126及層間絕緣層128。注意，雖然這里采用層間絕緣層126與層間絕緣層128的分層結(jié)構(gòu)，但是所公開(kāi)的發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式不局限于此。還可以采用單層結(jié)構(gòu)或三層以上的疊層結(jié)構(gòu)。在形成層間絕緣層128之后，優(yōu)選通過(guò)CMP或蝕刻等以使層間絕緣層128的表面平坦化。
[0228]然后，在上述層間絕緣層126、128中形成到達(dá)金屬化合物區(qū)域124的開(kāi)口，并在該開(kāi)口中形成源電極或漏電極130a及源電極或漏電極130b(參照?qǐng)D10H)。例如，可以用在包括開(kāi)口的區(qū)域中利用PVD法或CVD法等形成導(dǎo)電層等，然后利用蝕刻或CMP等去除上述導(dǎo)電層的一部分的方式，來(lái)形成源電極或漏電極130a及源電極或漏電極130b。
[0229]具體而言，例如可以采用以下方法，其中:在包括開(kāi)口的區(qū)域中利用PVD法形成薄的鈦膜，并且利用CVD法形成薄的氮化鈦膜，之后以嵌入開(kāi)口的方式形成鎢膜。這里，利用PVD法形成的鈦膜具有使在其上形成有鈦膜的表面上形成的氧化膜(自然氧化膜等)還原而降低與下部電極(這里為金屬化合物區(qū)域124)的接觸電阻的功能。在形成鈦膜之后形成的氮化鈦膜具有抑制導(dǎo)電材料擴(kuò)散的阻擋功能。還可以在鈦或氮化鈦等形成阻擋膜之后，利用鍍法形成銅膜。
[0230]注意，在通過(guò)去除上述導(dǎo)電層的一部分形成源電極或漏電極130a及源電極或漏電極130b的情況下，優(yōu)選以源電極或漏電極130a及源電極或漏電極130b的表面平坦化的方式進(jìn)行該工序。例如，當(dāng)在包含開(kāi)口的區(qū)域中形成薄的鈦膜或薄的氮化鈦膜，然后以嵌入開(kāi)口的方式形成鎢膜時(shí)，通過(guò)之后的CMP可以去除多余的鎢膜、多余的鈦膜或多余的氮化鈦膜等并且提高其表面的平坦性。以此方式，對(duì)包含源電極或漏電極130a及源電極或漏電極130b的表面進(jìn)行平坦化，以便可以在之后的工序中形成優(yōu)良的電極、線、絕緣層及半導(dǎo)體層等。
[0231]注意，雖然在這里僅示出接觸于金屬化合物區(qū)域124的源電極或漏電極130a及源電極或漏電極130b，但是也可以在該工序中形成接觸于柵電極110的電極等。對(duì)可以用作源電極或漏電極130a及源電極或漏電極130b的材料沒(méi)有特別的限制，可以使用各種導(dǎo)電材料。例如，可以使用鑰、鈦、鉻、鉭、鎢、鋁、銅、釹或鈧等導(dǎo)電材料。注意，考慮到之后進(jìn)行的熱處理，優(yōu)選使用具有足夠高的耐熱性以耐受熱處理的材料形成源電極或漏電極130a及源電極或漏電極130b。
[0232]通過(guò)上述工序，形成使用包含半導(dǎo)體材料的襯底100的晶體管170 (參照?qǐng)D10H)。由于使用氧化物半導(dǎo)體以外的材料的晶體管170能夠進(jìn)行以高速操作，所以可以使用該晶體管形成邏輯電路(也稱為算術(shù)電路)等。此外，還可以將該晶體管用于用來(lái)驅(qū)動(dòng)上述實(shí)施方式所述的存儲(chǔ)電路的驅(qū)動(dòng)電路等。
[0233]注意，還可以在上述工序之后形成電極、線或絕緣層等。當(dāng)線具有包含層間絕緣層及導(dǎo)電層的分層結(jié)構(gòu)的多層結(jié)構(gòu)時(shí)，可以提供高集成化的半導(dǎo)體裝置。
[0234]例如，可以在上述工序之后形成絕緣層138并在絕緣層138中形成開(kāi)口。再者，還可以在該開(kāi)口中形成與源電極或漏電極130a連接的電極142c及與源電極或漏電極130b連接的電極142d(參照?qǐng)D2A)。
