專利名稱：定點(diǎn)式厚膜真空濺鍍設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型系一種定點(diǎn)式厚膜真空濺鍍設(shè)備，其特別系關(guān)于一種 適用于厚膜制程中，利用定點(diǎn)濺鍍的方式進(jìn)行厚膜沉積，以節(jié)省生產(chǎn) 成本并提升厚膜濺鍍效率之濺鍍設(shè)備。
背景技術(shù)：
真空濺鍍技術(shù)是真空鍍膜領(lǐng)域中的重要技術(shù)之一，其基本原理是 在高真空環(huán)境中散布鈍氣，如氬氣，并設(shè)置具有高電位差的二金屬板， 一為陰極cathode, —為陽極anode，陰極裝載的是靶材target,陽 極則裝載待鍍工件，當(dāng)氬正離子受電場加速而轟擊陰極的靶材表面， 靶材表面原子受撞擊后則飛向陽極的待鍍工件，并在待鍍工件的表面 沉積而形成薄膜。
一般而言，真空濺鍍制程中所使用的多為連續(xù)式的濺鍍設(shè)備，由 于連續(xù)式濺鍍設(shè)備多采用直列式In-Line的設(shè)計(jì)，每一個(gè)濺鍍制程系 以腔體進(jìn)行連接，而形成連續(xù)式多腔體Multi-chambers的作業(yè)流程。
目前的鍍膜需求多出現(xiàn)于薄膜領(lǐng)域之中，然隨著厚膜應(yīng)用的需求 曰益增加，原本用于薄膜制程的連續(xù)式濺鍍設(shè)備亦使用于厚膜制程 中。
一般而言，使用連續(xù)式濺鍍設(shè)備進(jìn)行濺鍍時(shí)，待鍍工件經(jīng)過濺鍍 靶材的時(shí)間會(huì)影響鍍膜厚度，當(dāng)進(jìn)行薄膜濺鍍，工件傳送的速度較快， 相對地，進(jìn)行厚膜濺鍍時(shí)，則必須放慢工件傳送的速度，厚膜制程的 速度故而降低。
再者，將連續(xù)式濺鍍設(shè)備用于厚膜濺鍍制程中時(shí)，為了要將膜厚 鍍到制程所設(shè)定的厚度，倘若不將工件傳送的速度放慢，則必須設(shè)置 較薄膜濺鍍制程所需更多的腔體來延長生產(chǎn)線，藉以使工件可鍍到所設(shè)定的膜厚，因此不僅占用廠房，造成空間使用上的不便，濺鍍靶材 及電源供應(yīng)器也因?yàn)榇钆淝惑w的增加而增加，更造成生產(chǎn)成本的提 升。
此外，連續(xù)式濺鍍設(shè)備多個(gè)腔體之間系存在著非鍍膜區(qū)， 一旦因 應(yīng)厚膜制程的需要而增加腔體的設(shè)置，不但工件傳動(dòng)所需時(shí)間增加、 機(jī)具成本提高，工件經(jīng)過非鍍膜區(qū)的次數(shù)亦增，無疑徒增制程無效率
的缺失。
發(fā)明內(nèi)容
本申請人鑒于上述習(xí)用連續(xù)式濺鍍設(shè)備使用于厚膜制程所產(chǎn)生的 缺失，因而投注心力研發(fā)出本定點(diǎn)式厚膜真空濺鍍設(shè)備，提升整體制 程之生產(chǎn)效率。
本實(shí)用新型之主要目的在于提供一種定點(diǎn)式厚膜真空濺鍍設(shè)備， 其特別系關(guān)于一種適用于厚膜濺鍍制程，藉由定點(diǎn)濺鍍的方式進(jìn)行厚 膜沉積，可提升厚膜濺鍍效率、降低生產(chǎn)成本之濺鍍設(shè)備。
為達(dá)到上 述目的，本實(shí)用新型系采取以下之技術(shù)手段予以達(dá)成， 其中本實(shí)用新型定點(diǎn)式厚膜真空濺鍍設(shè)備包括有-
至少一支撐框架，系由復(fù)數(shù)個(gè)矩形框體與復(fù)數(shù)個(gè)桿體所組立之立 體框架；
