專利名稱：錫球定位方法
錫球定位方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種錫球定位方法，尤其是指一種關(guān)于電連接器的錫球定位方法。背景技術(shù)：
目前，應(yīng)用球狀陣列方式實現(xiàn)電連接器與電路板的連接是業(yè)界主流方法之一，即適當(dāng) 加熱使焊錫料熔化而使得所述電連接器的導(dǎo)電端子與所述電路板電性接合。
但此方法要求錫球(即焊料)能夠平整的焊接到平面狀的所述電路板上，即兩者的共面 性要求非常嚴(yán)格，以得到良好的焊接性能。而所述錫球所依附的絕緣本體在射出注塑成型 過程中，由于以下兩種原因會使得所述絕緣本體成型完畢后其內(nèi)部儲存大量的殘余應(yīng)力 (l)脫模時產(chǎn)品各部分溫度不均引起冷卻后產(chǎn)品各部分收縮不同，導(dǎo)致產(chǎn)生內(nèi)部應(yīng)力；(2) 熔融塑料在充模流動時產(chǎn)生剪切應(yīng)力作用，使其分子鏈有被拉直的趨勢，當(dāng)所述熔融塑料 充模完畢后，剪切應(yīng)力消失，塑料之分子鏈又有回復(fù)到原狀的趨勢，而一般在射出成型時 采用加速冷卻等方式使得所述塑料凝固時間很短，從而導(dǎo)致所述分子鏈無法在凝固前回復(fù) 到其自由狀態(tài)，故所述熔融塑料凝固形成的所述產(chǎn)品就會因所述分子鏈之回復(fù)趨勢而產(chǎn)生 內(nèi)應(yīng)力。成型完畢后其內(nèi)部儲存大量的殘余應(yīng)力，結(jié)果導(dǎo)致所述絕緣本體翹曲。
如圖1至圖3所示的現(xiàn)有錫球定位的技術(shù)中，所述錫球1貼置在絕緣本體2上，施加外力 F使沖壓件3的平面對接面30朝向安置所述錫球l以壓制所述錫球l，壓制時，所述平面對接 面30與每一所述錫球1均有接觸。這樣，當(dāng)壓制完畢后，所述絕緣本體2恢復(fù)翹曲，依附在 所述絕緣本體2的所述錫球1高低不平處，落差大，因此，焊接時，所述錫球l不能完全與電 路板4墊片40上的錫膏接觸，電連接器(包括所述絕緣本體2)與所述電路板4之間容易造成 空焊。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種簡單有效的錫球定位方法。
本發(fā)明所提供的一種錫球定位方法，用以將所述錫球定位于一絕緣本體，所述絕緣本 體具有一頂面和與所述頂面相對的一底面，所述底面為曲面，鄰近所述底面設(shè)有多個容納 空間，包括以下步驟(l)將所述絕緣本體放置在一支撐面上，所述頂面朝向所述支撐面； (2)將多個所述錫球?qū)?yīng)置于所述容納空間的底端，所述錫球遠(yuǎn)離所述底面對應(yīng)位置的頂 點形成頂點曲面；(3)提供一沖壓治具，所述沖壓治具具有一下壓曲面，所述下壓曲面與所 述頂點曲面彎曲方向相反，所述下壓曲面的彎曲程度等于或小于所述頂點曲面的彎曲程度; (4)將所述下壓曲面與所述底面相對，用所述沖壓治具壓制容置于所述容納空間的所述錫 球，使所述錫球進(jìn)一步進(jìn)入所述容納空間；(5)移除所述沖壓治具。
本發(fā)明的目的還在于提供一種能夠良好的焊接在電路板的電連接器。
本發(fā)明提供的電連接器，利用權(quán)利要求1或5所述的錫球定位方法制造的電子元件， 包括 一絕緣本體，具有一頂面和與所述頂面相對的一底面，所述絕緣本體鄰近所述底面 設(shè)有多個容納空間；多個導(dǎo)電端子，容置于所述絕緣本體中；多個錫球，容置于所述絕緣 本體的所述容納空間的底端，且每一所述錫球與每一所述導(dǎo)電端子接觸；其中，所述錫球 最遠(yuǎn)離所述底面對應(yīng)位置的頂點的平面度，小于所述絕緣本體的所述底面的平面度，
