本發(fā)明涉及一種包括碳化硅(SiC)的半導(dǎo)體器件及其制造方法。

背景技術(shù)：

典型地，當(dāng)大量電流流動(dòng)時(shí)，需要功率半導(dǎo)體器件具有低導(dǎo)通電阻或低飽和電壓以在導(dǎo)電狀態(tài)下減少功耗。進(jìn)一步地，功率半導(dǎo)體器件在其p-型和n-型(PN)結(jié)處具有反方向的高壓，該反方向的高壓可以在功率半導(dǎo)體器件斷開(kāi)或在開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)被施加到功率半導(dǎo)體器件的兩端以具有高擊穿電壓特性。當(dāng)滿足電和物理?xiàng)l件的各種功率半導(dǎo)體器件被封裝在一個(gè)模塊中時(shí)，包括在經(jīng)封裝的模塊中的半導(dǎo)體器件的數(shù)量和其電氣規(guī)格可以基于系統(tǒng)狀況而改變。

通常，三相功率半導(dǎo)體模塊用于產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)的洛倫茲力。具體地，三相功率半導(dǎo)體模塊調(diào)節(jié)施加到電動(dòng)機(jī)的電流和功率以確定電動(dòng)機(jī)的驅(qū)動(dòng)狀態(tài)。雖然傳統(tǒng)的硅絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和硅二極管已經(jīng)被包括在并用于三相半導(dǎo)體模塊中，但該三相半導(dǎo)體模塊通常包括碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和碳化硅二極管以使功耗最小化并提高其開(kāi)關(guān)速度。當(dāng)硅IGBT或碳化硅MOSFET被連接到獨(dú)立的二極管時(shí)，需要多個(gè)導(dǎo)線用于連接。由于由多個(gè)導(dǎo)線產(chǎn)生寄生電容和電感，因此可能降低模塊的開(kāi)關(guān)速度。

在本節(jié)中公開(kāi)的上述信息僅用于增強(qiáng)對(duì)本發(fā)明背景的理解，并因此其可能包含沒(méi)有形成在該國(guó)對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種包括MOSFET區(qū)和二極管區(qū)的碳化硅(SiC)半導(dǎo)體器件。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件可以包括設(shè)置在n+型碳化硅襯底的第一表面中的n-型層，設(shè)置在n-型層中的溝槽以及設(shè)置在n-型層和溝槽的側(cè)面處的n+型區(qū)和第一p型區(qū)。半導(dǎo)體器件可以還包括設(shè)置在n-型層并與第一p型區(qū)隔開(kāi)的多個(gè)第二p型區(qū)。柵極可以包括設(shè)置在溝槽的第一柵極和從第一柵極延伸的多個(gè)第二柵極。源極可以設(shè)置在柵極上并可以與柵極絕緣。漏極可以設(shè)置在n+型碳化硅襯底的第二表面上。多個(gè)第二p型區(qū)可以彼此隔開(kāi)。源極可以接觸多個(gè)第二p型區(qū)且n-型層可以設(shè)置在多個(gè)第二p型區(qū)之間。

多個(gè)第二柵極可以從第一柵極延伸至毗鄰第一p型區(qū)的第二p型區(qū)的上部。半導(dǎo)體器件可以還包括設(shè)置在第一柵極和多個(gè)第二柵極下方的柵絕緣層。柵絕緣層可以設(shè)置在第一柵極和溝槽之間，以及在多個(gè)第二柵極和n+型區(qū)、第一p型區(qū)及毗鄰第一p型區(qū)的第二p型區(qū)的上部之間。多個(gè)第二柵極可以彼此隔開(kāi)。

n-型層、第一p型區(qū)和多個(gè)第二p型區(qū)可以設(shè)置在多個(gè)第二柵極之間。肖特基電極可以接觸到設(shè)置在多個(gè)第二柵極之間的n-型層、第一p型區(qū)和多個(gè)第二p型區(qū)。第一p型區(qū)可以圍繞溝槽的角，并可以延伸到溝槽角的底面。

