電子存儲器在許多電子系統(tǒng)中用于存儲信息，舉例來說，在例如移動電話、平板計算機(jī)、計算機(jī)、服務(wù)器的電子系統(tǒng)以及包含處理器或具有存儲信息的需要的電子系統(tǒng)中?？赏ㄟ^由存儲器經(jīng)由命令總線接收的存儲器命令(例如寫入命令及讀取命令)控制存儲器?？墒褂脤懭朊顚⒋鎯Φ男畔懭氲酱鎯ζ?，且在稍后時間通過使用讀取命令從存儲器讀取信息而檢索所述信息。

電子系統(tǒng)的電路(包含存儲器)通常根據(jù)共用時鐘操作。如已知，可以不同時鐘頻率(例如相對高時鐘頻率(例如，大于500MHz)以及以較低頻率)操作存儲器，此可降低電力消耗。然而，存儲器可需要具有不同操作條件以用于在不同時鐘頻率下恰當(dāng)操作。即，存儲器操作條件可需要在時鐘頻率改變時改變。在一些情形中，與經(jīng)由命令總線接收存儲器命令相關(guān)的存儲器操作條件應(yīng)在時鐘頻率改變之前經(jīng)改變以便維持與存儲器通信，且使存儲器繼續(xù)恰當(dāng)?shù)夭僮鳌?/p>

通常，存儲器包含存儲各種操作及控制參數(shù)的參數(shù)代碼的模式寄存器，所述參數(shù)代碼用于設(shè)定存儲器的操作條件?？山柚Ｊ郊拇嫫鲗懭氩僮鲗?shù)代碼寫入到模式寄存器。操作及控制參數(shù)的實例包含與突發(fā)長度、前同步碼及后同步碼長度、讀取及寫入等待時間、裸片上終端設(shè)定、參考電壓設(shè)定以及其它相關(guān)的參數(shù)。改變存儲器操作條件可涉及在存儲器可在新條件下(舉例來說，以新時鐘頻率)恰當(dāng)?shù)夭僮髦皩懭氩僮骷翱刂茀?shù)的新參數(shù)代碼。改變各種操作參數(shù)的參數(shù)代碼可需要在存儲器可在新條件下操作時可延遲的數(shù)個模式寄存器寫入操作。另外，可需要同時改變操作參數(shù)中的一些操作參數(shù)的參數(shù)代碼以便維持對存儲器的控制，這使存儲器在新條件下的操作進(jìn)一步復(fù)雜化。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

根據(jù)本發(fā)明的實施例的實例設(shè)備可包含：第一模式寄存器，其可經(jīng)配置以存儲同一操作參數(shù)的第一及第二參數(shù)代碼；及第二模式寄存器，其可經(jīng)配置以存儲控制參數(shù)的參數(shù)代碼，所述參數(shù)代碼用以在所述第一與第二參數(shù)代碼之間進(jìn)行選擇以針對所述操作參數(shù)設(shè)定當(dāng)前操作條件。

根據(jù)本發(fā)明的實施例的另一實例設(shè)備可包含：第一模式寄存器，其包含可經(jīng)配置以存儲操作參數(shù)的第一參數(shù)代碼的第一寄存器且進(jìn)一步包含可經(jīng)配置以存儲所述操作參數(shù)的第二參數(shù)代碼的第二寄存器；第二模式寄存器，其包含可經(jīng)配置以存儲控制參數(shù)的參數(shù)代碼的第三寄存器，所述參數(shù)代碼用以在由所述第一寄存器存儲的所述第一參數(shù)代碼與由所述第二寄存器存儲的所述第二參數(shù)代碼之間進(jìn)行選擇以設(shè)定當(dāng)前存儲器操作條件；及控制邏輯電路，其耦合到所述第一及第二模式寄存器且經(jīng)配置以基于由所述第三寄存器存儲的所述控制參數(shù)的所述參數(shù)代碼而依據(jù)所述操作參數(shù)的所述所存儲參數(shù)代碼來設(shè)定所述當(dāng)前存儲器操作條件。

根據(jù)本發(fā)明的實施例的又一實例設(shè)備可包含:存儲器，其可經(jīng)配置而被設(shè)定到當(dāng)前操作條件，所述存儲器可包含：模式寄存器，其可經(jīng)配置以存儲同一操作參數(shù)的第一及第二參數(shù)代碼以針對所述操作參數(shù)分別設(shè)定第一及第二操作條件；及控制邏輯電路，其可耦合到第一模式寄存器且可經(jīng)配置以基于控制參數(shù)的具有第一邏輯值的參數(shù)代碼而使用所述操作參數(shù)的所述第一參數(shù)代碼將所述當(dāng)前操作條件設(shè)定為所述第一操作條件，并可基于所述控制參數(shù)的具有第二邏輯值的所述參數(shù)代碼而使用所述操作參數(shù)的所述第二參數(shù)代碼將所述當(dāng)前操作條件設(shè)定為所述第二操作條件；及存儲器控制器，其可耦合到所述存儲器且可經(jīng)配置以將所述操作參數(shù)的所述第一及第二參數(shù)代碼寫入于所述模式寄存器中且可進(jìn)一步經(jīng)配置以寫入所述控制參數(shù)的所述參數(shù)代碼以將所述存儲器的所述當(dāng)前操作條件設(shè)定為所述第一或第二操作條件。

根據(jù)本發(fā)明的實施例的一種實例方法可包含：將操作參數(shù)的用于設(shè)定第一存儲器操作條件的第一參數(shù)代碼存儲于與模式寄存器相關(guān)聯(lián)的第一寄存器中；及將所述操作參數(shù)的用于設(shè)定第二存儲器操作條件的第二參數(shù)代碼存儲于與所述模式寄存器相關(guān)聯(lián)的第二寄存器中。

根據(jù)本發(fā)明的實施例的另一實例方法可包含：將操作參數(shù)的用于設(shè)定第一存儲器操作條件的第一參數(shù)代碼寫入到與模式寄存器相關(guān)聯(lián)的第一寄存器；及將所述操作參數(shù)的用于設(shè)定第二存儲器操作條件的第二參數(shù)代碼寫入到與所述模式寄存器相關(guān)聯(lián)的第二寄存器。

