專利名稱：制造快閃存儲器卡的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例涉及制作快閃存儲器卡的方法。
背景技術(shù)：
對便攜式消費(fèi)者電子裝置的需求的強(qiáng)勁增長正推動對高容量存儲裝置的需要。非 易失性半導(dǎo)體存儲器裝置(例如，快閃存儲器存儲卡)正變得廣泛地用于滿足對數(shù)字 信息存儲及交換的不斷增長的需求。其便攜性、多功能性及堅(jiān)固的設(shè)計(jì)連同其較高的 可靠性及大容量已使此類存儲器裝置理想地用于各種各樣的電子裝置中。
用于快閃存儲器卡的一個實(shí)例性標(biāo)準(zhǔn)是所謂的SD快閃存儲器卡。SD(安全數(shù)字) 卡是一種大約郵票大小的安全快閃存儲器。由SanDisk (晟碟)、Toshiba (東芝)及 Matsushita Electronic (松下電器)聯(lián)合研發(fā)，SD卡重約兩克且用于各種各樣的數(shù)字產(chǎn) 品中的存儲器存儲，包括(例如)數(shù)字音樂播放器、蜂窩式電話、手持式PC、數(shù)碼相 機(jī)、數(shù)字?jǐn)z影機(jī)、智能電話、汽車導(dǎo)航系統(tǒng)及電子書籍。
在過去，例如SD卡等電子裝置已經(jīng)包括集成電路系統(tǒng)，其由各自操作不同功能 的數(shù)個單獨(dú)封裝的集成電路組成，包括用于信息處理的邏輯電路、用于存儲信息的存 儲器及用于與外界進(jìn)行信息交換的I/O電路。所述單獨(dú)封裝的集成電路已分離地安裝 在襯底(例如，印刷電路板)上以形成所述集成電路系統(tǒng)。在在印刷電路板上包括單 獨(dú)封裝的組件的舊式SD卡中，所述印刷電路板占據(jù)所述卡內(nèi)的全部或幾乎全部可用 空間。將所述印刷電路板形成為所述大小，以便包含全部所述單獨(dú)封裝的組件。最近， 己研發(fā)出封裝內(nèi)系統(tǒng)("SiP")及多芯片模塊("MCM")，其中將多個集成電路 組件封裝在一起以在單個封裝中提供完整的電子系統(tǒng)。通常，MCM包括多個芯片， 其并排安裝在襯底上且然后加以封裝。SiP通常包括多個芯片，可將所述多個芯片中 的某些芯片或所有芯片堆疊在襯底上且然后加以封裝。
通常在面板上批量處理集成電路，且然后在完成所述制作工藝之后將所述集成電 路單個化為單獨(dú)的封裝。已知數(shù)種方法用于從經(jīng)囊封的集成電路的面板單個化具有不 規(guī)則或曲線形狀邊緣的半導(dǎo)體封裝。舉例來說，熟知的切割方法包括水刀切割、激光 切割、水引導(dǎo)激光切割、干媒介切割及金剛石涂布線切割。此類切割方法能夠?qū)崿F(xiàn)單 獨(dú)化的集成電路封裝的精巧直線及/或曲線形狀。雖然這些方法有效地在單獨(dú)化的半導(dǎo) 體封裝中實(shí)現(xiàn)曲線及不規(guī)則形狀，但這些方法需要精確切割，且增加半導(dǎo)體制作工藝
的復(fù)雜性及成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種制造包括半導(dǎo)體封裝的快閃存儲器卡的方法。在實(shí)施例 中，通?？赏ㄟ^沖孔及切割工藝來形成所述封裝以界定各種各樣所需形狀的半導(dǎo)體封 裝。制作所述半導(dǎo)體封裝的工藝可以襯底面板開始，舉例來說其可以是引線框架。首 先通過使用化學(xué)蝕刻或沖壓工藝在所述引線框架上形成電跡線來在所述面板上形成多 個集成電路。此后，可將無源組件及半導(dǎo)體電路小片安裝在所述面板上以形成多個集 成電路。
一旦已在所述面板上形成所述多個集成電路，可通過模制化合物來囊封所述集成 電路的每一者。在所述囊封工藝期間，可遮罩所述面板的部分并使其沒有模制化合物。 隨后可從所述面板沖孔沒有模制化合物的部分。這些經(jīng)沖孔區(qū)域可在成品半導(dǎo)體封裝 的外部邊緣中界定斜面、凹口或各種其它曲線、直線及/或不規(guī)則形狀。
