專利名稱：封裝載板及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法，且特別是涉及一種封裝載板及其制作方法。
背景技術(shù)：
芯片封裝的目的在于保護裸露的芯片、降低芯片接點的密度及提供芯片良好的散熱。傳統(tǒng)的打線(wire bonding)技術(shù)通常采用導(dǎo)線架(Ieadframe)作為芯片的承載器(carrier)。隨著芯片的接點密度逐漸提高，導(dǎo)線架已無法再提供更高的接點密度，故可利用具有高接點密度的封裝基板(packagesubstrate)來取代之，并通過金屬導(dǎo)線或凸塊 (bump)等導(dǎo)電媒體，將芯片封裝至封裝基板上。以目前常用的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)來說，由于發(fā)光二極管芯片在使用前需先進行封裝，且發(fā)光二極管芯片在發(fā)出光線時會產(chǎn)生大量的熱能。倘若，發(fā)光二極管芯片所產(chǎn)生的熱能無法逸散而不斷地堆積在發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)，則發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的溫度會持續(xù)地上升。如此一來，發(fā)光二極管芯片可能會因為過熱而導(dǎo)致亮度衰減及使用壽命縮短，嚴重者甚至造成永久性的損壞。隨著集成電路的積成度的增加，由于發(fā)光二極管芯片與封裝載板之間的熱膨脹系數(shù)不匹配(mismatch),其所產(chǎn)生的熱應(yīng)力(thermal stress)與翅曲(warpage)的現(xiàn)象也日漸嚴重，而此結(jié)果將導(dǎo)致發(fā)光二極管芯片與封裝載板之間的可靠度(reliability)下降。 因此，現(xiàn)今封裝技術(shù)除著眼于提高光汲取效率外，另一重要關(guān)鍵技術(shù)是降低封裝結(jié)構(gòu)的熱應(yīng)力，以增加使用壽命及提高可靠度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種封裝載板，其適于承載一發(fā)熱兀件。本發(fā)明提供一種封裝載板的制作方法，用以制作上述的封裝載板。本發(fā)明提出一種封裝載板的制作方法，其包括下列步驟。提供一基板?；寰哂幸簧媳砻嬉约耙幌鄬τ谏媳砻娴南卤砻?。形成一連通基板的上表面與下表面的第一開口。 配置一導(dǎo)熱元件于基板的第一開口內(nèi)，其中導(dǎo)熱元件通過一絕緣材料而固定于基板的第一開口內(nèi)。形成至少一貫穿基板的貫孔。形成一金屬層于基板的上表面、下表面上以及貫孔內(nèi)，其中金屬層覆蓋基板的上表面、下表面、導(dǎo)熱元件以及絕緣材料。移除部分金屬層。形成一防焊層于金屬層上。形成一表面保護層，其中表面保護層包覆暴露于防焊層之外的金屬層以及位于貫孔內(nèi)的金屬層。本發(fā)明還提出一種封裝載板，其適于承載一發(fā)熱兀件。封裝載板包括一基板、一導(dǎo)熱兀件、一絕緣材料、一金屬層、一防焊層以及一表面保護層?；寰哂幸簧媳砻妗⑾鄬τ谏媳砻娴囊幌卤砻?、連通上表面與下表面的一第一開口以及至少一貫孔。導(dǎo)熱元件配置于基板的第一開口內(nèi)。絕緣材料填充于基板的第一開口內(nèi)，用以將導(dǎo)熱元件固定于基板的第一開口內(nèi)。金屬層配置于基板的上表面、下表面上以及貫孔內(nèi)且暴露出部分基板。防焊層配置于金屬層上。表面保護層包覆暴露于防焊層之外的金屬層以及位于貫孔內(nèi)的金屬層，且發(fā)熱元件配置于對應(yīng)導(dǎo)熱元件的上方的表面保護層上。基于上述，由于本發(fā)明的封裝載板具有導(dǎo)熱元件，且導(dǎo)熱元件是內(nèi)埋于基板內(nèi)，因此當(dāng)將一發(fā)熱元件配置于封裝載板上時，發(fā)熱元件所產(chǎn)生的熱可通過導(dǎo)熱元件以及基板上的金屬層而快速地傳遞至外界。如此一來，本發(fā)明的封裝載板可以有效地排除發(fā)熱元件所產(chǎn)生的熱，進而改善發(fā)熱元件的使用效率與使用壽命。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附附圖作詳細說明如下。