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明錫球定位方法將具有一所述下壓曲面的所述沖壓治具取代傳 統(tǒng)的具有所述平面對接面的所述沖壓件，所述錫球最遠(yuǎn)離所述底面對應(yīng)位置的頂點的平面 度，小于所述絕緣本體的所述底面的平面度，這樣提高了所述錫球與所述電路板之間的共 面性，使得所述電連接器能夠很好的焊接在所述電路板上。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的具有平面對接面的沖壓件壓制錫球的示意圖； 圖2為壓制過程中圖1的平面對接面與錫球接觸的示意圖；圖3為圖2壓制后的電連接器與電路板接觸的示意圖; 圖4為本發(fā)明的錫球定位方法中的絕緣本體的側(cè)面圖; 圖5為錫球置于絕緣本體的示意圖 圖￡為沖壓治具壓制錫球的示意圖； 圖7為下壓曲面與錫球接觸的示意圖； 圖8為壓制后錫球置于絕緣本體的狀態(tài)圖； 圖9為壓制后的電連接器與電路板接觸的示意圖； 圖10為另一狀態(tài)的絕緣本體的側(cè)面圖； 圖11為絕緣本體的底面其它形態(tài)的示意圖。 附圖標(biāo)記說明
1錫球2絕緣本體
3沖壓件30平面對接面
4電路板40墊片
5導(dǎo)電端子100電連接器
6沖壓治具60下壓曲面
20容納空間21頂面
22底面23側(cè)壁
60A特定點la第一錫球
Aa第一中點laa_第一頂點
I-I水平支撐面IHI虛擬平面
III-LU頂點曲面24凸塊
具體實施方式
下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明的錫球定位方法作進(jìn)一步說明。
本發(fā)明的錫球定位方法是指將所述錫球1定位于絕緣本體2。如圖4和圖5所示的射出成 型的所述絕緣本體2，為翹曲狀，具有一頂面21和與所述頂面21相對的一底面22和四側(cè)壁 23，多個容納空間20貫穿于所述頂面21和所述底面22。所述頂面21和所述底面22均為曲面。所述頂面21用于裝載封裝芯片(未圖示)。多個導(dǎo)電端子5對應(yīng)收容于所述多個容納空間20 中，每一所述導(dǎo)電端子5具有焊接腳，所述焊接腳靠近所述底面22。所述絕緣本體2和所述 導(dǎo),端子5構(gòu)成一電連接器100。
第一步，將所述絕緣本體2水平放置在一支撐面上，所述支撐面為水平支撐面I-I，所 述頂面21朝向所述水平支撐面I-I。
第二步，將多個錫球1對應(yīng)置于所述絕緣本體2的所述容納空間20的底端。所述錫球l 僅在重力作用下置于所述底面22之上，每一所述錫球1對應(yīng)置放于每一所述容納空間20靠 近所述底面22的部分空間內(nèi)，且與所述導(dǎo)電端子5的所述焊接腳接觸。安置多個所述錫球l 的所述絕緣本體2，擱置在所述水平支撐面I-I上。
第三步，如圖6所示，提供一沖壓治具6，所述沖壓治具6具有一下壓曲面60，所述下壓 曲面60為特殊制作。將所述下壓曲面60的一具體位置定義為特定點60A，將對應(yīng)壓制的一 所述錫球l定義為第一錫球la，所述第一錫球la最遠(yuǎn)離所述底面22對應(yīng)位置定義為第一頂 點laa，那么在壓制過程中，所述下壓曲面60尚未接觸所述錫球1之前，所述特定點60A與 第一錫球la的所述第一頂點laa之間距離的第一中點定義為Aa，類似的，可以定義其它頂 點lbb、 lcc……，可以定義其它中點Bb、 Cc、 Dd……，這些中點所形成的表面應(yīng)為一虛擬 平面II-II。所述錫球l最遠(yuǎn)離所述底面22對應(yīng)位置的頂點(laa、 lbb、 lcc……)所形成的 面定義為頂點曲面UI-III，所述頂點曲面UI-III的彎曲程度于所述底面22的彎曲程度相同或
很相似。所述下壓曲面6o與所述頂點曲面ui-ui相對于所述虛擬平面n-n成類似鏡面成像 的效果。當(dāng)然，所述下壓曲面6o是真實存在的，所述虛擬平面n-n是假設(shè)的。又因為所述
錫球l最遠(yuǎn)離所述底面22對應(yīng)位置的頂點(laa、 lbb、 lcc……)的錯落排布，與所述絕緣本 體2的所述底面22之間存在對應(yīng)的關(guān)系，因此，所述下壓曲面60的一具體位置，與對應(yīng)壓制 的所述絕緣本體2的所述底面22位置之間的中點，所連接成的虛擬的面也應(yīng)為一平行于所 述虛擬平面n-II的平面。那么，所述絕緣本體2的所述底面22與所述下壓曲面60，兩者的 彎曲程度應(yīng)為相同，且在壓制過程中，存在對應(yīng)關(guān)系。