至少一制程室，系設(shè)置于該支撐框架上，其內(nèi)部之二相對側(cè)設(shè)置 有內(nèi)部傳動(dòng)裝置，并于該內(nèi)部傳動(dòng)裝置上方設(shè)置有感應(yīng)裝置；
至少一磁控室，系設(shè)置于該制程室上方，其內(nèi)部設(shè)有具復(fù)數(shù)個(gè)濺 鍍靶材之濺鍍陰極，并于外圍設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)補(bǔ)強(qiáng)肋；
至少一制程室閘門閥，系設(shè)置于該制程室外部之一側(cè)。
藉由該內(nèi)部傳動(dòng)裝置將載有待鍍工件之工件載具輸送進(jìn)入制程室 并位于該濺鍍靶材之下方，在該感應(yīng)器感應(yīng)到該工件載具的同時(shí)，該 內(nèi)部傳動(dòng)裝置隨即停止作動(dòng)，使該工件載具定點(diǎn)于該濺鍍耙材之下 方，以進(jìn)行定點(diǎn)式厚膜濺鍍作業(yè)，待達(dá)到制程所需膜厚，再由該內(nèi)部傳動(dòng)裝置將該工件載具輸送離開該制程室；藉由本實(shí)用新型定點(diǎn)式濺 鍍的設(shè)計(jì)，可改善連續(xù)式濺鍍設(shè)備在空間占用上的缺失，以定點(diǎn)式濺 鍍?nèi)〈B續(xù)式濺鍍?nèi)ミM(jìn)行厚膜制程，無需過度增設(shè)腔體、靶材及電源 供應(yīng)器，可大大減輕生產(chǎn)成本的負(fù)擔(dān)。

圖1系本實(shí)用新型第一實(shí)施例之側(cè)視圖。
圖2系本實(shí)用新型之濺鍍陰極的放大側(cè)視圖。
圖3系本實(shí)用新型之另一濺鍍陰極的放大側(cè)視圖。
圖4系本實(shí)用新型第二實(shí)施例之側(cè)視圖。
圖5系本實(shí)用新型第三實(shí)施例之側(cè)視圖。
圖6系本實(shí)用新型第四實(shí)施例之側(cè)視圖。
圖7系本實(shí)用新型圖1之組件14的放大圖。
主要組件符號說明
1定點(diǎn)式厚膜真空濺渡設(shè)備
11支撐框架
12制程室
12A制程室
12B制程室
121內(nèi)部傳動(dòng)裝置
121 A內(nèi)部傳動(dòng)裝置
121 B內(nèi)部傳動(dòng)裝置
122感應(yīng)裝置
122 A感應(yīng)裝置
122 B感應(yīng)裝置
13磁控室
13A磁控室
13B磁控室1 3 1濺鍍陰極 1311螺絲
1 3 2濺鍍靶材
1 3 3補(bǔ)強(qiáng)肋
1 3 4固定塊
1 4制程室閘門閥
1 4 A制程室閘門閥
1 4 B制程室閘門閥
1 4 C制程室閘門閥
1 5負(fù)載卸載室
1 5 A負(fù)載卸載室
1 5 B負(fù)載卸載室
1 5 1內(nèi)部傳動(dòng)裝置
1 5 1 A內(nèi)部傳動(dòng)裝置
1 5 1 B內(nèi)部傳動(dòng)裝置
1 5 2感應(yīng)裝置
1 5 2 A感應(yīng)裝置
1 5 2 B感應(yīng)裝置
1 5 3進(jìn)出料閘門閥
1 5 3 A進(jìn)出料閘門閥
1 5 3 B進(jìn)出料閘門闊
1 5 4外部傳動(dòng)裝置
1 5 4 A外部傳動(dòng)裝置
1 5 4 B外部傳動(dòng)裝置
1 5 5升降裝置
1 5 5 A升降裝置
1 5 5 B升降裝置2工件載具具體實(shí)施方式
請參考圖1、圖2及圖7，本實(shí)用新型之定點(diǎn)式厚膜真空濺鍍設(shè)備 1之第一實(shí)施例包括