圖1A至圖IE為本發(fā)明的一實施例的一種封裝載板的制作方法的剖面示意圖；圖2為圖1E的封裝載板承載一發(fā)熱元件的剖面示意圖；圖3A至圖3E為本發(fā)明的另一實施例的一種封裝載板的制作方法的剖面示意圖；圖4為圖3E的封裝載板承載一發(fā)熱元件的剖面示意圖。主要元件符號說明100a、100b :封裝載板110a、110b:基板11 la、11 lb :上表面112a:第一銅箔層112b:金屬板113a、113b :下表面114a:第二銅箔層114b:絕緣塊115a、115b :第一開口116a:絕緣層117a、117b:貫孔119b:第二開口120 :導(dǎo)熱元件122:第一導(dǎo)電層124:第二導(dǎo)電層126 :絕緣材料層130 :絕緣材料140 :金屬層150:防焊層160 :表面保護層170:電鍍種子層200 :發(fā)熱元件210 :封裝膠體220 :焊線
具體實施例方式圖IA至圖IE為本發(fā)明的一實施例的一種封裝載板的制作方法的剖面示意圖。請先參考圖1A，依照本實施例的封裝載板的制作方法，首先，提供一基板110a，其中基板IlOa 具有一上表面Illa以及一相對于上表面Illa的下表面113a。在本實施例中，基板IlOa 例如是由一第一銅箔層112a、一第二銅箔層114a以及一絕緣層116a所構(gòu)成，其中絕緣層 116a配置于第一銅箔層112a與第二銅箔層114a之間。也就是說，本實施例的基板IlOa為一雙面板。接著，請參考圖1B，形成一連通基板IlOa的上表面Illa與下表面113a的第一開口 115a,其中第一開口 115a的形成方法例如是沖切或以開槽(routing)方式。接著,請再參考圖1B,形成至少一貫穿基板IlOa的貫孔117a(圖IB中僅示意地繪示一個)，其中形成貫孔117a的方法例如是機械鉆孔或激光鉆孔。接著，為了增加后續(xù)制作工藝的可靠度，形成一電鍍種子層170于基板IlOa的上表面111a、下表面113a、貫孔117a 的內(nèi)壁上以及第一開口 115a的內(nèi)壁上。接著，請參考圖1C，配置一導(dǎo)熱元件120于基板IlOa的第一開口 115a內(nèi)，其中導(dǎo)熱元件120例如是通過一絕緣材料130而固定于基板IlOa的第一開口 115a內(nèi)。也就是說， 絕緣材料130也配置于基板IlOa的第一開口 115a內(nèi)，用以固定導(dǎo)熱元件120與基板IlOa 的相對位置。特別是，在本實施例中，導(dǎo)熱元件120是由一第一導(dǎo)電層122、一第二導(dǎo)電層124 以及一絕緣材料層126所構(gòu)成,其中絕緣材料層126位于第一導(dǎo)電層122與第二導(dǎo)電層 124之間，且導(dǎo)熱元件120的熱膨脹系數(shù)小于基板IlOa的熱膨脹系數(shù)，而導(dǎo)熱元件120的熱傳導(dǎo)系數(shù)大于基板IlOa的熱傳導(dǎo)系數(shù)。具體來說，導(dǎo)熱元件120的熱膨脹系數(shù)例如是 3 (ppm/°C )至30 (ppm/°C )，而導(dǎo)熱元件120的熱傳導(dǎo)系數(shù)是介于20 (ff/m*K)至500 (W/m*K) 之間。導(dǎo)熱元件120的絕緣材料層126的熱傳導(dǎo)系數(shù)大于基板IlOa的絕緣層116a的熱傳導(dǎo)系數(shù)。此外，導(dǎo)熱元件120的材質(zhì)例如是具有穿娃導(dǎo)孔(ThroughSilicon Via,TSV)的陶瓷、無穿硅導(dǎo)孔(TSV)的陶瓷、具有穿硅導(dǎo)孔(TSV)的硅、無穿硅導(dǎo)孔(TSV)的硅、碳化硅、 鉆石或金屬。