在將所述面板沖孔之后，可沿筆直切割線進(jìn)行鋸割來將所述集成電路中的每一者 單個化為多個大體矩形的半導(dǎo)體封裝。所述半導(dǎo)體封裝包括至少一個外部邊緣(例如， 斜面及/或凹口)，其不同于所述經(jīng)單個化封裝的大體矩形形狀。通過從所述面板沖孔 區(qū)域，且然后沿筆直邊緣進(jìn)行鋸割，本發(fā)明提供一種用于獲得各種所需形狀中的任一 形狀的成品半導(dǎo)體封裝的簡單、有效且具成本效率的方法。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制作快閃存儲器卡的方法的流程圖。
圖2是集成電路面板的一部分在根據(jù)本發(fā)明的制作工藝期間的俯視圖。
圖3是穿過圖2中的線3-3的截面圖。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的模制集成電路的面板在切割為單獨(dú)的集成電路封裝 之前的俯視圖。
圖5是在用以在所述面板上囊封所述集成電路的模制工藝期間使用的模制工藝沖 模板的仰視透視圖。
圖6是經(jīng)囊封集成電路面板的一部分在根據(jù)本發(fā)明的制作工藝期間的俯視圖。
圖7是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的集成電路封裝的俯視圖。
圖8是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的集成電路封裝的第一邊緣的邊緣圖。
圖9是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的集成電路封裝的第二邊緣的邊緣圖。
圖10是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的集成電路封裝的第三邊緣的邊緣圖。
圖11是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的集成電路封裝的第四邊緣的邊緣圖。
圖12是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的集成電路封裝的仰視圖。
圖13是包括圖7的集成電路封裝的安裝在頂部及底部蓋子中的快閃存儲器卡的
透視圖。
圖14是包括圖7的集成電路封裝的安裝在頂部及底部蓋子中的快閃存儲器卡的
俯視圖。
圖15是包括圖7的集成電路封裝的安裝在頂部及底部蓋子中的快閃存儲器卡的 仰視圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參照圖1至15說明本發(fā)明的實(shí)施例，其所述圖式涉及制造快閃存儲器卡 的方法。應(yīng)了解，本發(fā)明可以許多不同的形式來體現(xiàn)且不應(yīng)被視為限定于本文所論述 的實(shí)施例。而是，提供這些實(shí)施例以使本揭示內(nèi)容將詳盡且完整，并將向所屬領(lǐng)域的 技術(shù)人員全面地傳達(dá)本發(fā)明。實(shí)際上，本發(fā)明既定覆蓋這些實(shí)施例的替代方案、修改 及等效物，其包括于隨附權(quán)利要求書所界定的范圍及精神內(nèi)。此外，在本發(fā)明的以下 詳細(xì)說明中，論述許多具體細(xì)節(jié)，以便提供對本發(fā)明的透徹了解。然而，所屬領(lǐng)域的 技術(shù)人員應(yīng)清楚，可在無此類具體細(xì)節(jié)的情況下實(shí)踐本發(fā)明。
現(xiàn)在將參照圖1的流程圖來說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于形成快閃存儲器卡的 方法。所述制作工藝在步驟50中以面板100開始，例如部分顯示于圖2及3中。舉例 來說，用于本發(fā)明的面板100的類型可以是引線框架、印刷電路板("PCB")、用 于巻帶自動接合("TAB")工藝的巻帶或在其上裝配并囊封集成電路的其它熟知的 基底。
在其中面板100是以引線框架為基礎(chǔ)的實(shí)施例中，引線框架100可由平面或大體 平面金屬片來形成，例如銅或銅合金、鍍銅或鍍銅合金、合金42 (42Fe/58Ni)或鍍銅 鋼。引線框架100可由其它金屬及用于引線框架的熟知材料來形成。在其中引線框架 100經(jīng)鍍敷的實(shí)施例中，引線框架100可鍍有銀、金、鎳鈀、銅或其它材料。
