濺鍍靶材的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明有關(guān)于含有銅或銅合金及氧化物的濺鍍靶材，特別是有關(guān)于適用于形成采 用銅網(wǎng)目的觸控面板用傳感器薄膜的黑化層的濺鍍靶材。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來，對(duì)于液晶顯示器等的顯示設(shè)備，市場(chǎng)上已有很多以直接接觸畫面來實(shí)施 操作的所謂觸控式面板。并且，對(duì)于此種觸控面板，一般認(rèn)知為采用靜電容量式的觸控面板 用傳感器薄膜。
[0003] 此種靜電容量式的觸控面板用傳感器薄膜，是使用例如PET膜基材的透明電極膜 (ΙΤ0膜：電阻值100 Ω / □左右）。使用此種ΙΤ0膜的觸控面板用傳感器薄膜，由于ΙΤ0膜 的電阻值的問題，難以制成大面積的觸控面板。因此，使用可實(shí)現(xiàn)低電阻值的銅網(wǎng)目觸控面 板用傳感器薄膜的開發(fā)遂發(fā)展起來。
[0004] 采用此種銅網(wǎng)目的觸控面板用傳感器薄膜，是在PET膜基材上通過蒸鍍法形成銅 膜，并將該銅膜加工成格子狀的網(wǎng)目。采用此種銅網(wǎng)目的傳感器薄膜，其銅網(wǎng)目的電阻值為 1 Ω / □左右，故可充分應(yīng)對(duì)大面積觸控面板。采用此銅網(wǎng)目的觸控用傳感器薄膜的具體性 制法，是通過蒸鍍法于PET膜基材上形成銅膜，并于其銅膜表面上，進(jìn)一步形成被稱為黑化 層的用以調(diào)整傳感器薄膜亮度的薄膜。
[0005] 就形成此黑化層的現(xiàn)有技術(shù)而言，一般周知為銅通過電鍍法或?yàn)R鍍法進(jìn)行表面處 理而形成的方法，或采用銅或銅合金的濺鍍靶材，在濺鍍時(shí)供給氧氣或氮?dú)獾榷ㄟ^反應(yīng) 性濺鍍形成的方法（例如，參照專利文獻(xiàn)1至3)。
[0006] 于這些現(xiàn)有技術(shù)的黑化層的形成技術(shù)中，在表面處理法被指出不適合于銅網(wǎng)目的 細(xì)線化的點(diǎn)，在反應(yīng)性濺鍍法中，因氧氣等供給的影響，具有成膜速率降低的傾向，從而放 電不穩(wěn)定。因此，于反應(yīng)性濺鍍法中，為了能僅以Ar氣形成黑化層，也在研究增加銅等濺鍍 靶材的氧氣含量，然而，若增加濺鍍材的氧氣含量，則靶材本身的體積電阻會(huì)上升，直流電 源的放電（濺鍍）變困難。
[0007] [現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]
[0008] [專利文獻(xiàn)]
[0009] 專利文獻(xiàn)1 :日本專利特開2013-129183號(hào)公報(bào)
[0010] 專利文獻(xiàn)2 :日本專利第3969743號(hào)說明書
[0011] 專利文獻(xiàn)3 :日本專利特開2008-311565號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012] [發(fā)明所欲解決的課題]
[0013] 本發(fā)明以上述情況作為背景而開發(fā)，目的在于提供一種能以直流電源進(jìn)行放電的 含有銅或者銅合金及氧化物的濺鍍靶材，并且，提供一種適用于形成靜電容量方式的觸控 用傳感器薄膜的黑化層的濺鍍靶材。
