半導體裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及使用樹脂對殼體內(nèi)進行密封且能夠在高溫區(qū)域進行工作的半導體裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]有的半導體裝置使用了樹脂殼體來代替使用模具的傳遞模塑。在這種半導體裝置中，有的使用了SiC等化合物半導體作為半導體元件。與以往的Si半導體相比，SiC等化合物半導體能夠在高溫區(qū)域進行工作，被期待實現(xiàn)小型化和高效化。
[0003]在將半導體裝置的端子連接到以金屬基板為底座構(gòu)成的模塊時，端子的位置偏移成為問題。因此，作為對策，已知有如下技術(shù):將端子固定在外周的殼體上，從而提高端子的位置精度(專利文獻1)。
[0004]【專利文獻1】:日本特開2013-171870號公報
[0005]然而，在上述的現(xiàn)有技術(shù)中，端子的位置精度雖然提高，但相對于施加給端子的負荷而言，僅靠密封樹脂的話強度不足，存在如下問題:端子的接合部發(fā)生畸變，從而導致接合部的劣化。
【實用新型內(nèi)容】
[0006]鑒于上述問題，本實用新型提供一種半導體裝置，其能夠防止由負荷導致的端子的接合劣化，具有高可靠性。
[0007]為了解決上述問題，本實用新型成為如下所示的結(jié)構(gòu)。
[0008]本實用新型的半導體裝置具有:半導體元件、一個主面上搭載有所述半導體元件的基板、與所述基板相連接的端子、以及配置于所述基板的一個主面并且被配置為包圍所述半導體元件的殼體，該半導體裝置的特征在于，所述殼體由第1殼體和第2殼體構(gòu)成，所述第1殼體是外圍體，所述第2殼體以夾著所述端子的方式，與所述端子和所述第1殼體相抵接。
[0009]本實用新型的半導體裝置的特征在于，所述第1殼體在下表面和外壁上具有二字形狀的凹部。
[0010]在本實用新型中，利用第1殼體和第2殼體夾著端子，由此實現(xiàn)了能夠提供一種防止由負荷導致的端子的接合劣化且具有高可靠性的半導體裝置的效果。
【附圖說明】
[0011]圖1是本實用新型的實施例1的半導體裝置100的俯視示意圖。
[0012]圖2是示出圖1的A-A剖面處的半導體裝置100的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0013]圖3是示出圖1的B-B剖面處的半導體裝置100的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0014]標號說明
[0015]1:第1殼體;2:第2殼體;3:半導體元件;4:基板;5:導體層;6:端子；100:半導體裝置。
【具體實施方式】
[0016]下面，參照附圖對用于實施本實用新型的方式詳細地進行說明。另外，在以下附圖的記載中，對于相同或類似的部分，使用相同或類似的標號進行表示。但是，附圖是示意性的，尺寸關(guān)系的比率等與實際不同。因此，具體的尺寸等應(yīng)該參照以下說明進行判斷。另外，當然附圖相互之間也包括彼此的尺寸關(guān)系或比率不同的部分。
[0017]另外，以下所示的實施方式是用于使該實用新型的技術(shù)思想具體化的例子，該實用新型的實施方式并不將構(gòu)成部件的材質(zhì)、形狀、結(jié)構(gòu)、配置等限定為下述的內(nèi)容。該實用新型的實施方式能夠在不脫離主旨的范圍內(nèi)實施各種改變。
[0018]實施例
[0019]下面，參照附圖對本實用新型的實施例的半導體裝置100進行說明。圖1是本實用新型的實施例的半導體裝置100的俯視示意圖。圖2是示出圖1的A-A剖面處的半導體裝置100的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。另外，圖3是示出圖1的A-A剖面處的半導體裝置100的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0020]圖1所示的半導體裝置100具有:外側(cè)殼體1、內(nèi)側(cè)殼體2、半導體元件3、基板4、導體層5以及端子6。
[0021]第1殼體配置于基板4的一個主面，俯視觀察時，以包圍半導體元件的方式設(shè)置。在本實施例中，第1殼體的外壁和第2殼體2的內(nèi)壁相抵接。因此，第1殼體1作為保護半導體元件的封裝(外圍體)的一部分發(fā)揮作用。殼體例如優(yōu)選為加工性好且熔點較高(280°C)、以聚苯硫醚(PPS)為代表的高性能工程塑料。