在所述集成電路形成在引線框架襯底上的情況下，可在步驟52中通過熟知的制 作工藝(例如，舉例來說化學(xué)蝕刻)來形成每一引線框架的導(dǎo)電跡線及布局。在化學(xué) 蝕刻中，可將光致抗蝕劑膜施加到所述引線框架。然后，可將包含電路小片插板102、 電引線104、接觸墊106及槽110的輪廓的圖案光掩模放置在所述光致抗蝕劑膜上方。 然后可曝光并顯影所述光致抗蝕劑膜以從將要蝕刻的導(dǎo)電層上的區(qū)域移除所述光致抗 蝕劑。下一步使用蝕刻劑(例如，氯化鐵或類似物)來蝕刻掉所述曝光的區(qū)域以在引 線框架100中界定所述圖案。然后可移除所述光致抗蝕劑。已知其它化學(xué)蝕刻工藝。 所述導(dǎo)電跡線可形成用于所述集成電路組件與外部電子裝置之間的電連接的接觸墊、 引線指狀元件或其它外部連接器。
另一選擇為，可使用級進(jìn)模在機(jī)械沖壓工藝中形成引線框架100。如所知曉，機(jī) 械沖壓使用沖模組以在連續(xù)的步驟中機(jī)械地將金屬從金屬帶移除。在其中面板100是PCB的實(shí)施例中，所述PCB可由電介質(zhì)核心形成，所述電介 質(zhì)核心具有在所述核心的頂及/或底表面上形成的一個或一個以上導(dǎo)電層。在此種實(shí)施 例中，如上所述，可在步驟52中在面板100的所述導(dǎo)電層上形成電導(dǎo)圖案，以在安裝 在面板IOO上的組件之間建立電連接。
可在批量工藝中在面板IOO上形成多個離散集成電路02以實(shí)現(xiàn)規(guī)模經(jīng)濟(jì)。在實(shí) 施例中，如圖4所示，可將所述面板形成為50個集成電路的5xl0陣列，但應(yīng)了解， 在替代實(shí)施例中在面板100上形成的集成電路的數(shù)量可大于或小于50。如在下文中所 解釋，在形成于面板IOO上之后，然后可囊封所述集成電路102中的每一者并加以單 個化以形成多個集成電路封裝。
在面板100上形成的每一集成電路102可包括在步驟54中表面安裝到面板100 的一個或一個以上無源組件104。無源組件104的類型及數(shù)量對于本發(fā)明并不關(guān)鍵且 可在替代實(shí)施例中廣泛地變化。在實(shí)施例中，如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟知，無源組 件104可包括物理并電耦合到面板100的電容器及/或電阻器。
本發(fā)明的實(shí)施例可進(jìn)一步包括在步驟56中表面安裝到面板100的發(fā)光二極管 ("LED" ) 108。 LED108可嵌入到成品封裝內(nèi)且具有從所述成品封裝的邊緣發(fā)出光 的有源端。塔基爾(Takiar)等人在2005年5月13日提出申請且標(biāo)題為"裝配具有 LED的半導(dǎo)體裝置的方法(Method Of Assembling Semiconductor Devices With LEDs)" 的第11/129,637號美國實(shí)用專利申請案中說明包括此種LED 108的封裝，此申請案的 全部內(nèi)容以引用的方式并入本文中。可在本發(fā)明的實(shí)施例中省略LED108。
每一集成電路102可進(jìn)一步包括一個或一個以上半導(dǎo)體電路小片114，其在步驟 58中在熟知的粘著或共熔電路小片接合工藝中使用熟知的電路小片附著化合物安裝 到面板IOO。在本發(fā)明的替代實(shí)施例中，半導(dǎo)體電路小片114的數(shù)量及類型可廣泛地 變化。在一個實(shí)施例中，所述一個或一個以上電路小片114可包括快閃存儲器陣列(例 如，NOR、 NAND或其它)、SRAM或DDT、及/或控制器芯片，例如ASIC。涵蓋其 它半導(dǎo)體電路小片。可在步驟60中在熟知的導(dǎo)線接合工藝中通過導(dǎo)線接合116將所述 一個或一個以上電路小片114電連接到面板100。所述電路小片可堆疊為SiP布置、 并排地安裝為MCM布置或以另一封裝配置而粘附。