至少一支撐框架l 1，系由復(fù)數(shù)個(gè)矩形框體與復(fù)數(shù)個(gè)桿體所組立 之立體框架；
至少一制程室l 2，系設(shè)置于該支撐框架l l上，其內(nèi)部之二相 對側(cè)設(shè)置有內(nèi)部傳動(dòng)裝置12 1，并于該內(nèi)部傳動(dòng)裝置1 2 1上方設(shè) 有感應(yīng)裝置12 2;
至少一磁控室l 3，系設(shè)置于該制程室l 2上方，內(nèi)部設(shè)有具復(fù) 數(shù)個(gè)濺鍍靶材1 3 2之濺鍍陰極13 1，并于外圍設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)補(bǔ)強(qiáng)肋 1 3 3 ;
至少一制程室閘門閥l4，系設(shè)置于該制程室l2外部之一側(cè)。
如圖2所示，其中，該濺鍍靶材1 3 2為一凸字型結(jié)構(gòu)，并采取 倒置的方式固定于該濺鍍陰極13 1，而該濺鍍陰極1 3 1設(shè)有復(fù)數(shù) 個(gè)螺孔圖中未示，并且，該磁控室l 3更包含設(shè)置于該濺鍍陰極1 3 1的復(fù)數(shù)個(gè)固定塊13 4，其邊緣為階梯狀結(jié)構(gòu)與該濺鍍靶材1 3 2 之凸字型結(jié)構(gòu)之邊緣相互吻合并抵接于該濺鍍靶材1 3 2邊緣，該固 定塊1 3 4具有對應(yīng)于該濺鍍陰極1 3 1之螺孔的復(fù)數(shù)個(gè)螺孔圖中 未示，故將該濺鍍陰極1 3 1及固定塊1 3 4之螺孔對應(yīng)后，即可以 螺絲13 11將該濺鍍靶材1 3 2固定于該濺鍍陰極1 3 1上。
另外，如圖3所示，亦可在該濺鍍靶材1 3 2與該濺鍍陰極1 3 1的接觸邊之二端設(shè)置復(fù)數(shù)個(gè)螺孔圖中未示，將該濺鍍耙材1 3 2之 螺孔與該濺鍍陰極l31之螺孔對應(yīng)后，直接以螺絲131l將該濺 鍍靶材1 3 2鎖附于該濺鍍陰極1 3 1上。
藉由該濺鍍陰極1 3 1之結(jié)構(gòu)以及鎖附濺鍍靶材1 3 2的方式，可將復(fù)數(shù)個(gè)濺鍍靶材l 3 2緊密排列鎖置固定于該濺鍍陰極1 3 1， 因此當(dāng)各濺鍍靶材l 3 2接受真空環(huán)境中氣體粒子撞擊時(shí)，各濺鍍靶 材1 3 2表面粒子濺鍍待鍍工件的散射范圍重迭，因而可提升厚膜濺 鍍之效率。
請參考圖4所示，其說明本實(shí)用新型之第二實(shí)施例，該定點(diǎn)式厚 膜真空濺鍍設(shè)備1更包括至少一設(shè)置于另一支撐框架11上并連接 至該制程室閘門閥l4異于制程室12之一側(cè)的負(fù)載卸載室15，該 負(fù)載卸載室1 5內(nèi)部之二相對側(cè)設(shè)置有內(nèi)部傳動(dòng)裝置1 5 1 ，并于該 內(nèi)部傳動(dòng)裝置151上方設(shè)有感應(yīng)裝置15 2。
另外，該負(fù)載卸載室l5在異于該制程室閘門閥14之一側(cè)設(shè)置 有進(jìn)出料鬧門閥l 5 3，再者，該負(fù)載卸載室l 5于該進(jìn)出料閘門閥 1 5 3下方設(shè)置有外部傳動(dòng)裝置1 5 4以及連接于該外部傳動(dòng)裝置 1 5 4下方的升降裝置15 5。