[0235]本實(shí)施方式所述的結(jié)構(gòu)和方法等可以與其他實(shí)施方式所述的任何結(jié)構(gòu)和方法等適當(dāng)?shù)亟M合。
[0236]實(shí)施方式7
在本實(shí)施方式中，參照?qǐng)D1lA至IlH及圖12A至12H對(duì)使用氧化物半導(dǎo)體以外的半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體裝置的制造方法，具體而言，對(duì)圖2B的下部的晶體管570的制造方法進(jìn)行描述。以下，首先參照?qǐng)D1lA至IlH對(duì)在基底襯底上設(shè)置有單晶半導(dǎo)體層的SOI襯底的制造方法進(jìn)行描述，然后，參照?qǐng)D12A至12H對(duì)使用該SOI襯底的晶體管的制造方法進(jìn)行描述。
[0237]〈SOI襯底的制造方法>
首先，準(zhǔn)備基底襯底500 (參照?qǐng)D11A)。作為基底襯底500可以使用由絕緣體形成的襯底。其具體例子如下:如鋁硅酸鹽玻璃襯底、鋁硼硅酸鹽玻璃襯底、鋇硼硅酸鹽玻璃襯底等用于電子工業(yè)的各種玻璃襯底、石英襯底、陶瓷襯底、藍(lán)寶石襯底。另外，也可以使用包含氮化硅和氧化鋁為其主要成分的熱膨脹系數(shù)接近于硅的陶瓷襯底。
[0238]備選地，作為基底襯底500可以使用單晶娃襯底、單晶錯(cuò)襯底等半導(dǎo)體襯底。由于與使用玻璃襯底等的情況相比，使用這樣的半導(dǎo)體襯底作為基底襯底500的情況下的熱處理的溫度上限可以提高，所以更容易獲得優(yōu)質(zhì)的SOI襯底。這里，作為半導(dǎo)體襯底，可以使用太陽(yáng)能級(jí)娃(SOG-Si:Solar Grade Silicon)襯底等。備選地，還可以使用多晶半導(dǎo)體襯底。與使用單晶硅襯底等的情況相比，使用SOG-Si襯底或多晶半導(dǎo)體襯底等的情況可以抑制制造成本。
[0239]注意，在本實(shí)施方式中，對(duì)使用玻璃襯底作為基底襯底500的情況進(jìn)行描述。當(dāng)使用廉價(jià)的能夠具有較大的尺寸的玻璃襯底作為基底襯底500時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)成本降低。
[0240]優(yōu)選預(yù)先對(duì)基底襯底500的表面進(jìn)行清洗。具體而言，使用鹽酸/過(guò)氧化氫混合液(HPM)、硫酸/過(guò)氧化氫混合液(SPM)、氨水過(guò)氧化氫混合液(APM)、稀氫氟酸(DHF)、FPM(氫氟酸和過(guò)氧化氫水以及純水的混合液)等對(duì)基底襯底500進(jìn)行超聲波清洗。通過(guò)進(jìn)行該清洗處理，可以提高基底襯底500的表面平坦性并可以去除殘留在基底襯底500表面上的研磨粒子等。
[0241]接著，在基底襯底500的表面上形成含有氮的層502 (例如，含有氮化硅(SiNx)膜或氮氧化硅膜(SiNx0y(x > y)膜)等的含有氮的絕緣膜的層)(參照?qǐng)D11B)。含有氮的層502可以使用CVD法、濺射法等形成。
[0242]在本實(shí)施方式中形成的含有氮的層502對(duì)應(yīng)于后面用來(lái)接合單晶半導(dǎo)體層的層(接合層)。另外，含有氮的層502還用作防止基底襯底中含有的鈉(Na)等雜質(zhì)擴(kuò)散到單晶半導(dǎo)體層中的阻擋層。
[0243]如上所述，由于在本實(shí)施方式中將含有氮的層502用作接合層，所以優(yōu)選以具有特定水平的表面平坦性的方式形成含有氮的層502。具體而言，將含有氮的層502形成為:其具有0.5nm以下的平均表面粗糙度(Ra，也稱為算術(shù)平均粗糙度)，0.60nm以下的均方根表面粗糙度(Rms)，更優(yōu)選的是，0.35nm以下的平均表面粗糙度，以及0.45nm以下的均方根表面粗糙度。注意，上述平均表面粗糙度可以在例如10平方微米的區(qū)域中進(jìn)行測(cè)量。厚度處于1nm以上至200nm以下的范圍內(nèi)，優(yōu)選為50nm以上至10nm以下的范圍內(nèi)。如上所述，通過(guò)提高表面的平坦性，可以防止單晶半導(dǎo)體層的接合缺陷。