第四步，如圖7所示，施加外力F，讓所述沖壓治具6相對于所述底面22移動，將所述錫球1壓入進(jìn)一步進(jìn)入所述容納空間20。壓制時，所述錫球1均與所述下壓曲面60接觸，所 述錫球1以不同程度的擠入的所述容納空間20，使所述頂點曲面UI-LII的平面度大致等于所 述下壓曲面60的平面度，且彎曲方向相同，且所述絕緣本體2受力變?yōu)槠秸麪顟B(tài)。
第五步，如圖8所示，移除所述沖壓治具6。此時，所述絕緣本體l恢復(fù)翹曲，從而使 所述頂點曲面ui-in的平面度，比尚未壓制前的更小，且能比壓制之前的所述絕緣本體l的 所述底面22的平面度要小，可能的更理想的效果是所述頂點曲面I1I-III大致為一平面。
如圖9所示，在將所述電連接器100焊接于電路板4上時，所述電路板4上具有多個墊片 40，所述墊片40粘有錫膏，因為所述頂點曲面m-III大致呈現(xiàn)為一平面，所述頂點曲面IU-IH的平面度，比尚未壓制前的更小，且能比壓制之前的所述絕緣本體1的所述底面22的平 面度要小，所以所述錫球l最大可能的接觸所述錫膏，這樣提高了所述錫球l與所述電路板 4之間的平面度，當(dāng)所述錫球l受熱熔融時，所述導(dǎo)電端子5與所述電路板4導(dǎo)通。所述電連 接器100和所述錫球1構(gòu)成一電子元件。所述電子元件與所述電路板4之間可進(jìn)行很好的電 性連接。
一般地，所述絕緣本體2會產(chǎn)生以下兩種翹曲變形方式，第一種是中間向下凹陷，如 鍋體，如圖4所示；第二種是中間向上拱起，如倒扣的鍋體，如圖10所示。所述錫球l最遠(yuǎn) 離所述底面22對應(yīng)位置的頂點(laa、 lbb、 lcc……)的錯落排布，與所述絕緣本體2的所述 底面22之間存在對應(yīng)的關(guān)系，所述下壓曲面60與所述頂點曲面UI-III相對于所述虛擬平面 n-n成類似鏡面成像的效果。所以，對應(yīng)不同翹曲狀況的所述絕緣本體2，所述下壓曲面 60相應(yīng)的做出變化。
再者，所述絕緣本體2的所述底面22結(jié)構(gòu)可能比較復(fù)雜，如圖11所示，所述絕緣本體2 的所述底面22亦可以延伸有多個凸塊24，所述凸塊24圍繞形成所述容納空間20的一部分。 同樣的，制作過程決定了所述絕緣本體2的所述底面22很難得到理想狀態(tài)的完全平整，所 述錫球l最遠(yuǎn)離所述底面22對應(yīng)位置的頂點(laa、 lbb、 lcc……)呈現(xiàn)錯落排布，亦適合用 本發(fā)明的所述錫球l定位方法，使得了所述錫球1與所述電路板4之間的共面性提高，使得 所述電連接器100能夠很好的焊接在所述電路板4上。另外，上述實施例中，所述下壓曲面60的彎曲程度均是等于或很近似所述頂點曲面
in-iu，此為理想狀態(tài)。實踐中，設(shè)計所述下壓曲面60與所述頂點曲面m-iii彎曲方向相反， 而所述下壓曲面60的彎曲程度小于所述頂點曲面m-ui的彎曲程度，亦能達(dá)到本發(fā)明的功
效。另一種情形是，將所述下壓曲面60設(shè)計為其與所述底面22彎曲方向相反，所述下壓曲 面60的彎曲程度等于或小于所述底面22的彎曲程度，也能達(dá)到本發(fā)明的效果。
以上所述僅為本創(chuàng)作的較佳實施例，凡是熟悉本創(chuàng)作技藝的人根據(jù)本創(chuàng)作的精神所做 的等效修飾或變化，都應(yīng)該涵蓋在本發(fā)明申請專利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種錫球定位方法，用以將所述錫球定位于一絕緣本體，所述絕緣本體具有一頂面和與所述頂面相對的一底面，所述底面為曲面，鄰近所述底面設(shè)有多個容納空間，包括以下步驟(1)將所述絕緣本體放置在一支撐面上，所述頂面朝向所述支撐面；(2)將多個所述錫球?qū)?yīng)置于所述容納空間的底端，所述錫球遠(yuǎn)離所述底面對應(yīng)位置的頂點形成頂點曲面；(3)提供一沖壓治具，所述沖壓治具具有一下壓曲面，所述下壓曲面與所述頂點曲面彎曲方向相反，所述下壓曲面的彎曲程度等于或小于所述頂點曲面的彎曲程度；(4)將所述下壓曲面與所述底面相對，用所述沖壓治具壓制容置于所述容納空間的所述錫球，使所述錫球進(jìn)一步進(jìn)入所述容納空間；(5)移除所述沖壓治具。