根據(jù)本發(fā)明的實施例的又一實例方法可包含：針對存儲器的第一操作條件確定操作參數(shù)的第一參數(shù)代碼；將所述操作參數(shù)的所述第一參數(shù)代碼寫入到所述存儲器的第一寄存器；針對所述存儲器的第二操作條件確定所述操作參數(shù)的第二參數(shù)代碼；及將所述操作參數(shù)的所述第二參數(shù)代碼寫入到所述存儲器的第二寄存器。

附圖說明

圖1A是根據(jù)本發(fā)明的實施例的包含存儲器的設(shè)備的框圖。圖1B是根據(jù)本發(fā)明的實施例的包含存儲器控制器且進(jìn)一步包含存儲器的設(shè)備的框圖。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的實施例的存儲器的模式寄存器的框圖。

圖3A是根據(jù)本發(fā)明的實施例的存儲針對第一設(shè)定點的操作參數(shù)的參數(shù)代碼的寄存器的圖式。圖3B是根據(jù)本發(fā)明的實施例的存儲針對第二設(shè)定點的操作參數(shù)的參數(shù)代碼的寄存器的圖式。

圖4是根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于將操作參數(shù)的參數(shù)代碼寫入到模式寄存器的流程圖。

圖5是根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于在與不同操作條件相關(guān)聯(lián)的不同操作設(shè)定點之間進(jìn)行選擇的流程圖。

圖6是根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于針對兩個不同存儲器操作條件寫入操作參數(shù)的參數(shù)代碼的流程圖。

圖7是根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于寫入操作參數(shù)的參數(shù)代碼的流程圖。

具體實施方式

下文陳述某些細(xì)節(jié)以提供對本發(fā)明的實施例的充分理解。然而，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將明了，可在不具有這些特定細(xì)節(jié)的情況下實踐本發(fā)明的實施例。此外，本文中所描述的本發(fā)明的特定實施例以實例方式提供且不應(yīng)用于將本發(fā)明的范圍限制于這些特定實施例。在其它實例中，未詳細(xì)展示眾所周知的電路、控制信號、定時協(xié)議及軟件操作以避免不必要地使本發(fā)明模糊。

圖1A說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的包含存儲器100的設(shè)備。如本文中所使用，設(shè)備可以指(舉例來說)集成電路、存儲器裝置、存儲器系統(tǒng)、電子裝置或系統(tǒng)、智能電話、平板計算機(jī)、計算機(jī)、服務(wù)器等。存儲器100包含存儲器單元(舉例來說，其可為易失性存儲器單元(例如，DRAM存儲器單元、SRAM存儲器單元等)、非易失性存儲器單元(例如，快閃存儲器單元、PCM單元等)或一些其它類型的存儲器單元)的陣列102。存儲器100包含控制邏輯電路106，所述控制邏輯電路通過命令總線108接收存儲器命令且在存儲器100內(nèi)產(chǎn)生對應(yīng)控制信號以執(zhí)行各種存儲器操作?？刂七壿嬰娐?06可進(jìn)一步接收用于存儲器100的定時操作的時鐘信號。在一些實施例中，可基于提供到存儲器的除時鐘信號以外的信號(舉例來說，選通信號(圖1中未展示))而提供對操作的內(nèi)部定時?？刂七壿嬰娐?06對施加到命令總線108的存儲器命令做出響應(yīng)以對存儲器陣列102執(zhí)行各種操作。舉例來說，控制邏輯電路106用于提供內(nèi)部控制信號以從存儲器陣列102讀取數(shù)據(jù)及將數(shù)據(jù)寫入到所述存儲器陣列。

模式寄存器112存儲由控制邏輯電路106使用以配置存儲器100的操作(舉例來說)以用于設(shè)定存儲器100的操作條件的信息。模式寄存器112包含用以存儲各種操作及控制參數(shù)的參數(shù)代碼的寄存器，所述參數(shù)代碼用于設(shè)定存儲器100的操作條件。操作及控制參數(shù)的實例包含與突發(fā)長度、前同步碼及后同步碼長度、讀取及寫入等待時間、裸片上終端設(shè)定、參考電壓設(shè)定以及其它相關(guān)的參數(shù)?？墒褂媚Ｊ郊拇嫫髅顚⑺鰠?shù)代碼寫入到模式寄存器112。在一些實施例中，可由存儲器100經(jīng)由地址總線接收所述參數(shù)代碼。還可以其它方式接收所述參數(shù)代碼。控制邏輯電路106將內(nèi)部控制信號提供到存儲器100的電路以使其如由模式寄存器112存儲的操作參數(shù)所設(shè)定而操作。

如下文將更詳細(xì)地描述，模式寄存器112包含用以存儲一或多個操作參數(shù)的多重參數(shù)代碼的寄存器。即，一些操作參數(shù)具有針對其所存儲的多重操作代碼。模式寄存器112進(jìn)一步包含用以存儲控制參數(shù)的參數(shù)代碼的寄存器，所述參數(shù)代碼用以在用于多重參數(shù)代碼的寄存器之間進(jìn)行選擇。所述控制參數(shù)中的一者用于選擇由控制邏輯電路106使用一或多個操作參數(shù)的多重操作代碼中的哪些操作代碼來設(shè)定存儲器100的當(dāng)前操作條件。所述控制參數(shù)中的另一者用于選擇由控制邏輯電路106針對模式寄存器寫入操作將一或多個操作參數(shù)的參數(shù)代碼寫入寄存器中的哪一者。一或多個操作參數(shù)及用于選擇將使用及寫入?yún)?shù)代碼中的哪一者的控制參數(shù)的多重參數(shù)代碼促進(jìn)存儲器100的操作條件的相對迅速切換。在一些實施例中，多重操作參數(shù)的參數(shù)代碼可同時(例如，在彼此的時間周期以內(nèi))從一個代碼切換到另一代碼，因此從一個存儲器操作條件迅速地改變?yōu)榱硪淮鎯ζ鞑僮鳁l件。