[0244]接著，準(zhǔn)備接合襯底。這里作為接合襯底使用單晶半導(dǎo)體襯底510(參照?qǐng)D11C)。注意，雖然在這里使用結(jié)晶性為單晶的襯底作為接合襯底，但是接合襯底的結(jié)晶性不必局限于單晶。
[0245]作為單晶半導(dǎo)體襯底510，例如可以使用如單晶硅襯底、單晶鍺襯底、或單晶硅鍺襯底等的使用第14族元素形成的單晶半導(dǎo)體襯底。此外，還可以使用用如砷化鎵、磷化銦等的化合物半導(dǎo)體襯底。作為在市場(chǎng)上出售的硅襯底典型例子，有直徑5英寸(125mm)，直徑6英寸(150mm),直徑8英寸(200mm),直徑12英寸(300mm),以及直徑16英寸(400mm)的圓形硅襯底。注意，單晶半導(dǎo)體襯底510的形狀不局限于圓形，以及單晶半導(dǎo)體襯底510還可以是處理為矩形等的襯底。另外，單晶半導(dǎo)體襯底510可以利用CZ(提拉)法或FZ(浮區(qū))法形成。
[0246]在單晶半導(dǎo)體襯底510的表面上形成氧化膜512 (參照?qǐng)D11D)。另外，從去除污染物的觀點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選在形成氧化膜512之前使用鹽酸/過(guò)氧化氫混合液(HPM)、硫酸/過(guò)氧化氫混合液(SPM)、氨水過(guò)氧化氫混合液(APM)、稀氫氟酸(DHF)、FPM(氫氟酸和過(guò)氧化氫水以及純水的混合液)等對(duì)單晶半導(dǎo)體襯底510的表面進(jìn)行清洗。備選地，也可以通過(guò)交替噴出稀釋的氫氟酸和臭氧水來(lái)清洗單晶半導(dǎo)體襯底510的表面。
[0247]例如，可以用氧化硅膜、氧氮化硅膜等的單層或疊層形成氧化膜512。作為用于氧化膜512的形成方法，可以使用熱氧化法、CVD法或?yàn)R射法等。當(dāng)使用CVD法形成氧化膜512時(shí)，優(yōu)選使用四乙氧基硅烷(簡(jiǎn)稱TEOS:化學(xué)式Si (OC2H5)4)等的有機(jī)硅烷形成氧化硅膜，以實(shí)現(xiàn)良好的接合。
[0248]在本實(shí)施方式中，通過(guò)對(duì)單晶半導(dǎo)體襯底510進(jìn)行熱氧化處理來(lái)形成氧化膜512(這里為S1J莫)。熱氧化處理優(yōu)選在氧化氣氛中添加鹵素來(lái)進(jìn)行。
[0249]例如，通過(guò)在添加有氯(Cl)的氧化氣氛中對(duì)單晶半導(dǎo)體襯底510進(jìn)行熱氧化處理，由此可以形成通過(guò)氯氧化的氧化膜512。在這種情況下，氧化膜512成為含有氯原子的膜。通過(guò)利用該氯氧化，俘獲外來(lái)雜質(zhì)的重金屬(例如，F(xiàn)e、Cr、N1、或Mo等)并且形成金屬氯化物然后再將該金屬氯化物去除到外部，由此可以降低單晶半導(dǎo)體襯底510的污染。此外，在與基底襯底500接合之后，來(lái)自基底襯底的Na等雜質(zhì)被固定，由此可以防止單晶半導(dǎo)體襯底510的污染。
[0250]注意，氧化膜512所包含的鹵素原子不局限于氯原子。也可以使氧化膜512中包含氟原子。作為使單晶半導(dǎo)體襯底510表面氟氧化的方法，例如可以使用以下方法:在將單晶半導(dǎo)體襯底510浸潰在HF溶液中之后在氧化氣氛中經(jīng)受熱氧化處理；或者將NF3添加到氧化氣氛中而進(jìn)行熱氧化處理；等等。
[0251]接著，由電場(chǎng)加速離子，對(duì)單晶半導(dǎo)體襯底510照射并進(jìn)行添加這些離子，由此在單晶半導(dǎo)體襯底510的預(yù)定的深度中形成結(jié)晶結(jié)構(gòu)受到損傷的脆化區(qū)域514(參照?qǐng)D11E)。