本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其可以包括：在n+型碳化硅襯底的第一表面上形成n-型層，通過(guò)將p離子注入到n-型層中形成彼此隔開(kāi)的第一預(yù)備p型區(qū)和多個(gè)第二p型區(qū)，以及通過(guò)將n+離子注入到第一預(yù)備p型區(qū)中來(lái)形成預(yù)備n+型區(qū)。該方法可以還包括：通過(guò)蝕刻預(yù)備n+型區(qū)的一部分、第一預(yù)備p型區(qū)的一部分和n-型層的一部分來(lái)形成溝槽，通過(guò)將p離子注入到溝槽的側(cè)面中來(lái)完成第一p型區(qū)，并通過(guò)將n+離子注入到溝槽的側(cè)面中來(lái)完成n+型區(qū)。

此外，所述方法可以包括：在n+型區(qū)、第一p型區(qū)和毗鄰第一p型區(qū)的第二p型區(qū)上并在溝槽處形成柵絕緣層；在柵絕緣層上形成柵極；在柵極上形成氧化物層，在氧化物層和多個(gè)第二p型區(qū)上形成源極，和在n+型碳化硅襯底的第二表面上形成漏極。多個(gè)第二p型區(qū)可以彼此隔開(kāi)，且源極可以在設(shè)置于多個(gè)第二p型區(qū)之間的n-型層上形成。

柵極可以包括形成于溝槽內(nèi)的第一柵極，和從第一柵極延伸的第二柵極，并且該第二柵極可以在與n+型區(qū)、第一p型區(qū)和毗鄰第一p型區(qū)的第二p型區(qū)對(duì)應(yīng)的部分中形成。具體地，第一p型區(qū)可以包括可以通過(guò)傾斜離子注入方法被注入的p離子。n+型區(qū)可以包括通過(guò)傾斜離子注入方法可以被注入的n+離子。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，由于MOSFET區(qū)和二極管區(qū)可以被包括在半導(dǎo)體器件中，因此半導(dǎo)體器件不需要連接MOSFET器件和二極管器件的導(dǎo)線。因此，可以減小半導(dǎo)體器件的尺寸。進(jìn)一步地，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，由于MOSFET區(qū)和二極管區(qū)可以被包括在一個(gè)沒(méi)有導(dǎo)線的半導(dǎo)體器件中，因此可以提高該半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)速度。

附圖說(shuō)明

本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將在結(jié)合附圖時(shí)從下面詳細(xì)描述中得到更清楚地理解，在附圖中：

圖1示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示例性布局圖；

圖2示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的沿圖1的線II-II截取的示例性橫截面圖；

圖3示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的沿圖1的線III-III截取的示例性橫截面圖；

圖4至圖8分別示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的示例性示意圖；和

圖9至圖11分別示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的示例性示意圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明

100：n+型碳化硅襯底

200：n-型層

310：第一p型區(qū)

320：第二p型區(qū)

400：n+型區(qū)

500：溝槽

600：柵絕緣層

700：柵極

710：第一柵極

720：第二柵極

800：源極

900：漏極

具體實(shí)施方式

下面將參考示出了本公開(kāi)的示例性實(shí)施例的附圖更加完整地描述本公開(kāi)。然而，應(yīng)該理解，本公開(kāi)不限于所公開(kāi)的實(shí)施例，相反地，其旨在覆蓋各種修改。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識(shí)到的，可以以各種不同的方式修改所描述的示例性實(shí)施例，這些修改都不脫離本公開(kāi)的精神或范圍。相反地，本發(fā)明旨在不僅覆蓋示例性實(shí)施例，也覆蓋可包括在由所附權(quán)利要求書(shū)所限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的各種替換、修改、等價(jià)物和其他實(shí)施例。

在附圖中，為了清楚起見(jiàn)將層、薄膜、面板、區(qū)域等的厚度進(jìn)行了放大。應(yīng)該理解，當(dāng)元件諸如層、薄膜、區(qū)域或襯底被稱作“在”另一個(gè)元件上時(shí)，其可以直接地在其他元件上或也可以存在插入元件。

