專利名稱：Sonos快閃存儲器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制作方法，尤其是一種SONOS快閃存儲器的制 作方法。
背景技術(shù)：
通常，用于存儲數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲 器，易失性存儲器易于在電源中斷時丟失其數(shù)據(jù)，而非易失性存儲器即使在 電中斷時仍可保存其數(shù)據(jù)。與其它的非易失性存儲技術(shù)(例如，磁盤驅(qū)動器) 相比，非易失性半導(dǎo)體存儲器相對較小。因此，非易失性存儲器已廣泛地應(yīng) 用于移動通信系統(tǒng)、存儲卡等。近來，已經(jīng)提出了具有硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)結(jié)構(gòu) 的非易失性存儲器，即SONOS快閃存儲器。SONOS快閃存儲器具有很薄的單 元，其便于制造且容易結(jié)合至例如集成電路的外圍區(qū)域(peripheral region)和/ 或邏輯區(qū)域(logic region)中?，F(xiàn)有技術(shù)中SONOS快閃存儲器的制作方法參考附圖1至附圖7所示，其 中附圖7還包括附圖7A至附圖7C，首先，參考附圖1，提供半導(dǎo)體村底200， 并在所述半導(dǎo)體襯底200上形成介質(zhì)層-捕獲電荷層-介質(zhì)層的三層堆疊結(jié) 構(gòu)210，所述三層堆疊結(jié)構(gòu)210包括形成在半導(dǎo)體襯底200上的介質(zhì)層210a, 形成在介質(zhì)層210a上的捕獲電荷層210b以及形成在210b上的介質(zhì)層210c。參考附圖2所示，在三層堆疊結(jié)構(gòu)210上依次形成第一多晶硅層220和 腐蝕阻擋層230，并在腐蝕阻擋層230上形成光刻膠層280,并曝光、顯影光 刻膠層280形成開口，以光刻膠為掩膜，依次刻蝕腐蝕阻擋層230、第一多晶 硅層220以及介質(zhì)層-捕獲電荷層-介質(zhì)層的三層堆疊結(jié)構(gòu)210,直至曝露出半導(dǎo)體襯底200，所述光刻膠開口的位置與半導(dǎo)體襯底200內(nèi)需要形成源極和 漏極的位置相對應(yīng)。參考附圖3所示，以光刻膠層280為掩膜，在半導(dǎo)體襯底200中進(jìn)行離 子注入，形成源極240和漏極250。參考附圖4所示，去除光刻膠層280,并 在源4及240和漏4及250區(qū)域?qū)?yīng)的半導(dǎo)體襯底200上以及腐蝕阻擋層230的 表面形成介電層260,并采用化學(xué)機械拋光工藝平坦化介電層260，直至完全 曝露出腐蝕阻擋層230的表面。參考附圖5所示，去除腐蝕阻擋層230，只留下第一多晶硅層220。參考 附圖6所示，在第一多晶硅層220以及介電層260上形成第二多晶硅層270, 第二多晶硅層270的厚度應(yīng)該完全覆蓋介電層260。參考附圖7所示，在第二 多晶硅層270上形成光刻膠層(圖中未示出)，并曝光顯影所述光刻膠層形成 開口，并以光刻膠為掩膜，刻蝕第二多晶硅層270,使第二多晶硅層270將 SONOS快閃存儲器的各個柵極結(jié)構(gòu)連接起來，形成字線，刻蝕第二多晶硅層 270之后， 一般會進(jìn)行快速熱退火工藝，以修復(fù)刻蝕第二多晶硅層270過程中 對多晶硅層的晶格損傷，所述快速熱退火工藝為在700至120(TC的工藝條 件下退火4至7秒，最后，去除所述光刻膠層。最后，本發(fā)明形成的SONOS快閃存儲器的結(jié)構(gòu)如圖7以及7A、 7B和7C所 示，其中，圖7是本發(fā)明形成S0N0S快閃存儲器的俯視圖；圖7A、 7B和7C分 別為圖7所示快閃存儲器在A-A、 B-B、 C-C方向的截面結(jié)構(gòu)示意圖。