一種制造快閃存儲(chǔ)器的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種制造快閃存儲(chǔ)器的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著閃存器件尺寸的縮小，器件的單元的尺寸也相應(yīng)縮小，造成單元間的干擾現(xiàn)象非常嚴(yán)重。為減小這些干擾現(xiàn)象，需要對(duì)單元內(nèi)隔離區(qū)的高度進(jìn)行精密的控制。同時(shí)，器件的浮動(dòng)?xùn)艠O需要保持一定的高度，這就對(duì)隔離區(qū)的填充能力提出了很高的要求。
[0003]現(xiàn)有的制造快閃存儲(chǔ)器的方法是在襯底上形成有源區(qū)和隔離區(qū)之后，直接去除掩模氮化物層，然后再刻蝕隔離區(qū)。
[0004]但是，現(xiàn)有的制造快閃存儲(chǔ)器的方法在后續(xù)利用干法刻蝕隔離區(qū)內(nèi)填充的絕緣材料時(shí)，浮動(dòng)?xùn)艠O的高度會(huì)相應(yīng)被降低，并且對(duì)隔離區(qū)內(nèi)填充的絕緣材料進(jìn)行單一步驟的刻蝕，很難控制隔離區(qū)的高度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提出一種制造快閃存儲(chǔ)器的方法，以提高快閃存儲(chǔ)器的性能。
[0006]本發(fā)明提供了一種制造快閃存儲(chǔ)器的方法，所述方法包括:
[0007]在襯底上形成隧道氧化物層、浮柵多晶硅層和掩模氮化物層組成的疊層結(jié)構(gòu)；
[0008]在所述單元區(qū)域和周邊區(qū)域中分別形成第一隔離區(qū)和第二隔離區(qū)；
[0009]刻蝕所述第一隔離區(qū)和第二隔離區(qū)達(dá)第一預(yù)定位置，其中，所述第一預(yù)定位置高于所述浮柵多晶硅層的上表面；
[0010]刻蝕所述第一隔離區(qū)達(dá)第二預(yù)定位置，其中，所述第二預(yù)定位置介于所述浮柵多晶硅層的上下表面之間；
[0011]去除所述掩模氮化物層；
[0012]刻蝕所述第一隔離區(qū)和第二隔離區(qū)分別達(dá)第三預(yù)定位置和第四預(yù)定位置，其中，所述第三預(yù)定位置介于所述浮柵多晶硅層的上下表面之間，且低于所述第二預(yù)定位置，所述第四預(yù)定位置與所述浮柵多晶硅層的上表面持平。
[0013]本發(fā)明提出了一種制造快閃存儲(chǔ)器的方法，通過對(duì)單元內(nèi)隔離區(qū)進(jìn)行多次刻蝕來精密的控制隔離區(qū)的高度，能夠減小單元間的干擾現(xiàn)象，并且通過調(diào)整去除掩模氮化物層的步驟和工藝，能夠保證浮柵多晶硅層高度，進(jìn)而提高產(chǎn)品良率和快閃存儲(chǔ)器的性能。
【附圖說明】
[0014]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的制造快閃存儲(chǔ)器的方法的流程圖；
[0015]圖2a_圖2f是本發(fā)明實(shí)施例提供的制造快閃存儲(chǔ)器的方法對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)圖。
[0016]圖中的附圖標(biāo)記所分別指代的技術(shù)特征為:
[0017]201、襯底；202、隧道氧化物層；203、浮柵多晶娃層；204、掩模氮化物層；205、第一隔離區(qū)；206、第二隔離區(qū)。
【具體實(shí)施方式】
[0018]為使本發(fā)明解決的技術(shù)問題、采用的技術(shù)方案和達(dá)到的技術(shù)效果更加清楚，下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。可以理解的是，此處所描述的具體實(shí)施例僅用于解釋本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部?jī)?nèi)容。
[0019]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的制造快閃存儲(chǔ)器的方法的流程圖。如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的方法包括:
[0020]步驟101，在襯底上形成隧道氧化物層、浮柵多晶硅層和掩模氮化物層組成的疊層結(jié)構(gòu)。
[0021]圖2a是本發(fā)明實(shí)施例提供的制造快閃存儲(chǔ)器的方法在本步驟中對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)圖。參照?qǐng)D2a，在襯底201上形成隧道氧化物層202、浮柵多晶硅層203和掩模氮化物層204組成的疊層結(jié)構(gòu)。
[0022]步驟102，在所述單元區(qū)域和周邊區(qū)域中分別形成第一隔離區(qū)和第二隔離區(qū)。
[0023]圖2b是本發(fā)明實(shí)施例提供的制造快閃存儲(chǔ)器的方法在本步驟中對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)圖。參照?qǐng)D2b，在所述單元區(qū)域和周邊區(qū)域中分別形成第一隔離區(qū)205和第二隔離區(qū)206。
[0024]在本實(shí)施例中，可選的，在所述單元區(qū)域和周邊區(qū)域中分別形成第一溝槽和第二溝槽，其中，所述第一溝槽和第二溝槽貫穿所述疊層結(jié)構(gòu)并延伸進(jìn)襯底201中；在所述第一溝槽和第二溝槽中填充絕緣材料以分別形成第一隔離區(qū)205和第二隔離區(qū)206，其中，由隔離區(qū)隔開的襯底為有源區(qū)。
[0025]可選的，形成所述第一溝槽和第二溝槽的工藝為自對(duì)準(zhǔn)工藝；在所述填充絕緣材料之后，采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝對(duì)所述絕緣材料進(jìn)行平坦化處理，以使所述第一隔離區(qū)205和第二隔離區(qū)206的高度相同。
[0026]步驟103，刻蝕所述第一隔離區(qū)和第二隔離區(qū)達(dá)第一預(yù)定位置。
[0027]圖2c是本發(fā)明實(shí)施例提供的制造快閃存儲(chǔ)器的方法在本步驟中對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)圖。參照?qǐng)D2c，刻蝕所述第一隔離區(qū)205和第二隔離區(qū)206達(dá)第一預(yù)定位置。
[0028]其中，所述第一預(yù)定位置高于所述浮柵多晶硅層203的上表面。
[0029]在本實(shí)施例中，可選的，所述刻蝕所述第一隔離區(qū)205和第二隔離區(qū)206達(dá)第一預(yù)定位置采用的方法為干法刻蝕。
[0030]具體的，以掩模氮化物層為掩模，去除所述第一溝槽和第二溝槽中的部分絕緣材料達(dá)所述第一預(yù)定位置。
[0031]優(yōu)選的，在進(jìn)行上述刻蝕之后，所述第一隔離區(qū)506和第二隔離區(qū)206的高度略高于所述浮柵多晶硅層203的上表面。
[0032]步驟104，刻蝕所述第一隔離區(qū)達(dá)第二預(yù)定位置。
[0033]圖2d是本發(fā)明實(shí)施例提供的制造快閃存儲(chǔ)器的方法在本步驟中對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)圖。參照?qǐng)D2d，刻蝕所述第一隔離區(qū)205達(dá)第二預(yù)定位置。
[0034]其中，所述第二預(yù)定位置介于所述浮柵多晶硅層203的上下表面之間。
[0035]在本實(shí)施例中，可選的，所述刻蝕所述第一隔離區(qū)205達(dá)第二預(yù)定位置，包括:遮蔽所述周邊區(qū)域，利用干法刻蝕去除所述第一溝槽中的部分絕緣材料。其中，周邊區(qū)域需要借助掩模板來遮蔽，遮蔽所述周邊區(qū)域的目的是保護(hù)周邊區(qū)域不被刻蝕。
[0036]另外，在所述刻蝕所述第一隔離區(qū)達(dá)第二預(yù)定位置之后，依次采用灰化和濕法去除光刻膠，其中，濕法的藥液為硫酸和雙氧水的混合液。
[0037]步驟105，去除所述掩模氮化物層。
[0038]圖2e是本發(fā)明實(shí)施例提供的制造快閃存儲(chǔ)器的方法在本步驟中對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)圖。去除圖2d中的掩模氮化物層204，得到如圖2e所示的結(jié)構(gòu)