該感應(yīng)裝置1 5 2 、 1 2 2系為光纖傳感器，分別位于該內(nèi)部傳 動(dòng)裝置1 5 1 、 1 2 1之上方且水平于工件載具2置放于內(nèi)部傳動(dòng)裝 置151、121之高度，因此當(dāng)該工件載具2由該內(nèi)部傳動(dòng)裝置1 5 1、 12 1輸送經(jīng)過該感應(yīng)裝置15 2、 1 2 2時(shí)，會(huì)阻斷相對應(yīng) 之感應(yīng)裝置1 5 2、 1 2 2所發(fā)射之紅外線路徑， 一旦二側(cè)相對應(yīng)之 感應(yīng)裝置15 2、 122之紅外線路徑均被該工件載具2所阻斷，該 內(nèi)部傳動(dòng)裝置1 5 1 、 1 2 1即停止作動(dòng)，以進(jìn)行射頻電漿清潔(RF plasma clean)或是定點(diǎn)式厚膜濺鍍。
本實(shí)施例系采用具有一負(fù)載卸載室1 5之定點(diǎn)式厚膜真空濺鍍設(shè) 備1 ，當(dāng)操作人員將一載有待鍍工件之工件載具2放置于該外部傳動(dòng) 裝置1 5 4之上，該進(jìn)出料閘門閥1 5 3隨即開啟，之后，該升降裝 置1 5 5將該外部傳動(dòng)裝置1 5 4頂升至水平于該負(fù)載卸載室1 5 之內(nèi)部傳動(dòng)裝置1 5 1之高度，再由該外部傳動(dòng)裝置1 5 4傳送該工 件載具2進(jìn)入該負(fù)載卸載室1 5 ，并由該內(nèi)部傳動(dòng)裝置1 5 1接續(xù)傳送該工件載具2 ，當(dāng)該工件載具2完全進(jìn)入該負(fù)載卸載室1 5后，該 升降裝置1 5 5便使該外部傳動(dòng)裝置1 5 4下降，而后該進(jìn)出料閘門 閥1 5 3隨即關(guān)閉。
當(dāng)該工件載具2阻斷相對應(yīng)之感應(yīng)裝置1 5 2所發(fā)射之紅外線路 徑，該內(nèi)部傳動(dòng)裝置l 5 l即停止作動(dòng)，然后，進(jìn)行抽真空的動(dòng)作以 達(dá)到所需之真空度，接著，通入氣體以進(jìn)行射頻電漿清潔程序。
清潔程序完成之后，該制程室閘門閥14開啟，該內(nèi)部傳動(dòng)裝置 1 5 1將工件載具2經(jīng)過該制程室閘門閥1 4傳送進(jìn)入制程室1 2 ， 并由制程室1 2中的內(nèi)部傳動(dòng)裝置1 2 1接續(xù)傳動(dòng)之。
該工件載具2進(jìn)入制程室1 2 ，阻斷感應(yīng)裝置1 2 2所發(fā)射之紅 外線路徑，當(dāng)所有紅外線路徑均被阻斷，該內(nèi)部傳動(dòng)裝置l 2 l即停 止作動(dòng)，將該載有待鍍工件之工件載具2定點(diǎn)于該磁控室1 3之濺鍍 陰極l 3 l下方，繼而進(jìn)行厚膜濺鍍作業(yè)，厚膜濺鍍過程中，該磁控 室1 3內(nèi)系為真空負(fù)壓的環(huán)境，其周圍所設(shè)置的補(bǔ)強(qiáng)肋1 3 3可提升 磁控室1 3承受大氣壓力的強(qiáng)度，以防止因內(nèi)、外壓力差異而造成的 結(jié)構(gòu)變形。
當(dāng)達(dá)到設(shè)定膜厚時(shí)，濺鍍作業(yè)停止，該制程室閘門閥l 4開啟， 該內(nèi)部傳動(dòng)裝置l21將該工件載具2傳送經(jīng)過該制程室閘門閥1 4并由該內(nèi)部傳動(dòng)裝置1 5 1接續(xù)傳送回到該負(fù)載卸載室1 5后，該 制程室閘門閥1 4即關(guān)閉，接著，該進(jìn)出料閘門閥1 5 3開啟，該升 降裝置1 5 5將該外部傳動(dòng)裝置1 5 4頂升至水平于該內(nèi)部傳動(dòng)裝 置1 5 1之高度，該工件載具2由該內(nèi)部傳動(dòng)裝置1 5 1傳送、移載 至該外部傳動(dòng)裝置1 5 4上，以待更換下一批載有待鍍工件之工件載 具2 。
