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一種真空不連續(xù)濺鍍工藝的制作方法

文檔序號(hào):8277918閱讀:534來源:國知局
一種真空不連續(xù)濺鍍工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種真空不連續(xù)濺鍍工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]真空鍍一一真空濺鍍,也可稱磁控濺鍍,屬于高速低溫濺鍍法,在真空狀態(tài)充入惰性氣體氬氣(Ar),并在塑膠基材(陽極)和金屬靶材(陰極)之間加上高壓直流電,由于輝光放電(glow discharge)產(chǎn)生的電子激發(fā)惰性氣體產(chǎn)生氬氣正離子,正離子向陰極靶材高速運(yùn)動(dòng),將靶材原子轟出,沉積在塑膠基材上形成薄膜。所謂的低溫真空濺鍍(Sputtering)表面鍍膜處理,主要是在金屬、塑膠、玻璃或其他材質(zhì)表面予以鍍膜處理,在一個(gè)通電的高真空密閉容器中,注入少許惰性氣體(一般),氣體將部分被離子化,并于容器內(nèi)形成高濃度電漿,此電漿中的離子被負(fù)電極所吸引而撞擊安裝于電極上面的靶材,進(jìn)行能量轉(zhuǎn)移并將靶材原子一顆顆擠出來,附著于基材上,即稱為真空濺鍍。濺鍍?cè)从晒虘B(tài)變?yōu)殡姖{態(tài)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]鑒于現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題,本發(fā)明的主要目的在于解決現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,本發(fā)明提供一種成本低、高亮度、金屬質(zhì)感佳且節(jié)能環(huán)保的真空不連續(xù)濺鍍工藝。
[0004]本發(fā)明提供了一種真空不連續(xù)濺鍍工藝,包括以下步驟:
[0005]S1、裝配前處理:將素材表面雜質(zhì)以及灰塵用布擦拭干凈;
[0006]S2、裝配:將素材裝配于專用治具上,用以固定于流水線上,并按設(shè)計(jì)需求實(shí)現(xiàn)外觀和功能性的遮鍍;
[0007]S3、上線前處理:將掛件置于流水線上,自動(dòng)進(jìn)入噴漆房;
[0008]S4、噴底漆:在噴漆房內(nèi)對(duì)素材的表面進(jìn)行噴底漆處理;
[0009]S5、真空濺鍍:將掛件裝配于真空容器內(nèi),容器中間裝配有適當(dāng)?shù)陌胁碾姌O,實(shí)現(xiàn)基材濺鍍,真空濺鍍的時(shí)間為10?20分鐘;
[0010]S6、噴面漆:噴面漆作用是為增強(qiáng)濺鍍表面性能,增加附著力和耐磨性,同時(shí)面漆可以用宇調(diào)節(jié)表面顏色,得到想要的效果;
[0011]S7、底漆和面漆廢氣排放:設(shè)立獨(dú)立排放空間,通過活性炭過濾棉經(jīng)過2次過濾,再經(jīng)18?22cm厚度活性炭層排出。
[0012]本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)和有益效果:本發(fā)明提供一種真空不連續(xù)濺鍍工藝,本工藝不僅具有低成本、高亮度、金屬質(zhì)感佳的優(yōu)點(diǎn),因有別于傳統(tǒng)水電鍍模式,因此具有環(huán)保(不需要使用水源;及沒有使用任何危害危化類物質(zhì);更無有毒有害氣體的對(duì)空排放)、并具可回收等特性,材料可循環(huán)使用。