雖然在圖1的流程圖中將無源組件104、 LED 108及半導(dǎo)體電路小片114的安裝 作為分離的步驟來揭示，但應(yīng)了解，可按不同次序來執(zhí)行這些步驟，且可在替代實(shí)施 例中組合這些步驟中的一者或一者以上。雖然在圖1的流程圖上未明確顯示，但可在 面板100上的多個集成電路102的上述制作期間進(jìn)行各種視覺及自動檢查。
一旦已在面板100上形成多個集成電路102，便可在步驟62中且如圖4所示使用 模制化合物120囊封集成電路102中的每一者。模制化合物120可以是環(huán)氧樹脂，例 如，舉例來說從住友公司(Sumitomo Corp.)及日東電工公司(Nitto Denko Co卬.)購
得的環(huán)氧樹脂，兩個公司總部均在日本。涵蓋來自其它制造商的其它模制化合物。可 根據(jù)各種工藝(包括通過轉(zhuǎn)移模制或注入模制技術(shù))來施加所述模制化合物以囊封集 成電路102中的每一者。
某些集成電路封裝(例如，用于SD卡的那些集成電路封裝)具有不規(guī)則形狀。 舉例來說，如圖6所示，囊封在面板100上的集成電路封裝中的每一者在成品封裝中 包括斜面144及大體矩形凹口 146。根據(jù)本發(fā)明的方面，可使不形成成品半導(dǎo)體封裝 的部分的不規(guī)則狀部分(例如，斜面144及凹口 146)在步驟62的囊封工藝期間沒有 模制化合物?？墒褂酶鞣N方法來使面板100的所選擇區(qū)域沒有模制化合物。
舉例來說，圖5圖解說明上及下模帽沖模板160及162。如圖所示，上模帽沖模 板160包括突出部分164a及164b,其在形狀及位置上分別匹配斜面144及凹口 146 的形狀及位置。在所述模制工藝期間，可將面板100 (在圖5中從底部觀看)放在模 帽沖模板160、 162之間。當(dāng)將所述沖模板合在一起且將所述模制化合物引入所述板之 間時(shí)，突出部分164a及164b接觸面板100的上側(cè)并防止模制化合物在對應(yīng)于斜面144 及凹口 146的區(qū)域中沉積。因此，成品經(jīng)囊封面板IOO在對應(yīng)于所述斜面及凹口的區(qū) 域中無模制化合物。應(yīng)了解，可在上模帽沖模板160上形成任何突出部分圖案以在面 板100上形成任何對應(yīng)的模制化合物圖案。所述無模制化合物的區(qū)域可具有直線邊緣、 曲線邊緣、不規(guī)則狀邊緣或直線、曲線及/或不規(guī)則狀邊緣中的一者或一者以上的組合。 應(yīng)進(jìn)一步了解，除上模帽沖模板160上的突出部分之外，可通過方法在面板100上形 成所需的模制化合物圖案。
上述及圖5中部分顯示的模制工藝62可用于模制襯底(例如，印刷電路板)， 印刷電路板可在所述板的一個側(cè)上接納模制。應(yīng)了解，舉例來說，(例如)在所述襯 底是引線框架的情況下，所述襯底可在所述襯底的兩個側(cè)上接納模制化合物。在此種 實(shí)施例中，下沖模板162還可形成有突出部分164a及16b，其是在上沖模板160上形 成的那些突出部分的鏡像。因此，在所述襯底的頂及底表面兩者上界定上覆區(qū)域，其 無模制化合物并可如下文所述加以沖孔。
在模制步驟62之后，可在步驟64中將標(biāo)記施加到模制化合物120。舉例來說， 所述標(biāo)記可以是印在每一集成電路102的模制化合物120的表面上的標(biāo)識或其它信息。 舉例來說，所述標(biāo)記可指示裝置的制造商及/或類型?？稍诒景l(fā)明的替代實(shí)施例中省略 標(biāo)記步驟64。
根據(jù)本發(fā)明的其它方面，可在步驟66將在步驟62的模制工藝之后未經(jīng)囊封的區(qū) 域沖孔出來，如由圖6中的面板100的局部視圖中的陰影區(qū)域所指示。特定來說，使 用熟知的沖孔及沖模壓制，可從所述面板沖孔在所述囊封工藝之后仍暴露的區(qū)域以在 成品封裝中界定斜面144、凹口 146及/或其它省略的形狀?？梢淮我粋€、 一次一行或 一列或者一次一個二維陣列地沖孔所述斜面、凹口或其它區(qū)域。如在所屬技術(shù)中所熟
知，可將所述面板向前移動穿過沖孔工具?？赏ㄟ^在面板1oo的外圍周圍形成的基準(zhǔn) 凹口或孔168 (圖5)來光學(xué)識別將要沖孔區(qū)域的位置。
