技術特征：

技術總結
在一種制造半導體裝置的方法中，第一介電層形成于設置于基板上的下方結構上?？蛊教够瘜有纬捎诘谝唤殡妼由稀５诙殡妼有纬捎诘谝唤殡妼蛹翱蛊教够瘜由?。對第二介電層、抗平坦化層及第一介電層執(zhí)行平坦化作業(yè)。抗平坦化層由異于第一介電層的材料所制成。

技術研發(fā)人員：吳俊毅;李亮峣;蔡宗杰
受保護的技術使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術研發(fā)日：2016.11.24
技術公布日：2017.10.03