[0252]可以根據(jù)離子的動(dòng)能、質(zhì)量、電荷、或入射角等來(lái)控制形成脆化區(qū)域514的形成的深度。脆化區(qū)域514形成在與離子的平均侵入深度基本相同的深度的區(qū)域中。由此，可以根據(jù)離子的添加深度來(lái)調(diào)整從單晶半導(dǎo)體襯底510分離的單晶半導(dǎo)體層的厚度。例如，可以以使單晶半導(dǎo)體層的厚度大致成為1nm以上500nm以下,優(yōu)選為50nm以上200nm以下的方式控制平均侵入深度。
[0253]可以用離子摻雜裝置或離子注入裝置進(jìn)行上述離子照射處理。作為離子摻雜裝置的代表例，有進(jìn)行工藝氣體的等離子體激發(fā)、并且用產(chǎn)生的所有離子種照射對(duì)象的非質(zhì)量分離型裝置。在該裝置中，不對(duì)等離子體中的離子種進(jìn)行質(zhì)量分離而將其照射到對(duì)象。相對(duì)于此，離子注入裝置是質(zhì)量分離型裝置。在離子注入裝置中，對(duì)等離子體中的離子種進(jìn)行質(zhì)量分離，并用具有預(yù)定質(zhì)量的離子種照射對(duì)象。
[0254]在本實(shí)施方式中，對(duì)使用離子摻雜裝置將氫添加到單晶半導(dǎo)體襯底510的例子進(jìn)行描述。作為源氣體，使用包含氫的氣體。至于用于照射的離子，優(yōu)選將H3+的比例設(shè)定為高。具體而言，相對(duì)于H+、H2+、H3+的總量，優(yōu)選將H3+的比例設(shè)定為50%以上(更優(yōu)選為80%以上)。通過(guò)高的H3+的比例，可以使離子照射的效率得到提高。
[0255]注意，添加的離子不局限于氫離子。也可以添加氦等的離子。此外，添加的離子不局限于一種離子，也可以添加多種離子。例如，在使用離子摻雜裝置同時(shí)照射氫和氦的情況下，與在單獨(dú)的工序中進(jìn)行氫和氦的照射的情況相比可以減少工序數(shù)，并且可以抑制后面形成的單晶半導(dǎo)體層的表面粗糙度的增加。
[0256]注意，當(dāng)使用離子摻雜裝置形成脆化區(qū)域514時(shí)，也可以添加重金屬，但是通過(guò)含有鹵素原子的氧化膜512進(jìn)行離子照射，可以防止由于這些重金屬導(dǎo)致的對(duì)單晶半導(dǎo)體襯底510的污染。
[0257]接著，使基底襯底500和單晶半導(dǎo)體襯底510彼此對(duì)置，并使含有氮的層502的表面與氧化膜512彼此緊密接觸。由此，可以彼此接合基底襯底500和單晶半導(dǎo)體襯底510 (參照?qǐng)D11F) ο
[0258]當(dāng)進(jìn)行接合時(shí)，優(yōu)選對(duì)基底襯底500的一部分或單晶半導(dǎo)體襯底510的一部分施加0.ΟΟΙΝ/cm2以上ΙΟΟΝ/cm2以下，例如lN/cm2以上20N/cm2以下的壓力。通過(guò)施加壓力使接合面彼此接近而彼此緊密接觸地放置時(shí)，在緊密接觸的部分中產(chǎn)生含有氮的層502與氧化膜512之間的接合，并且接合自發(fā)性地?cái)U(kuò)展至幾乎整個(gè)區(qū)。該接合在范德華力或氫鍵的作用下進(jìn)行，并可以在室溫下進(jìn)行。
[0259]注意，在單晶半導(dǎo)體襯底510與基底襯底500彼此接合之前，優(yōu)選彼此接合的表面經(jīng)受表面處理。表面處理可以提高單晶半導(dǎo)體襯底510和基底襯底500之間的界面的接合強(qiáng)度。
[0260]作為表面處理，可以使用濕處理、干處理或濕處理與干處理的組合。備選地，可以使用濕處理與不同的濕處理的組合或可以使用干處理與不同的干處理的組合。