2. 如權(quán)利要求1所述的錫球定位方法，其特征在于在步驟(1)中，所述支撐面為 水平面，所述絕緣本體水平放置，且所述底面朝上。
3. 如權(quán)利要求1所述的錫球定位方法，其特征在于在步驟(2)中，所述錫球只在重力下對應(yīng)置于所述容納空間的底端。
4. 如權(quán)利要求1所述的錫球定位方法，其特征在于在步驟(4)中，所述下壓曲面對應(yīng)壓制所述錫球，且壓制時所述下壓曲面與每一所述錫球均有接觸。
5. —種錫球定位方法，用以將所述錫球定位于一絕緣本體，所述絕緣本體具有一頂面和與所述頂面相對的一底面，所述底面為曲面，鄰近所述底面設(shè)有多個容納空間，包括以下步驟(l)將所述絕緣本體放置在一支撐面上，其頂面朝向所述支撐面；(2) 將多個所述錫球?qū)?yīng)置于所述容納空間的底端，所述錫球遠(yuǎn)離所述底面對 應(yīng)位置的頂點形成頂點曲面；(3) 提供一沖壓治具，所述沖壓治具具有一下壓曲面，所述下壓曲面與所述底 面彎曲方向相反，所述下壓曲面的彎曲程度等于或小于所述底面的彎曲程度；(4) 將所述下壓曲面與所述底面相對，用所述沖壓治具壓制容置于所述容納空 間的所述錫球，使所述錫球進(jìn)一步進(jìn)入所述容納空間；(5) 移除所述沖壓治具。
6. 如權(quán)利要求5所述的錫球定位方法，其特征在于在步驟(1)中，所述支撐面為 水平面，所述絕緣本體水平放置，且所述底面朝上。
7. 如權(quán)利要求5所述的錫球定位方法，其特征在于在步驟(4)中，所述下壓曲面 對應(yīng)壓制所述錫球，且壓制時所述下壓曲面與每一所述錫球均有接觸。
8. 利用權(quán)利要求1或5所述的錫球定位方法制造的電子元件，包括一絕緣本體，具有一頂面和與所述頂面相對的一底面，所述絕緣本體鄰近所述 底面設(shè)有多個容納空間；多個導(dǎo)電端子，容置于所述絕緣本體中；多個錫球，容置于所述絕緣本體的所述容納空間的底端，且每一所述錫球與每 一所述導(dǎo)電端子接觸；其中，所述錫球最遠(yuǎn)離所述底面對應(yīng)位置的頂點的平面度，小于所述絕緣本體 的所述底面的平面度。
9. 如權(quán)利要求8所述的電子元件，其特征在于所述底面上具有多個凸塊，所述凸塊 圍繞形成所述容納空間的一部分。
10. 如權(quán)利要求8所述的電子元件，其特征在于所述容納空間貫穿于所述頂面和所述底面，所述導(dǎo)電端子收容于所述容納空間。
全文摘要
一種錫球定位方法，用以將所述錫球定位于一絕緣本體，包括以下步驟(1)將所述絕緣本體放置在一支撐面上，所述頂面朝向所述支撐面；(2)將多個所述錫球?qū)?yīng)置于所述容納空間的底端，所述錫球遠(yuǎn)離所述底面對應(yīng)位置的頂點形成頂點曲面；(3)提供一沖壓治具，所述沖壓治具具有一與所述頂點曲面彎曲方向相反的下壓曲面，所述下壓曲面的彎曲程度等于或小于所述頂點曲面的彎曲程度；(4)將所述下壓曲面與所述底面相對，用所述沖壓治具壓制所述錫球，使所述錫球進(jìn)一步進(jìn)入所述容納空間；(5)移除所述沖壓治具。這樣提高了所述錫球與電路板之間的共面性。
文檔編號H01R43/20GK101635423SQ200910042028
公開日2010年1月27日 申請日期2009年8月21日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月21日
發(fā)明者朱德祥 申請人:番禺得意精密電子工業(yè)有限公司