專利名稱：具有基板辨識碼的半導體封裝構(gòu)造及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導體裝置，特別是涉及一種具有基板辨識碼的半導 體封裝構(gòu)造及其制造方法。
背景技術(shù)：
在半導體封裝工藝中會使用基板條(或稱為陣列封裝基板或母板)做 為構(gòu)裝元件，其是由多個矩陣排列的基板單元所構(gòu)成，其數(shù)量可約數(shù)十至 數(shù)百個之多。在完成半導體封裝后，該些陣列基板會經(jīng)過切割以形成獨立 分開的晶片封裝構(gòu)造。為了做后續(xù)的生產(chǎn)管理、品質(zhì)控管及產(chǎn)品追蹤，會 在基板上做一基板識別標記，以供管理。然而習知的基板識別標記形成在 基板工藝中，會增加制作成本并在半導體封裝工藝中被覆蓋或切除。
中國臺灣專利公開公報200737484號揭示了一種基板辨識碼的制作方 法，其是在基板線路層上的金屬薄膜或其他層數(shù)的金屬層上，以激光光束 形成一辨識碼。該辨識碼形成在基板工藝，并且利用習知基4反在制成半導 體封裝構(gòu)造之后，該辨識碼將被切除或是被其它元件如晶片或封裝體所覆 蓋，無法由半導體封裝構(gòu)造的外觀目視獲得基板辨識碼的資訊，故無法經(jīng) 由半導體封裝產(chǎn)品追蹤到基板的生產(chǎn)批號，也就無法在封裝產(chǎn)品出貨前的
測試以及最終使用階段進行基板的品質(zhì)管理與異常追溯。
由此可見，上述現(xiàn)有的半導體封裝構(gòu)造的基板辨識碼在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、制 造方法上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進一步改進。為了解決 上述存在的問題，相關(guān)廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一 直未見適用的設(shè)計被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品及方法又沒有適切的結(jié)構(gòu)及方 法能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng) 設(shè)一種新的具有基板辨識碼的半導體封裝構(gòu)造及其制造方法，實屬當前重 要研發(fā)課題之一，亦成為當前業(yè)界極需改進的目標。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于，克服現(xiàn)有的半導體封裝構(gòu)造的基板辨識碼存 在的缺陷，而提供一種新型的具有基板辨識碼的半導體封裝構(gòu)造及其制造 方法，所要解決的技術(shù)問題是利用激光刻印方式在基板的焊罩層與封膠體 等絕緣材料燒制基板辨識碼與商品標記，用以標示基板的生產(chǎn)批號及注明 商品的規(guī)格及制造者，以便在半導體封裝工藝之后進行追蹤基板批號，做為品質(zhì)管理與異常追溯，并且不會變更半導體封裝構(gòu)造的使用外觀，非常適于實用。
本發(fā)明的另一目的在于，克服現(xiàn)有的半導體封裝構(gòu)造的基板辨識碼存在的缺陷，而提供一種新的具有基板辨識碼的半導體封裝構(gòu)造及其制造方法，所要解決的技術(shù)問題是在激光刻印時不需要調(diào)整激光光或變更激光刻印機臺，能以一次翻轉(zhuǎn)雙面激光標印達成該基4反辨識碼的形成方式，故可
驟，具有;'H乍的方便性，并且不會損傷基板的線路:，、2而更加適于實用。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是釆用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)