[0014] [用以解決課題的手段]
[0015] 本發(fā)明有關(guān)一種濺鍍靶材，其具有銅系金屬相與氧化物相的混合組織，氧含量為5 原子％至30原子％，相對(duì)密度為85 %以上，體積電阻值為1. 0X 10 2 Ωcm以上。
[0016] 若依據(jù)本發(fā)明的濺鍍靶材，由于靶材本身的體積電阻值較低，故可以低廉的直流 電源進(jìn)行放電，可提升成膜速率。又，由于濺鍍靶材中含有高濃度的氧，故可降低濺鍍氣體 中的氧量而進(jìn)行濺鍍，并形成穩(wěn)定的黑化層。本發(fā)明濺鍍靶材中的銅系金屬相，是指僅銅的 單相或者銅合金相，就銅合金相而言，可例舉：銅-鎳合金相、銅-鈦合金相等。氧化物 相指僅具有銅的氧化物相（氧化銅相）或含有銅合金作為成分的氧化物相（銅合金氧化物 相）。銅合金氧化物相時(shí)，其金屬成分可為與銅合金相同，也可為相異。如此氧化物相可例 舉：氧化銅相、銅-鎳合金的銅合氧化物相、銅-鈦合金的銅合金氧化物相等。并且，通過 成為此氧化物相與銅系金屬相混合而成的組織，于濺渡靶材的組織中，形成銅系金屬相所 產(chǎn)生的網(wǎng)絡(luò)，且其網(wǎng)絡(luò)成為導(dǎo)電路徑，即使氧含量為5原子％至30原子％，仍能實(shí)現(xiàn)低的體 積電阻值。
[0017] 有關(guān)本發(fā)明濺鍍靶材的氧含量，為5原子％至30原子％，優(yōu)選10原子％至25原 子％，更優(yōu)選10原子％至20原子％。若氧含量成為5原子％以下，必須于濺鍍氣體中大量 導(dǎo)入氧，若超過30原子％，則以直流電源進(jìn)行放電變困難。本發(fā)明的濺鍍靶材中含有鎳時(shí)， 鎳含量?jī)?yōu)選61.0原子％以下，更優(yōu)選57.0原子％以下。若鎳含量超過61.0原子％，則銅_ 鎳合金相顯示強(qiáng)磁性，與濺鍍時(shí)的成膜速率降低有關(guān)。又，本發(fā)明的濺鍍靶材中含有鈦時(shí)， 則鈦含量?jī)?yōu)選7. 50原子％以下，更優(yōu)選6. 25原子％以下。若鈦含量超過7. 50原子％，貝1J 形成氧化鈦相，在燒結(jié)時(shí)容易產(chǎn)生龜裂。
[0018] 并且，本發(fā)明的濺鍍靶材的相對(duì)密度為85%以上，優(yōu)選90%，更優(yōu)選95%以上。相 對(duì)密度愈接近100%愈好。若相對(duì)密度成為85%以下，則濺鍍靶材中空隙增多，以致容易吸 收大氣中的氣體。又，以其空隙作為起點(diǎn)的異常放電或?yàn)R鍍靶材的裂紋現(xiàn)象容易發(fā)生。
[0019] 再者，有關(guān)本發(fā)明的濺鍍靶材，為了穩(wěn)定地以直流電源實(shí)施放電，體積電阻值為 1. 0X10 2Ωcm以下。優(yōu)選L0X10 3Ωcm以下，更優(yōu)選5· 0X104Ωcm以下。
[0020] 有關(guān)本發(fā)明的濺鍍靶材，優(yōu)選銅系金屬相的平均粒徑在0. 5μπι至10. 0μπι，氧化 物相的平均粒徑在〇. 05μm至7. 0μm。更優(yōu)選銅系金屬相的平均粒徑在1. 0μm至8. 0μm， 氧化物相的平均粒徑在〇. 5μL?至6. 0μL?。為使銅系金屬相的平均粒徑為0. 5μL?以下， 必須將作為濺鍍靶材原料的銅或銅合金、能與銅形成合金的金屬原料粉設(shè)為小直徑，但若 使用平均粒徑過小的原料粉，則因在原料粉表面所形成的氧化膜的影響，在制造濺鍍靶材 時(shí)的燒結(jié)變成不完全，以致濺鍍靶材的氧含量容易變動(dòng)。