[0261]注意，在接合之后，可以進(jìn)行熱處理以增高接合強(qiáng)度。熱處理在不使脆化區(qū)域514發(fā)生分離的溫度(例如，室溫以上且低于400°C的溫度)進(jìn)行。備選地，也可以在該范圍內(nèi)的溫度加熱含有氮的層502及氧化膜512并進(jìn)行接合?？梢允褂萌珉娮杓訜釥t等的加熱爐、擴(kuò)散爐RTA(快速熱退火:Rapid Thermal Anneal)裝置、微波加熱裝置等進(jìn)行上述熱處理。另外，上述溫度條件只是一個(gè)例子，并且所公開(kāi)的發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式不應(yīng)被解釋為限定于此例子。
[0262]接著，進(jìn)行熱處理用于使單晶半導(dǎo)體襯底510在脆化區(qū)域進(jìn)行分離，從而在基底襯底500上形成單晶半導(dǎo)體層516，其中含有氮的層502及氧化膜512置于其間(參照?qǐng)D1IG)。
[0263]注意，優(yōu)選使進(jìn)行上述分離時(shí)的熱處理的溫度盡可能地低。這是因?yàn)檫M(jìn)行分離時(shí)的溫度低，則能夠抑制單晶半導(dǎo)體層516的表面上的粗糙度的產(chǎn)生的緣故。具體而言，進(jìn)行上述分離時(shí)的熱處理的溫度可以為300°C以上600°C以下，當(dāng)溫度為400°C以上500°C以下時(shí)熱處理更有效。
[0264]注意，也可以在使單晶半導(dǎo)體襯底510分離之后，單晶半導(dǎo)體層516可以經(jīng)受500°C以上熱處理，以降低殘留在單晶半導(dǎo)體層516中的氫的濃度。
[0265]接著，對(duì)單晶半導(dǎo)體層516的表面照射激光，由此形成表面平坦性的平整提高且缺陷的數(shù)量減少的單晶半導(dǎo)體層518。注意，可以進(jìn)行熱處理來(lái)替代激光照射處理。
[0266]在本實(shí)施方式中，雖然在緊接進(jìn)行了用來(lái)分離單晶半導(dǎo)體層516的熱處理之后進(jìn)行了激光照射處理，但是所公開(kāi)的發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式不應(yīng)被解釋為限定于此。還可以在用來(lái)分離單晶半導(dǎo)體層516的熱處理之后進(jìn)行蝕刻處理，來(lái)去除單晶半導(dǎo)體層516的表面上的缺陷多的區(qū)域，然后再進(jìn)行激光照射處理。備選地，可以在提高單晶半導(dǎo)體層516的表面平坦性之后，進(jìn)行激光照射處理。注意，上述蝕刻處理可以為濕蝕刻或干蝕刻。另外，在本實(shí)施方式中，在激光照射之后可以進(jìn)行減薄單晶半導(dǎo)體層516的厚度的工序。為了減薄單晶半導(dǎo)體層516的厚度，可以使用干蝕刻和濕蝕刻中的任一種或兩者。
[0267]通過(guò)上述工序，可以獲得具有良好特性的單晶半導(dǎo)體層518的SOI襯底(參照?qǐng)D1IH)。
[0268]<晶體管的制造方法>
接著，參照?qǐng)D12A至12H對(duì)包含上述SOI襯底的晶體管570的制造方法進(jìn)行描述。
[0269]圖12A是圖示由圖1lA至IlH所示的方法制造的SOI襯底的一部分的截面圖。
[0270]首先，將單晶半導(dǎo)體層518圖案化為具有島狀以形成半導(dǎo)體層520(參照?qǐng)D12B)。注意，在該工序前后，為了控制晶體管的閾值電壓，可以對(duì)半導(dǎo)體層添加賦予η型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素或賦予P型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素。當(dāng)半導(dǎo)體材料是硅時(shí)，作為賦予η型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素，可以使用磷或砷等。另外，作為賦予P型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素，可以使用硼、鋁、鎵等。