必須說明的是，本實施例并不限制形成貫孔117a與配置導(dǎo)熱元件120的步驟順序，雖然此處是先形成貫孔117a之后，再將導(dǎo)熱元件120配置于基板IlOa的第一開口 115a 內(nèi)。當(dāng)然，在另一實施例中，也可先配置導(dǎo)熱元件120于基板IlOa的第一開口 115a內(nèi)之后，再形成貫孔117a。簡言之，上述依序形成貫孔117a與配置導(dǎo)熱元件120的步驟僅為舉例說明，并不以此為限。接著,請參考圖1D,形成一金屬層140于位于基板IlOa的上表面111a、下表面 113a上以及貫孔117a內(nèi)的電鍍種子層170上，其中金屬層140覆蓋基板IlOa的上表面 111a、下表面113a、導(dǎo)熱元件120以及絕緣材料130。在本實施例中，形成金屬層140的方法例如是電鍍法，其中本實施例可通過電鍍種子層170來增加電鍍金屬層140時的制作工
藝可靠度。接著，請參考圖1E，移除部分金屬層140及其下方的部分電鍍種子層170、部分第一銅箔層112a與部分第二銅箔層114a，以暴露出部分絕緣層116a。然后，形成一防焊層150于金屬層140上。最后,形成一表面保護層160,其中表面保護層160包覆暴露于防焊層150之外的金屬層140及位于貫孔117a內(nèi)的金屬層140,以及包覆暴露于絕緣層116a之外的部分第一銅箔層112a與部分第二銅箔層114a。在本實施例中，表面保護層160的材質(zhì)例如是鎳金。至此，已完成封裝載板IOOa的制作。在結(jié)構(gòu)上，本實施例的封裝載板IOOa包括基板110a、導(dǎo)熱元件120、絕緣材料130、 金屬層140、防焊層150以及表面保護層160。基板IlOa是由第一銅箔層112a、第二銅箔層 114a以及絕緣層116a所構(gòu)成,且基板IlOa具有上表面111a、相對于上表面Illa的下表面 113a、連通上表面Illa與下表面113a的第一開口 115a以及貫孔117a。導(dǎo)熱元件120配置于基板IlOa的第一開口 115a內(nèi)。絕緣材料130填充于基板IlOa的第一開口 115a內(nèi)， 用以將導(dǎo)熱兀件120固定于基板IlOa的第一開口 115a內(nèi)。金屬層140配置于基板IlOa 的上表面111a、下表面113a上以及貫孔117a內(nèi)且暴露出部分絕緣層116a。防焊層150配置于金屬層140上。表面保護層160包覆暴露于防焊層150之外的金屬層140及位于貫孔 117a內(nèi)的金屬層140，以及包覆暴露于絕緣層116a之外的部分第一銅箔層112a以及部分第二銅箔層114a。圖2為圖IE的封裝載板承載一發(fā)熱元件的剖面示意圖。請參考圖2，在本實施例中，封裝載板IOOa適于承載一發(fā)熱元件200，其中發(fā)熱元件200配置于對應(yīng)導(dǎo)熱元件120的上方的表面保護層160上,而發(fā)熱兀件200例如是一電子芯片或一光電兀件,但并不以此為限。舉例來說，電子芯片可以是一集成電路芯片，其例如為一繪圖芯片、一記憶體芯片、一半導(dǎo)體芯片等單一芯片或是一芯片模塊。光電元件例如是一發(fā)光二極管(LED)、一激光二極管或一氣體放電光源等。在此，發(fā)熱元件200是以一發(fā)光二極管(LED)作為舉例說明。詳細來說，發(fā)熱元件200 (例如是半導(dǎo)體芯片)可通過多條焊線220以打線接合的方式而電連接至表面保護層160，且也可通過一封裝膠體210來包覆發(fā)熱元件200、這些焊線220以及部分封裝載板100a，用以保護發(fā)熱元件200與這些焊線220及封裝載板IOOa之間的電連接關(guān)系。由于本實施例的導(dǎo)熱元件120的熱膨脹系數(shù)小于基板IlOa的熱膨脹系數(shù)，因此發(fā)熱元件200、導(dǎo)熱元件120及基板IlOa彼此之間的熱膨脹系數(shù)差異可漸近式的逐漸減少。如此一來，可避免發(fā)熱元件200、導(dǎo)熱元件120及基板IlOa之間因熱膨脹系數(shù)差異過大而導(dǎo)致相互之間的應(yīng)力增加，可有效防止發(fā)熱元件200剝落、壞損的現(xiàn)象產(chǎn)生，進而可提高封裝載板IOOa的使用可靠度。