其中 A-A為存儲器的位線方向，B-B以及C-C為存儲器的字線方向。從附圖7A 和附圖7C可以看出，在介電層260側(cè)壁以及第 一多晶硅層220側(cè)壁形成多晶硅 殘留290，殘留的多晶硅290會導(dǎo)致存儲單元之間發(fā)生短路。專利號為US6797565的美國專利也提供了 一種SONOS存儲器的制作工 藝，與附圖1至7描述的現(xiàn)有技術(shù)相同，在刻蝕第二多晶硅層形成字線的過程中，也會在介電層側(cè)壁以及第一多晶硅層側(cè)壁形成多晶硅殘留，導(dǎo)致不同存 儲單元之間產(chǎn)生短路的現(xiàn)象。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明解決的問題是現(xiàn)有技術(shù)制作SONOS快閃存儲器的方法會在不同 存儲單元之間存在多晶硅殘留，導(dǎo)致不同存儲單元之間短路的缺陷。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種SONOS快閃存儲器的制作方法，包括 提供依次具有介質(zhì)層-捕獲電荷層-介質(zhì)層的三層堆疊結(jié)構(gòu)、第一多晶硅層 以及腐蝕阻擋層的半導(dǎo)體襯底；沿位線方向依次刻蝕腐蝕阻擋層、第一多晶 硅層和介質(zhì)層-捕獲電荷層-介質(zhì)層的三層堆疊結(jié)構(gòu)，直至暴露出半導(dǎo)體襯 底，形成開口；通過開口在半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成源極和漏極；在開口內(nèi)以及腐 蝕阻擋層上形成介電層，并進(jìn)行平坦化處理直至曝露出腐蝕阻擋層；去除腐 蝕阻擋層；在第一多晶硅層以及介電層表面形成第二多晶硅層，沿字線方向 刻蝕第二多晶硅層，直至暴露介電層；進(jìn)行10至20秒的快速熱退火。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點采用本發(fā)明所述的工藝方法， 在第一多晶硅層以及介電層表面形成第二多晶硅層，并沿字線方向刻蝕所述 第二多晶硅層，直至暴露介電層之后，進(jìn)行10至20秒的快速熱退火，可以 將介電層的側(cè)壁以及第一多晶硅層側(cè)壁產(chǎn)生的多晶硅殘留氧化成氧化硅，因 此，原來介電層側(cè)壁的多晶硅殘留氧化成氧化硅層，第一多晶硅層之間的多 晶硅殘留也會被氧化成氧化硅，防止漏電流發(fā)生，提高了形成的SONOS快閃 存儲器的性能。同時，雖然會對第一多晶硅層的側(cè)壁和第二多晶硅層的側(cè)壁 也會產(chǎn)生一定的氧化作用，產(chǎn)生厚度在40埃左右的氧化硅層，由于厚度較小， 而且在第 一 多晶硅層和第二多晶硅層的外側(cè)壁，因此不會對第 一 多晶硅層和 第二多晶硅層的電連接性能產(chǎn)生影響。
圖1至圖6是現(xiàn)有技術(shù)形成SONOS快閃存儲器的制作方法工藝流程不同 步驟的截面結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是現(xiàn)有技術(shù)形成的SONOS快閃存儲器的俯視圖；圖7A、 7B和7C分別為圖7所示快閃存儲器在A-A、 B-B、 C-C方 向的截面結(jié)構(gòu)示意圖；圖8至圖13為本發(fā)明所述SONOS快閃存儲器的制作方法工藝流程不同 步驟沿字線方向的截面結(jié)構(gòu)示意圖；圖14是本發(fā)明具體實施方式
形成的SONOS快閃存儲器的俯視圖；圖14A、 14B和14C分別為圖14所示快閃存儲器在A-A、 B-B、 C-C方向的截面結(jié)構(gòu)示意圖；圖15是現(xiàn)有技術(shù)形成的SONOS快閃存儲器的短路電性測試結(jié)果圖；圖16為本發(fā)明具體實施方式
