本發(fā)明實(shí)施例是關(guān)于一種半導(dǎo)體集成電路，特別是關(guān)于一種包含平坦化作業(yè)的半導(dǎo)體裝置的制造方法，例如化學(xué)機(jī)械研磨。

背景技術(shù)：

隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)展到納米技術(shù)制程節(jié)點(diǎn)以尋求較高裝置密度、較高表現(xiàn)及較低成本的關(guān)系，來(lái)自制造及設(shè)計(jì)方面的挑戰(zhàn)驅(qū)使著三維設(shè)計(jì)的發(fā)展，例如鰭式場(chǎng)效晶體管(finfet)。finfet裝置典型來(lái)說(shuō)包含附有高深寬比的半導(dǎo)體鰭片及于其中形成半導(dǎo)體晶體管裝置的通道及源極/漏極區(qū)。柵極形成于并沿著鰭裝置的側(cè)邊(例如，包覆)，利用增加通道及源極/漏極區(qū)的表面積的優(yōu)點(diǎn)以生產(chǎn)較快、較可靠及較好控制的半導(dǎo)體晶體管裝置。一或多個(gè)層間介電(介電)層形成于鰭狀結(jié)構(gòu)及/或柵極結(jié)構(gòu)上，及對(duì)介電層執(zhí)行平坦化作業(yè)，例如化學(xué)機(jī)械研磨制程。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本揭露一實(shí)施態(tài)樣是提供一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，包含：形成一第一介電層于設(shè)置于一基板上的下方結(jié)構(gòu)上；形成一抗平坦化層于第一介電層上；形成一第二介電層于第一介電層及抗平坦化層上；以及對(duì)第二介電層、抗平坦化層及第一介電層執(zhí)行一平坦化作業(yè)，其中抗平坦化層是由異于第一介電層的材料所制成。

附圖說(shuō)明

當(dāng)結(jié)合附圖閱讀以下詳細(xì)描述時(shí)將更好地理解本揭露內(nèi)容的態(tài)樣。但須強(qiáng)調(diào)的是，依照本產(chǎn)業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)做法，各種特征未按照比例繪制。事實(shí)上，各種特征的尺寸為了清楚的討論而可被任意放大或縮小。

圖1-8是依據(jù)本揭露的一實(shí)施方式，顯示用于制造半導(dǎo)體裝置的例示性連續(xù)制程；

圖9是依據(jù)本揭露的一實(shí)施方式，顯示半導(dǎo)體裝置的例示性布局結(jié)構(gòu)；

圖10-17是依據(jù)本揭露的一實(shí)施方式，顯示用于制造半導(dǎo)體裝置的例示性連續(xù)制程；

圖18及圖19是依據(jù)本揭露的另一實(shí)施方式，顯示用于制造半導(dǎo)體裝置的例示性連續(xù)制程；

圖20及圖21是依據(jù)本揭露的另一實(shí)施方式，顯示用于制造半導(dǎo)體裝置的例示性連續(xù)制程。

具體實(shí)施方式

本揭露接下來(lái)將會(huì)提供許多不同的實(shí)施方式或?qū)嵤├詫?shí)施本揭露中不同的特征。各特定實(shí)施例中的組成及配置將會(huì)在以下作描述以簡(jiǎn)化本揭露。這些為實(shí)施例僅作為示范并非用于限定本揭露。例如，元件的尺寸并非限定于揭露的范圍或數(shù)值，但可取決于制程條件及/或理想的裝置特性。此外，敘述中一第一特征形成于一第二特征之上可包含實(shí)施例中的第一特征與第二特征直接接觸，亦可包含第一特征與第二特征之間更有其他額外特征形成介于第一及第二特征間，使第一特征與第二特征無(wú)直接接觸。為了簡(jiǎn)單及清晰，各種特征可任意地以不同比例繪制。

進(jìn)一步，空間關(guān)系的用語(yǔ)像是“下方”、“之下”、“較低”、“上方”、“較高”及類(lèi)似用語(yǔ)，可用于此處以便描述附圖中一元件或特征與另一元件與特征之間的關(guān)系。這些相對(duì)空間關(guān)系的用語(yǔ)是為了涵蓋除了附圖所描述的方向以外，元件于使用或操作中的各種不同的方向。裝置可另有其他導(dǎo)向方式(旋轉(zhuǎn)90度或朝其他方向)，此時(shí)的空間相對(duì)關(guān)系也可依上述方式解讀。此外，用語(yǔ)像是“由…所制成”可意味著“包含”或“由…組成”。