在本文中使用的術(shù)語(yǔ)僅用于描述特別實(shí)施例并且不意圖限制本發(fā)明。如在本文中使用，單數(shù)形式“一個(gè)”、“一種”和“該”意圖同樣包括復(fù)數(shù)形式，除上下文以其他方式明確表明之外。進(jìn)一步理解術(shù)語(yǔ)“包括”和/或“包含”，在本說(shuō)明書(shū)中使用時(shí)，指定已陳述特征、整體、步驟、操作、要素和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或多個(gè)其他特征、整體、步驟、操作、要素、部件和/或其集合的存在或添加。如在本文中使用，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括相關(guān)聯(lián)的列出條目中的一個(gè)或多個(gè)的任何與全部組合。例如，為了使本發(fā)明的描述清楚，無(wú)關(guān)的部分未被示出，且為了清楚起見(jiàn)放大了層和區(qū)域的厚度。進(jìn)一步地，當(dāng)陳述一個(gè)層“在”另一個(gè)層或襯底上時(shí)，該層可以直接地在另一層或襯底上或第三層可以設(shè)置在它們之間。

除非特別說(shuō)明或從上下文明顯看出，如在本文中使用，術(shù)語(yǔ)“約”可以理解為在該領(lǐng)域中的正常容差的范圍內(nèi)，例如在平均值的2個(gè)標(biāo)準(zhǔn)偏差內(nèi)?！凹s”可以理解為在所陳述值的10％、9％、8％、7％、6％、5％、4％、3％、2％、1％、0.5％、0.1％、0.05％或0.01％內(nèi)。除非上下文另外清楚地指出，否則在本文中所提供的所有數(shù)值都由術(shù)語(yǔ)“約”來(lái)修飾。

應(yīng)理解術(shù)語(yǔ)“車(chē)輛”或“車(chē)輛的”或如在本文中使用的其他類似術(shù)語(yǔ)一般包括機(jī)動(dòng)車(chē)輛，諸如包括運(yùn)動(dòng)型多用途汽車(chē)(SUV)的乘用車(chē)、公共汽車(chē)、卡車(chē)、各種商業(yè)車(chē)輛、包括各種船只和船舶的水運(yùn)工具、飛行器，等等，并包括混合動(dòng)力車(chē)輛、電動(dòng)車(chē)輛、插入式混合動(dòng)力電動(dòng)車(chē)輛、氫動(dòng)力車(chē)輛以及其他代用燃料車(chē)輛(例如，得自除石油之外的資源的燃料)。

圖1示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示例性布局圖。圖2示出沿圖1的線II-II截取的示例性橫截面圖。圖3示出沿圖1的線III-III截取的橫截面圖。參考圖1至圖3，根據(jù)本示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件可以包括：可彼此毗鄰設(shè)置的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)區(qū)(A)和二極管區(qū)(B)。

現(xiàn)在將具體描述根據(jù)本示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)。根據(jù)本示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件可以包括n+型碳化硅襯底100、n-型層200、p型區(qū)300、n+型區(qū)400、柵極700、源極800和漏極900。

n-型層200可以設(shè)置在n+型碳化硅襯底100的第一表面上，且溝槽500可以設(shè)置在n-型層200上。p型區(qū)300可以設(shè)置在n-型層200中并可以包括設(shè)置在溝槽500的側(cè)面處的第一p型區(qū)310和設(shè)置在二極管區(qū)(B)中的多個(gè)第二p型區(qū)320。第一p型區(qū)310和多個(gè)第二p型區(qū)320可以彼此隔開(kāi)。進(jìn)一步地，多個(gè)第二p型區(qū)320可以彼此隔開(kāi)。

第一p型區(qū)310可以圍繞溝槽500的角，并可以延伸至溝槽500的角的底面。由于這種結(jié)構(gòu)，電場(chǎng)可以集中在第一p型區(qū)310的上部，并可以防止電場(chǎng)集中在溝槽500的角。另外，p+型區(qū)可以設(shè)置在第一p型區(qū)310上。n+型區(qū)400可以設(shè)置在第一p型區(qū)310的一部分上，并可以接觸溝槽500的側(cè)面。例如，n-型層200的頂面、第一p型區(qū)310、第二p型區(qū)320和n+型區(qū)400可以位于相同的線上。