請參考圖5，說明本實(shí)用新型之第三實(shí)施例，本實(shí)施例系采用二負(fù) 載卸載室l 5A、 1 5B， 一負(fù)載卸載室l 5A系作為負(fù)載之用，另 一負(fù)載卸載室1 5 B系作為卸載之用，并分別以二制程室閘門閥1 4A、 1 4 B與該制程室1 2連結(jié)，該負(fù)載卸載室1 5 A具有其內(nèi)部傳 動(dòng)裝置1 5 1 A 、感應(yīng)裝置1 5 2 A 、進(jìn)出料閘門閥1 5 3 A 、外部 傳動(dòng)裝置1 5 4 A及升降裝置1 5 5 A，該負(fù)載卸載室1 5 B亦具有 其內(nèi)部傳動(dòng)裝置1 5 1 B 、感應(yīng)裝置1 5 2 B 、進(jìn)出料閘門閥1 5 3
B、 外部傳動(dòng)裝置l 5 4B及升降裝置1 5 5B。 一載有待鍍工件之工件載具2置于該外部傳動(dòng)裝置1 5 4A，該
進(jìn)出料閘門閥1 5 3 A開啟后，該升降裝置1 5 5 A頂升該外部傳動(dòng) 裝置1 5 4 A至水平于該內(nèi)部傳動(dòng)裝置1 5 1 A之高度，接著，該工 件載具2由該外部傳動(dòng)裝置1 5 4 A與內(nèi)部傳動(dòng)裝置1 5 1 A傳送 進(jìn)入該負(fù)載卸載室1 5 A后，該升降裝置1 5 5 A便使該外部傳動(dòng)裝 置1 5 4 A下降返回，而后該進(jìn)出料閘門閥1 5 3 A隨即關(guān)閉，之后， 該感應(yīng)裝置1 5 2 A感應(yīng)該工件載具2后使該內(nèi)部傳動(dòng)裝置1 5 1 A停止作動(dòng)，該工件載具2即進(jìn)行射頻電漿清潔。
然后，該制程室閘門閥14A開啟，該工件載具2由該內(nèi)部傳動(dòng) 裝置1 5 1 A及該制程室1 2之內(nèi)部傳動(dòng)裝置1 2 1傳送進(jìn)入該制 程室1 2后，該制程室閘門閥1 4 A關(guān)閉，并由該感應(yīng)裝置1 2 2感 應(yīng)后，該內(nèi)部傳動(dòng)裝置1 2 1停止作動(dòng)，該工件載具2即停止于該濺 鍍陰極l31下方以進(jìn)行定點(diǎn)式厚膜濺鍍。
在該工件載具2接受濺鍍的同時(shí)，另一載有待鍍工件之工件載具 2進(jìn)入該負(fù)載卸載室1 5 A進(jìn)行射頻電漿清潔，該工件載具2濺鍍完 成后，該制程室閘門闊1 4 B開啟，濺鍍后之該工件載具2被移載至 該負(fù)載卸載室1 5 B ，并且，該制程室閘門閥1 4 A開啟，該另一工 件載具2從負(fù)載卸載室1 5 A被移載至該制程室1 2進(jìn)行定點(diǎn)式厚 膜濺鍍。
接著，該制程室閘門閥1 4 A 、 1 4 B關(guān)閉后，進(jìn)出料閘門閥1 5 3 A 、 1 5 3 B開啟，該升降裝置1 5 5 A 、 1 5 5 B分別頂升該 外部傳動(dòng)裝置1 5 4 A 、 1 5 4 B ，濺鍍后之該工件載具2即由該內(nèi)部傳動(dòng)裝置1 5 1 B及外部傳動(dòng)裝置1 5 4 B移載離開負(fù)載卸載室 1 5 B ，此時(shí)，再一載有待鍍工件之工件載具2即由該外部傳動(dòng)裝置 1 5 4 A及內(nèi)部傳動(dòng)裝置1 5 1 A傳送進(jìn)入該負(fù)載卸載室1 5 A進(jìn)