圖1-8是依據(jù)本揭露的一實(shí)施方式，說(shuō)明用于制造半導(dǎo)體裝置的例示性連續(xù)制程。圖1-8說(shuō)明用于制造一種介電層的例示性連續(xù)制程，其形成于下方結(jié)構(gòu)及基板上。下方結(jié)構(gòu)包含，例如，鰭狀結(jié)構(gòu)、柵極結(jié)構(gòu)、金屬配線及其組成。圖1-8中，關(guān)于下方結(jié)構(gòu)及/或任何額外元件的詳細(xì)說(shuō)明被簡(jiǎn)化或省略。

如圖1中所示，下方結(jié)構(gòu)20設(shè)置于基板10上。圖2中，第一介電層30形成于下方結(jié)構(gòu)20及未設(shè)置下方結(jié)構(gòu)的基板10區(qū)域上。第一介電層30由例如，一或多層氧化硅為基底的絕緣材料所制成，例如sio2、teos(硅酸乙酯)、bpsg(硼磷硅玻璃)或低介電系數(shù)(low-k)介電材料。低介電系數(shù)介電材料具有k值(介電常數(shù))低于約4.0。一些低介電系數(shù)介電材料具有k值低于約3.5及可具有k值低于約2.5。

用于第一介電層30的材料可包含元素si、o、c及/或h，例如sicoh及sioc。有機(jī)材料例如聚合物可用于第一介電層30。例如，第一介電層30由一或多層含碳材料、有機(jī)硅玻璃、含成孔劑材料及/或其組合所制成。

第一介電層30可利用例如，等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(pecvd)、低壓cvd(lpcvd)、可流動(dòng)式cvd、原子層cvd(alcvd)及/或旋轉(zhuǎn)技術(shù)來(lái)形成。在一些實(shí)施方式中，第一介電層30的厚度落于范圍自約500nm至約1500nm。

接著，如圖3中所示，抗平坦化膜利用pecvd、lpcvd或其他適合的膜形成法形成于第一介電層30上。抗平坦化膜40包含具有于后續(xù)平坦化作業(yè)中(例如，化學(xué)機(jī)械研磨(cmp))蝕刻速率低于第一介電層30的材料。在一些實(shí)施方式中，抗平坦化膜包含一或多層氮化硅為基底的絕緣材料，例如sin、sion或sicn、碳化硅(sic)或鋁為基底的絕緣材料，例如alo或alon。在一些實(shí)施方式中抗平坦化膜40的厚度落于范圍自約50nm至約300nm，及在其他實(shí)施方式中落于范圍自約100nm至約200nm。

如圖4及圖5中所示，圖案化制程，包含對(duì)抗平坦化膜40進(jìn)行微影及蝕刻制程以獲得抗平坦化層45。在一些實(shí)施方式中，如圖4中所示，遮罩層50，例如光阻層或硬遮罩層，形成于抗平坦化膜40上。接著，如圖5中所示，對(duì)抗平坦化膜40進(jìn)行蝕刻以獲得抗平坦化層45。

如圖5中所示，抗平坦化層45形成于第一介電層30的凹部上。在凹部中，形成于基板10的第一介電層30頂面的高度低于在其他地方形成的第一介電層30頂面的高度，例如，在下方結(jié)構(gòu)20上。特別是，凹部形成于基板10區(qū)域，其無(wú)下方結(jié)構(gòu)20形成。在一些實(shí)施方式中，凹部的尺寸大于50nm2。

在一些實(shí)施方式中，下方結(jié)構(gòu)20包含多個(gè)圖案，例如，鰭狀結(jié)構(gòu)、柵極結(jié)構(gòu)或傳導(dǎo)性圖案，及設(shè)置于基板10的密集區(qū)。抗平坦化層45形成于粗糙區(qū)(實(shí)質(zhì)地對(duì)應(yīng)到凹部)上，此處多個(gè)結(jié)構(gòu)的密度小于門(mén)檻密度。在一實(shí)施方式中，門(mén)檻密度可由多個(gè)結(jié)構(gòu)間的間距來(lái)決定。例如，密集區(qū)為一區(qū)域其所在的相鄰下方圖案間的距離等于或小于門(mén)檻間距s1及粗糙區(qū)為一區(qū)域介于相鄰下方圖案之間，其距離大于門(mén)檻間距s1。在一些實(shí)施方式中，門(mén)檻間距s1為k×密集區(qū)中相鄰下方圖案間最小間距，此處k大于一(1)。在某些實(shí)施方式中，k為2、3、4或更多。