此外，由于導(dǎo)熱元件120的熱傳導(dǎo)系數(shù)大于基板IlOa的熱傳導(dǎo)系數(shù)，且導(dǎo)熱元件 120是內(nèi)埋于基板IlOa內(nèi)。因此，當(dāng)將發(fā)熱元件200配置于封裝載板IOOa上時，發(fā)熱元件 200所產(chǎn)生的熱可通過導(dǎo)熱元件120以及基板IlOa上的金屬層140而快速地傳遞至外界。 如此一來，本實施例的封裝載板IOOa可以有效地排除發(fā)熱元件200所產(chǎn)生的熱，進而改善發(fā)熱元件200的使用效率與使用壽命。值得一提的是，本發(fā)明并不限定發(fā)熱元件200與封裝載板IOOa的接合形態(tài)以及發(fā)熱元件200的型態(tài)，雖然此處所提及的發(fā)熱元件200具體化是通過打線接合而電連接至封裝載板IOOa的金屬層140。不過，在另一實施例中，發(fā)熱元件200也可通過多個凸塊(未繪示)以覆晶接合的方式而電連接至位于導(dǎo)熱元件120上方的金屬層140上。在另一實施例中，發(fā)熱元件200可為一芯片封裝體(未繪示)，并以表面粘著技術(shù)(SMT)安裝至封裝載板 100a。上述的發(fā)熱元件200與封裝載板IOOa的接合形態(tài)以及發(fā)熱元件200的形態(tài)僅為舉例說明之用，并非用以限定本發(fā)明。圖3A至圖3E為本發(fā)明的另一實施例的一種封裝載板的制作方法的剖面示意圖。 請先參考圖3A，依照本實施例的封裝載板的制作方法，首先，提供一基板110b，其中基板 IlOb具有一上表面Illb以及一相對于上表面Illb的下表面113b。在本實施例中，基板 IlOb例如是由金屬板112b以及至少一絕緣塊114b (圖3A中示意地繪示兩個)所構(gòu)成,其中金屬板112b具有至少一連通上表面Illb與下表面113b第二開口 119b(圖3中不意地繪示兩個)，而這些絕緣塊114b配置于這些第二開口 119b內(nèi)。接著，請參考圖3B，形成一貫穿金屬板112b的第一開口 115b，其中第一開口 115b 的形成方法例如是沖切或以開槽(routing)方式。接著，請再參考圖3B,形成至少一貫穿絕緣塊114b的貫孔117b (圖3B中僅示意地繪示二個)，其中形成這些貫孔117b的方法例如是機械鉆孔或激光鉆孔。接著，請參考圖3C，配置一導(dǎo)熱元件120于第一開口 115b內(nèi)，其中導(dǎo)熱元件120例如是通過一絕緣材料130而固定于第一開口 115b內(nèi)。也就是說，絕緣材料130也配置于第一開口 115b內(nèi)，用以固定導(dǎo)熱元件120與基板IlOb的相對位置。特別是，在本實施例中，導(dǎo)熱元件120是由一第一導(dǎo)電層122、一第二導(dǎo)電層124 以及一絕緣材料層126所構(gòu)成,其中絕緣材料層126位于第一導(dǎo)電層122與第二導(dǎo)電層 124之間，且導(dǎo)熱元件120的熱膨脹系數(shù)小于基板IlOb的熱膨脹系數(shù)，而導(dǎo)熱元件120的熱傳導(dǎo)系數(shù)大于基板IlOb的熱傳導(dǎo)系數(shù)。具體來說，導(dǎo)熱元件120的熱膨脹系數(shù)例如是 3 (ppm/°C )至30 (ppm/°C )，而導(dǎo)熱元件120的熱傳導(dǎo)系數(shù)是介于20 (ff/m*K)至500 (W/m*K) 之間。此外，導(dǎo)熱元件120的材質(zhì)例如是具有穿娃導(dǎo)孔(Through Silicon Via, TSV)的陶瓷、無穿硅導(dǎo)孔(TSV)的陶瓷、具有穿硅導(dǎo)孔(TSV)的硅、無穿硅導(dǎo)孔(TSV)的硅、碳化硅、 鉆石或金屬。必須說明的是，本實施例并不限制形成這些貫孔117b與配置導(dǎo)熱元件120的步驟順序，雖然此處是先形成這些貫孔117b之后，再將導(dǎo)熱元件120配置于第一開口 115b內(nèi)。 