行后續(xù)動(dòng)作。
藉由將負(fù)載卸載室之負(fù)載用與卸載用分開的設(shè)計(jì)，可提升該定點(diǎn) 式厚膜濺鍍制程之效率，達(dá)到制程所需膜厚的工件毋需自同一個(gè)腔體 離開，將可節(jié)省制程時(shí)間以增進(jìn)作業(yè)速度。
請麥丐閨b， 1兄叨牟頭用靳坐鬼凹頭她CT，牟頭施例系米用一負(fù) 載卸載室l 5A、 1 5B， 一負(fù)載卸載室l 5A作為負(fù)載之用，另一 負(fù)載卸載室1 5 B作為卸載之用，并采用二制程室1 2 A 、 1 2 B及 二磁控室1 3 A 、 1 3 B ，其中該負(fù)載卸載室1 5 A以一制程室閘門 閥1 4 A與該制程室1 2 A之一側(cè)連接，該制程室1 2 A之另一側(cè)以 一制程室閘門閥l4B與該制程室12B之一側(cè)連接，該制程室12 B之另一側(cè)以一制程室閘門閥1 4 C與該負(fù)載卸載室1 5 B之一側(cè) 連接。
該負(fù)載卸載室1 5 A具有其內(nèi)部傳動(dòng)裝置1 5 1 A、感應(yīng)裝置1 5 2 A、進(jìn)出料閘門閥1 5 3 A、外部傳動(dòng)裝置1 5 4 A及升降裝置 1 5 5 A ，該負(fù)載卸載室1 5 B亦具有其內(nèi)部傳動(dòng)裝置1 5 1 B 、感 應(yīng)裝置1 5 2 B 、進(jìn)出料閘門閥1 5 3 B 、外部傳動(dòng)裝置1 5 4 B及 升降裝置1 5 5 B 。
一載有待鍍工件之工件載具2置于該外部傳動(dòng)裝置1 5 4 A時(shí)， 該進(jìn)出料閘門閥1 5 3 A開啟，同時(shí)該升降裝置1 5 5 A頂升，經(jīng)由 該外部傳動(dòng)裝置1 5 4 A與內(nèi)部傳動(dòng)裝置1 5 1 A傳送該工件載具 2進(jìn)入該負(fù)載卸載室1 5 A后，該進(jìn)出料閘門閥1 5 3 A便關(guān)閉，并 由該感應(yīng)裝置1 5 2 A感應(yīng)后使該內(nèi)部傳動(dòng)裝置1 5 1 A停止作動(dòng)， 該工件載具2即進(jìn)行射頻電漿清潔。
于該負(fù)載卸載室l5A進(jìn)行射頻電漿清潔之后，該制程室閘門閥1 4 A開啟，該工件載具2由該內(nèi)部傳動(dòng)裝置1 5 1 A與制程室1 2 A之內(nèi)部傳動(dòng)裝置1 2 1 A傳送進(jìn)入該制程室1 2 A后該制程室閘 門閥1 4 A關(guān)閉，該工件載具2于該制程室1 2 A進(jìn)行第一階段定點(diǎn) 式厚膜濺鍍。
同時(shí)，另一載有待鍍工件之工件載具2進(jìn)入該負(fù)載卸載室1 5 A 進(jìn)行射頻電漿清潔，該制程室12A的厚膜濺鍍與該負(fù)載卸載室15 A的射頻電漿清潔完成后，該制程室閘門閥1 4 A、 1 4 B開啟，該 工件載具2進(jìn)入該制程室1 2 B以進(jìn)行第二階段定點(diǎn)式厚膜濺鍍，并 且，該另一工件載具2進(jìn)入該制程室1 2 A以進(jìn)行第一階段定點(diǎn)式厚 膜濺鍍，此時(shí)該制程室閘門閥1 4 A、 1 4 B關(guān)閉，接著，該進(jìn)出料 閘門閥1 5 3 A開啟，再一載有待鍍工件之工件載具2進(jìn)入該負(fù)載卸 載室l 5A進(jìn)行射頻電漿清潔，之后，當(dāng)射頻電漿清潔、第一階段定 