接著，如圖6中所示，第二介電層60形成于抗平坦化層45及第一介電層30上。可使用相似于第一介電層30的材料及膜形成法以形成第二介電層60。在一些實(shí)施方式中，第二介電層60的厚度落于范圍自約50nm至約300nm，及在其他實(shí)施方式中，落于范圍自約100nm至約200nm。

如圖7及圖8中所示，對(duì)第二介電層60、抗平坦化層45及第一介電層30執(zhí)行平坦化作業(yè)，例如回蝕作業(yè)或cmp。

蝕刻或研磨位于粗糙區(qū)(凹部)的第二介電層60比下方結(jié)構(gòu)20上方的密集區(qū)還快。如圖7中所示，在抗平坦化層45曝露后，由于抗平坦化層45的蝕刻速度比第一及第二介電層還慢，在密集區(qū)及粗糙區(qū)的蝕刻速度可獲得平衡。結(jié)果，如圖8中所示，比起未使用抗平坦化層的情況，平坦的第一介電層可帶有較為平坦的表面輪廓。換句話說(shuō)，可降低所謂的“碟化效應(yīng)(dishingeffect)”。

在一些實(shí)施方式中，碟陷量h2，其為第一介電層30的最低頂面部分與近粗糙區(qū)第一介電層的最高頂面部分間高度的差異，當(dāng)抗平坦化層45未使用時(shí)，碟陷量落于范圍自約15％至約30％。在某些實(shí)施方式中，碟陷量h2落于范圍約自1nm至約10nm。

圖9是依據(jù)本揭露的一實(shí)施方式，顯示半導(dǎo)體裝置的例示性布局結(jié)構(gòu)。圖9說(shuō)明鰭狀結(jié)構(gòu)及柵極結(jié)構(gòu)(柵極電極)的例示性布局結(jié)構(gòu)，其形成一或多個(gè)鰭式場(chǎng)效晶體管(finfets)。

圖9中的區(qū)域ar1，設(shè)置鰭狀結(jié)構(gòu)200朝y方向延伸，同時(shí)柵極結(jié)構(gòu)250朝x方向延伸設(shè)置于鰭狀結(jié)構(gòu)上，及圖9中的區(qū)域ar2，設(shè)置鰭狀結(jié)構(gòu)205朝x方向延伸，同時(shí)柵極結(jié)構(gòu)255朝y方向延伸設(shè)置于鰭狀結(jié)構(gòu)上。進(jìn)一步在區(qū)域ar3中，設(shè)置虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)260，及在區(qū)域ar4中，設(shè)置虛設(shè)鰭狀結(jié)構(gòu)210。在一實(shí)施方式中，區(qū)域ar3及ar4包含主動(dòng)(非虛設(shè))柵極結(jié)構(gòu)及/或鰭狀結(jié)構(gòu)。

在區(qū)域ar1及ar2中，鰭狀結(jié)構(gòu)及/或柵極結(jié)構(gòu)分別以特定間距sf及/或sg做配置。在區(qū)域ar3及ar4中的虛設(shè)結(jié)構(gòu)可具有相似的配置。相較而言，在區(qū)域ar5中，無(wú)設(shè)置鰭狀結(jié)構(gòu)及柵極結(jié)構(gòu)。

區(qū)域ar1及ar2間的距離d1及區(qū)域ar3及ar4間的距離d2為k×sf或k×sg，此處k大于一(1)。在某些實(shí)施方式中，k為2、3、4或更多。

圖10-17是依據(jù)本揭露的一實(shí)施方式，顯示用于制造半導(dǎo)體裝置的例示性連續(xù)制程。圖10-17顯示對(duì)應(yīng)到圖9中線x1-x1的例示性剖視圖?？墒褂孟嗤蛳嗨朴趫D1-8的作業(yè)、制程、配置及/或材料于后續(xù)的實(shí)施方式中，及詳細(xì)的說(shuō)明可被省略。