存儲器100通過地址總線120接收行地址信號及列地址信號且將所述地址信號鎖存于地址鎖存器110中。地址鎖存器110接著輸出單獨列地址及單獨行地址。地址鎖存器110將所述行地址及列地址分別提供到行地址解碼器122及列地址解碼器128。地址鎖存器110還可接收參數(shù)代碼，且將所述參數(shù)代碼寫入到模式寄存器112以用于模式寄存器寫入操作。列地址解碼器128選擇延伸穿過陣列102的對應(yīng)于相應(yīng)列地址的存取線。行地址解碼器122連接到存取線驅(qū)動器124，所述存取線驅(qū)動器激活陣列102中對應(yīng)于所接收行地址的相應(yīng)存儲器單元行。對應(yīng)于所接收列地址的選定存取線耦合到讀取/寫入電路130以經(jīng)由輸入輸出數(shù)據(jù)總線140將讀取數(shù)據(jù)提供到數(shù)據(jù)輸出緩沖器134。數(shù)據(jù)輸出緩沖器134經(jīng)由數(shù)據(jù)總線146提供讀取數(shù)據(jù)。通過耦合到數(shù)據(jù)總線146的數(shù)據(jù)輸入緩沖器144且通過存儲器陣列讀取/寫入電路130將寫入數(shù)據(jù)施加到存儲器陣列102。

裸片上終端(ODT)電路148在針對命令總線108及地址總線120以及數(shù)據(jù)總線146經(jīng)啟用時提供終端電阻。所述終端電阻可改善由存儲器100經(jīng)由總線接收的信號的信號完整性。ODT電路148的啟用及提供到總線的終端電阻的量值可通過將適當(dāng)參數(shù)代碼寫入于模式寄存器112中來設(shè)定。存儲器100可包含提供參考電壓VREF以供存儲器100的電路使用的VREF電路142。在一些實施例中，可不包含VREF電路142。舉例來說，參考電壓VREF可由控制邏輯電路106用來與從命令總線108接收的信號的電壓做比較以確定所接收信號的邏輯值。可通過將參考電壓操作參數(shù)的適當(dāng)參數(shù)代碼寫入于模式寄存器112中而設(shè)定參考電壓VREF或設(shè)定所述參考電壓的范圍。

圖1B說明包含存儲器100及存儲器控制器150的設(shè)備。存儲器控制器150經(jīng)配置以經(jīng)由命令總線108及地址總線120將存儲器命令及地址提供到存儲器100。經(jīng)由數(shù)據(jù)總線146將數(shù)據(jù)從存儲器100提供到存儲器控制器150以用于讀取命令，且經(jīng)由數(shù)據(jù)總線146將數(shù)據(jù)從存儲器控制器150提供到存儲器100以用于寫入命令。存儲器控制器150可向存儲器100提供模式寄存器寫入命令及參數(shù)代碼以將參數(shù)代碼寫入到存儲器100的模式寄存器。操作及控制參數(shù)的參數(shù)代碼經(jīng)存儲且用于設(shè)定存儲器100的操作條件，如先前所描述。在一些實施例中，不是存儲器控制器150將存儲器命令、地址及數(shù)據(jù)提供到存儲器(例如，存儲器100)，而是存儲器控制器150將存儲器命令、地址及數(shù)據(jù)提供到與存儲器一起包含在存儲器子系統(tǒng)中的邏輯電路(未展示)。所述邏輯電路可接收存儲器命令、地址及數(shù)據(jù)且因此向存儲器提供用于操作所述存儲器的信號。

圖2說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的模式寄存器112的一部分。模式寄存器210、220及230可包含在模式寄存器112中。模式寄存器210、220及230表示與相應(yīng)模式寄存器相關(guān)聯(lián)的寄存器群組，所述相應(yīng)模式寄存器又可通過相應(yīng)模式寄存器地址識別。在圖2的實施例中，模式寄存器210通過模式寄存器地址MRA識別，模式寄存器220通過模式寄存器地址MRB識別，且模式寄存器230通過模式寄存器地址MRC識別。所述寄存器存儲各種操作參數(shù)及控制參數(shù)的參數(shù)代碼，所述參數(shù)代碼(舉例來說)由控制邏輯電路106用來設(shè)定存儲器裝置的當(dāng)前操作條件。舉例來說，寄存器210(0)、210(1)、210(A0)及210(A1)可分別存儲操作參數(shù)PARAM0、PARAM1、PARAMA-SP0及PARAMA-SP1的參數(shù)代碼。寄存器220(B0)、220(B1)、220(C0)、220(C1)、220(0)及220(1)可分別存儲操作參數(shù)PARAMB-SP0、PARAMB-SP1、PARAMC-SP0、PARAMC-SP1、PARAM2及PARAM3的參數(shù)代碼?？身憫?yīng)于對特定寄存器的模式寄存器寫入操作而將操作參數(shù)的參數(shù)代碼寫入到相應(yīng)寄存器。

操作參數(shù)中的一些操作參數(shù)可具有所存儲的多個參數(shù)代碼，其中每一參數(shù)代碼表示操作參數(shù)的不同設(shè)定。舉例來說，可針對一些操作參數(shù)存儲兩個、三個、四個或更多參數(shù)代碼。在圖2的實施例中，舉例來說，由寄存器210(A0)及210(A1)針對操作參數(shù)PARAMA存儲兩個參數(shù)代碼。同樣地，存在由寄存器220(B0)及220(B1)針對操作參數(shù)PARAMB所存儲的兩個參數(shù)代碼以及由寄存器220(C0)及220(C1)針對操作參數(shù)PARAMC所存儲的兩個參數(shù)代碼。由寄存器210(A0)、220(B0)及220(C0)針對操作參數(shù)PARAMA、PARAMB及PARAMC所存儲的參數(shù)代碼可用于第一設(shè)定點SP0，且由寄存器210(A1)、220(B1)及220(C1)針對操作參數(shù)PARAMA、PARAMB及PARAMC所存儲的參數(shù)代碼可用于第二設(shè)定點SP1。所述設(shè)定點可與相應(yīng)操作條件相關(guān)聯(lián)，舉例來說，第一設(shè)定點SP0可與第一操作條件相關(guān)聯(lián)且第二設(shè)定點SP1可與第二操作條件相關(guān)聯(lián)。如下文將更詳細(xì)地解釋，可選擇操作參數(shù)PARAMA、PARAMB及PARAMC的兩個不同設(shè)定點中的一者來用于設(shè)定存儲器的當(dāng)前存儲器操作條件?？赏ㄟ^由模式寄存器230的寄存器存儲的控制參數(shù)的使用來選擇將使用哪些操作參數(shù)。

