快閃存儲(chǔ)器及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種快閃存儲(chǔ)器及其制作方法。其中一種快閃存儲(chǔ)器的制造方法包括：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，所述存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)包括：第一介質(zhì)層、在第一介質(zhì)層上的浮柵、在浮柵上的第二介質(zhì)層、在第二介質(zhì)層上的控制柵；在所述存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成保護(hù)層；形成保護(hù)層后，在所述存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)周圍形成側(cè)墻；所述保護(hù)層用于防止所述存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與形成側(cè)墻的物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)。采用本發(fā)明的快閃存儲(chǔ)器的制造方法提高了快閃存儲(chǔ)器的讀、寫和擦除效率能力。
【專利說明】 快閃存儲(chǔ)器及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別涉及快閃存儲(chǔ)器及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在目前的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，集成電路產(chǎn)品主要可分為三大類型:邏輯、存儲(chǔ)器和模擬電路，其中存儲(chǔ)器件在集成電路產(chǎn)品中占了相當(dāng)大的比例。而在存儲(chǔ)器件中，近年來快閃存儲(chǔ)器(flash memory)的發(fā)展尤為迅速。它的主要特點(diǎn)是在不加電的情況下能長期保持存儲(chǔ)的信息，具有集成度高、較快的存取速度、易于擦除和重寫等多項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)，因而在微機(jī)、自動(dòng)化控制等多項(xiàng)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。
[0003]在各種各樣的快閃存儲(chǔ)器件中，基本分為兩種類型:疊柵器件和分柵器件，疊柵器件具有浮柵和控制柵，其中，控制柵位于浮柵上方，制造疊柵器件的方法比制造分柵器件簡單，但是電路設(shè)計(jì)較復(fù)雜。分柵結(jié)構(gòu)的一個(gè)控制柵同時(shí)作為選擇晶體管(Selecttransistor),電路設(shè)計(jì)相對(duì)簡單。
[0004]閃存的標(biāo)準(zhǔn)物理結(jié)構(gòu)稱為閃存單元(bit)。以疊柵器件為例，閃存單元的結(jié)構(gòu)與常規(guī)MOS晶體管不同。常規(guī)的MOS晶體管的柵極(gate)和導(dǎo)電溝道間由柵極絕緣層隔開，一般為氧化層(oxide);而閃存單元在控制柵(CG control gate，相當(dāng)于常規(guī)的MOS晶體管的柵極)與導(dǎo)電溝道間還多了一層物質(zhì)，稱之為浮柵(FG:floating gate)。由于浮柵的存在，使閃存可以完成三種基本操作模式:即讀、寫、擦除。即便在沒有電源供給的情況下，浮棚的存在可以保持存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的完整性。
[0005]在
【發(fā)明者】吳兵 申請(qǐng)人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司