在實(shí)施例中，面板100的選擇性囊封允許僅在那些無模制組合物的面板區(qū)域上執(zhí) 行所需要的沖孔。即，作為所述選擇性囊封工藝的結(jié)果，可將所述面板沖孔以在成品 封裝中界定斜面144、凹口 146或其它形狀而不必沖孔穿過所述面板上的模制化合物。 應(yīng)了解，在替代實(shí)施例中，可能穿過模制化合物來進(jìn)行某些沖孔，而將要移除的某些 區(qū)域可能包括模制化合物。在實(shí)施例中，在面板100上沖孔出來的區(qū)域的形狀及位置 對應(yīng)于并匹配成品封裝的無模制化合物的區(qū)域的形狀及位置。應(yīng)了解，在實(shí)施例中， 從面板100沖孔出來的區(qū)域的形狀不必與無模制化合物的區(qū)域的形狀相同。
雖然將所述沖孔工藝說明為所述集成電路形成并囊封在面板100上之后發(fā)生，但 應(yīng)了解，可在所述集成電路形成在面板100上并加以囊封之前沖孔面板100。在此實(shí) 施例中，在步驟52的在面板100上形成電導(dǎo)圖案之前、期間或之后，可在沖孔工藝中 移除在面板100上形成斜面144、凹口 146的區(qū)域或其它區(qū)域。另一選擇為，可通過 其它工藝(例如，化學(xué)蝕刻所述區(qū)域)來移除在面板100上形成斜面144、凹口 146 的區(qū)域或?qū)⒁瞥钠渌鼌^(qū)域。應(yīng)了解，可在面板100是引線框架、PCB、巻帶或上 面可裝配并囊封集成電路的其它襯底的情況下執(zhí)行在面板100內(nèi)形成用于斜面144、 凹口 146或其它區(qū)域的開口的步驟。
下一步可在步驟68中單個化集成電路102中的每一者。單個化步驟68涉及將面 板100上的集成電路102切割為多個單獨(dú)的集成電路封裝，每一單獨(dú)的集成電路封裝 具有大體矩形形狀(如本文所使用，矩形包括不相等長度的鄰邊或相等長度的鄰邊(即 正方形))。所述半導(dǎo)體封裝包括至少一個外部邊緣，例如斜面144及/或凹口 146， 其不同于所述經(jīng)單個化封裝的大體矩形形狀?？赏ㄟ^沿圖6中部分顯示的筆直切割線 170鋸割進(jìn)行的切割來單個化每一集成電路。如本文所使用，術(shù)語"切割"用于指代 各種切開方法，包括鋸割、激光、水刀切割、沖孔或用于將集成電路102分離為單獨(dú) 的集成電路封裝的其它方法。所述切割可具有約0.3mm的鋸口，但所述鋸口可能窄于 或?qū)捰谔娲鷮?shí)施例中的鋸口。
鋸割通常比經(jīng)常用于在半導(dǎo)體封裝中實(shí)現(xiàn)不規(guī)則或曲線切割形狀的其它切割方 法(舉例來說，例如水刀切割或激光切割)更低廉，消耗時(shí)間更小且需要更少的設(shè)備。 然而，通常僅可沿筆直邊緣進(jìn)行鋸割。通過從所述面板沖孔多個區(qū)域，且然后沿筆直' 邊緣進(jìn)行鋸割，所述筆直邊緣切割中的至少一者與所述經(jīng)沖孔區(qū)域鄰接，本發(fā)明提供 一種用于獲得各種所需形狀中的任一形狀的成品半導(dǎo)體封裝的簡單、有效且具成本效 率的方法。
雖然鋸割在降低成本及復(fù)雜性方面提供優(yōu)點(diǎn)，但應(yīng)了解，在替代實(shí)施例中，可通 過各種切割方法(舉例來說，例如水刀切割、激光切割、水導(dǎo)引激光切割、干媒介切
割及金剛石涂布線)來單個化面板100。水還可與激光切割一起使用以幫助補(bǔ)充或集 中其效果。在標(biāo)題為"用于高效地生產(chǎn)可抽換式外圍卡的方法(Method For Efficiently Producing Removable Peripheral Cards)"的第2004/0259291號已出版美國申請案中揭 示對從面板切割集成電路及從而可實(shí)現(xiàn)的形狀的進(jìn)一步說明，所述申請案受讓予本發(fā) 明的所有者且所述申請案的全部內(nèi)容已以引用的方式并入本文中。應(yīng)了解，在替代實(shí) 施例中，可通過上述工藝之外的其它工藝來形成所述單個化的集成電路。