柵絕緣層600可以設(shè)置在溝槽500中。柵絕緣層600可以從溝槽500延伸至毗鄰第一p型區(qū)310的第二p型區(qū)320的上表面。換句話說(shuō)，被延伸的柵絕緣層600可以覆蓋n+型區(qū)400和第一p型區(qū)310的上表面，并可以覆蓋毗鄰第一p型區(qū)310的第二p型區(qū)320的上表面的一部分。

柵極700可以設(shè)置在柵絕緣層600上。柵極700可以包括第一柵極710和多個(gè)從第一柵極710延伸的第二柵極720。第一柵極710可以設(shè)置在設(shè)置于溝槽500內(nèi)的柵絕緣層600上，且第二柵極720可以設(shè)置在經(jīng)延伸的柵絕緣層600上。例如，第一柵極710可被配置成起到溝槽柵極的作用，且第二柵極720可被配置成起到平面柵極(planar gate electrode)的作用。

在示例性平面圖中，第一p型區(qū)310、多個(gè)第二p型區(qū)320和n+型區(qū)400可以在與第一柵極710延伸方向平行的方向上延伸。多個(gè)第二柵極720以預(yù)定間隔彼此隔開(kāi)。換句話說(shuō)，柵絕緣層600和柵極700不會(huì)形成于多個(gè)第二柵極720之間的第一p型區(qū)310和第二p型區(qū)320上。進(jìn)一步地，柵絕緣層600和柵極700不會(huì)形成于多個(gè)第二柵極720之間的n+型區(qū)400的一部分上。

氧化物層610可以設(shè)置在柵極700上。氧化物層610可以覆蓋柵極700的側(cè)面。源極800可以設(shè)置在氧化物層610和多個(gè)第二p型區(qū)320之間的n-型層200上。進(jìn)一步地，源極800可以設(shè)置在多個(gè)第二柵極720之間的第一p型區(qū)310和第二p型區(qū)320以及n-型層200上。源極800可以包括肖特基金屬。

漏極900可以設(shè)置在n+型碳化硅襯底100的第二表面上。另外，漏極900可以包括歐姆金屬。例如，n+型碳化硅襯底100的第二表面可以是n+型碳化硅襯底100的第一表面的相反表面。第二柵極720可以設(shè)置在圖2所示的區(qū)域中，n-型層200、第一p型區(qū)310、n+型區(qū)400、第一柵極710、第二柵極720、源極800和漏極900可以形成MOSFET區(qū)(A)，且n-型層200、第二p型區(qū)320、源極800、漏極900和源極800形成二極管區(qū)(B)。在二極管區(qū)(B)中，源極800可以接觸n-型層200和第二p型區(qū)320。

在如圖3所示未設(shè)置第二柵極720的區(qū)域中，n-型層200、第一p型區(qū)310、n+型區(qū)400、第一柵極710、源極800和漏極900可以形成MOSFET區(qū)(A)。另外，n-型層200、第一p型區(qū)310、第二p型區(qū)320、源極800、漏極900和源極800可以形成二極管區(qū)(B)。在二極管區(qū)(B)中，源極800可以接觸n-型層200、第一p型區(qū)310和第二p型區(qū)320。

MOSFET區(qū)(A)和二極管區(qū)(B)可以被配置成基于電壓被施加到根據(jù)本示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的狀態(tài)來(lái)分別操作。當(dāng)約0V的電壓或等于或小于MOSFET閥值電壓的電壓施加到柵極時(shí)，正電壓可以施加到源極，且約0V的電壓可以施加到漏極，二極管區(qū)(B)操作。當(dāng)?shù)扔诨虼笥贛OSFET閥值電壓的電壓施加到柵極時(shí)，約0V的電壓可以施加到源極，且正電壓可以施加到漏極，從而操作MOSFET區(qū)(A)。這里，閥值電壓可以是2V到7V，但閥值電壓未被指定且可以改變。

