退自如(參照圖2和圖3)。 如在圖3所示，由驅(qū)動手段93使流量調(diào)節(jié)構(gòu)件91下降，其前端如果位于相互鄰接的背板42下面的下方(下降位置)，氣體流動就不被阻礙，氣體流量變得最大。然后，在控制驅(qū)動手段93運轉(zhuǎn)使流量調(diào)節(jié)構(gòu)件91上升時，根據(jù)流量調(diào)節(jié)構(gòu)件91的前端部對間隙412的侵入量，適當(dāng)調(diào)節(jié)通過該間隙流動的氣體的流量。另一方面，由驅(qū)動手段93使流量調(diào)節(jié)構(gòu)件91上升、該流量調(diào)節(jié)構(gòu)件91的前端部分的斜面如果分別接觸相互鄰接的背板42(上升位置)，氣體的流動被阻斷，氣體流量為零。另外，在將流量調(diào)節(jié)構(gòu)件91設(shè)置為遍及間隙412的全長的同時，以均等長度分割為三份，每一部分分別連接于驅(qū)動手段93上，可以極細(xì)
6微地調(diào)節(jié)反應(yīng)氣體流量。 由此，通過適當(dāng)調(diào)節(jié)相對各間隙412可進退自如的流量調(diào)節(jié)構(gòu)件91的各部分位置，可調(diào)節(jié)通過各間隙412流向基板S的反應(yīng)氣體流量，防止反應(yīng)氣體對基板S偏置供給。因此，在基板S的靶材41a至41h —側(cè)的空間，反應(yīng)氣體大致均等存在，該反應(yīng)氣體從靶材41a至41h向基板S飛散，和被等離子體活性化的濺射粒子反應(yīng)，在基板表面附著、堆積。其結(jié)果，可以防止在基板S面內(nèi)產(chǎn)生反應(yīng)性不均勻、可以防止在基板S面內(nèi)比電阻值等膜質(zhì)變得不均勻。 另外，在本實施方式中，流量調(diào)節(jié)構(gòu)件91具有凸三角狀的前端部分，將各流量調(diào)節(jié)構(gòu)件91三等分分割的情況作為例子進行了說明，通過各間隙412流向基板S的反應(yīng)氣體流量，只要是根據(jù)裝置構(gòu)成可以調(diào)節(jié)的構(gòu)成，其形態(tài)和分割數(shù)就不受限定。另外，說明了由流量調(diào)節(jié)構(gòu)件91組成的調(diào)節(jié)手段9，但不限定于此，也可以在相互鄰接的背板42之間架設(shè)、安裝規(guī)定厚度的樹脂膜或板狀構(gòu)件，以阻斷通過各間隙412的反應(yīng)氣體流動，此時，也可以在該薄膜和板狀構(gòu)件中設(shè)置開口調(diào)節(jié)氣體流量，構(gòu)成調(diào)節(jié)手段。 另外，在本實施方式中，以通過靶材41a至41h的中心延伸的1根供氣管84為例進行了說明，但在裝置構(gòu)成上(因為有磁鐵組合體的驅(qū)動手段)，有不能像上述那樣設(shè)置供氣管84的情況。這時，也可以在與靶材41a至41h的并列方向垂直相交的方向偏置地設(shè)置。另一方面，在和靶材41a至41h的并列方向垂直相交的方向以規(guī)定的間隔設(shè)置多根供氣管84，也可以調(diào)節(jié)通過并列設(shè)置的各耙材41a至41h相互之間的各間隙412向基板S供給的反應(yīng)氣體量。 在本實施方式中，還說明了并列設(shè)置多片耙材41a至41h，在各耙材41a至41h上通過交流電源E1至E4投入電力，但不限定于此，對并列設(shè)置的各靶材，也可以由直流電源進行電力投入。由直流電源投入電力時，在各靶材41a、41b相互之間設(shè)置接地屏蔽板100。此時，將接地屏蔽板100的截面形狀制成為倒T字形，分別使其水平部分和背板42背面粘合，設(shè)置規(guī)定厚度的樹脂板100，也可以構(gòu)成阻斷通過接地屏蔽板100和靶材41a或42b之間流動的反應(yīng)氣體的調(diào)節(jié)手段。此時，在樹脂板100的和背板42之間的粘合面上以規(guī)定的間隔形成凹狀的溝101a，可以調(diào)節(jié)通過接地屏蔽板100和靶材la或42b之間向基板S供給的反應(yīng)氣體量。另外，將上述構(gòu)成的樹脂板在其長度方向分割為多段，也可以保持規(guī)定間隔在水平部分和背板42背面之間的間隙全長上設(shè)置。