操作參數(shù)的參數(shù)代碼可由一或多個位(二進(jìn)制數(shù)字)的信息表示，且用于不同操作參數(shù)的寄存器可存儲一或多個位的信息。舉例來說，操作參數(shù)PARAM0可由1位參數(shù)代碼表示且寄存器210(0)可存儲1位的信息，而操作參數(shù)PARAM1可由2位參數(shù)代碼表示且寄存器210(1)可存儲2位的信息。在其它實施例中，所述操作參數(shù)還可由更多或更少位表示。

模式寄存器230包含用于存儲控制參數(shù)SP-SELECT及SP-WRITE的參數(shù)代碼的寄存器230(0)及230(1)。控制參數(shù)SP-SELECT的參數(shù)代碼可為1位?？刂茀?shù)SP-WRITE的參數(shù)代碼可為1位。然而，在其它實施例中，控制參數(shù)SP-SELECT及SP-WRITE的參數(shù)代碼可為1以上的位。

控制參數(shù)SP-SELECT可用于選擇使用操作參數(shù)PARAMA、PARAMB及PARAMC的設(shè)定點中的哪些設(shè)定點來設(shè)定存儲器的當(dāng)前存儲器操作條件。舉例來說，寫入到寄存器230(0)的參數(shù)代碼“0”可選擇操作參數(shù)PARAMA、PARAMB及PARAMC的第一設(shè)定點SP0來設(shè)定當(dāng)前存儲器操作條件。即，如圖3A中所說明，由寄存器210(A0)、220(B0)及220(C0)存儲的參數(shù)代碼可用于針對當(dāng)前存儲器操作條件設(shè)定操作參數(shù)PARAMA、PARAMB及PARAMC。相比之下，寫入到寄存器230(0)的參數(shù)代碼“1”可選擇操作參數(shù)PARAMA、PARAMB及PARAMC的第二設(shè)定點SP1來設(shè)定當(dāng)前存儲器操作條件。如圖3B中所說明，由寄存器210(A1)、220(B1)及220(C1)存儲的參數(shù)代碼可用于針對當(dāng)前存儲器操作條件設(shè)定操作參數(shù)PARAMA、PARAMB及PARAMC。將控制參數(shù)SP-SELECT的參數(shù)代碼寫入到寄存器230(0)可致使控制邏輯電路106同時切換所有操作參數(shù)PARAMA、PARAMB及PARAMC的參數(shù)代碼(例如，操作參數(shù)PARAMA、PARAMB及PARAMC的參數(shù)代碼全部在彼此的時間周期(舉例來說，100ns)以內(nèi)被切換)，因此將存儲器操作條件從一者迅速地改變?yōu)榱硪徽?。多路?fù)用器可耦合到存儲具有多重參數(shù)代碼的那些操作參數(shù)的多重參數(shù)代碼的寄存器，且基于控制參數(shù)SP-SELECT而將選定參數(shù)代碼提供到控制邏輯電路106。舉例來說，控制參數(shù)SP-SELECT的邏輯值可用于控制多路復(fù)用器將選定參數(shù)代碼提供到控制邏輯電路106以設(shè)定存儲器操作條件。

控制參數(shù)SP-WRITE可用于選擇在執(zhí)行模式寄存器寫入操作時寫入操作參數(shù)PARAMA、PARAMB及PARAMC的設(shè)定點中的哪一設(shè)定點。舉例來說，由寄存器230(1)存儲的參數(shù)代碼“0”可致使在將參數(shù)代碼分別寫入到模式寄存器210及模式寄存器220時寫入第一設(shè)定點SP0的操作參數(shù)PARAMA、PARAMB及PARAMC。即，當(dāng)針對控制參數(shù)SP-WRITE存儲“0”時，對使用模式寄存器地址MRA的模式寄存器210的模式寄存器寫入操作將致使操作參數(shù)PARAM0、PARAM1及PARAMA的新參數(shù)代碼寫入到寄存器210(0)、210(1)及210(A0)。對使用模式寄存器地址MRB的模式寄存器220的模式寄存器寫入操作將致使操作參數(shù)PARAMB、PARAMC、PARAM2、PARAM3的新參數(shù)代碼寫入到寄存器220(B0)、220(C0)、220(0)及220(1)。相比之下，由寄存器230(1)存儲的參數(shù)代碼“1”可致使在將參數(shù)代碼分別寫入到模式寄存器210及模式寄存器220時寫入第二設(shè)定點SP1的操作參數(shù)PARAMA、PARAMB及PARAMC。即，當(dāng)針對控制參數(shù)SP-WRITE存儲“1”時，對模式寄存器210的模式寄存器寫入操作將致使操作參數(shù)PARAM0、PARAM1及PARAMA的新參數(shù)代碼寫入到寄存器210(0)、210(1)及210(A1)。對模式寄存器220的模式寄存器寫入操作將致使操作參數(shù)PARAMB、PARAMC、PARAM2、PARAM3的新參數(shù)代碼寫入到寄存器220(B1)、220(C1)、220(0)及220(1)。