如圖10中所示，遮罩層105形成于基板100上，由例如si所制成。遮罩層的圖案對(duì)應(yīng)至圖9的鰭狀結(jié)構(gòu)200及205。

如圖11中所示，si基板100利用遮罩層105作為蝕刻遮罩而被蝕刻出溝槽，借以形成鰭狀結(jié)構(gòu)200及205。

如圖12中所示，接著，執(zhí)行相似圖2-6所述的作業(yè)，從而形成第一介電層300、第一抗平坦化層450及第二介電層500。第一抗平坦化層450設(shè)置于區(qū)域ar5中。

在一些實(shí)施方式中，第一抗平坦化層450形成于區(qū)域ar3的部分中，其無(wú)設(shè)置鰭狀結(jié)構(gòu)。

如圖13中所示，接著，執(zhí)行相似第7及圖8所述的作業(yè)，從而獲得平坦化的第一介電層300。在圖13中，于平坦化作業(yè)后，曝露出鰭狀結(jié)構(gòu)200、205的頂面。

然后，如圖14中所示，第一介電層300凹陷使得自第一介電層300曝露出來(lái)的鰭狀結(jié)構(gòu)的頂部，可被用作finfet的通道。

如圖15中所示，在鰭狀結(jié)構(gòu)的頂部曝露的后，形成柵極結(jié)構(gòu)250、255。

然后，如圖16中所示，執(zhí)行相似圖2-6所述的作業(yè)，從而形成第三介電層350、第二抗平坦化層460及第四介電層550。第二抗平坦化層460設(shè)置于區(qū)域ar5中。在一些實(shí)施方式中，第二抗平坦化層460也形成于區(qū)域ar4的部分中，其無(wú)設(shè)置柵極結(jié)構(gòu)。

接著，如圖17中所示，執(zhí)行相似于圖7及圖8所述的作業(yè)，從而獲得平坦化的第三介電層350。圖17中，于平坦化作業(yè)后，曝露出柵極結(jié)構(gòu)250、255的頂面。

圖18及圖19是依據(jù)本揭露另一實(shí)施方式，顯示用于制造半導(dǎo)體裝置的例示性連續(xù)制程?？墒褂孟嗤蛳嗨朴趫D1-17的作業(yè)、制程、配置及/或材料于后續(xù)的實(shí)施方式中，及詳細(xì)的說(shuō)明可被省略。

在此實(shí)施方式中，如圖18及圖19中所示，進(jìn)行等離子處理70以修改第一介電層30的頂面。氨氣(nh3)及氮?dú)?n2)可用作等離子處理的氣體來(lái)源。等離子處理可包含直接等離子或遠(yuǎn)距離等離子于約100℃至約400℃的溫度，小于100torr的壓力下。

通過(guò)等離子處理，第一介電層30中，深度約10nm至100nm的頂面部分被修改成抗平坦化層42。在一些實(shí)施方式中，抗平坦化層42的厚度落于范圍自約20nm至約50nm。

圖20及圖21是依據(jù)本揭露另一實(shí)施方式，顯示用于制造半導(dǎo)體裝置的例示性連續(xù)制程。

在此實(shí)施方式中，使用離子布植將氮引進(jìn)第一介電層30的表面。如圖20中所示，遮罩圖案55具有開(kāi)口形成于如圖2中的結(jié)構(gòu)上。然后，氮離子(或離子包含氮)75布植入第一介電層30的表面。如圖21中所示，通過(guò)離子布植，第一介電層30中，深度約10nm至100nm的頂面部分被修改成抗平坦化層44。在一些實(shí)施方式中，抗平坦化層44的厚度落于范圍自約20nm至約50nm。

在此所述的各種實(shí)施方式或?qū)嵤├峁┰S多勝過(guò)現(xiàn)存技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)。例如，在本揭露中，由于抗平坦化層形成于一部分中其無(wú)下方圖案，可降低碟化效應(yīng)。

應(yīng)將理解的是，并非所有的優(yōu)點(diǎn)須在此討論，無(wú)特定優(yōu)點(diǎn)用于限定所有實(shí)施方式或?qū)嵤├?，及其他?shí)施方式或?qū)嵤├商峁┎煌膬?yōu)點(diǎn)。