當(dāng)MOSFET區(qū)(A)操作時(shí)，在如圖2所示設(shè)置第二柵極720的區(qū)域中，電流可以從第一柵極710下方的n-型層200和從第二柵極720下方的n-型層200輸出。進(jìn)一步地，在如圖3所示未設(shè)置第二柵極720的區(qū)域中，電流可以從第一柵極710下方的n-型層200輸出。當(dāng)二極管區(qū)(B)操作時(shí)，在如圖2所示設(shè)置第二柵極720的區(qū)域中，電流可以從多個(gè)第二p型區(qū)320之間的n-型層200輸出。進(jìn)一步地，在如圖3所示未設(shè)置第二柵極720的區(qū)域中，電流可以從第一p型區(qū)310和第二p型區(qū)320之間的n-型層200和從多個(gè)第二p型區(qū)320之間的n-型層200輸出。

因此，當(dāng)設(shè)計(jì)半導(dǎo)體器件時(shí)，在半導(dǎo)體器件的面積中，通過(guò)調(diào)節(jié)由如圖2所示設(shè)置第二柵極720的區(qū)域所占的面積和由如圖3所示未設(shè)置第二柵極720的區(qū)域所占的面積之比，MOSFET區(qū)(A)和二極管區(qū)(B)的電流量可以被調(diào)節(jié)。具體地，由于MOSFET區(qū)和二極管區(qū)可以包括在根據(jù)本示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中，因此該半導(dǎo)體器件無(wú)需導(dǎo)線來(lái)連接MOSFET器件和二極管器件。因此，可以減小半導(dǎo)體器件的尺寸。進(jìn)一步地，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，由于MOSFET區(qū)和二極管區(qū)可以包括在一個(gè)沒(méi)有導(dǎo)線的半導(dǎo)體器件中，因此可以提高該半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)速度。

在下文中，根據(jù)本示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件、典型的二極管器件和典型的MOSFET器件的特性將參考表1比較并描述。表1表示根據(jù)本示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件、典型二極管器件和典型MOSFET器件各自的模擬結(jié)果。比較例1是典型的二極管器件，且比較例2是典型的MOSFET器件。比較例1和比較例2的半導(dǎo)體器件的面積分別被設(shè)定為約0.5cm²。

本示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的面積可以被設(shè)定為約1cm²，且相對(duì)于其全部面積，如圖2所示可設(shè)置第二柵極的區(qū)域的面積和如圖3所示未設(shè)置第二柵極的區(qū)域的面積可以被分別設(shè)定為約30％和約70％。

(表1)

參考表1，本示例性實(shí)施例和比較例1和比較例2的半導(dǎo)體器件的擊穿電壓基本類似。例如，本示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的二極管區(qū)操作的電流量相對(duì)于比較例1的半導(dǎo)體器件的二極管區(qū)操作的電流量增大約38％。此外，相對(duì)于比較例2的半導(dǎo)體器件的二極管區(qū)操作的電流量，本示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的MOSFET區(qū)操作的電流量增大約37％。

比較例1和比較例2的半導(dǎo)體器件的總面積與本示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的面積相同。具體地，本示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的電流量的總和相對(duì)于比較例1和比較例2的半導(dǎo)體器件的電流量增大約37％。因此，當(dāng)本示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的電流量與比較例1和比較例2的半導(dǎo)體器件的電流量相同時(shí)，相對(duì)于比較例1和比較例2的半導(dǎo)體器件的面積，本示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的面積可以減小約37％。

現(xiàn)在將參考圖4至圖8和圖2描述半導(dǎo)體器件的制造方法。圖4至圖8分別示出圖1的半導(dǎo)體器件的制造方法的示意圖。在本文中，圖4至圖8是關(guān)于可以設(shè)置第二柵極的區(qū)域的制造方法的示例性圖。形成于可以設(shè)置第二柵極的區(qū)域中的組成元件可以形成于未設(shè)置第二柵極的區(qū)域中。

