專利名稱：錫球澆鑄裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種用于球形錫球的錫球澆鑄裝置。
背景技術(shù)：
錫球是當(dāng)今國際微電子行業(yè)中大規(guī)模集成電路半導(dǎo)體芯片的封裝焊接所采用BGA(ball grid array ofpackage)、CSP (chip scale package)設(shè)備的必需原料，作為封裝焊接所使用的錫球廠家，其生產(chǎn)工藝都是采用將錫融化成錫液后澆注在球形或半球形的模具上進(jìn)行冷卻，冷卻完成后再進(jìn)一步加工成品錫球。但由于錫液冷卻成錫球需要一定的時(shí)間，且錫球的表面易氧化，所以在生產(chǎn)過程中錫球表面很容易形成雜質(zhì)，需要對(duì)其進(jìn)行清洗，浪費(fèi)人力物力。因此，如何能夠避免錫球表面在生產(chǎn)過程中產(chǎn)生雜質(zhì)是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的一個(gè)技術(shù)問題。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型提供一種錫球澆鑄裝置，以克服現(xiàn)有技術(shù)裝錫球冷卻過程中容易產(chǎn)生雜質(zhì)的問題。為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供一種錫球澆鑄裝置，包括左模板、中模板和右模板，其中，所述左模板和右模板上設(shè)有若干個(gè)第一凹槽，所述中模板的兩側(cè)均設(shè)有第二凹槽，所述第二凹槽與所述第一凹槽相匹配；所述左模板、中模板以及右模板上還設(shè)有滴嘴和若干個(gè)澆鑄槽，所述滴嘴通過所述澆鑄槽分別與所述第一凹槽和第二凹槽連通。作為優(yōu)選，所述第一凹槽和第二凹槽均為半球形凹槽。作為優(yōu)選，所述左模板、中模板以及右模板的兩端均設(shè)置有定位孔。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn):錫球澆鑄裝置中，左模板和右模板上均設(shè)有若干個(gè)第一凹槽，中模板的兩側(cè)均設(shè)有第二凹槽，且所述第二凹槽與所述第一凹槽相匹配；左模板、中模板以及右模板上還設(shè)有滴嘴和若干個(gè)澆鑄槽，所述滴嘴通過所述澆鑄槽分別與所述第一凹槽和第二凹槽連通。錫液通過滴嘴和澆鑄槽進(jìn)入由第一凹槽和第二凹槽組成的球體中，進(jìn)行冷卻，由于錫球的整個(gè)冷卻過程中不會(huì)與外界的空氣接觸,錫球表面不會(huì)發(fā)生氧化，避免了雜質(zhì)的產(chǎn)生，此外，所述錫球澆鑄裝置可以一次制作兩組錫球產(chǎn)品，有效提高了錫球的生產(chǎn)效率。

圖1為本實(shí)用新型一具體實(shí)施例中錫球澆鑄裝置的俯視圖；圖2為本實(shí)用新型一具體實(shí)施例中錫球澆鑄裝置的仰視圖；圖3為本實(shí)用新型一具體實(shí)施例中錫球澆鑄裝置的側(cè)視圖。圖中:1-左模板、2-中模板、3-右模板、10-第一凹槽、20-第二凹槽、30-澆鑄槽、40-滴嘴、50-定位孔。
具體實(shí)施方式
為使本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。需說明的是，本實(shí)用新型附圖均采用簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。請(qǐng)參照?qǐng)D1和2，并結(jié)合圖3，本實(shí)用新型的錫球澆鑄裝置，包括左模板1、中模板2和右模板3，其中，所述左模板I和右模板3上設(shè)有若干個(gè)第一凹槽10，所述中模板2的兩側(cè)均設(shè)有第二凹槽20，所述第二凹槽20與所述第一凹槽10相匹配；所述左模板1、中模板2以及右模板3上還設(shè)有滴嘴40和若干個(gè)澆鑄槽30，所述滴嘴40通過所述澆鑄槽30分別與所述第一凹槽10和第二凹槽20連通。