依據(jù)本揭露的一實(shí)施態(tài)樣，用于制造半導(dǎo)體裝置的方法中，第一介電層形成于設(shè)置于基板上的下方結(jié)構(gòu)上?？蛊教够瘜有纬捎诘谝唤殡妼由稀５诙殡妼有纬捎诘谝唤殡妼蛹翱蛊教够瘜由?。對(duì)第二介電層、抗平坦化層及第一介電層執(zhí)行平坦化作業(yè)?？蛊教够び僧愑诘谝唤殡妼拥牟牧纤瞥?。

依據(jù)本揭露的另一實(shí)施態(tài)樣，用于制造半導(dǎo)體裝置的方法中，鰭狀結(jié)構(gòu)形成于基板的第一區(qū)域上?；暹M(jìn)一步包含第二區(qū)域其中未形成鰭狀結(jié)構(gòu)。第一介電層形成于第一區(qū)域中的鰭狀結(jié)構(gòu)及基板的第二區(qū)域上。第一抗平坦化層形成于第二區(qū)域中的第一介電層上。第二介電層形成于第一介電層及第一抗平坦化層上。對(duì)第二介電層、第一抗平坦化層及第一介電層執(zhí)行第一平坦化作業(yè)?？蛊教够び僧愑诘谝唤殡妼拥牟牧纤瞥?。

依據(jù)本揭露的另一實(shí)施態(tài)樣，半導(dǎo)體裝置包含設(shè)置于基板上的下方結(jié)構(gòu)，及設(shè)置于下方結(jié)構(gòu)及基板上的介電層?；灏谝粎^(qū)域其下方結(jié)構(gòu)以小于門(mén)檻間距的間距設(shè)置及第二區(qū)域其無(wú)設(shè)置下方結(jié)構(gòu)。相鄰第二區(qū)域間的距離等于或多于門(mén)檻間距。絕緣材料層由異于介電層的材料所制成設(shè)置于第二區(qū)域中，及未形成于第一區(qū)域中。

根據(jù)本揭露的一實(shí)施例，其中形成抗平坦化層的方法包含：形成一抗平坦化膜于第一介電層上；以及圖案化抗平坦化膜以形成抗平坦化層。

根據(jù)本揭露的一實(shí)施例，其中抗平坦化膜在平坦化作業(yè)中具有低于第一介電層的一蝕刻速率。

根據(jù)本揭露的一實(shí)施例，其中抗平坦化膜包含一或多者的sin、sion、sicn、sic、alo及alon。

根據(jù)本揭露的一實(shí)施例，其中形成抗平坦化層的方法包含通過(guò)導(dǎo)入氮?dú)庥诘谝唤殡妼又幸孕薷牡谝唤殡妼拥谋砻鎸印?/p>

根據(jù)本揭露的一實(shí)施例，其中：氮?dú)馐且院獨(dú)怏w利用等離子將氮?dú)鈱?dǎo)入第一介電層的表面，及形成抗平坦化層的方法進(jìn)一步包含圖案化此修改的表面層以形成抗平坦化層。

根據(jù)本揭露的一實(shí)施例，其中氮?dú)馐峭ㄟ^(guò)離子布植穿過(guò)形成于第一介電層上的遮罩圖案的一開(kāi)口導(dǎo)入第一介電層的表面層中。

根據(jù)本揭露的一實(shí)施例，其中抗平坦化層形成于第一介電層的一凹部上。

根據(jù)本揭露的一實(shí)施例，其中抗平坦化作業(yè)包含化學(xué)機(jī)械研磨作業(yè)。

根據(jù)本揭露的一實(shí)施例，其中：下方結(jié)構(gòu)包含多個(gè)結(jié)構(gòu)，抗平坦化層形成于一區(qū)域上，其多個(gè)結(jié)構(gòu)的密度小于一門(mén)檻密度以及門(mén)檻密度可由多個(gè)結(jié)構(gòu)間的一間距來(lái)決定。

本揭露另一實(shí)施態(tài)樣是提供一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，包含：形成多個(gè)鰭狀結(jié)構(gòu)于一基板的一第一區(qū)域上，基板進(jìn)一步包含一第二區(qū)域其無(wú)鰭狀結(jié)構(gòu)形成；形成一第一介電層于第一區(qū)域中的鰭狀結(jié)構(gòu)及基板的第二區(qū)域上；形成一第一抗平坦化層于第二區(qū)域中的第一介電層上；以及對(duì)第二介電層、第一抗平坦化層及第一介電層執(zhí)行一第一平坦化作業(yè)，其中抗平坦化層由異于第一介電層的材料所制成。