[0022]第2殼體配置于基板4的一個主面，俯視觀察時，以包圍半導體元件的方式設(shè)置。在本實施例中，在第1殼體的下表面和外壁上具有=字形狀的凹部。通過將端子固定于凹部來防止與負荷相應(yīng)的變形。
[0023]第1殼體的外壁和第2殼體2的內(nèi)壁相抵接，作為保護半導體元件的封裝(外圍體)的一部分發(fā)揮作用。第2殼體例如優(yōu)選為加工性好且熔點較高(280°C)、以聚苯硫醚(PPS)為代表的高性能工程塑料。
[0024]半導體元件3通過粘結(jié)材料被載置并固定于基板4上的電極上。例如，半導體元件3是由Si半導體、SiC半導體等構(gòu)成的電力用半導體元件?；衔锇雽w與Si半導體相比，能夠在高溫狀態(tài)下進行工作，另外，開關(guān)速度較快，損耗低。
[0025]基板4是將金屬作為基材的金屬板，并且將A1或A1合金、或Cu、Cu合金作為基材。在基板的一個主面上形成有絕緣層，并且在絕緣層的上表面形成導體層?；?的導體層在一個主面上通過導電性粘結(jié)材料固定著半導體元件3。關(guān)于基板4，使第1殼體和第2殼體的下表面與基板4的上表面相抵接。
[0026]導體層5將Cu或Cu合金作為基材，例如厚度為0.2mm，并實施了鍍覆。在基板4的上表面(一個主面)上，通過導電性粘接材料(未圖示)固定著半導體元件3和端子6。例如，導電性粘接材料使用焊料。
[0027]端子6是在Cu或者Cu合金上實施了鍍Ni或鍍Ag而形成的。在本實施例的半導體裝置100中，端子通過導電性粘接材料與基板4的上表面的導體層5電連接。端子6作為半導體元件等的外部取出電極發(fā)揮作用。端子6是對1.0mm厚的平狀板材進行沖切加工或化學蝕刻加工而形成的。
[0028]接著，對上述實施例的半導體裝置100的效果進行說明。
[0029]根據(jù)第一方式，在本實用新型的實施例的半導體裝置中，第1殼體的外壁和第2殼體2的內(nèi)壁相抵接，夾著端子，由此能夠防止由負荷導致的端子的變形，并且能夠防止端子接合部的劣化。
[0030]根據(jù)第二方式，第1殼體的下表面和外壁具有η⑴)字形狀的凹部，由此，能夠用第1殼體壓住端子，從而使端子固定于凹部，能夠確保端子的位置精度。另外，通過利用凹部固定端子，能夠容易地使端子與基板接合。
[0031]雖然如上記載了用于實施本實用新型的方式，但顯然本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠根據(jù)上述公開的內(nèi)容實現(xiàn)多種代替的實施方式和實施例。
[0032]雖然端子向外部的伸出方式設(shè)為垂直方向，但根據(jù)外部設(shè)備的連接狀態(tài)，也可以使端子角度向外側(cè)彎曲。由于是夾著端子來進行固定，因此，即使在橫向上施加變形，端子接合部也不會發(fā)生畸變。
[0033]對于端子的接合，例如使用焊料，但也可以使用超聲波接合。無鉛化對環(huán)境更加有利。
[0034]也可以是:使用DBC基板作為散熱用絕緣基板，該DBC基板是在A1N基板或氧化鋁陶瓷基板上，利用Direct Copper Bond法接合銅電路后而成的基板。
[0035]第1殼體和第2殼體以PPS材料為主要材料，但優(yōu)選是比金屬輕且能保持絕緣性的材料，也可以是氯乙稀樹脂、ABS樹脂等。
【主權(quán)項】
1.一種半導體裝置，其具有: 半導體元件； 在一個主面上搭載有所述半導體元件的基板； 與所述基板相連接的端子；以及 殼體，其配置于所述基板的一個主面，并且被配置為包圍所述半導體元件， 所述半導體裝置的特征在于， 所述殼體由第1殼體和第2殼體構(gòu)成， 所述第1殼體是外圍體，所述第2殼體以夾著所述端子的方式，與所述端子和所述第1殼體相抵接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置，其特征在于， 所述第1殼體在下表面和外壁上具有=字形狀的凹部。
【專利摘要】本實用新型提供一種半導體裝置，能夠防止端子連接劣化且具有高可靠性。本實用新型的半導體裝置具有：半導體元件、一個主面上搭載有半導體元件的基板、與基板相連接的端子、以及配置于基板的一個主面并且被配置為包圍半導體元件的殼體，該半導體裝置的特征在于，殼體由第1殼體和第2殼體構(gòu)成，第1殼體是外圍體，第2殼體以夾著端子的方式，與端子和第1殼體相抵接。另外，第1殼體在下表面和外壁上具有コ字形狀的凹部。
【IPC分類】H01L23/10
【公開號】CN205104478
【申請?zhí)枴緾N201520926565
【發(fā)明人】小林達也
【申請人】三墾電氣株式會社
【公開日】2016年3月23日
【申請日】2015年11月19日