制作的SONOS快閃存儲器的短路電性測試 結(jié)果圖。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細(xì)的說明。本發(fā)明僅僅對快 存存儲器的一個存儲單元進(jìn)行描述，其外圍電路的結(jié)構(gòu)以及形成工藝與現(xiàn)有 技術(shù)相同，具體形成工藝可參考專利號為US6797565的美國專利，在此不做 進(jìn)一步的描述。本發(fā)明的本質(zhì)在于提供一種SONOS快閃存儲器的制作方法，在第一多晶 硅層以及介電層表面形成第二多晶硅層，并沿字線方向刻蝕所述第二多晶硅 層，直至暴露介電層之后，進(jìn)行10至20秒的快速熱退火，可以將介電層的 側(cè)壁以及第一多晶硅層側(cè)壁產(chǎn)生的多晶硅殘留氧化成氧化硅，因此，原來介 電層側(cè)壁的多晶硅殘留氧化成氧化硅層，第 一多晶硅層之間的多晶硅殘留也會被氧化成氧化硅，防止漏電流發(fā)生，提高了形成的SONOS快閃存儲器的性能。首先，本發(fā)明提供一種SONOS快閃存儲器的制作方法，包括如下步驟 提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上依次具有介質(zhì)層-捕獲電荷層-介質(zhì)層 的三層堆疊結(jié)構(gòu)、第一多晶硅層以及腐蝕阻擋層；沿位線方向依次刻蝕腐蝕 阻擋層、第一多晶硅層和介質(zhì)層-捕獲電荷層-介質(zhì)層的三層堆疊結(jié)構(gòu)，直 至暴露出半導(dǎo)體襯底，形成開口；通過開口進(jìn)行離子注入，在半導(dǎo)體襯底內(nèi) 形成源極和漏才及；在開口內(nèi)以及腐蝕阻擋層上形成介電層，并進(jìn)行平坦化處 理直至曝露出腐蝕阻擋層；去除腐蝕阻擋層；在第一多晶硅層以及介電層表 面形成第二多晶硅層，并沿字線方向刻蝕所述第二多晶硅層，直至暴露介電 層；進(jìn)行10至20秒的快速熱退火。下面結(jié)合附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的具體工藝步驟。首先，提供一半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上依次具有介質(zhì)層-捕獲電 荷層-介質(zhì)層的三層堆疊結(jié)構(gòu)、第一多晶硅層以及腐蝕阻擋層。參考附圖8 所示，提供一半導(dǎo)體襯底100,所述半導(dǎo)體襯底100較好的是半導(dǎo)體硅，可以 為n型或者P型半導(dǎo)體，也可以是絕緣體上硅等。在所述半導(dǎo)體襯底100上 形成介質(zhì)層-捕獲電荷層-介質(zhì)層的三層堆疊結(jié)構(gòu)，所述介質(zhì)層-捕獲電荷 層-介質(zhì)層的三層堆疊結(jié)構(gòu)較好的是氧化物-氮化物-氧化物層110，所述的 氧化物-氮化物-氧化物層110包括形成在半導(dǎo)體襯底100上的氧化物層 110a,形成在110a上的氮化物層110b以及形成在110b上的氧化物層110c， 形成氧化物-氮化物-氧化物層110的工藝為現(xiàn)有技術(shù)，例如化學(xué)氣相沉積 法和氧化法。所述的氧化物層最好的是氧化硅，還可能包括氮化物例如氮氧化硅以及 其它可以優(yōu)化器件性能的摻雜劑，所述的氮化層可以是富含硅、氮以及其它 可以提高器件性能的摻雜劑例如氧等，最優(yōu)選的為氮化硅。所述氧化物-氮化物-氧化物層110目前最優(yōu)化的為氧化硅-氮化硅-氧化硅。之后，在氧化物-氮化物-氧化物層110上形成第一多晶硅層120,所述 第一多晶硅層120的形成工藝也可以選用任何現(xiàn)有工藝，較好的為化學(xué)氣相 沉積法或者用爐管生長，厚度可以設(shè)定在600~ 800A。之后，在第一多晶硅 層120上形成腐蝕阻擋層130,所述腐蝕阻擋層130為氮化硅、氮氧化硅、炭 化硅等，形成工藝也可以選擇現(xiàn)有技術(shù)的任何常規(guī)工藝，較好的是采用化學(xué) 氣相沉積法或者用爐管生長。