根據(jù)本揭露的一實(shí)施例，其中形成第一抗平坦化層的方法包含：形成一第一抗平坦化膜于第一介電層上；以及圖案化第一抗平坦化膜以形成第一抗平坦化層。

根據(jù)本揭露的一實(shí)施例，其中第一抗平坦化膜包含一或多者的sin、sion、sicn、sic、alo及alon。

根據(jù)本揭露的一實(shí)施例，其中鰭狀結(jié)構(gòu)之間以多個(gè)間距設(shè)置于第一區(qū)域中，這些間距等于或小于一第一門(mén)檻間距。

根據(jù)本揭露的一實(shí)施例，其中：兩個(gè)第一區(qū)域設(shè)置于基板上帶有第二區(qū)域穿插于其之間，及這些第一區(qū)域之間的一距離大于第一門(mén)檻間距。

根據(jù)本揭露的一實(shí)施例，進(jìn)一步包含：形成多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)于基板的一第三區(qū)域上，基板進(jìn)一步包含一第四區(qū)域其無(wú)柵極結(jié)構(gòu)形成；形成一第三介電層于第三區(qū)域中的柵極結(jié)構(gòu)及此基板的第四區(qū)域上；形成一第二抗平坦化層于第四區(qū)域中的第三介電層上；形成一第四介電層于第三介電層及第二抗平坦化層上；以及對(duì)第四介電層、第二抗平坦化層及第三介電層執(zhí)行一平坦化作業(yè)。

根據(jù)本揭露的一實(shí)施例，其中柵極結(jié)構(gòu)之間以多個(gè)間距設(shè)置于第三區(qū)域中，這些間距等于或小于一第二門(mén)檻間距。

根據(jù)本揭露的一實(shí)施例，其中：兩個(gè)第三區(qū)域設(shè)置于基板上帶有第四區(qū)域穿插于其之間，及第三區(qū)域之間的一距離大于第二門(mén)檻間距。

根據(jù)本揭露的一實(shí)施例，進(jìn)一步包含：在第一平坦化作業(yè)的后，凹陷第一介電層使得鰭狀結(jié)構(gòu)的多個(gè)頂部曝露出來(lái)；形成多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)于曝露的鰭狀結(jié)構(gòu)上；形成一第三介電層于柵極結(jié)構(gòu)、鰭狀結(jié)構(gòu)及基板的第二區(qū)域上；形成一第二抗平坦化層于第二區(qū)域中的第三介電層上；以及對(duì)第四介電層、第二抗平坦化層及第三介電層執(zhí)行一平坦化作業(yè)。

本揭露又一實(shí)施態(tài)樣是提供一種半導(dǎo)體裝置，包含：多個(gè)下方結(jié)構(gòu)設(shè)置于一基板上；以及一介電層設(shè)置于下方結(jié)構(gòu)及基板上，其中：基板包含多個(gè)第一區(qū)域其以小于一門(mén)檻間距的一間距設(shè)置下方結(jié)構(gòu)及多個(gè)第二區(qū)域其未設(shè)置下方結(jié)構(gòu)，相鄰的第二區(qū)域間的一距離等于或多于此門(mén)檻間距，及一絕緣材料層由異于介電層的材料所制成設(shè)置于第二區(qū)域中，及未形成于第一區(qū)域中。

前文概述數(shù)個(gè)實(shí)施例的特征以使得熟悉該項(xiàng)技術(shù)者可更好地理解本揭露的態(tài)樣。熟悉該項(xiàng)技術(shù)者應(yīng)了解，可容易地將本揭露內(nèi)容用作設(shè)計(jì)或修改用于實(shí)現(xiàn)相同目的及/或達(dá)成本文引入的實(shí)施例的相同優(yōu)點(diǎn)的其他制程及結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)。熟悉該項(xiàng)技術(shù)者亦應(yīng)認(rèn)識(shí)到，此類(lèi)等效物構(gòu)造不違背本揭露內(nèi)容的精神及范疇，且可在不違背本揭露內(nèi)容的精神及范疇的情況下于此作出各種變化、替代以及變更。