可通過上述工藝獲得的集成電路("IC")封裝126的實(shí)例顯示在圖7至11中。 圖7是IC封裝126的俯視圖，其從面板100切割而來并包括囊封在上述模制化合物 120內(nèi)的集成電路102。 IC封裝126可包括頂表面132、第一邊緣134、第二邊緣136、 第三邊緣138及所述封裝的外圍周圍的第四邊緣140。圖8至11分別是封裝126的所 述第一至第四邊緣的邊緣圖。圖12是IC封裝126的底表面142的視圖，其顯示用于 在所述成品快閃存儲器卡內(nèi)在所述卡與主電子裝置之間建立電連接的接觸指狀元件 143。在IC封裝126用于SD卡的情況下，可將IC封裝126構(gòu)建為接點(diǎn)柵格陣列(LGA) 封裝。涵蓋其它類型的封裝，例如引腳柵格陣列(PGA)及球柵陣列(BGA)封裝。
如上所解釋，斜面144是形成于第一邊緣134與第四邊緣140之間的角中以符合 如下文更加詳細(xì)地加以解釋的快閃存儲器卡蓋子中的斜面。凹口 146可形成于第二邊 緣136與第三邊緣138之間的角中以用于如下文更加詳細(xì)地加以解釋的快閃存儲器卡 蓋子中的開關(guān)的位置。與現(xiàn)有技術(shù)中發(fā)現(xiàn)的更復(fù)雜的制作工藝相比，可僅使用簡單的 沖孔及筆直邊緣切割工藝來獲得包括斜面144及凹口 146的IC封裝126的形狀。
再次參照圖1的流程圖及圖13-15的視圖，可在步驟70中將完成的IC封裝126 進(jìn)一步裝進(jìn)外部封裝或蓋子(或一對蓋子)150內(nèi)。此種蓋子150可提供IC封裝126 的外部覆蓋并建立外部產(chǎn)品特征。舉例來說，如上所示，IC封裝126可經(jīng)成形以用于 具有標(biāo)準(zhǔn)SD卡蓋子配置及覆蓋區(qū)的SD卡152內(nèi)。在此種實(shí)施例中，蓋子150在第一 對邊緣之間包括斜面154以防止不正確地將所述卡插入主機(jī)裝置上的標(biāo)準(zhǔn)SD卡插槽 內(nèi)。特定來說，每一卡插槽將包括有角度角，其在卡152正確插入時(shí)與斜面154配合， 但在倚靠所述主插槽內(nèi)的有角度角來插入卡152的某些其它角的情況下，將會防止卡 152被完全插入。
如上所示，IC封裝126包括斜面144。 IC封裝126經(jīng)切割以使斜面144完全匹配 并符合斜面154的大小及形狀。同樣，標(biāo)準(zhǔn)SD卡形成有開關(guān)156，其與所述主機(jī)裝置 中的機(jī)構(gòu)協(xié)作以啟用并停用從/到所述卡的讀取/寫入操作。IC封裝126經(jīng)切割，以使 封裝126中的凹口 146經(jīng)大小調(diào)整并定位以在其在其啟用與停用位置之間移動時(shí)不妨 礙開關(guān)156。
在實(shí)施例中，IC封裝126僅占據(jù)卡152內(nèi)的可用空間的小部分。舉例來說，IC 封裝126可具有約2cm的最大長度(在第二邊緣136與第四邊緣140之間)及約lcm
的最大寬度(在第一邊緣134與第三邊緣138之間)。在這些尺寸下，所述IC封裝占 據(jù)卡152中少于二分之一的可用空間。應(yīng)了解，在替代實(shí)施例中，IC封裝126可占據(jù) 卡152內(nèi)多于二分之一的可用空間。
已說明本發(fā)明的實(shí)施例，包括適配于標(biāo)準(zhǔn)SD卡的覆蓋區(qū)內(nèi)的IC封裝。然而，應(yīng) 了解，本發(fā)明的實(shí)施例可替代性地在單個封裝內(nèi)形成SiP、 MCM或其它電子系統(tǒng)以適 配于眾多其它快閃存儲器標(biāo)準(zhǔn)中的外部蓋子或外殼內(nèi)。此類標(biāo)準(zhǔn)包括但不限于小型快 閃、智能媒體、迷你SD卡、MMC、 xD卡、Transflash存儲器卡或存儲器棒。涵蓋其 它裝置。
出于例示及說明的目的已提供對本發(fā)明的以上詳細(xì)說明。并非打算包攬無遺或?qū)?本發(fā)明限定于所揭示的精確形式。根據(jù)以上教示可進(jìn)行許多修改及變更。選擇所說明 的實(shí)施例目的在于最好地解釋本發(fā)明的原理及其實(shí)際應(yīng)用，從而使所屬領(lǐng)域的其他技 術(shù)人員能夠最好地利用各個實(shí)施例中的本發(fā)明且通過所涵蓋的適用于特定用途的各種 修改來最好地利用本發(fā)明。本發(fā)明的范圍既定由本文隨附權(quán)利要求書來界定。