若銅系金屬相的平均粒徑超過 10.Oym，則容易產(chǎn)生氧化物相的凝聚，以致以銅系金屬相的網(wǎng)絡(luò)難以形成導(dǎo)電路徑。又，若 產(chǎn)生氧化物相的凝聚，則以其為起因而容易在濺鍍中產(chǎn)生異常放電。并且，為使氧化物相的 平均粒徑為0. 05μπι以下，必須將作為濺鍍靶材的原料的氧化物粉設(shè)為小直徑，但由于平 均粒徑過小的氧化物粉容易發(fā)生凝聚，故難以進(jìn)行濺鍍靶材的制造。若氧化物相的平均粒 徑超過7. 0μπι以上，在濺鍍中容易產(chǎn)生異常放電。若具有此種平均粒徑的銅系金屬相與氧 化物相經(jīng)混合的組織，則可穩(wěn)定地實(shí)現(xiàn)體積電阻值為1. 0 X 10 2 Ω cm以下的濺鍍靶材。又， 為形成前述的銅系金屬相的網(wǎng)絡(luò)構(gòu)造，觀察派鍍革E材的剖面時(shí)，在60μmX60μm范圍內(nèi)， 銅系金屬相的面積比優(yōu)選〇. 32以上，更優(yōu)選0. 44以上。若面積比為0. 32以下，則難以形 成銅系金屬相的網(wǎng)絡(luò)構(gòu)造。
[0021] 有關(guān)本發(fā)明的濺鍍靶材，優(yōu)選氧化物相為氧化銅相或銅合金氧化物相。以銅系金 屬相與氧化物相的混合組織，使用氧含量為5原子％至30原子％，且相對(duì)密度為85%以上， 體積電阻值為1. 0X102Ωcm以下的濺鍍靶材，若于銅表面形成黑化層，則可使所形成的黑 化層側(cè)的表面亮度L*為40以下。若表面亮度L*超過40,則構(gòu)成傳感器薄膜的銅網(wǎng)目的表 面反射會(huì)變強(qiáng)，顯示設(shè)備的對(duì)比會(huì)降低。
[0022] 對(duì)于本發(fā)明的濺鍍靶材，可通過將銅粉及/或銅合金粉或銅粉及用以形成銅合金 的銅以外的金屬粉、與氧化物粉混合，在真空氣氛下，且在較銅或者銅合金的熔點(diǎn)低450°C 至200°C的溫度范圍內(nèi)的燒結(jié)溫度進(jìn)行燒結(jié)而制造。若低于較銅或銅合金的熔點(diǎn)為低 450°C的燒結(jié)溫度，則燒結(jié)不充分，若超過較銅或銅合金的熔點(diǎn)為低200°C的燒結(jié)溫度，則由 于接近銅或銅合金的熔點(diǎn)，難以形成銅系金屬相與氧化物相成的混合組織。于有關(guān)本發(fā)明 的濺鍍靶材的制造方法中，可進(jìn)行：僅銅粉與氧化物粉的混合，或僅銅合金粉與氧化物粉的 混合，又，銅粉及與銅合金粉與氧化物粉的混合，以及銅粉及用以形成銅合金的銅以外的金 屬粉與氧化物粉的混合，進(jìn)行制造。然后，通過調(diào)整銅粉及/或銅合金粉或用以形成銅合金 的銅以外的金屬粉、與氧化物粉的混合量，可制造特定氧含量的濺鍍靶材。在此，就銅合金 粉而言，可例舉如銅-鎳合金粉、銅-鈦合金粉等。又，就氧化物粉而言，可例舉如氧化銅 粉、銅-鎳合金氧化物粉、銅-鈦合金氧化物粉等。再者，就用以形成銅合金的銅以外的 金屬粉而言，可例舉如鎳粉：鈦粉等。
[0023] 本發(fā)明的濺鍍靶材的制造方法，可適用以銅粉及/或銅合金粉與氧化物粉作為原 料的粉末冶金法。此種粉末冶金法，可適用在單軸壓塑成型后燒成成型物的方法、熱壓法、 電燒結(jié)法等，但最優(yōu)選采用電燒結(jié)法。若采用電燒結(jié)法，則所