實施例1 在本實施例1中，使用在圖1中表示的濺鍍裝置1，反應(yīng)氣體使用氧氣，由反應(yīng)性濺射在玻璃基板S上形成CuMgO膜。此時，耙材使用組成含O. 7wt^的CuMg材料，以公知的方法成形，接合在背板上。另外，為了對2400mmX 2000mm的玻璃基板形成CuMgO膜，并列設(shè)置14片靶材。再在與靶材并列設(shè)置方向垂直相交方向保持規(guī)定間隔地設(shè)置2根供氣管84，成為只從該供氣管84的兩端向靶材噴射反應(yīng)氣體。 對于反應(yīng)性濺射的條件，控制質(zhì)量流量調(diào)節(jié)器，設(shè)定Ar氣體的氣體流量為890sccm、氧氣流量為240sccm，導(dǎo)入真空室內(nèi)。然后，將高電力時的投入電力設(shè)定為5kW、為
得到300人膜厚設(shè)定濺射時間(約30秒)。 此處，在試樣#1中，遍布位于中央的并列靶材之間的間隙412g，其兩側(cè)間隙412f 、412h及進一步其兩側(cè)的間隙412e、412i，和分別位于基板S的外周邊緣部下側(cè)的間隙412b、4121及位于其兩外側(cè)的間隙412a、412m的全長，使流量調(diào)節(jié)構(gòu)件91前端部分的斜面分別上升接觸相互鄰接的背板42，以阻斷氣體流動的狀態(tài)形成CuMgO膜。 另外，試樣#2在除去位于并列設(shè)置的靶材中央的靶材相互之間的間隙412g、其兩側(cè)間隙412f、412h及進一步其兩側(cè)的間隙412e、412i中中央部分的部位，以及遍布分別位于基板S的外周邊緣部分下側(cè)的間隙412a、412m的全長上，使流量調(diào)節(jié)構(gòu)件91前端部分的斜面分別上升接觸相互鄰接的背板42，以阻斷氣體流動的狀態(tài)形成CuMgO膜。
在試樣#3中，使流量調(diào)節(jié)構(gòu)件91全部下降，使其前端以低于相互鄰接的背板42下面的狀態(tài)形成CuMgO膜。 圖5至圖7是表示由上述制作的試樣#1至#3的CuMgO膜的比電阻值的分布圖表。如果根據(jù)該圖表，在試樣#3中，在基板的中央部分的相對靶材長度方向兩端部的部位和沿著靶材并列設(shè)置方向的基板兩側(cè)的部位，比電阻值局部變高，該比電阻值的面內(nèi)分布是±99.7%。由此判斷，反應(yīng)氣體氧氣被偏向供給。 相對于此，在試樣#1和#2中，由調(diào)節(jié)手段9適當(dāng)阻斷通過各間隙412流動的反應(yīng)氣體，比電阻值的面內(nèi)分布變?yōu)椤?6. 1% (試樣#1)和±80.6% (試樣#2)，可判斷氧氣偏置供給得到改善。


圖1是本發(fā)明的濺鍍裝置的模式剖面圖。 圖2是說明本發(fā)明的流量調(diào)節(jié)手段設(shè)置的平面圖。 圖3是說明本發(fā)明的流量調(diào)節(jié)手段設(shè)置的放大剖面圖。 圖4(a)是說明變形例相關(guān)的調(diào)節(jié)手段設(shè)置的局部剖面圖。 圖4(b)是沿著B-B線的局部剖面圖。 圖5是說明在實施例1中制成的試樣#1的比電阻值的膜質(zhì)分布圖。 圖6是說明在實施例1中制成的試樣#2的比電阻值的膜質(zhì)分布圖。 圖7是說明在實施例1中制成的試樣#3的比電阻值的膜質(zhì)分布圖。 附圖標(biāo)記說明 1…濺鍍裝置 11a…濺射室 31、32…屏蔽板 41a 41h…耙材 8…氣體導(dǎo)入手段 84…供氣管 9…調(diào)節(jié)手段 91…流量調(diào)節(jié)構(gòu)件 93…驅(qū)動手段 E1 E4…交流電源 S…基板