權(quán)利要求
1、一種制作具有大體矩形形狀外部外圍的半導(dǎo)體封裝的方法，所述半導(dǎo)體封裝具有不同于所述大體矩形形狀的至少一個外部邊緣，所述半導(dǎo)體封裝是通過以下步驟從面板而形成(a)將所述面板囊封在模制化合物中，同時(shí)使至少一個區(qū)域沒有模制化合物，及(b)從所述面板沖孔所述至少一個區(qū)域以在所述半導(dǎo)體封裝中界定所述至少一個外部邊緣。
2、 如權(quán)利要求1所述的制作半導(dǎo)體封裝的方法，其進(jìn)一步包含通過穿過所述面板的筆直邊緣切割從所述面板單個化所述半導(dǎo)體封裝的步驟，至少一個筆直邊緣切割 與所述至少一個外部邊緣鄰接。
3、 如權(quán)利要求2所述的制作半導(dǎo)體封裝的方法，所述單個化所述半導(dǎo)體封裝的 步驟包含穿過所述面板進(jìn)行鋸割的步驟。
4、 如權(quán)利要求1所述的制作半導(dǎo)體封裝的方法，所述從所述面板沖孔所述至少 一個區(qū)域的步驟(b)在所述半導(dǎo)體封裝中將所述至少一個外部邊緣形成為斜面。
5、 如權(quán)利要求1所述的制作半導(dǎo)體封裝的方法，所述從所述面板沖孔所述至少 一個區(qū)域的步驟(b)在所述半導(dǎo)體封裝中將所述至少一個外部邊緣形成為凹口。
6、 如權(quán)利要求1所述的制作半導(dǎo)體封裝的方法，所述從所述面板沖孔所述至少 一個區(qū)域的步驟(b)在所述半導(dǎo)體封裝中將所述至少一個外部邊緣形成為曲線、直線及 不規(guī)則形狀邊緣中的至少一者。
7、 如權(quán)利要求1所述的制作半導(dǎo)體封裝的方法，所述從所述面板沖孔所述至少 一個區(qū)域的步驟(b)包含穿過引線框架的至少一個未囊封區(qū)域進(jìn)行沖孔的步驟。
8、 如權(quán)利要求1所述的制作半導(dǎo)體封裝的方法，所述從所述面板沖孔所述至少 一個區(qū)域的步驟(b)包含穿過印刷電路板的至少一個未囊封區(qū)域進(jìn)行沖孔的步驟。
9、 如權(quán)利要求1所述的制作半導(dǎo)體封裝的方法，所述將所述面板囊封于模制化 合物中同時(shí)使鄰近所述至少一個外部邊緣的至少一個區(qū)域沒有模制化合物的步驟(a) 包含將所述面板放置在一對模帽沖模板之間，所述模帽沖模板中的一者包括用于接觸 所述面板以界定所述沒有模制化合物的至少一個區(qū)域的至少一個突出部分。
10、 一種從集成電路的面板制作半導(dǎo)體封裝的方法，其包含以下步驟(a) 囊封所述面板，使所述面板的多個部分無模制化合物；(b) 從所述面板沖孔所述無模制化合物的多個部分以在所述面板中形成通孔；及(c) 從所述面板單個化所述多個半導(dǎo)體封裝，在所述從所述面板單個化所述多 個半導(dǎo)體封裝的步驟(c)之后，所述多個通孔形成所述多個半導(dǎo)體封裝的所述外部外圍的區(qū)段。
11、 如權(quán)利要求10所述的制作半導(dǎo)體封裝的方法，所述單個化所述多個半導(dǎo)體 封裝的步驟(c)包含穿過所述面板進(jìn)行鋸割的步驟。
12、 如權(quán)利要求10所述的制作半導(dǎo)體封裝的方法，在所述從所述面板單個化所 述多個半導(dǎo)體封裝的步驟(c)之后，所述多個通孔在所述多個半導(dǎo)體封裝的所述外部外 圍中形成斜面。
13、 如權(quán)利要求10所述的制作半導(dǎo)體封裝的方法，在所述從所述面板單個化所 述多個半導(dǎo)體封裝的步驟(c)之后，所述多個通孔在所述多個半導(dǎo)體封裝的所述外部外 圍中形成凹口。
14、 如權(quán)利要求10所述的制作半導(dǎo)體封裝的方法，在所述從所述面板單個化所 述多個半導(dǎo)體封裝的步驟(c)之后，所述多個通孔在所述多個半導(dǎo)體封裝的所述外部外 圍中形成曲線、直線及不規(guī)則形狀邊緣中的至少一者。