當(dāng)然，在另一實施例中，也可先配置導(dǎo)熱元件120于第一開口 115b內(nèi)之后，再形成這些貫孔 117b。簡言之，上述依序形成這些貫孔117b與配置導(dǎo)熱元件120的步驟僅為舉例說明，并不以此為限。接著，請參考圖3D,形成一金屬層140于基板IlOb的上表面111b、下表面113b上以及這些貫孔117b內(nèi)，其中金屬層140覆蓋基板IlOb的上表面111b、下表面113b、導(dǎo)熱元件120以及絕緣材料130。在本實施例中，形成金屬層140的方法例如是電鍍法。接著，請參考圖3E，移除部分金屬層140至暴露出部分位于這些第二開口 119b內(nèi)的這些絕緣塊114b。然后，形成一防焊層150于金屬層140上。最后，形成一表面保護層 160，其中表面保護層160包覆暴露于防焊層150之外的金屬層140及位于這些貫孔117b 內(nèi)的金屬層140,以及包覆暴露于這些絕緣塊114b之外的部分金屬層140。在本實施例中， 表面保護層160的材質(zhì)例如是鎳金。至此，已完成封裝載板IOOb的制作。在結(jié)構(gòu)上，本實施例的封裝載板IOOb包括基板110b、導(dǎo)熱元件120、絕緣材料130、 金屬層140、防焊層150以及表面保護層160?；錓lOb具有上表面Illb以及相對于上表面Illb的下表面113b，其中基板IlOb是由金屬板112b以及這些絕緣塊114b所構(gòu)成， 且金屬板112b具有第一開口 115b以及第二開口 119b，而這些絕緣塊114b具有這些貫孔117b。導(dǎo)熱元件120配置于金屬板112b的第一開口 115b內(nèi)。絕緣材料130填充于第一開口 115b內(nèi)，用以將導(dǎo)熱兀件120固定于第一開口 115b內(nèi)。金屬層140配置于基板IlOb的上表面111b、下表面113b上以及這些貫孔117b內(nèi)且暴露出部分位于第二開口 119b的絕緣塊114b。防焊層150配置于金屬層140上。表面保護層160包覆暴露于防焊層150之外的金屬層140及位于這些貫孔117b內(nèi)的金屬層140，以及包覆暴露于絕緣塊114b之外的部分金屬層140。圖4為圖3E的封裝載板承載一發(fā)熱元件的剖面示意圖。請參考圖4，在本實施例中，封裝載板IOOb適于承載一發(fā)熱元件200，其中發(fā)熱元件200配置于對應(yīng)導(dǎo)熱元件120的上方的表面保護層160上,而發(fā)熱兀件200例如是一電子芯片或一光電兀件,但并不以此為限。舉例來說，電子芯片可以是一集成電路芯片，其例如為一繪圖芯片、一記憶體芯片、一半導(dǎo)體芯片等單一芯片或是一芯片模塊。光電元件例如是一發(fā)光二極管(LED)、一激光二極管或一氣體放電光源等。在此，發(fā)熱元件200是以一發(fā)光二極管(LED)作為舉例說明。詳細來說，發(fā)熱元件200 (例如是半導(dǎo)體芯片)可通過多條焊線220以打線接合的方式而電連接至表面保護層160，且也可通過一封裝膠體210來包覆發(fā)熱元件200、這些焊線220以及部分封裝載板100b，用以保護發(fā)熱元件200與這些焊線220及封裝載板IOOb之間的電連接關(guān)系。由于本實施例的導(dǎo)熱元件120的熱膨脹系數(shù)小于基板IlOb的熱膨脹系數(shù)，因此發(fā)熱元件200、導(dǎo)熱元件120及基板IlOb彼此之間的熱膨脹系數(shù)差異可漸近式的逐漸減少。如此一來，可避免發(fā)熱元件200、導(dǎo)熱元件120及基板IlOb之間因熱膨脹系數(shù)差異過大而導(dǎo)致相互之間的應(yīng)力增加，可有效防止發(fā)熱元件200剝落、壞損的現(xiàn)象產(chǎn)生，進而可提高封裝載板IOOb的使用可靠度。此外，由于導(dǎo)熱元件120的熱傳導(dǎo)系數(shù)大于基板IlOb的熱傳導(dǎo)系數(shù)，且導(dǎo)熱元件 120是內(nèi)埋于基板IlOb內(nèi)。