技術(shù)編號(hào)：12725180
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種三維存儲(chǔ)器及其形成方法。背景技術(shù)近年來，閃存(flashmemory)存儲(chǔ)器的發(fā)展尤為迅速。閃存存儲(chǔ)器的主要特點(diǎn)是在不加電的情況下能長期保持存儲(chǔ)的信息，且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重寫等優(yōu)點(diǎn)，因而在微機(jī)、自動(dòng)化控制等多項(xiàng)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。為了進(jìn)一步提高閃存存儲(chǔ)器的位密度(bitdensity)，同時(shí)減少位成本(bitcost)，提出了一種三維與非門(3DNAND)的閃存存儲(chǔ)器。三維與非門(3DNAND)的閃存存儲(chǔ)器是將多個(gè)柵極層層疊設(shè)置于基...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。