本發(fā)明提出的一種半導體封裝構(gòu)造，包括 一基板，具有一上表面及一下表面，其中該下表面形成有一線路層與一焊罩層并包括有一非線路區(qū)，該焊罩層大致覆蓋該線路層與該非線路區(qū)； 一晶片，設(shè)置于該基板的該上表面；以及一基板辨識碼，以激光刻印方式燒制于該基板的該下表面并避開該線路層。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。
前述的半導體封裝構(gòu)造，其中所述的基板辨識碼形成于該焊罩層位于該非線路區(qū)的區(qū)域內(nèi)。
前述的半導體封裝構(gòu)造，其中還包括一封膠體，形成于該基板的該上表面，以密封該晶片。
前述的半導體封裝構(gòu)造，其中還包括一商品標記，以激光刻印方式燒制于該封膠體。
前述的半導體封裝構(gòu)造，其中所述的封膠體更局部形成于該基板的該下表面。
前述的半導體封裝構(gòu)造，其中所述的基板辨識碼形成于該封膠體外露于該基板的該下表面的部位。
前述的半導體封裝構(gòu)造，其中還包括有多個外接端子，其設(shè)置于該基4反的該下表面。
前所述的半導體封裝構(gòu)造，其中所述的基板辨識碼位于該基板的該下表面的一邊緣。
前述的半導體封裝構(gòu)造，其中所述的基板辨識碼貫穿該焊罩層。前所述的半導體封裝構(gòu)造，其中所述的基板的該下表面另形成有一虛置金屬墊，其位于該非線路區(qū)內(nèi)。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種半導體封裝構(gòu)造的制造方法，包括以下工藝步驟提供一基板，具有一上表面以及一下表面，其中該下表面形成有一線路層與一焊罩層并包括有一非線路區(qū)，該焊罩層大致覆蓋該線路層與該非線路區(qū)；設(shè)置一晶片于該基板的該上表面；以及以激光刻印方式燒制一基板辨識碼于該基板的該下表面并避開該線^各層。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。
前述的半導體封裝構(gòu)造的制造方法，其中所述的基板辨識碼形成于該焊罩層位于該非線路區(qū)的區(qū)域內(nèi)。
前述的半導體封裝構(gòu)造的制造方法，其中還包括的步驟為形成一封膠體于該基板的該上表面，以密封該晶片。
前述的半導體封裝構(gòu)造的制造方法，其中還包括的步驟為以激光刻印方式燒制 一 商品標記于該封膠體。
前述的半導體封裝構(gòu)造的制造方法，其中所述的商品標記與該基板辨識碼以 一次翻轉(zhuǎn)雙面i敫光標印方式達成。
前述的半導體封裝構(gòu)造的制造方法，其中所述的封膠體更局部形成于該基纟反的該下表面。
前述的半導體封裝構(gòu)造的制造方法，其中所述的基板辨識碼形成于該封膠體外露于該基板的該下表面的部位。
前述的半導體封裝構(gòu)造的制造方法，其中還包括的步驟為設(shè)置多個外接端子于該基板的該下表面。
前述的半導體封裝構(gòu)造的制造方法，其中所述的基板辨識碼位于該基板的該下表面的一邊緣。
前述的半導體封裝構(gòu)造的制造方法，其中所述的基板辨識碼貫穿該焊罩層。
前述的半導體封裝構(gòu)造的制造方法，其中所述的基板的該下表面另形成有一虛置金屬墊，其位于該非線路區(qū)內(nèi)。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明一種具有基板辨識碼的半導體封裝構(gòu)造及其制造方法，具有下列優(yōu)點及有益效果
(1) 利用激光刻印方式，在基板的焊罩層與封膠體等絕緣材料燒制基板辨識碼與商品標記，用來標示基板的生產(chǎn)批號及注明商品的規(guī)格和制造者，以便于在半導體封裝工藝之后進行追蹤基板批號，做為品質(zhì)管理與異常追溯并且不會變更半導體封裝構(gòu)造的使用外觀。
(2) 在激光刻印時，不需要調(diào)整激光光或變更激光刻印機臺，能以一次翻轉(zhuǎn)雙面激光標印達成該基板辨識碼的形成方式，故可以使用既有的半
便性，'并且不會損傷基板的線路層。