因此，當(dāng)將發(fā)熱元件200配置于封裝載板IOOb上時，發(fā)熱元件 200所產(chǎn)生的熱可通過導(dǎo)熱元件120以及基板IlOb上的金屬層140而快速地傳遞至外界。 如此一來，本實施例的封裝載板IOOb可以有效地排除發(fā)熱元件200所產(chǎn)生的熱，進而改善發(fā)熱元件200的使用效率與使用壽命。值得一提的是，本發(fā)明并不限定發(fā)熱元件200與封裝載板IOOb的接合形態(tài)以及發(fā)熱元件200的型態(tài)，雖然此處所提及的發(fā)熱元件200具體化是通過打線接合而電連接至封裝載板IOOb的金屬層140。不過，在另一實施例中，發(fā)熱元件200也可通過多個凸塊(未繪示)以覆晶接合的方式而電連接至位于導(dǎo)熱元件120上方的金屬層140上。在另一實施例中，發(fā)熱元件200可為一芯片封裝體(未繪示)，并以表面粘著技術(shù)(SMT)安裝至封裝載板 100b。上述的發(fā)熱元件200與封裝載板IOOb的接合形態(tài)以及發(fā)熱元件200的形態(tài)僅為舉例說明之用，并非用以限定本發(fā)明。綜上所述，由于本發(fā)明的封裝載板具有導(dǎo)熱元件，且導(dǎo)熱元件是內(nèi)埋于基板內(nèi)，因此當(dāng)將一發(fā)熱元件配置于封裝載板上時，發(fā)熱元件所產(chǎn)生的熱可通過導(dǎo)熱元件以及基板上的金屬層而快速地傳遞至外界。如此一來，本發(fā)明的封裝載板可以有效地排除發(fā)熱元件所產(chǎn)生的熱，進而改善發(fā)熱元件的使用效率與使用壽命。此外，由于本發(fā)明的導(dǎo)熱元件的熱膨脹系數(shù)小于基板的熱膨脹系數(shù)，因此發(fā)熱元件、導(dǎo)熱元件及基板彼此之間的熱膨脹系數(shù)差異可漸近式的逐漸減少。如此一來，可避免發(fā)熱元件、導(dǎo)熱元件及基板之間因熱膨脹系數(shù)差異過大而導(dǎo)致相互之間的應(yīng)力增加，可有效防止發(fā)熱元件剝落、壞損的現(xiàn)象產(chǎn)生，進而可提高封裝載板的使用可靠度。 雖然結(jié)合以上實施例揭露了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明的保護范圍應(yīng)以附上的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種封裝載板的制作方法，包括提供一基板，該基板具有上表面以及相對于該上表面的下表面；形成一連通該基板的該上表面與該下表面的第一開口；配置一導(dǎo)熱元件于該基板的該第一開口內(nèi)，其中該導(dǎo)熱元件通過一絕緣材料而固定于該基板的該第一開口內(nèi)；形成至少一貫穿該基板的貫孔；形成一金屬層于該基板的該上表面、該下表面上以及該貫孔內(nèi)，其中該金屬層覆蓋該基板的該上表面、該下表面、該導(dǎo)熱元件以及該絕緣材料；移除部分該金屬層；形成一防焊層于該金屬層上；以及形成一表面保護層，包覆暴露于該防焊層之外的該金屬層以及位于該貫孔內(nèi)的該金屬層。
2.如權(quán)利要求I所述的封裝載板的制作方法，其中該基板包括第一銅箔層、第二銅箔層以及絕緣層，該絕緣層配置于該第一銅箔層與該第二銅箔層之間。
3.如權(quán)利要求2所述的封裝載板的制作方法，還包括移除部分該金屬層時，移除部分該金屬層下方的部分該第一銅箔層與部分該第二銅箔層，以暴露出部分該絕緣層；以及形成該表面保護層時，該表面保護層還包覆暴露于該絕緣層之外的部分第一銅箔層與部分該第二銅箔層。
4.如權(quán)利要求I所述的封裝載板的制作方法，其中該基板包括金屬板以及至少一絕緣塊，該金屬板具有該第一開口，而該絕緣塊具有該貫孔。
5.如權(quán)利要求4所述的封裝載板的制作方法，還包括在形成該貫孔之前，形成至少一貫穿該金屬板且連接該上表面與該下表面的第二開n ；在形成該第二開口之后，形成該絕緣塊于該基板的該第二開口內(nèi)；以及形成該貫孔以貫穿該絕緣塊。
6.如權(quán)利要求5所述的封裝載板的制作方法，還包括移除部分該金屬層至暴露出部分位于該第二開口內(nèi)的該絕緣塊；以及形成該表面保護層時，該表面保護層還包覆暴露于該絕緣塊之外的部分該金屬層。