如先前實例所說明，當(dāng)(舉例來說)對模式寄存器210的模式寄存器寫入操作用于寫入操作參數(shù)PARAMA的控制參數(shù)(例如，PARAMA-SP0、PARAMA-SP1)時，響應(yīng)于對模式寄存器地址MRA的模式寄存器寫入操作而對寄存器(例如，210(A0)、210(A1))中的哪一者進(jìn)行寫入可至少部分地基于控制參數(shù)SP-WRITE的邏輯值。類似地，當(dāng)對模式寄存器220的模式寄存器寫入操作用于寫入操作參數(shù)PARAMB及PARAMC的控制參數(shù)(例如，PARAMB-SP0、PARAMB-SP1、PARAMC-SP0、PARAMC-SP1)時，響應(yīng)于對模式寄存器地址MRB的模式寄存器寫入操作而對寄存器(例如，220(B0)、220(B1)、220(C0)、220(C1))中的哪一者進(jìn)行寫入可至少部分地基于控制參數(shù)SP-WRITE的邏輯值。

圖2說明模式寄存器210、220及230，然而，在本發(fā)明的其它實施例中可包含更多或更少模式寄存器。另外，每一模式寄存器210、220及230可包含用于存儲除圖2中所說明的那些操作參數(shù)及控制參數(shù)以外的操作參數(shù)及控制參數(shù)的寄存器。由模式寄存器210、220及230存儲的操作參數(shù)的數(shù)目還可大于或小于所展示的那些操作參數(shù)的數(shù)目。雖然圖2說明用于存儲操作參數(shù)(例如，PARAMA、PARAMB、PARAMC)中的一些操作參數(shù)的兩個不同參數(shù)代碼的兩個寄存器，但在一些實施例中，可包含用于存儲所述操作參數(shù)中的一些操作參數(shù)的兩個以上不同參數(shù)代碼的額外寄存器。舉例來說，可包含用以存儲所述操作參數(shù)中的一些操作參數(shù)的三個、四個或更多參數(shù)代碼的寄存器。因此，本發(fā)明的實施例不限于存儲一些操作參數(shù)的兩個參數(shù)代碼。包含用于存儲參數(shù)代碼的額外寄存器提供被選擇用以設(shè)定存儲器操作條件的經(jīng)增加數(shù)目個設(shè)定點。還可需要增加用于存儲控制參數(shù)SP-SELECT及SP-WRITE的寄存器以存儲參數(shù)代碼的額外位，所述額外位是為進(jìn)行如下操作而需要的：從所存儲設(shè)定點適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行選擇以設(shè)定存儲器操作條件，以及針對模式寄存器寫入操作選擇哪些寄存器來寫入?yún)?shù)代碼。舉例來說，1位控制參數(shù)SP-SELECT及SP-WRITE可用于選擇兩個不同設(shè)定點中的一者的參數(shù)代碼，而SP-SELECT及SP-WRITE的2位控制參數(shù)可用于選擇高達(dá)四個不同設(shè)定點中的一者的參數(shù)代碼。增加用于控制參數(shù)的位數(shù)目允許從更大數(shù)目個不同設(shè)定點的選擇。

模式寄存器210、220及230的操作參數(shù)可包含所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的操作參數(shù)。舉例來說，所述操作參數(shù)可包含：

1.BL(突發(fā)長度)

2.WR-PRE(寫入前同步碼)

3.RD-PRE(讀取前同步碼)

4.nWR(用于自動預(yù)充電的寫入恢復(fù))

5.PST(后同步碼)

6.RL(READ等待時間)

7.WL(WRITE等待時間)

8.WLS(WRITE等待時間設(shè)定)

9.PDDS(下拉驅(qū)動強(qiáng)度及接收器終端)

10.DBI-RD(DBI-讀取啟用)

11.DBI-WR(DBI-寫入啟用)

12.DQ-ODT(DQ ODT值)

13.CA-ODT(CA ODT值)

14.VREF-CA(VREF(CA)值)

15.VR-CA(VREF(CA)范圍)

16.VREF-DQ(VREF(DQ)值)

17.VR-DQ(VREF(DQ)范圍)

18.SoC-ODT

還可包含先前未描述的其它操作參數(shù)。

如先前所論述，與模式寄存器相關(guān)聯(lián)的各種操作參數(shù)可具有由寄存器存儲的多重參數(shù)代碼，其中針對特定操作參數(shù)所存儲的每一參數(shù)代碼可用于不同設(shè)定點。圖2中將此些操作參數(shù)展示為操作參數(shù)PARAMA、PARAMB及PARAMC。一些實施例可包含多于或少于圖2中所展示的那些的具有所存儲多重參數(shù)代碼的操作參數(shù)?？捎煽刂茀?shù)(例如先前所描述的SP-SEELCT)選擇所存儲參數(shù)代碼中的哪一者(即，設(shè)定點中的哪一者)用于設(shè)定當(dāng)前操作條件。

在一些實施例中，具有所存儲多重參數(shù)代碼的操作參數(shù)可對應(yīng)于先前明確列出的操作參數(shù)1到18。在一些實施例中，具有所存儲多重參數(shù)代碼的操作參數(shù)可包含應(yīng)同時從一個參數(shù)代碼切換到另一參數(shù)代碼以便維持與存儲器的通信及對存儲器的控制的操作參數(shù)。舉例來說，具有所存儲多重參數(shù)代碼的操作參數(shù)可包含與命令及/或地址信息相關(guān)的操作參數(shù)，舉例來說，與命令所提供到的命令節(jié)點的裸片上終端相關(guān)的CA-ODT及與命令節(jié)點的參考電壓相關(guān)的VREF-CA。明確列出的其它操作參數(shù)1-12及15-18可為不存儲多重參數(shù)代碼的操作參數(shù)。在其它實施例中，操作參數(shù)1到18中的一或多者可具有所存儲多重參數(shù)代碼，而操作參數(shù)中的其它者不具有所存儲多重參數(shù)代碼。