參考附圖9所示，在腐蝕阻擋層130上形成光刻膠層180，并曝光、顯影 形成光刻膠開口 ，所述光刻膠開口的位置與需要形成源極區(qū)域和漏極區(qū)域的 位置相對應(yīng)，以光刻膠為掩膜，依次沿位線方向刻蝕腐蝕阻擋層130、第一多 晶硅層120以及氧化物-氮化物-氧化物層110，直至爆露出半導(dǎo)體襯底100。 刻蝕腐蝕阻擋層130、第一多晶硅層120以及氧化物-氮化物-氧化物層110 的工藝為現(xiàn)有技術(shù)，較好的例如采用干法刻蝕?？涛g后的第一多晶硅層120 以及氧化物-氮化物-氧化物層IIO構(gòu)成所述SONOS快閃存儲器的多晶硅柵 極。參考附圖10所示，以光刻膠層180為掩膜，沿位線方向在半導(dǎo)體襯底100 中進(jìn)行一定深度的離子注入，形成源極140和漏極150,離子注入的深度為現(xiàn) 有技術(shù)，可根據(jù)不同的注入深度要求調(diào)整離子注入的能量和劑量。其中，形 成源極140和漏極150的工藝為現(xiàn)有技術(shù)，在本發(fā)明的一個實施例中，基體 材料選用p型硅，對源極和漏極進(jìn)行N型低摻雜離子注入，注入離子如砷離 子、磷離子等。離子注入之后，也可以進(jìn)行熱退火的工藝，使注入的離子更好的分散。 也可以參考專利號為US6797565的美國專利進(jìn)行一次以上的離子注入，每次 離子注入以后進(jìn)行熱處理，可以使注入的離子進(jìn)入半導(dǎo)體襯底100的深度增 力口。參考附圖11所示，在源極140和漏極150區(qū)域?qū)?yīng)的半導(dǎo)體襯底100上 以及腐蝕阻擋層130的表面形成介電層160。介電層160的形成工藝為現(xiàn)有技 術(shù)的任何常規(guī)工藝，比較優(yōu)選的例如化學(xué)氣相沉積法。介電層160的材料較 好的為氧化硅、氮氧化硅等，本發(fā)明最優(yōu)選的為氧化硅層，采用等離子體化 學(xué)氣相沉積法形成。之后，釆用化學(xué)機械拋光工藝平坦化介電層160,直至完 全曝露出腐蝕阻擋層130的表面。參考附圖12所示，去除腐蝕阻擋層130,只留下第一多晶硅層120。去 除腐蝕阻擋層130的工藝為現(xiàn)有技術(shù)的常規(guī)工藝，本發(fā)明優(yōu)選采用濕法刻蝕 工藝。參考附圖13所示，在第一多晶硅層120以及介電層160上形成第二多晶 硅層170,多晶硅的厚度應(yīng)該完全覆蓋介電層160。形成第二多晶硅層170的 工藝可以是現(xiàn)有技術(shù)的任何常規(guī)工藝，例如與形成第一多晶硅層120的工藝 相同，采用等離子體化學(xué)氣相沉積法。之后，在第二多晶硅層170上形成腐 蝕阻擋層以及光刻膠層(圖中未示出)，并沿字線方向曝光、顯影所述光刻膠 層形成開口，并以光刻膠為掩膜，沿字線方向刻蝕腐蝕阻擋層和第二多晶硅 層170,直至完全暴露介電層160,使第二多晶硅層170將SONOS快閃存儲 器的各個柵極結(jié)構(gòu)連接起來。之后，進(jìn)行10至20秒的快速熱退火，退火溫度為70(TC至1200°C。較 好的快速熱退火時間為12至16秒，優(yōu)選快速熱退火的溫度為IOO(TC至 IIO(TC。在刻蝕第二多晶硅層170之后進(jìn)行快速熱退火的作用在于修復(fù)刻蝕 工藝中對第二多晶硅層造成的晶格缺陷，同時會在第 一多晶硅層以及第二多 晶硅層的側(cè)壁產(chǎn)生氧化硅層190,所述氧化硅層190的厚度在40埃左右，這 層氧化硅層190與介電層的作用相同，用于隔離不同柵極結(jié)構(gòu)。本發(fā)明所述 的快速熱退火工藝還可以將介電層的側(cè)壁以及第一多晶硅層側(cè)壁產(chǎn)生的多晶 硅殘留氧化成氧化硅190，，因此，原來介電層側(cè)壁的多晶硅殘留氧化成氧化硅190，，第一多晶硅層之間的多晶硅殘留也會被氧化成氧化硅190，，防止漏 電流發(fā)生，提高了形成的SONOS快閃存儲器的性能。