7.如權(quán)利要求I所述的封裝載板的制作方法，其中該導(dǎo)熱元件包括第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層以及絕緣材料層，且該絕緣材料層位于該第一導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層之間。
8.如權(quán)利要求I所述的封裝載板的制作方法，其中該導(dǎo)熱元件的材質(zhì)包括陶瓷、硅、碳化硅、鉆石或金屬。
9.如權(quán)利要求I所述的封裝載板的制作方法，其中形成該金屬層的方法包括電鍍法。
10.如權(quán)利要求I所述的封裝載板的制作方法，其中該導(dǎo)熱元件的熱膨脹系數(shù)小于該基板的熱膨脹系數(shù)，而該導(dǎo)熱元件的熱傳導(dǎo)系數(shù)大于該基板的熱傳導(dǎo)系數(shù)。
11.一種封裝載板，適于承載一發(fā)熱兀件，該封裝載板包括基板，具有上表面、相對于該上表面的下表面、連通該上表面與該下表面的一第一開口以及至少一貫孔；導(dǎo)熱元件，配置于該基板的該第一開口內(nèi)；絕緣材料，填充于該基板的該第一開口內(nèi)，用以將該導(dǎo)熱元件固定于該基板的該第一開口內(nèi)；金屬層，配置于該基板的該上表面、該下表面上以及該貫孔內(nèi)且暴露出部分該基板；防焊層，配置于該金屬層上；以及表面保護層，包覆暴露于該防焊層之外的該金屬層以及位于該貫孔內(nèi)的該金屬層，且該發(fā)熱元件配置于對應(yīng)該導(dǎo)熱元件的上方的該表面保護層上。
12.如權(quán)利要求11所述的封裝載板，其中該基板包括第一銅箔層、第二銅箔層以及絕緣層，該絕緣層配置于該第一銅箔層與該第二銅箔層之間，該金屬層暴露出部分該絕緣層， 且該表面保護層還包覆暴露于該絕緣層之外的部分該第一銅箔層以及部分該第二銅箔層。
13.如權(quán)利要求11所述的封裝載板，其中該基板包括一金屬板以及至少一絕緣塊，該金屬板具有該第一開口，而該絕緣塊具有該貫孔，該金屬板更具有至少一第二開口，而該絕緣塊配置于該第二開口內(nèi)，且該金屬層暴露出部分位于該第二開口內(nèi)的該絕緣塊，該表面保護層還包覆暴露于該絕緣塊之外的部分該金屬層。
14.如權(quán)利要求11所述的封裝載板，其中該導(dǎo)熱元件包括第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層以及絕緣材料層，且該絕緣材料層位于該第一導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層之間。
15.如權(quán)利要求11所述的封裝載板，其中該導(dǎo)熱元件的材質(zhì)包括陶瓷、硅、碳化硅、鉆石或金屬。
16.如權(quán)利要求11所述的封裝載板，其中該導(dǎo)熱元件的熱膨脹系數(shù)小于該基板的熱膨脹系數(shù)，而該導(dǎo)熱元件的熱傳導(dǎo)系數(shù)大于該基板的熱傳導(dǎo)系數(shù)。
全文摘要
本發(fā)明公開一種封裝載板的制作方法，其提供一具有一上表面及一下表面的基板。形成一連通基板的上表面與下表面的第一開口。配置一導(dǎo)熱元件于第一開口內(nèi)，其中導(dǎo)熱元件通過一絕緣材料而固定于第一開口內(nèi)。形成至少一貫穿基板的貫孔。形成一金屬層于基板的上表面、下表面上及貫孔內(nèi)。金屬層覆蓋基板的上表面、下表面、導(dǎo)熱元件及絕緣材料。移除部分金屬層。形成一防焊層于金屬層上。形成一表面保護層包覆暴露于防焊層之外的金屬層以及位于貫孔內(nèi)的金屬層。
文檔編號H01L21/56GK102610709SQ20111005427
公開日2012年7月25日 申請日期2011年3月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月19日
發(fā)明者孫世豪 申請人:旭德科技股份有限公司