權(quán)利要求
一種濺鍍裝置，具有在濺射室內(nèi)以規(guī)定間隔并列設(shè)置的多片靶材、能夠向靶材輸入電力的濺射電源、和能夠向濺射室導(dǎo)入濺射氣體和反應(yīng)氣體的氣體導(dǎo)入手段；將所述反應(yīng)氣體導(dǎo)入濺射室的氣體導(dǎo)入手段具有至少1根供氣管，該供氣管在并列設(shè)置的各靶材背面一側(cè)與各靶材間隔設(shè)置的同時形成噴射反應(yīng)氣體的噴射口，其特征在于，設(shè)置有調(diào)節(jié)手段，能夠調(diào)節(jié)通過所述靶材相互之間各間隙流動的所述反應(yīng)氣體流量。
2. 如權(quán)利要求1所述的濺鍍裝置，其特征在于，所述調(diào)節(jié)手段具有設(shè)置在靶材背面一 側(cè)的、具有凸三角狀前端部分的流量調(diào)節(jié)構(gòu)件，和相對所述間隙進退自如地驅(qū)動該流量調(diào) 節(jié)構(gòu)件的驅(qū)動手段。
3 . 如權(quán)利要求1或2所述的濺鍍裝置，其特征在于，所述流量調(diào)節(jié)構(gòu)件設(shè)置在所述間隙 的全部長度上。
4. 如權(quán)利要求2或3所述的濺鍍裝置，其特征在于，所述流量調(diào)節(jié)構(gòu)件在沿著其長度方 向以規(guī)定長度被分割為多段，在該被分割的部分上分別連接著驅(qū)動手段。
5. 如權(quán)利要求1 4任一項所述的濺鍍裝置，所述濺射電源是在并列設(shè)置的多片靶材 中，在每對靶材上以規(guī)定頻率、交替改變極性外加電壓的交流電源；其特征在于，將各靶材 交替切換到陽電極、陰電極，使在陽電極和陰電極之間輝光放電形成等離子體氛圍，濺射各 靶材。
6. 如權(quán)利要求1 5任一項所述的濺鍍裝置，其特征在于，在所述并列設(shè)置的靶材和通 氣管之間，在各靶材的前方設(shè)置形成隧道狀磁束的磁鐵組合體的同時，具有使該各磁鐵組 合體整體且沿著靶材背面平行往復(fù)運動的另一驅(qū)動手段。
全文摘要
提供一種結(jié)構(gòu)簡單的濺鍍裝置，其可遍布全部基板表面、大致均等地供給反應(yīng)氣體，可以在全部基板表面形成大致均勻的膜厚分布和比電阻值等膜質(zhì)。所述濺鍍裝置具有在濺射室(11a)內(nèi)以規(guī)定間隔并列設(shè)置的多片靶材(41)、能夠向各靶材輸入電力的濺射電源(E)和能夠向濺射室導(dǎo)入濺射氣體和反應(yīng)氣體的氣體導(dǎo)入手段(8)；將上述反應(yīng)氣體導(dǎo)入濺射室的氣體導(dǎo)入手段具有至少1根供氣管(84)，該供氣管在并列設(shè)置的各靶材背面一側(cè)與各靶材間隔設(shè)置的同時形成噴射反應(yīng)氣體的噴射口(84a)。設(shè)置有調(diào)節(jié)手段(9)，以調(diào)節(jié)通過上述靶材相互之間各間隙流動的上述反應(yīng)氣體的流量。
文檔編號C23C14/34GK101790598SQ20088010488
公開日2010年7月28日 申請日期2008年8月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月31日
發(fā)明者大石祐一, 小林大士, 新井真, 清田淳也, 石橋曉, 赤松泰彥 申請人:株式會社愛發(fā)科