本發(fā)明可以采用10秒，11秒，13秒，14秒，15秒，18秒的快速熱退火 時間，都能去除介電層以及第一多晶硅層側(cè)壁的多晶硅殘留，同時并不會影 響所述SONOS快閃存儲器的電性能。本發(fā)明將快速熱退火的退火時間加長，從現(xiàn)有技術(shù)的4至7秒增加至10 至20秒，不僅可以將介電層的側(cè)壁以及第一多晶硅層側(cè)壁產(chǎn)生的多晶硅殘留 氧化氧化硅，還可以修復(fù)刻蝕工藝中對第二多晶硅層造成的晶格缺陷，同時， 雖然會對第一多晶硅層的側(cè)壁和第二多晶硅層的側(cè)壁也會產(chǎn)生一定的氧化作 用，產(chǎn)生厚度在40埃左右的氧化硅層，由于厚度較小，而且在第一多晶硅層 和第二多晶硅層的外側(cè)壁，因此不會對第一多晶硅層和第二多晶硅層的電連 接性能產(chǎn)生影響。最后，去除所述腐蝕阻擋層和光刻膠層，形成附圖14以及 14A、 14B和14C所示的SONOS快閃存儲器結(jié)構(gòu)。本發(fā)明形成的SONOS快閃存儲器的結(jié)構(gòu)如圖14以及14A、 14B和14C 所示，其中，圖14是本發(fā)明形成所述S0N0S快閃存儲器的俯視圖；圖14A、 14B和14C分別為圖14所示快閃存儲器在A-A、 B-B、 C-C方向的截面 結(jié)構(gòu)示意圖。其中，A-A方向為形成的SONOS快閃存儲器的位線方向，B -B、 C-C方向為形成的SONOS快閃存儲器的字線方向。從圖中可以看出，介電層的側(cè)壁以及第一多晶硅層側(cè)壁產(chǎn)生的多晶硅殘 留氧化成氧化硅190，，因此本發(fā)明去除了不同的柵極結(jié)構(gòu)之間產(chǎn)生的多晶硅 殘留，防止漏電流發(fā)生，提高了形成的SONOS快閃存儲器的性能。參考附圖15為現(xiàn)有技術(shù)制作的SONOS快閃存儲器的短路電性能測試結(jié) 果圖，圖中所示為一個晶圓，圖中的每一個方格表示晶圓上的一個測試點， 測試時，選取若干測試點，每個測試點都含有SONOS快閃存儲器，測試每個測試點是否存在短路現(xiàn)象，圖中，沒有產(chǎn)生短路缺陷的測試點用白色的方格 IO表示，產(chǎn)生短路缺陷的測試點用涂黑的方格11表示，從圖中可以看出，采用現(xiàn)有技術(shù)制作SONOS快閃存儲器，其退火時間為5秒鐘，每個晶圓上產(chǎn)生 短路缺陷的測試點有5個，圖中所示一共38個測試點，缺陷發(fā)生率為13.2%。 實際生產(chǎn)中的大量測試數(shù)據(jù)也表明，采用現(xiàn)有技術(shù)制作SONOS快閃存儲器， 每片晶圓的短3各缺陷發(fā)生率平均在10 % ~ 15 % 。參考附圖16為本發(fā)明制作的SONOS快閃存儲器的短路電性能測試結(jié)果 圖，與圖15代表的意義相同，圖中所示為一個晶圓，圖中的每一個方格表示 晶圓上的一個測試點，測試時，選取若干測試點，每個測試點都含有SONOS 快閃存儲器，測試每個測試點是否存在短路現(xiàn)象，圖中，沒有產(chǎn)生短路缺陷 的測試點用白色的方格IO表示，產(chǎn)生短路缺陷的測試點用涂黑的方格11表 示，從圖中可以看出，采用現(xiàn)有技術(shù)制作SONOS快閃存儲器后，每個晶圓上 產(chǎn)生短路缺陷的測試點為0。