本發(fā)明具有上述優(yōu)點及實用價值，其不論在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、制造方法或功能上皆有較大的改進，在技術(shù)上有顯著的進步，并產(chǎn)生了好用及實用的效果，且較現(xiàn)有的半導體封裝構(gòu)造的基板辨識碼具有增進的突出功效，從而更加適于實用，并具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價值，誠為一新穎、進步、實用的新設(shè)計。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附圖，詳細說明如下。


圖1是本發(fā)明第一具體實施例的一種具有基板辨識碼的半導體封裝構(gòu)造的截面示意圖。
圖2是本發(fā)明第一具體實施例的一種具有基板辨識碼的半導體封裝構(gòu)造的基板下表面的示意圖。
圖3是本發(fā)明第一具體實施例的一種具有基板辨識碼的半導體封裝構(gòu)造的基板辨識碼的局部放大截面圖。
圖4是本發(fā)明第一具體實施例的一種具有基板辨識碼的半導體封裝構(gòu)造的基板辨識碼的另 一變化例的局部放大截面圖。
圖5是本發(fā)明第一具體實施例的一種具有基板辨識碼的半導體封裝構(gòu)造的制造方法的流程圖。
圖6是本發(fā)明第一具體實施例的一種具有基板辨識碼的半導體封裝構(gòu)造的制造方法中基板辨識碼的形成方法的流程圖。
圖7是本發(fā)明第二具體實施例的一種具有基板辨識碼的半導體封裝構(gòu)造的截面示意圖。
圖8是本發(fā)明第二具體實施例的一種具有基板辨識碼的半導體封裝構(gòu)造的基板下表面的示意圖。
11提供基板
12設(shè)置晶片于基板
13電性連接
14形成封膠體于基板
15設(shè)置外接端子
16激光刻印
16A:激光刻印燒制商品標記
16B:翻轉(zhuǎn)已封裝基板
16C:激光刻印燒制基板辨識碼
17切割基板
具體實施例方式
為更進一步闡述本發(fā)明為達成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段，以下 結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的具有基板辨識碼的半導體封 裝構(gòu)造及其制造方法的具體實施方式
、結(jié)構(gòu)、制造方法、步驟、特征及其 功效，詳細說明如后。為了方便說明，在以下的實施例中，相同的元件以 相同的編號表示。
依據(jù)本發(fā)明的第 一具體實施例的 一種具有基板辨識碼的半導體封裝構(gòu)
造及其制造方法，配合參閱圖1至圖6說明如下。請參閱圖1所示， 一種 半導體封裝構(gòu)造IOO，主要包括一基板110、 一晶片120以及一基板辨識碼 130。其中，該基板110具有一上表面111以及一下表面112。該基板IIO 作為晶片載體并具有單層或多層線路結(jié)構(gòu)。在本實施例中，該基板110的 該上表面111及下表面112各形成有一線路層113與一焊罩層114,并可利 用多個電性導通貫孔(圖中未繪出)電性連接上、下表面的線路層113。其 中，位于該上表面111的線路層113包括多個內(nèi)接墊，位在該下表面112 的線路層113包括多個外接墊117,用以設(shè)置多個外接端子160。
該基板110的該下表面112并包括有一非線路區(qū)115，該焊罩層114大 致覆蓋該線^^層113與該非線路區(qū)115。而該非線5^區(qū)115為相對于該線鴻^ 層113的無線路分布的區(qū)域，通常位于該下表面112的側(cè)邊或角隅。
該晶片120設(shè)置于該基板110的該上表面111。在本實施例中，可利用 一如B階(B-stage)印刷粘膠層或是PI (polyimide，聚亞酰胺)膠帶或 其它黏晶材料，可將該晶片120的背面貼附于該基板110的該上表面111。 此外，該晶片120具有多個位于其主動面的焊墊121,可利用多個電性連接