參考圖4，可以制備n+型碳化硅襯底100，且n-型層200可以通過(guò)外延生長(zhǎng)而形成在n+型碳化硅襯底100的第一表面上。參考圖5，可以通過(guò)在使用掩模(未示出)時(shí)將p離子注入到n-型層200中來(lái)形成第一預(yù)備p型區(qū)310a和第二p型區(qū)320。然后可以通過(guò)在使用掩模(未示出)時(shí)將n+離子注入到第一預(yù)備p型區(qū)310a中來(lái)形成預(yù)備n+型區(qū)400a。具體地，第一預(yù)備p型區(qū)310a和第二p型區(qū)320可以被形成為彼此隔開(kāi)。

參考圖6，可以通過(guò)蝕刻第一預(yù)備p型區(qū)310a的一部分、預(yù)備n+型區(qū)400a的一部分和n-型層200的一部分來(lái)形成溝槽500。參考圖7，可以通過(guò)將p離子注入到溝槽500的側(cè)面中來(lái)形成第一p型區(qū)310，然后可以通過(guò)將n+離子注入到溝槽500的側(cè)面中來(lái)形成n+型區(qū)400。具體地，可以通過(guò)傾斜離子注入方法來(lái)注入p離子和n+離子。傾斜離子注入方法可以包括相對(duì)于水平面成小于約90度角的注入角。參考圖8，柵絕緣層600可以形成于溝槽500，然后柵極700可以形成在柵絕緣層600上。

柵絕緣層600可以從溝槽500延伸至毗鄰第一p型區(qū)310的第二p型區(qū)320的上表面，且柵極700可以包括從第一柵極710延伸的第二柵極720。如圖1所示，多個(gè)第二柵極720可以被形成為彼此隔開(kāi)。換句話說(shuō)，柵絕緣層600不會(huì)形成于未設(shè)置第二柵極720的區(qū)域中。接下來(lái)，氧化物層可以被形成在柵極700上。

參考圖1，源極800可以形成于氧化物層610和第二p型區(qū)320上，并且漏極900可以形成于n+型碳化硅襯底100的第二表面上。在如圖4至圖8所示根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法中，溝槽可以在注入p離子和n+離子之后形成，但p離子和n+離子也可以在形成溝槽之后被注入?，F(xiàn)在將參考圖9至圖11和圖1對(duì)此進(jìn)行描述，且圖9至圖11分別示出圖1的半導(dǎo)體器件的制造方法的示例性示意圖。參考圖9，可以制備n+型碳化硅襯底100，n-型層200可以通過(guò)外延生長(zhǎng)而形成在n+型碳化硅襯底100的第一表面上，且然后溝槽500可以通過(guò)在第一掩模50時(shí)蝕刻n-型層200來(lái)形成。

參考圖10，在去除第一掩模50之后，n+型區(qū)400可以通過(guò)使用第二掩模60將n+離子注入在n-型層200上和溝槽500的側(cè)面處來(lái)形成。具體地，可通過(guò)傾斜離子注入方法來(lái)注入n+離子。參考圖11，在去除第二掩模60之后，可以通過(guò)在使用第三掩模70時(shí)將p離子注入在n-型層200上和溝槽500的側(cè)面處來(lái)形成p型區(qū)300。

p型區(qū)300可以包括形成在溝槽500的側(cè)面處的第一p型區(qū)310，并且第二p型區(qū)320可以被形成為與第一p型區(qū)310隔開(kāi)。其后，在去除第三掩模70之后，借助圖8的制造工藝可以形成柵絕緣層600、柵極700和氧化物層610。參考圖1，源極800可以形成在氧化物層610和第二p型區(qū)320上，且漏極900可以形成于n+型碳化硅襯底100的第二表面上。

雖然本發(fā)明已經(jīng)結(jié)合目前認(rèn)為是示例性實(shí)施例的實(shí)施例進(jìn)行了描述，但應(yīng)該理解本發(fā)明不限于所公開(kāi)的示例性實(shí)施例，然而相反地，本發(fā)明意圖覆蓋包括在所附權(quán)利要求書(shū)的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等同配置。