15、 如權(quán)利要求10所述的制作半導(dǎo)體封裝的方法，所述從所述面板沖孔所述至 少一個區(qū)域的步驟(b)在所述半導(dǎo)體封裝中將所述至少一個外部邊緣形成為曲線、直線 及不規(guī)則形狀邊緣中的至少一者。
16、 一種從集成電路的面板制作半導(dǎo)體封裝的方法，其包含以下步驟(a)在所述面板的第一部分中形成通孔，所述通孔界定所述半導(dǎo)體封裝的外 部邊緣的第一區(qū)段；及(b) 沿直線切割所述面板的第二部分以界定所述半導(dǎo)體封裝的所述外部邊 緣的與所述第一區(qū)段鄰接的第二區(qū)段。
17、 如權(quán)利要求16所述的從集成電路制作半導(dǎo)體封裝的方法，其進(jìn)一步包含用 模制化合物囊封所述面板的步驟，所述囊封步驟使所述面板的所述第一部分沒有模制 化合物。
18、 如權(quán)利要求16所述的從集成電路制作半導(dǎo)體封裝的方法，所述在所述面板 的第一部分中形成通孔的步驟(a)在所述半導(dǎo)體封裝的所述外部邊緣中界定斜面。
19、 如權(quán)利要求16所述的從集成電路制作半導(dǎo)體封裝的方法，所述在所述面板 的第一部分中形成通孔的步驟(a)在所述半導(dǎo)體封裝的所述外部邊緣中界定凹口 。
20、 如權(quán)利要求16所述的從集成電路制作半導(dǎo)體封裝的方法，其中所述半導(dǎo)體 封裝的所述外部邊緣的所述第一區(qū)段具有曲線及不規(guī)則形狀中的至少一者。
21、 如權(quán)利要求16所述的從集成電路制作半導(dǎo)體封裝的方法，所述在所述面板 的第一區(qū)段中形成通孔的步驟(a)包含穿過所述面板進(jìn)行沖孔的步驟。
22、 如權(quán)利要求16所述的從集成電路制作半導(dǎo)體封裝的方法，所述在所述面板 的第一區(qū)段中形成通孔的步驟(a)包含穿過所述面板進(jìn)行蝕刻的步驟。
23、 一種快閃存儲器卡，其包括從集成電路的面板形成的半導(dǎo)體封裝，所述快閃 存儲器卡是通過包含以下步驟的工藝而形成(a) 用模制化合物囊封所述面板，使所述面板的一部分無模制化合物；(b) 從所述面板沖孔所述面板的所述無模制化合物的部分以在所述面板中形成 通孔；(c) 從所述面板單個化所述半導(dǎo)體封裝，在所述從所述面板單個化所述半導(dǎo)體 封裝的步驟(c)之后，所述通孔形成所述半導(dǎo)體封裝的所述外部外圍的區(qū)段；及(d) 將所述半導(dǎo)體封裝裝入一個或一個以上蓋子內(nèi)。
24、 如權(quán)利要求23所述的快閃存儲器卡，所述半導(dǎo)體封裝包含引線框架。
25、 如權(quán)利要求23所述的快閃存儲器卡，所述半導(dǎo)體封裝包含印刷電路板。
26、 如權(quán)利要求23所述的快閃存儲器卡，所述快閃存儲器卡包含安全數(shù)字(SD)卡。
27、 如權(quán)利要求23所述的快閃存儲器卡，所述快閃存儲器卡包含小型快閃、智 能媒體、迷你SD卡、MMC、 xD卡、Transflash存儲器卡及存儲器棒中的一者。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種用于通過從集成電路的面板沖孔及切割封裝的工藝來形成半導(dǎo)體封裝的方法。在用于將所述封裝囊封到模制化合物中的囊封工藝期間，可使所述面板的部分沒有模制化合物。隨后可從所述面板沖孔所述面板的沒有模制化合物的部分。這些經(jīng)沖孔的區(qū)域可在成品半導(dǎo)體封裝的外部邊緣中界定斜面、凹口或各種其它曲線、直線或不規(guī)則的形狀。在將所述面板沖孔之后，可將所述集成電路單個化。通過從所述面板沖孔區(qū)域，且然后沿筆直邊緣進(jìn)行切割，本發(fā)明揭示一種用于獲得各種所需形狀的成品半導(dǎo)體封裝的簡單、有效且具成本效率的方法。
文檔編號H01L21/56GK101341586SQ200680044334
公開日2009年1月7日 申請日期2006年11月1日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月2日
發(fā)明者什里卡·巴加斯, 赫姆·塔克亞爾, 邱錦泰 申請人:桑迪士克股份有限公司