[0271]接著，以覆蓋半導(dǎo)體層520的方式形成絕緣層522 (參照?qǐng)D12C)。絕緣層522成為后面的柵極絕緣層。這里，通過(guò)等離子體CVD法形成氧化硅膜的單層。對(duì)于用于形成絕緣層522的材料及方法可以參照任何上述實(shí)施方式中的關(guān)于柵極絕緣層(例如柵極絕緣層108等)的描述。
[0272]接著，在絕緣層522上形成導(dǎo)電層，然后，對(duì)該導(dǎo)電層進(jìn)行選擇性蝕刻，從而在半導(dǎo)體層520上形成柵電極524(參照?qǐng)D12D)。對(duì)于用于形成柵電極524的材料及方法可以參照任何上述實(shí)施方式中的關(guān)于柵電極(例如柵電極110等)的描述。
[0273]接著，將柵電極524用作掩模，并且對(duì)半導(dǎo)體層520添加賦予一種導(dǎo)電型的雜質(zhì)以形成雜質(zhì)區(qū)域526(參照?qǐng)D12Ε)。注意，雖然這里為了形成η溝道型晶體管而添加磷(P)或砷(As)，但是在形成P溝道型晶體管等情況下，可以添加硼(B)或鋁(Al)等的雜質(zhì)元素。這里，可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)定添加的雜質(zhì)的濃度。
[0274]接著，在柵電極524的側(cè)面形成側(cè)壁絕緣層528。以覆蓋絕緣層522及柵電極524的方式形成絕緣層，然后該絕緣層經(jīng)受各向異性高的蝕刻，由此可以以自對(duì)準(zhǔn)的方式形成側(cè)壁絕緣層528。另外，此時(shí)，優(yōu)選對(duì)絕緣層522的一部分進(jìn)行蝕刻來(lái)形成柵極絕緣層522a并使雜質(zhì)區(qū)域526露出。
[0275]接著，將柵電極524及側(cè)壁絕緣層528用作掩模，對(duì)雜質(zhì)區(qū)域526添加賦予一種導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素。注意，對(duì)雜質(zhì)區(qū)域526添加的雜質(zhì)元素是與之前的工序中添加的雜質(zhì)元素賦予相同導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素。并且，對(duì)雜質(zhì)區(qū)域526添加的雜質(zhì)元素的濃度高于之前的工序中的雜質(zhì)元素的濃度。通過(guò)添加該雜質(zhì)元素，在半導(dǎo)體層520中形成一對(duì)高濃度雜質(zhì)區(qū)域530、一對(duì)低濃度雜質(zhì)區(qū)域532及溝道形成區(qū)域534(參照?qǐng)D12G)。高濃度雜質(zhì)區(qū)域530用作源區(qū)或漏區(qū)。
[0276]注意，當(dāng)半導(dǎo)體層520使用含有硅的材料形成時(shí)，為了進(jìn)一步降低源區(qū)及漏區(qū)的電阻，可以通過(guò)在半導(dǎo)體層520的一部分形成硅化物而形成硅化物區(qū)?？梢岳靡韵路绞竭M(jìn)行硅化，即:使半導(dǎo)體層接觸金屬并通過(guò)加熱處理(例如，GRTA法、或LRTA法等)使半導(dǎo)體層中的硅與金屬起反應(yīng)。對(duì)于硅化物區(qū)，可以使用鈷硅化物或鎳硅化物等。在半導(dǎo)體層520較薄的情況下，硅化反應(yīng)可以進(jìn)行到半導(dǎo)體層520的底部。作為用于形成硅化物的金屬材料，可以舉出鈦、鎳、鎢、鑰、鈷、鋯、鉿、鉭、釩、釹、鉻、鉬、鈀等。另外，還可以利用激光照射等形成硅化物區(qū)。