110:基板
113:線路層
116:虛置金屬墊
120:晶片
130:基板辨識碼
150:商品標記
200:半導體封裝構(gòu)造
210:基板
213:線路層
217:外接墊
220:晶片
230:基板辨識碼
260:外接端子
112:下表面 115:非線路區(qū) 118:核心層
140:封膠體
170:電性連接元件
212:下表面 215:非線路區(qū) 219:周邊槽孔
250:商品標記
130，基板辨識碼 160:外接端子
211上表面
214焊罩層
218中央槽孔
221焊墊
240封膠體
270電性連接元件
面層墊
l罩接墊
上焊外焊
14 7 1元件170，例如焊線，電性連接該晶片120的該些焊墊121至該基板110的 多個內(nèi)接墊，以達成該晶片120與該基板110的電性互連。
此外，如圖l所示，該半導體封裝構(gòu)造100可另包括一封膠體140，其 形成于該基板110的該上表面111，以密封該晶片120與該些電性連接元件 170,提供適當?shù)姆庋b保護以防止電性短路與塵埃污染。另外，該半導體封 裝構(gòu)造IOO，可另包括一商品標記150,其以激光刻印方式燒制于該封膠體 140的上表面，可用以注明商品的規(guī)格或制造者等資訊。該商品標記150通 常由文字、圖形、字母、數(shù)字、三維標志或上述的組合構(gòu)成。
請參閱圖1、圖2及圖3所示，該基板辨識碼130以激光刻印方式燒制 于該基板110的該下表面112并避開該線路層113。具體而言，該基板辨識 碼130可形成于該焊罩層114位于該非線路區(qū)115的區(qū)域內(nèi)。此外，如圖2 所示，該基板辨識碼130可位于該基板110的該下表面112的一角隅或一 邊緣，以使該基板辨識碼13 0遠離至該基板110，并且對應(yīng)于晶片覆蓋區(qū)之 外，故在激光刻印時不會損傷該晶片120的內(nèi)部積體電路。
詳細而言，如圖2及圖3所示，該基板辨識碼130以非連續(xù)性蝕刻方 式，將激光光束打在該非線路區(qū)115上的焊罩層114,進而將辨視用的數(shù)字 (number)、文字(text)、符號(special symbol)、 圖形(graphical)或上述 的組合，刻印燒制成為一基板辨識碼130，可用來標示該基板110的生產(chǎn)批 號、檢查號、位置編號、母板的序號或其他相關(guān)工藝的編號等等，可以迅 速而準確地知道該基板110的生產(chǎn)日期、批號時間、在哪條生產(chǎn)線上制造 的、所用的生產(chǎn)設(shè)備或供應(yīng)商等等資料。
因此，本發(fā)明的主要功效為該基板辨識碼130是被創(chuàng)造在半導體封裝 工藝之后，并續(xù)存于該半導體封裝構(gòu)造100的隱藏表面(即該基板110的下 表面112)，可由該半導體封裝構(gòu)造100以對該基板110進行品質(zhì)管理與異 常追溯。此外，當該半導體封裝構(gòu)造100利用該些外接端子160表面接合 至一外部印刷電路板(圖中未繪出)，在該基板110上的該封膠體140為外 露，可觀視到該商品標記150,而該基板辨識碼130則能被隱藏在該半導體 封裝構(gòu)造100的底部，不會變更產(chǎn)品使用外觀。當使用上發(fā)生故障不良或 是在產(chǎn)品出貨之前最終測試發(fā)現(xiàn)有不良的半導體封裝構(gòu)造100，可由該半導 體封裝構(gòu)造100的隱藏表面(即該基板110的下表面112)得知該基板辨識碼 130，以進行基板的品質(zhì)管理與異常追溯。
此外，該基板辨識碼130的形成方式可以使用既有的半導體封裝使用 的激光刻印機臺并同時實施在激光刻印步驟，具有制作的方便性，并且不 會損傷該基板110的該線^^層113。在本實施例中，可以控制激光光的能量 與聚焦，令該基板辨識碼130可不貫穿該焊罩層114(如圖3所示)，以避免 損傷到該基板110的核心層118或內(nèi)部線路結(jié)構(gòu)。