點(diǎn)式厚膜濺鍍及第二階段定點(diǎn)式厚膜濺鍍完成，該制程室閘門閥1 4 A、 14B、 14C即開啟，濺鍍后之該工件載具2進(jìn)入該負(fù)載卸載 室1 5 B ，該另一工件載具2進(jìn)入該制程室1 2 B以進(jìn)行第二階段定 點(diǎn)式厚膜濺鍍，該再一工件載具2進(jìn)入該制程室1 2 A以進(jìn)行第一階 段定點(diǎn)式厚膜濺鍍，接著，該制程室閘門閥1 4 A、 1 4 B、 1 4 C 關(guān)閉后，該進(jìn)出料閘門閥l 5 3A、 1 5 3B開啟，濺鍍后之該工件 載具2離開該卸載室1 5 B ，又一載有待鍍工件之工件載具2進(jìn)入該 負(fù)載卸載室l5A以進(jìn)行后續(xù)動(dòng)作。
本實(shí)施例不僅藉由將負(fù)載卸載室之負(fù)載用與卸載用分開的設(shè)計(jì)， 使達(dá)到制程所需膜厚的工件毋需自同一個(gè)腔體離開，更在定點(diǎn)式厚膜 濺鍍的模式下，以增設(shè)制程室與磁控室的方式，獲得連續(xù)式濺鍍制程 速度快的優(yōu)勢。
本實(shí)用新型在厚膜濺鍍制程中，提供一定點(diǎn)式厚膜真空濺鍍設(shè)備， 以改善將連續(xù)式鍍膜設(shè)備用于厚膜制程中耗時(shí)、機(jī)臺(tái)占據(jù)空間、消耗 靶材及電源供應(yīng)器的缺失，除此之外，使用至少一制程室的設(shè)計(jì)亦可在定點(diǎn)式厚膜制程中獲得連續(xù)式鍍膜設(shè)備的效率優(yōu)勢，惟，以上所述 者，僅為本實(shí)用新型之較佳實(shí)施例，當(dāng)不能以此限定本實(shí)用新型實(shí)施 之范圍；故，凡依本實(shí)用新型申請專利范圍及實(shí)用新型說明書內(nèi)容所 作之簡單的等效變化與修飾，皆應(yīng)仍屬本實(shí)用新型專利涵蓋之范圍 內(nèi)。
權(quán)利要求1. 一種定點(diǎn)式厚膜真空濺鍍設(shè)備，其特征在于它包括至少一支撐框架，系由復(fù)數(shù)個(gè)矩形框體與復(fù)數(shù)個(gè)桿體所組立之立體框架；至少一制程室，系設(shè)置于該支撐框架上，其內(nèi)部之二相對側(cè)設(shè)置有內(nèi)部傳動(dòng)裝置，并于該內(nèi)部傳動(dòng)裝置上方設(shè)置有感應(yīng)裝置；至少一磁控室，系設(shè)置于該制程室上方，其內(nèi)部設(shè)有具復(fù)數(shù)個(gè)濺鍍靶材之濺鍍陰極，并于外圍設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)補(bǔ)強(qiáng)肋；至少一制程室閘門閥，系設(shè)置于該制程室外部之一側(cè)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述之定點(diǎn)式厚膜真空濺鍍設(shè)備，其特征在于 所述濺鍍靶材為一凸字型結(jié)構(gòu)，倒置固定于該濺鍍陰極。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述之定點(diǎn)式厚膜真空濺鍍設(shè)備，其特征在于-所述磁控室更包含設(shè)置于該濺鍍陰極的復(fù)數(shù)個(gè)固定塊，其邊緣為 階梯狀結(jié)構(gòu)與該濺鍍靶材邊緣吻合并抵接于該濺鍍耙材邊緣。