在操作中，可使用模式寄存器寫入操作將操作參數(shù)的參數(shù)代碼寫入到寄存器?？刂茀?shù)可用于控制響應(yīng)于模式寄存器寫入操作而將具有所存儲多個操作代碼的操作參數(shù)寫入哪些寄存器?？蓪懭肟刂茀?shù)的對應(yīng)于所要寄存器的參數(shù)代碼。參數(shù)代碼由寄存器存儲且可用于設(shè)定當(dāng)前存儲器操作條件。針對具有由寄存器存儲的多個參數(shù)代碼的操作參數(shù)，可通過寫入控制參數(shù)的參數(shù)代碼來選擇操作參數(shù)的所存儲參數(shù)代碼中的哪些參數(shù)代碼對應(yīng)于操作參數(shù)的所要參數(shù)代碼。

如先前所描述，可以不同時鐘頻率(例如相對高時鐘頻率(例如，大于500MHz)以及較低頻率)操作存儲器。然而，存儲器可需要具有不同操作條件以用于在不同時鐘頻率下的恰當(dāng)操作。因此，可需要改變所述操作條件以用于連續(xù)恰當(dāng)存儲器操作。可需要在時鐘頻率改變之前改變與從命令總線接收存儲器命令相關(guān)的操作條件以便維持與存儲器的通信及對存儲器的控制。針對多個操作條件存儲操作參數(shù)的參數(shù)代碼且具有用以在多個操作條件之間進(jìn)行選擇的控制參數(shù)允許當(dāng)前存儲器操作條件的相對迅速的改變。舉例來說，模式寄存器的寄存器可存儲用于與第一時鐘頻率相關(guān)的第一操作條件及與第二時鐘頻率(不同于第一時鐘頻率)相關(guān)的第二操作條件的參數(shù)代碼?？刂茀?shù)可用于在第一及第二操作條件的參數(shù)代碼之間進(jìn)行選擇以視按特定時鐘頻率進(jìn)行操作的需要而設(shè)定當(dāng)前存儲器操作條件。

圖4說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于將操作參數(shù)的參數(shù)代碼寫入到模式寄存器的寄存器的方法。

在步驟410處，執(zhí)行對模式寄存器230的模式寄存器寫入操作以將對應(yīng)于設(shè)定點(將針對所述設(shè)定點存儲操作參數(shù)的新參數(shù)代碼)的控制參數(shù)SP-WRITE的參數(shù)代碼寫入到寄存器230(1)。舉例來說，參考圖2中所展示的模式寄存器210、220及230以及操作參數(shù)PARAMA、PARAMB及PARAMC，將“0”寫入到寄存器230(1)以利用對模式寄存器210及220的模式寄存器寫入操作將操作參數(shù)PARAMA、PARAMB及PARAMC的參數(shù)代碼寫入到寄存器210(A0)、220(B0)及220(C0)。將“1”寫入到寄存器230(1)以利用對模式寄存器210及220的模式寄存器寫入操作將操作參數(shù)PARAMA、PARAMB及PARAMC的參數(shù)代碼寫入到寄存器210(A1)、220(B1)及220(C1)。

在步驟420處，對包含用于存儲操作參數(shù)的多重參數(shù)代碼的寄存器的模式寄存器執(zhí)行模式寄存器寫入操作?；诳刂茀?shù)SP-WRITE的參數(shù)代碼的邏輯值，控制邏輯電路106控制將操作參數(shù)的參數(shù)代碼寫入到模式寄存器的適當(dāng)寄存器。由寄存器230(1)針對控制參數(shù)SP-WRITE所存儲的參數(shù)代碼確定通過模式寄存器寫入操作將具有多重所存儲參數(shù)代碼的操作參數(shù)寫入寄存器中的哪一寄存器。舉例來說，假定將控制參數(shù)SP-WRITE的參數(shù)代碼“0”寫入到寄存器230(1)，對模式寄存器210的模式寄存器寫入操作將致使將操作參數(shù)PARAMA的參數(shù)代碼寫入到寄存器210(A0)。對模式寄存器220的模式寄存器寫入操作將致使將操作參數(shù)PARAMB及PARAMC的參數(shù)代碼寫入到寄存器220(B0)及220(C0)。在將控制參數(shù)SP-WRITE的參數(shù)代碼“1”寫入到寄存器230(1)的情況下，對模式寄存器210及220的模式寄存器寫入操作將致使分別將操作參數(shù)PARAMA、PARAMB及PARAMC的參數(shù)代碼寫入到寄存器210(A1)、220(B1)及220(C1)。

在由寄存器針對多個設(shè)定點存儲操作參數(shù)的參數(shù)代碼之后，模式寄存器230的控制參數(shù)SP-SELECT可用于選擇由控制邏輯電路106使用操作參數(shù)的哪一設(shè)定點來設(shè)定當(dāng)前存儲器操作條件。舉例來說，可將參數(shù)代碼“0”寫入到寄存器230(1)以選擇設(shè)定點SP0的操作參數(shù)且可將參數(shù)代碼“1”寫入到寄存器230(1)以選擇設(shè)定點SP1的操作參數(shù)。

圖5說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于在與不同操作條件相關(guān)聯(lián)的不同操作設(shè)定點之間進(jìn)行選擇(即，用于在可針對各種操作參數(shù)所存儲的多重參數(shù)代碼之間進(jìn)行選擇)的過程。在以下實例中，假定操作參數(shù)PARAMA、PARAMB及PARAMC的第一設(shè)定點SP0的參數(shù)代碼設(shè)定當(dāng)前操作條件。在一些實施例中，繼存儲器通電及初始化之后，針對設(shè)定點SP0及SP1所存儲的參數(shù)代碼是在無端接、低頻率環(huán)境中操作所需要的默認(rèn)設(shè)定。如由控制參數(shù)SP-SELECT及SP-WRITE設(shè)定，默認(rèn)設(shè)定點可為第一設(shè)定點SP0。舉例來說，繼存儲器通電及初始化之后且在改變控制參數(shù)SP-SELECT的參數(shù)代碼及/或?qū)懭氩僮鲄?shù)的參數(shù)代碼之前，針對第一設(shè)定點SP0所存儲的默認(rèn)參數(shù)代碼可設(shè)定當(dāng)前操作條件。