其應(yīng)用范圍涵括行動(dòng)電話外殼、筆記型電腦EMIShielding(防電磁波干擾)鍍膜處理及外觀鍍膜、感溫棒表面處理、按鍵鍍膜鐳雕、觸控面板薄膜處理、導(dǎo)光板鍍膜處理、ITO導(dǎo)電玻璃薄膜處理、光電傳輸光柵處理、金屬反射膜、光學(xué)鏡片鍍膜、塑膠材料渡線路板、軟性PCB前段制成、液晶顯示器鍍膜處理、OLED鍍膜處理、PLED鍍膜處理、PDP鍍膜處理、DffDM鍍膜處理、微機(jī)光電材料及耐米材料等等,其用途極為廣泛;本工藝?yán)幂x光放電(glow discharge)將氬(Ar)氣離子撞擊革E材(target)表面,靶材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜。濺鍍薄膜的性質(zhì)、均勻度都比蒸鍍薄膜好,但是鍍膜速度卻比蒸鍍慢很多。新型的濺鍍?cè)O(shè)備幾乎都使用強(qiáng)力磁鐵將電子成螺旋狀運(yùn)動(dòng)以加速靶材周圍的氬氣離子化,造成靶與氬氣離子間的撞擊機(jī)率增加,提高濺鍍速率。一般金屬鍍膜大都采用直流濺鍍,而不導(dǎo)電的陶磁材料則使用RF交流濺鍍,基本的原理是在真空中利用輝光放電(glow discharge)將氬氣離子撞擊靶材表面,電漿中的陽離子會(huì)加速?zèng)_向作為被濺鍍材的負(fù)電極表面,這個(gè)沖擊將使靶材的物質(zhì)飛出而沉積在基板上形成薄膜。
【具體實(shí)施方式】
[0013]下面將參照具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。
[0014]本發(fā)明實(shí)施例的一種真空不連續(xù)濺鍍工藝,包括以下步驟:S1、裝配前處理:將素材表面雜質(zhì)以及灰塵用布擦拭干凈;S2、裝配:將素材裝配于專用治具上,用以固定于流水線上,并按設(shè)計(jì)需求實(shí)現(xiàn)外觀和功能性的遮鍍;S3、上線前處理:將掛件置于流水線上,自動(dòng)進(jìn)入噴漆房;S4、噴底漆:在噴漆房內(nèi)對(duì)素材的表面進(jìn)行噴底漆處理,由于素材是塑料件,在注塑時(shí)會(huì)殘留空氣泡,有機(jī)氣體,而在放置時(shí)會(huì)吸入空氣中的水分,另外,由于塑料表面不夠平整,直接濺鍍的工件表面不光滑,光澤低,金屬感差,并且會(huì)出現(xiàn)氣泡,水泡等不良狀況;噴上一層底漆以后,會(huì)形成一個(gè)光滑平整的表面,并且杜絕了塑料本身存在的氣泡水泡的產(chǎn)生,使得濺鍍的效果得以展現(xiàn);此后為增加產(chǎn)品要求的美觀感,適當(dāng)植入印刷或鐳雕,使加工出來的產(chǎn)品更加廣泛的運(yùn)用到當(dāng)今市場(chǎng),迎合社會(huì)需求;S5、真空濺鍍:將掛件裝配于真空容器內(nèi),容器中間裝配有適當(dāng)?shù)陌胁碾姌O,實(shí)現(xiàn)基材濺鍍,真空濺鍍的時(shí)間為10?20分鐘;S6、噴面漆:噴面漆作用是為增強(qiáng)濺鍍表面性能,增加附著力和耐磨性,同時(shí)面漆可以用宇調(diào)節(jié)表面顏色,得到想要的效果;S7、底漆和面漆廢氣排放:設(shè)立獨(dú)立排放空間,通過活性炭過濾棉經(jīng)過2次過濾,再經(jīng)18?22cm厚度活性炭層排出;本工藝不僅具有低成本、高亮度、金屬質(zhì)感佳的優(yōu)點(diǎn),因有別于傳統(tǒng)水電鍍模式,因此具有環(huán)保(不需要使用水源;及沒有使用任何危害?;愇镔|(zhì);更無有毒有害氣體的對(duì)空排放)、并具可回收等特性,材料可循環(huán)使用。