雖然本發(fā)明己以較佳實施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本 領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改， 因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種SONOS快閃存儲器的制作方法，其特征在于，包括如下步驟提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上依次具有介質(zhì)層-捕獲電荷層-介質(zhì)層的三層堆疊結(jié)構(gòu)、第一多晶硅層以及腐蝕阻擋層；沿位線方向依次刻蝕腐蝕阻擋層、第一多晶硅層和介質(zhì)層-捕獲電荷層-介質(zhì)層的三層堆疊結(jié)構(gòu)，直至暴露出半導(dǎo)體襯底，形成開口；通過開口進(jìn)行離子注入，在半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成源極和漏極；在開口內(nèi)以及腐蝕阻擋層上形成介電層，并進(jìn)行平坦化處理直至曝露出腐蝕阻擋層；去除腐蝕阻擋層；在第一多晶硅層以及介電層表面形成第二多晶硅層，并沿字線方向刻蝕所述第二多晶硅層，直至暴露介電層；進(jìn)行10至20秒的快速熱退火。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述SONOS快閃存儲器的制作方法，其特征在于，進(jìn)行 12秒至16秒的快速熱退火。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述SONOS快閃存儲器的制作方法，其特征在于，所述 快速熱退火的溫度為70(TC至1200°C。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述SONOS快閃存儲器的制作方法，其特征在于，所述 介質(zhì)層-捕獲電荷層-介質(zhì)層的三層堆疊結(jié)構(gòu)為氧化硅-氮化硅-氧化硅 層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述SONOS快閃存儲器的制作方法，其特征在于，刻蝕 腐蝕阻擋層、第一多晶硅層和介質(zhì)層_捕獲電荷層-介質(zhì)層的三層堆疊結(jié) 構(gòu)的工藝為干刻蝕。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述SONOS快閃存儲器的制作方法，其特征在于，所述 腐蝕阻擋層材料為氮化硅。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述SONOS快閃存儲器的制作方法，其特征在于，所述 介電層材料為氧化硅。
全文摘要
一種SONOS快閃存儲器的制作方法，包括提供依次具有介質(zhì)層-捕獲電荷層-介質(zhì)層的三層堆疊結(jié)構(gòu)、第一多晶硅層以及腐蝕阻擋層的半導(dǎo)體襯底；沿位線方向依次刻蝕腐蝕阻擋層、第一多晶硅層和介質(zhì)層-捕獲電荷層-介質(zhì)層的三層堆疊結(jié)構(gòu)，直至暴露出半導(dǎo)體襯底，形成開口；通過開口在半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成源極和漏極；在開口內(nèi)以及腐蝕阻擋層上形成介電層，并進(jìn)行平坦化處理直至曝露出腐蝕阻擋層；去除腐蝕阻擋層；在第一多晶硅層以及介電層表面形成第二多晶硅層，沿字線方向刻蝕第二多晶硅層，直至暴露介電層；進(jìn)行10至20秒的快速熱退火。本方法去除在介電層的側(cè)壁以及第一多晶硅層之間產(chǎn)生多晶硅殘留，防止漏電流發(fā)生。
文檔編號H01L21/8247GK101246856SQ20071003767
公開日2008年8月20日 申請日期2007年2月13日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月13日
發(fā)明者仇圣棻, 鵬 孫, 丹 徐, 蔡信裕 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司