在步驟510處，執(zhí)行對模式寄存器230的模式寄存器寫入操作以寫入操作參數(shù)SP-SELECT的參數(shù)代碼“1”，此選擇第二設(shè)定點SP1的操作參數(shù)PARAMA、PARAMB及PARAMC的參數(shù)代碼來設(shè)定當(dāng)前操作條件?；诳刂茀?shù)SP-SELECT的參數(shù)代碼的邏輯值，控制邏輯電路106使用對應(yīng)參數(shù)代碼。因此，在操作參數(shù)SP-SELECT的“1”邏輯值的實例中，由寄存器210(A1)、220(B1)及220(C1)分別針對操作參數(shù)PARAMA、PARAMB及PARAMC所存儲的參數(shù)代碼而非由寄存器210(A0)、220(B0)及220(C0)存儲的參數(shù)代碼將由控制邏輯電路106使用來設(shè)定當(dāng)前操作條件。

繼選擇第二設(shè)定點SP1的所存儲參數(shù)代碼之后，可稍后(舉例來說)通過以下方式選擇第一設(shè)定點SP0的所存儲參數(shù)代碼來設(shè)定當(dāng)前操作參數(shù)以用于操作：使用步驟510但將參數(shù)代碼“0”而非參數(shù)代碼“1”寫入到模式寄存器230的操作參數(shù)SP-SELECT。

如先前所描述，可以不同時鐘頻率(例如存儲器是作用時的相對高時鐘頻率以及舉例來說用以保存電力的較低頻率)操作存儲器。存儲器可需要針對不同存儲器操作條件具有不同操作參數(shù)以用于在不同時鐘頻率下的恰當(dāng)操作?？墒褂糜?xùn)練過程來確定各種存儲器操作條件的操作參數(shù)。在確定用于不同存儲器操作條件的操作參數(shù)之后，將表示操作參數(shù)的參數(shù)代碼寫入到模式寄存器以被存儲。

圖6說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于針對兩個不同存儲器操作條件將操作參數(shù)PARAMA、PARAMB及PARAMC的參數(shù)代碼寫入到寄存器的流程圖。針對第一存儲器操作條件(例如，用于以第一時鐘頻率操作)的操作參數(shù)與第一設(shè)定點SP0相關(guān)聯(lián)且針對第二存儲器操作條件(例如，用于以第二時鐘頻率操作)的操作參數(shù)與第二設(shè)定點SP1相關(guān)聯(lián)。

如先前所描述，與第一存儲器操作條件相關(guān)聯(lián)的第一設(shè)定點可提供可用于繼存儲器通電及初始化之后設(shè)定當(dāng)前操作條件的默認(rèn)參數(shù)代碼。繼存儲器通電及初始化之后，在步驟610處，可使用訓(xùn)練過程來確定第二存儲器操作條件的操作參數(shù)PARAMA、PARAMB及PARAMC的適合值，且確定對應(yīng)于所要操作參數(shù)PARAMA、PARAMB及PARAMC的參數(shù)代碼。所述訓(xùn)練過程可基于在不同信號定時范圍內(nèi)的命令、地址及/或數(shù)據(jù)而評估存儲器的性能。命令、地址及/或數(shù)據(jù)信號的電壓范圍還可變化，且具備具有不同電路配置的存儲器設(shè)定(例如，裸片上終端設(shè)定)。舉例來說，命令、地址及/或數(shù)據(jù)信號可從存儲器控制器提供到存儲器。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的常規(guī)訓(xùn)練過程可用于用以確定操作參數(shù)的值的訓(xùn)練過程。在一些實施例中，當(dāng)存儲器進(jìn)入訓(xùn)練模式時，控制邏輯電路106將控制控制參數(shù)SP-SELECT以將當(dāng)前存儲器操作條件設(shè)定為未寫入的存儲器操作條件(例如，設(shè)定為第一存儲器操作條件以用于第二存儲器操作條件的訓(xùn)練)，使得存儲器在訓(xùn)練過程期間根據(jù)已知設(shè)定點操作。

在步驟620處，執(zhí)行對模式寄存器230的模式寄存器寫入操作以將控制參數(shù)SP-WRITE的參數(shù)代碼“1”寫入到寄存器230(0)。結(jié)果，針對在步驟630處對模式寄存器210及220的后續(xù)模式寄存器寫入操作，控制邏輯電路106將要將操作參數(shù)PARAMA、PARAMB及PARAMC的依據(jù)訓(xùn)練所確定的參數(shù)代碼寫入到寄存器210(A1)、220(B1)及220(C1)。繼針對第二存儲器操作條件寫入操作參數(shù)PARAMA、PARAMB及PARAMC的參數(shù)代碼之后，響應(yīng)于寫入模式寄存器230的控制參數(shù)SP-SELECT的參數(shù)代碼“1”，控制邏輯電路106選擇由寄存器210(A1)、220(B1)及220(C1)存儲的參數(shù)代碼來設(shè)定當(dāng)前存儲器操作條件。在一些實施例中，控制邏輯電路106將控制控制參數(shù)SP-SELECT以在存儲器退出訓(xùn)練模式時將當(dāng)前存儲器操作條件設(shè)定為剛剛寫入的存儲器操作條件(例如，在針對第二存儲器操作條件的訓(xùn)練之后設(shè)定為第二存儲器操作條件)。

在步驟640處，可使用訓(xùn)練過程來確定第一存儲器操作條件的操作PARAMA、PARAMB及PARAMC，且確定對應(yīng)于所要操作參數(shù)PARAMA、PARAMB及PARAMC的參數(shù)代碼。在步驟650處，執(zhí)行對模式寄存器230的模式寄存器寫入操作以將控制參數(shù)SP-WRITE的參數(shù)代碼“0”寫入到寄存器230(0)。結(jié)果，針對在步驟660處對模式寄存器210及220的后續(xù)模式寄存器寫入操作，控制邏輯電路106將要將操作參數(shù)PARAMA、PARAMB及PARAMC的依據(jù)訓(xùn)練確定的參數(shù)代碼寫入到寄存器210(A0)、220(B0)及220(C0)。繼針對第一存儲器操作條件寫入操作參數(shù)PARAMA、PARAMB及PARAMC的參數(shù)代碼之后，響應(yīng)于寫入模式寄存器230的控制參數(shù)SP-SELECT的參數(shù)代碼“0”，控制邏輯電路106選擇由寄存器210(A0)、220(B0)及220(C0)存儲的參數(shù)代碼來設(shè)定當(dāng)前存儲器操作條件。