其應(yīng)用范圍涵括行動(dòng)電話外殼、筆記型電腦EMI Shielding(防電磁波干擾)鍍膜處理及外觀鍍膜、感溫棒表面處理、按鍵鍍膜鐳雕、觸控面板薄膜處理、導(dǎo)光板鍍膜處理、ITO導(dǎo)電玻璃薄膜處理、光電傳輸光柵處理、金屬反射膜、光學(xué)鏡片鍍膜、塑膠材料渡線路板、軟性PCB前段制成、液晶顯示器鍍膜處理、OLED鍍膜處理、PLED鍍膜處理、PDP鍍膜處理、DWDM鍍膜處理、微機(jī)光電材料及耐米材料等等,其用途極為廣泛;本工藝?yán)幂x光放電(glow discharge)將氬(Ar)氣離子撞擊革E材(target)表面,革E材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜。濺鍍薄膜的性質(zhì)、均勻度都比蒸鍍薄膜好,但是鍍膜速度卻比蒸鍍慢很多。新型的濺鍍?cè)O(shè)備幾乎都使用強(qiáng)力磁鐵將電子成螺旋狀運(yùn)動(dòng)以加速靶材周圍的氬氣離子化,造成靶與氬氣離子間的撞擊機(jī)率增加,提高濺鍍速率。一般金屬鍍膜大都采用直流濺鍍,而不導(dǎo)電的陶磁材料則使用RF交流濺鍍,基本的原理是在真空中利用輝光放電(glow discharge)將氬氣離子撞擊靶材表面,電漿中的陽離子會(huì)加速?zèng)_向作為被濺鍍材的負(fù)電極表面,這個(gè)沖擊將使靶材的物質(zhì)飛出而沉積在基板上形成薄膜。
[0015]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種真空不連續(xù)濺鍍工藝,該工藝在實(shí)際作業(yè)過程中,需要注意:
[0016]1、好的作業(yè)環(huán)境:環(huán)境是影響真空鍍膜的首要條件,其包括作業(yè)區(qū)的濕溫度控制,空氣中微粒子的含量;甚至真空中氣體的成分;若無法有效管制將可能造成膜質(zhì)的嚴(yán)重缺陷;當(dāng)然濺鍍?cè)O(shè)備的材質(zhì)也是不可忽略的考量重點(diǎn);
[0017]2、真空泵種類極多,各有其使用功能,也沒有好壞之分,端視薄膜功能與抽氣量而異;一般而言光電產(chǎn)品不可使用含油氣之泵,且系統(tǒng)中亦需搭配各種不同真空度使用的栗;
[0018]3、入射氣體:入射氣體的純度與大小均會(huì)影響著濺鍍的效率;太將無法將靶材擊出,太大則可能產(chǎn)生較大的原子團(tuán)被擊出,必須妥善管理;氣體的反應(yīng)性、價(jià)格亦需加以考慮;至于入射氣體的流量更于鍍膜效率及膜質(zhì)有著極大關(guān)聯(lián);
[0019]4、操作真空度:真空度越高則膜質(zhì)越純,但其電漿濃度亦可能相對(duì)下降;因此如何取得平衡點(diǎn)將是每部設(shè)備重要參數(shù);
[0020]5、操作電壓:通入的電壓是影響鍍膜速度的最大因素;當(dāng)電壓小于臨界值(閾)時(shí),濺鍍不發(fā)生,當(dāng)電壓高于上限臨界值峙,效率幾乎不變;介于期間則效率與電壓成正比;但電壓高則腔溫踢溫度亦升高;
[0021]6、操作速度:每種材料皆有其特殊的溢漆量與吸水性,且塑殼外觀設(shè)計(jì)亦有所不同,加上射出成型廠制程條件也有變異;因此抽氣時(shí)間與鍍膜趟數(shù)亦應(yīng)有所變化;當(dāng)材料溢氣量高時(shí)必須有較長抽氣時(shí)間,否則易形成氧化物;
[0022]7、前處理:一般而言,濺鍍的操作真空度最少需0.005torr以上,當(dāng)基材上含有一滴水滴則鍍膜純度將起極大變化;或當(dāng)基材上留有油漬時(shí),則鍍膜將出現(xiàn)明顯斑點(diǎn),甚至附著不良;所以徹底的干與凈是濺鍍實(shí)物上必先解決的條件;