澆鑄錫球時(shí)，左模板1、中模板2以及右模板3組合成一整體，第一凹槽10和第二凹槽20契合成球體形狀，工作人員從滴嘴40處導(dǎo)入錫液，錫液經(jīng)兩個(gè)澆鑄槽30拼合形成的澆鑄孔流入所述第一凹槽10和第二凹槽20共同形成的球體中，待所述錫液冷卻后，取下左模板I和右模板3，便形成錫球的半成品，工作人員用設(shè)備或手動(dòng)將滴嘴40和澆鑄槽30中形成的多余錫金屬剪斷，即完成錫球產(chǎn)品的生產(chǎn)。本實(shí)施例中，所述錫球澆鑄裝置可以一次制作兩組錫球產(chǎn)品，提高生產(chǎn)效率；由于錫液是在第一凹槽10和第二凹槽20組成的球體中進(jìn)行冷卻的，不會(huì)與外界的空氣接觸，避免錫球表面發(fā)生氧化，避免了雜質(zhì)的產(chǎn)生。請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)Df 3，作為優(yōu)選，所述第一凹槽10和第二凹槽20均為半球形凹槽，便于錫球在左模板1、中模板2和右模板3中成型。請(qǐng)參照?qǐng)D1和圖2，所述左模板1、中模板2以及右模板3的兩端均設(shè)置有定位孔
50。使用所述左模板1、中模板2以及右模板3時(shí)，使用定位孔50便于定位上述各模板，避免在錫球澆鑄過程中，所述第一凹槽10和第二凹槽20之間發(fā)生錯(cuò)位，造成錫球生產(chǎn)不良。綜上所述，本實(shí)用新型的錫球澆鑄裝置，包括左模板1、中模板2和右模板3，其中，所述左模板I和右模板3上設(shè)有若干個(gè)第一凹槽10，所述中模板2的兩側(cè)均設(shè)有第二凹槽20，所述第二凹槽20與所述第一凹槽10相匹配；所述左模板1、中模板2以及右模板3上還有滴嘴40和若干個(gè)澆鑄槽30，所述滴嘴40通過所述澆鑄槽30分別與所述第一凹槽10和第二凹槽20連通。所述錫球澆鑄裝置可以一次制作兩組錫球產(chǎn)品，提高生產(chǎn)效率；由于錫液是在第一凹槽10和第二凹槽20組成的球體中進(jìn)行冷卻的，不會(huì)與外界的空氣接觸，避免錫球表面發(fā)生氧化，避免了雜質(zhì)的產(chǎn)生。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包括這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種錫球澆鑄裝置，其特征在于，包括左模板、中模板和右模板，其中，所述左模板和右模板上設(shè)有若干個(gè)第一凹槽，所述中模板的兩側(cè)均設(shè)有第二凹槽，所述第二凹槽與所述第一凹槽相匹配； 所述左模板、中模板以及右模板上還設(shè)有滴嘴和若干個(gè)澆鑄槽，所述滴嘴通過所述澆鑄槽分別與所述第一凹槽和第二凹槽連通。
2.如權(quán)利要求1所述的錫球澆鑄裝置，其特征在于，所述第一凹槽和第二凹槽均為半球形凹槽。
3.如權(quán)利要求1所述的錫球澆鑄裝置，其特征在于，所述左模板、中模板以及右模板的兩端均設(shè)置有定位孔。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種錫球澆鑄裝置，包括左模板、中模板和右模板，其中，所述左模板和右模板上設(shè)有若干個(gè)第一凹槽，所述中模板的兩側(cè)均設(shè)有第二凹槽，所述第二凹槽與所述第一凹槽相匹配；所述左模板、中模板以及右模板上還有滴嘴和若干個(gè)澆鑄槽，所述滴嘴通過所述澆鑄槽分別與所述第一凹槽和第二凹槽連通。錫液通過滴嘴和澆鑄槽進(jìn)入由第一凹槽和第二凹槽組成的球體中，進(jìn)行冷卻，由于錫球的整個(gè)冷卻過程中不會(huì)與外界的空氣接觸，錫球表面不會(huì)發(fā)生氧化，避免了雜質(zhì)的產(chǎn)生，此外，所述錫球澆鑄裝置可以一次制作兩組錫球產(chǎn)品，有效提高了錫球的生產(chǎn)效率。
文檔編號(hào)B22C9/20GK203003073SQ20122059384
公開日2013年6月19日 申請(qǐng)日期2012年11月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月13日
發(fā)明者張金祥 申請(qǐng)人:昆山市鑫通鼎金屬材料有限公司