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述之定點(diǎn)式厚膜真空濺鍍設(shè)備，其特征在于-所述濺鍍靶材具有復(fù)數(shù)個(gè)螺孔，設(shè)置于該濺鍍靶材與該濺鍍陰極 的接觸邊之兩端。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述之定點(diǎn)式厚膜真空濺鍍設(shè)備，其特征在于 定點(diǎn)式厚膜真空濺鍍設(shè)備還包括至少一連接至該制程室閘門闊 異于該制程室之一側(cè)的負(fù)載卸載室。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述之定點(diǎn)式厚膜真空濺鍍設(shè)備，其特征在于 所述負(fù)載卸載室之二相對側(cè)設(shè)置有內(nèi)部傳動(dòng)裝置。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述之定點(diǎn)式厚膜真空濺鍍設(shè)備，其特征在于 所述負(fù)載卸載室具有設(shè)置在該內(nèi)部傳動(dòng)裝置之二側(cè)上方的感應(yīng) 裝置。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5所述之定點(diǎn)式厚膜真空濺鍍設(shè)備，其特征在于所述負(fù)載卸載室在異于該制程室閘門閥之一側(cè)設(shè)置有進(jìn)出料閘 門閥。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述之定點(diǎn)式厚膜真空濺鍍設(shè)備，其特征在于 所述負(fù)載卸載室于該進(jìn)出料閘門閥下方設(shè)置有外部傳動(dòng)裝置以 及連接于該外部傳動(dòng)裝置下方的升降裝置。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1或7所述之定點(diǎn)式厚膜真空濺鍍設(shè)備，其特征在 于所述感應(yīng)裝置系為光纖傳感器。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種定點(diǎn)式厚膜真空濺鍍設(shè)備，包括有至少一支撐框架，系由復(fù)數(shù)個(gè)矩形框體與復(fù)數(shù)個(gè)桿體所組立之立體框架；至少一制程室，系設(shè)置于該支撐框架上，其內(nèi)部之兩相對側(cè)設(shè)置有內(nèi)部傳動(dòng)裝置，并于該內(nèi)部傳動(dòng)裝置上方設(shè)置有感應(yīng)裝置；至少一磁控室，系設(shè)置于該制程室上方，其內(nèi)部設(shè)有具復(fù)數(shù)個(gè)濺鍍靶材之濺鍍陰極，并于外圍設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)補(bǔ)強(qiáng)肋；至少一制程室閘門閥，系設(shè)置于該制程室外部之一側(cè)；藉此可達(dá)到定點(diǎn)式濺鍍的目的，以改善連續(xù)式濺鍍設(shè)備用于厚膜制程的缺失，故可節(jié)省生產(chǎn)成本并提升厚膜濺鍍效率。
文檔編號C23C14/56GK201224758SQ20082011857
公開日2009年4月22日 申請日期2008年5月28日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月28日
發(fā)明者姚朝禎, 李智淵 申請人:鈺衡科技股份有限公司