[0023]8、革El材的選擇:派鍍前一定需考慮薄膜功能,如此才能決定革El材原料,同為反射膜,可因要求之頻段與反射率不同,而有不同靶材的選擇;一般而言濺鍍金屬材料只要注意其純度即可,但若為光學(xué)級(jí)薄膜則必須考慮采化合物靶材或純?cè)匕胁?,并配合電源供?yīng)器、入射氣體及濺鍍機(jī)種類;
[0024]9、腔體打開的時(shí)機(jī):濺鍍效率會(huì)隨鍍膜開機(jī)時(shí)間增長而越趨升高,因此非必要不得任意打開腔體,一般而言當(dāng)靶材接近耗盡時(shí)或大保養(yǎng)時(shí)方得打開。
[0025]最后應(yīng)說明的是:以上所述的各實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明的技術(shù)方案,而非對(duì)其限制;盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改,或者對(duì)其中部分或全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換;而這些修改或替換,并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種真空不連續(xù)濺鍍工藝,其特征在于,包括以下步驟: S1、裝配前處理:將素材表面雜質(zhì)以及灰塵用布擦拭干凈; S2、裝配:將素材裝配于專用治具上,用以固定于流水線上,并按設(shè)計(jì)需求實(shí)現(xiàn)外觀和功能性的遮鍍; S3、上線前處理:將掛件置于流水線上,自動(dòng)進(jìn)入噴漆房; S4、噴底漆:在噴漆房內(nèi)對(duì)素材的表面進(jìn)行噴底漆處理; S5、真空濺鍍:將掛件裝配于真空容器內(nèi),容器中間裝配有適當(dāng)?shù)陌胁碾姌O,實(shí)現(xiàn)基材濺鍍,真空濺鍍的時(shí)間為10?20分鐘; S6、噴面漆:噴面漆作用是為增強(qiáng)濺鍍表面性能,增加附著力和耐磨性,同時(shí)面漆可以用宇調(diào)節(jié)表面顏色,得到想要的效果; S7、底漆和面漆廢氣排放:設(shè)立獨(dú)立排放空間,通過活性炭過濾棉經(jīng)過2次過濾,再經(jīng)18?22cm厚度活性炭層排出。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種真空不連續(xù)濺鍍工藝,包括以下步驟:S1、裝配前處理:將素材表面雜質(zhì)以及灰塵用布擦拭干凈;S2、裝配:將素材裝配于專用治具上,用以固定于流水線上,并按設(shè)計(jì)需求實(shí)現(xiàn)外觀和功能性的遮鍍;S3、上線前處理:將掛件置于流水線上,自動(dòng)進(jìn)入噴漆房;S4、噴底漆:在噴漆房內(nèi)對(duì)素材的表面進(jìn)行噴底漆處理;S5、真空濺鍍:將掛件裝配于真空容器內(nèi),容器中間裝配有適當(dāng)?shù)陌胁碾姌O,實(shí)現(xiàn)基材濺鍍;S6、噴面漆;S7、底漆和面漆廢氣排放。本發(fā)明的有益效果在于,本發(fā)明提供一種成本低、高亮度、金屬質(zhì)感佳且節(jié)能環(huán)保的真空不連續(xù)濺鍍工藝。
【IPC分類】C23C14-58, C23C14-34, C23C14-02
【公開號(hào)】CN104593736
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410841074
【發(fā)明人】徐耀
【申請(qǐng)人】上海釋欣實(shí)業(yè)有限公司
【公開日】2015年5月6日
【申請(qǐng)日】2014年12月31日
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