如先前所論述，可針對操作參數(shù)包含多個寄存器以存儲多個操作設(shè)定點。模式寄存器的控制參數(shù)可由控制邏輯電路106使用以選擇使用設(shè)定點中的哪一設(shè)定點來設(shè)定當(dāng)前存儲器操作條件。在一些實施例中，充足數(shù)目個寄存器包含在存儲器中以針對每一設(shè)定點存儲操作參數(shù)的參數(shù)代碼。舉例來說，足夠寄存器可包含在存儲器中以存儲操作參數(shù)的四個不同參數(shù)代碼，因此允許選擇操作參數(shù)的四個不同設(shè)定點中的一者。然而，包含充足數(shù)目個寄存器可增加電路復(fù)雜度且耗用更多面積。

還可通過“交換”由寄存器針對操作參數(shù)所存儲的參數(shù)代碼而非提供用以針對操作參數(shù)的每一所要設(shè)定點存儲參數(shù)代碼的充足寄存器來提供多個設(shè)定點的選擇。舉例來說，在包含足以針對兩個不同設(shè)定點存儲操作參數(shù)的參數(shù)代碼的寄存器的實施例中，可通過將第三設(shè)定點的參數(shù)代碼寫入到已存儲第一或第二設(shè)定點的參數(shù)代碼的寄存器且接著使用控制參數(shù)選擇第三設(shè)定點的參數(shù)代碼來完成三個不同設(shè)定點的參數(shù)代碼之間的選擇。

圖7說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于使用模式寄存器210、220及230的寄存器來針對操作參數(shù)的第三設(shè)定點SP2存儲參數(shù)代碼的過程。在開始圖7中所說明的過程之前，可已(舉例來說)通過第三存儲器操作條件的訓(xùn)練過程來確定第三設(shè)定點SP2的參數(shù)代碼。第三設(shè)定點SP2的參數(shù)代碼可存儲于存儲器中，且所述參數(shù)代碼在將參數(shù)代碼寫入到模式寄存器210、220及230的寄存器時被檢索。此外，寄存器210(A0)、220(B0)及220(C0)存儲針對第一設(shè)定點SP0的操作參數(shù)PARAMA、PARAMB及PARAMC的參數(shù)代碼，且寄存器210(A1)、220(B1)及220(C1)存儲針對第二設(shè)定點SP1的操作參數(shù)PARAMA、PARAMB及PARAMC的參數(shù)代碼。使用第二設(shè)定點SP1的操作參數(shù)(例如，將控制參數(shù)SP-SELECT的參數(shù)代碼“1”存儲于寄存器230(0)中)來設(shè)定當(dāng)前存儲器操作條件。

在步驟710處，執(zhí)行對模式寄存器230的模式寄存器寫入操作以將控制參數(shù)SP-WRITE的參數(shù)代碼“0”存儲于寄存器230(1)中，使得由控制邏輯電路106對模式寄存器210及220的模式寄存器寫入操作將要將參數(shù)代碼寫入到寄存器210(A0)、220(B0)及220(C0)。如果針對控制參數(shù)SP-WRITE所存儲的參數(shù)代碼已為“0”，那么可不執(zhí)行步驟710。在步驟720處，執(zhí)行對模式寄存器210及220的模式寄存器寫入操作以將第三設(shè)定點SP2的操作參數(shù)PARAMA、PARAMB及PARAMC的參數(shù)代碼寫入于寄存器210(A0)、220(B0)及220(C0)中，從而重寫由這些寄存器針對第一設(shè)定點SP0所存儲的任何先前參數(shù)代碼。在步驟730處，執(zhí)行對模式寄存器230的模式寄存器寫入操作以將控制參數(shù)SP-SELECT的參數(shù)代碼“0”寫入于寄存器230(0)中。結(jié)果，控制邏輯電路106使用存儲于寄存器210(A0)、220(B0)及220(C0)中的操作參數(shù)PARAMA、PARAMB及PARAMC的參數(shù)代碼(即，第三設(shè)定點SP2的參數(shù)代碼)來設(shè)定存儲器的當(dāng)前存儲器操作條件。

如先前參考圖7的流程圖所描述，第三設(shè)定點SP2可經(jīng)選擇以設(shè)定當(dāng)前存儲器操作條件，盡管模式寄存器210及220的寄存器針對兩個設(shè)定點存儲參數(shù)代碼(例如，寄存器210(A0)、220(B0)及220(C0)針對第一設(shè)定點且寄存器210(A1)、220(B1)及220(C1)針對第二設(shè)定點)。雖然用第三設(shè)定點SP2的參數(shù)代碼重寫第一設(shè)定點SP0的參數(shù)代碼且需要額外模式寄存器寫入操作，如先前所描述，但不需要特定包含在存儲器中用于存儲第三設(shè)定點SP3的參數(shù)代碼的額外寄存器，此可降低電路復(fù)雜度且減小電路布局面積。

在其它實施例中，可存儲兩個以上設(shè)定點的參數(shù)代碼，但寄存器仍可用于通過交換存儲于寄存器中的參數(shù)代碼與另一設(shè)定點的那些參數(shù)代碼而在多于可由模式寄存器一次存儲的設(shè)定點的操作參數(shù)之間進(jìn)行選擇。可接著使用用于設(shè)定當(dāng)前存儲器操作條件的控制參數(shù)(例如，SP-SELECT)來選擇新設(shè)定點的新寫入的參數(shù)代碼。

根據(jù)上文將了解，盡管本文已出于說明目的描述了本發(fā)明的特定實施例，但可在不背離本發(fā)明的精神及范圍的情況下進(jìn)行各種修改。因此，本發(fā)明不受除所附權(quán)利要求書以外的任何限制。