1.一種三維存儲器，其特征在于，包括：
襯底，所述襯底包括相鄰的器件區(qū)和連接區(qū)；
位于所述器件區(qū)和連接區(qū)襯底上的多個分立的疊層結構，所述疊層結構包括多層重疊的柵極；
位于相鄰疊層結構之間的器件區(qū)襯底上的隔離層；
位于所述連接區(qū)襯底上的連接結構，所述連接結構連接相鄰的疊層結構，所述連接結構包括多層重疊的電連接層，各層電連接層兩端分別連接相鄰疊層結構中位于同一層的柵極；
分別位于各層柵極表面的若干插塞，各插塞與所接觸的柵極、與所接觸柵極位于同一層的柵極、以及與所接觸柵極位于同一層的電連接層電連接。
2.如權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述電連接層與所述柵極的材料相同。
3.如權利要求2所述的三維存儲器，其特征在于，所述電連接層與所述柵極的材料為鎢、鋁或銅。
4.如權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述疊層結構還包括：位于相鄰柵極之間的第一絕緣層；所述連接結構還包括：位于相鄰電連接層之間的第二絕緣層。
5.如權利要求4所述的三維存儲器，其特征在于，所述第一絕緣層和第二絕緣層的材料為氧化硅。
6.如權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述襯底還包括溝道區(qū)，所述溝道區(qū)與所述連接區(qū)或器件區(qū)相鄰；所述疊層結構還延伸至所述溝道區(qū)襯底上；
所述三維存儲器還包括：位于所述溝道區(qū)襯底上的若干溝道插塞，所述溝道插塞貫穿所述疊層結構。
7.如權利要求6所述的三維存儲器，其特征在于，還包括：位于所述柵極與溝道插塞之間的柵介質層。
8.一種三維存儲器的形成方法，其特征在于，包括：
提供襯底，所述襯底包括相鄰的器件區(qū)和連接區(qū)；
在所述器件區(qū)和連接區(qū)襯底上形成多個分立的疊層結構和位于相鄰疊層結構之間器件區(qū)襯底上的隔離層，所述疊層結構包括多層重疊的柵極；
在所述連接區(qū)襯底上形成連接結構，所述連接結構連接相鄰的疊層結構，所述連接結構包括多層重疊的電連接層，各層電連接層兩端分別連接相鄰疊層結構中位于同一層的柵極；
在各層柵極表面形成若干插塞，各插塞與所接觸的柵極、與所接觸柵極位于同一層的柵極、以及與所接觸柵極位于同一層的電連接層電連接。
9.如權利要求8所述的三維存儲器的形成方法，其特征在于，所述疊層結構還包括：位于相鄰柵極之間的絕緣層；所述連接結構還包括：位于相鄰電連接層之間的絕緣層；
形成所述疊層結構和連接結構的步驟包括：在所述器件區(qū)和連接區(qū)襯底上形成復合層，所述復合層包括交錯重疊的若干層絕緣層和若干層犧牲層；對所述復合層進行圖形化，去除器件區(qū)的部分復合層形成溝槽，所述溝槽在垂直于所述襯底表面的方向上貫穿所述復合層，且所述溝槽的延伸方向垂直于所述器件區(qū)與連接區(qū)交界線方向；在所述溝槽中形成隔離層；形成所述隔離層之后，去除所述器件區(qū)和連接區(qū)的犧牲層，在相鄰絕緣層之間形成若干凹槽；在所述器件區(qū)和連接區(qū)的若干凹槽中形成柵極層，器件區(qū)的柵極層和鄰近所述隔離層的連接區(qū)柵極層構成所述柵極，連接所述連接區(qū)柵極的柵極層構成所述電連接層。
10.如權利要求9所述的三維存儲器的形成方法，其特征在于，對所述復合層進行圖形化的步驟包括：在所述復合層上形成掩膜層，所述掩膜層覆蓋所述連接區(qū)復合層以及所述器件區(qū)的部分復合層；以所述掩膜層為掩膜對所述復合層進行刻蝕。
11.如權利要求10所述的三維存儲器的形成方法，其特征在于，對所述復合層進行刻蝕的工藝包括干法刻蝕工藝或濕法刻蝕工藝。
12.如權利要求9所述的三維存儲器的形成方法，其特征在于，形成柵極層之前，還包括：在所述器件區(qū)和連接區(qū)凹槽的底部和側壁表面形成柵介質層。
13.如權利要求9所述的三維存儲器的形成方法，其特征在于，所述襯底還包括溝道區(qū)，所述溝道區(qū)與所述器件區(qū)或連接區(qū)相鄰；所述疊層結構還延伸至所述溝道區(qū)襯底上；
去除所述器件區(qū)和連接區(qū)的犧牲層之前，所述形成方法還包括：在所述溝道區(qū)的復合層中形成溝道插塞，所述溝道插塞貫穿所述疊層結構。
14.如權利要求9所述的三維存儲器的形成方法，其特征在于，所述絕緣層的材料為氧化硅；所述犧牲層的材料為多晶硅、多晶鍺或氮化硅；所述柵極層的材料為鎢、鋁或銅。
15.如權利要求9所述的三維存儲器的形成方法，其特征在于，去除所述器件區(qū)和連接區(qū)的犧牲層的工藝包括各向同性干法刻蝕工藝或濕法刻蝕工藝。
16.如權利要求9所述的三維存儲器的形成方法，其特征在于，形成所述柵極層的工藝包括化學氣相沉積工藝。
17.如權利要求8所述的三維存儲器的形成方法，其特征在于，所述電連接層的材料為鎢、鋁或銅。