[0277]接著，以覆蓋通過(guò)上述工序形成的各部件的方式形成層間絕緣層536和層間絕緣層538 (參照?qǐng)D12H)。層間絕緣層536和層間絕緣層538可以使用包含如氧化硅、氧氮化硅、氮化硅、氧化鉿、氧化鋁、氧化鉭等無(wú)機(jī)絕緣材料的材料形成。此外，可以使用聚酰亞胺、丙烯酸樹(shù)脂等有機(jī)絕緣材料形成層間絕緣層536及層間絕緣層538。注意，雖然此處使用層間絕緣層536與層間絕緣層538的分層結(jié)構(gòu)，但是所公開(kāi)的發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式不局限于此。還可以采用單層結(jié)構(gòu)或包含三層以上的分層結(jié)構(gòu)。在形成層間絕緣層538之后，優(yōu)選通過(guò)CMP或蝕刻等使層間絕緣層538的表面平坦化。
[0278]接著，在上述層間絕緣層536、538中形成到達(dá)高濃度雜質(zhì)區(qū)域530的開(kāi)口，并且在該開(kāi)口中形成源電極或漏電極540a及源電極或漏電極540b (參照?qǐng)D12H)。對(duì)于用于源電極或漏電極540a及源電極或漏電極540b的材料和制造方法，可以參照有關(guān)源電極或漏電極130a及源電極或漏電極130b的描述。
[0279]通過(guò)上述工序，形成包含SOI襯底的晶體管570 (參照?qǐng)D12H)。因?yàn)槭褂醚趸锇雽?dǎo)體以外的材料的晶體管570能夠以高速進(jìn)行操作，所以可以使用該晶體管形成邏輯電路(也稱為算術(shù)電路)等。另外，該晶體管可以用于驅(qū)動(dòng)上述實(shí)施方式所述的存儲(chǔ)電路的驅(qū)動(dòng)電路。
[0280]注意，在上述工序之后，還可以形成電極、線或絕緣層等。當(dāng)線具有包含層間絕緣層及導(dǎo)電層的分層結(jié)構(gòu)的多層結(jié)構(gòu)時(shí)，可以提供高集成化的半導(dǎo)體裝置。
[0281]本實(shí)施方式所述的結(jié)構(gòu)和方法等可以與其他實(shí)施方式所述的任何結(jié)構(gòu)和方法等適當(dāng)?shù)亟M合。
[0282]實(shí)施方式8
在本實(shí)施方式中，參照?qǐng)D13A和13B以及圖14A至14C對(duì)任何上述實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體裝置的應(yīng)用進(jìn)行描述。
[0283]圖13A和13B是每個(gè)包含多個(gè)圖5A1所示的半導(dǎo)體裝置(以下也稱為存儲(chǔ)單元190)的半導(dǎo)體裝置的電路圖的例子。圖13A是存儲(chǔ)單元190串聯(lián)連接的所謂NAND型半導(dǎo)體裝置的電路圖。圖13B是存儲(chǔ)單元190并聯(lián)連接的所謂NOR型半導(dǎo)體裝置的電路圖。
[0284]圖13A中的半導(dǎo)體裝置包括源極線SL、位線BL、第一信號(hào)線S1、m條第二信號(hào)線S2、m條字線WL、配置為m個(gè)(行)(在縱向)Xl個(gè)(列)(在橫向)的多個(gè)存儲(chǔ)單元190(1，I)至190 (m，I)。注意，圖13A中，半導(dǎo)體裝置中設(shè)置有一條源極線SL和一條位線BL，但是所公開(kāi)的發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式不局限于此?？梢栽O(shè)置η條源極線SL和η條位線BL，從而形成存儲(chǔ)單元安排為m個(gè)(行)(在縱向)Xn個(gè)(列)(在橫向)的存儲(chǔ)單元陣列。
[0285]在每個(gè)存儲(chǔ)單元190中，晶體管160的柵電極、晶體管162的源電極和漏電極中的一個(gè)與電容器164的一個(gè)電極彼此電連接。第一信號(hào)線SI與晶體管162的源電極和漏電極中的另一個(gè)彼此電連接，以及第二信號(hào)線S2與晶體管162的柵電極彼此電連接。再者，字線WL與電容器164的另一個(gè)電極彼此電連接。
[0286]另外，存儲(chǔ)單元190所包含的晶體管160的源電極與相鄰的存儲(chǔ)單元190所包含的晶體管1