9在一較佳的變化例中，如圖4所示，該基板110的該下表面112可另 形成有一虛置金屬墊116，其為位于該非線^^區(qū)115內(nèi)，可為獨立島塊而電 性絕緣于該線if各層113，另一種基板辨識碼130'可貫穿該焊罩層114,而 打在該虛置金屬墊116上，該虛置金屬墊116可避免激光燒印該基板辨識 碼130時損傷到該基;f反110的核心層118。
該基板辨識碼130與該商品標記150皆燒制在該焊罩層114或該封膠 體140等絕緣材料，在激光刻印時無需調(diào)整激光光或變更激光刻印機臺的 設(shè)定參數(shù)，能以一次翻轉(zhuǎn)雙面激光標印達成。請參閱圖5及圖6所示，本 發(fā)明進一步說明該半導體封裝構(gòu)造100的制造方法，以說明本發(fā)明的上述 功效。
請參閱圖5所示，該半導體封裝構(gòu)造100的制造方法主要包括以下的 步驟提供基板(步驟11)、設(shè)置晶片于基板(步驟12)、電性連接(步驟 13)、形成封膠體于基板(步驟14)、設(shè)置外接端子(步驟15)、激光刻印(步 驟16)以及切割基板(步驟17)。其中，如圖6所示，激光刻印(步驟16) 的詳細步驟又分為激光刻印燒制商品標記(步驟16A )、翻轉(zhuǎn)已封裝基板(步 驟16B)以及激光刻印燒制基板辨識碼(步驟16C),依步驟順序配合圖1 的元件詳述如下。
首先，在提供基板的步驟11中，配合參閱圖1，提供該基板110。該 基板110作為半導體封裝構(gòu)造100的晶片載體，在半導體封裝工藝中，多 個基板110 —體形成于一基板條(或可稱為陣列基板或母板)，或可預(yù)先裁 切成所需尺寸。
接著，進行設(shè)置晶片于基板的步驟12，設(shè)置該晶片120于該基板110 的該上表面lll。但不受限地，可在往上堆疊更多個晶片120，如三個、四 個或更多，而形成一堆疊的半導體封裝構(gòu)造。
之后，進行電性連接的步驟13，可以利用例如打線技術(shù)來形成多個焊 線，作為該些電性連接元件170，電性連接該晶片120的該些焊墊121至該 基板110的內(nèi)接墊。
之后，進行形成封膠體于基板的步驟14,可利用壓模(transfer molding)技術(shù)形成一封膠體140在該基板110的該上表面111,以密封該晶 片120與該些電性連接元件170。
之后，進行設(shè)置外接端子的步驟15,利用植球或/與回焊技術(shù)將該些外 接端子160設(shè)置于該些外接墊117,故該些外接端子160位于該基板110的 該下表面112。該些外接端子160可為金屬球、錫膏、接觸墊或接觸針等等。 在本實施例中，該些外接端子160為焊球，藉以組成多晶片球格陣列封裝。
之后，進行激光刻印的步驟16。如圖6所示，步驟16更包括有激光刻 印燒制商品標記的步驟16A、翻轉(zhuǎn)已封裝基板的步驟16B以及激光刻印燒制基板辨識碼的步驟16C。首先，配合參閱圖l,以激光刻印方式燒制該商品 標記150在該封膠體140的上表面。之后，翻轉(zhuǎn)該已封裝的基板IIO,再以 激光刻印方式燒制該基板辨識碼130在該基板110的該下表面112，并避開 該線^各層113。故該商品標記150與該基板辨識碼130以一次翻轉(zhuǎn)雙面激光 標印方式達成，在該商品標記150與該基板辨識碼130的激光刻印過程之 間會包括有 一基板翻面的步驟，但可不需要調(diào)整激光光或變更激光刻印機 臺的設(shè)定參數(shù)。
最后，進行切割基板的步驟17。由于在本實施例的工藝中，該基板IIO 仍以多個型態(tài)一體連接于一基板條。 一切割刀可將該基板條裁切成所需基 板尺寸，以構(gòu)成如圖1所示個別的半導體封裝構(gòu)造IOO。而每一半導體封裝 構(gòu)造100仍具有該可被觀視的基板辨識碼130, —基板條的所有的基板辨 識碼130皆為相同，當該基板條被切割成多個基板110后，能根據(jù)每一半 導體封裝構(gòu)造100的該基板辨識碼130得知基板條的生產(chǎn)批號。當發(fā)生該 半導體封裝構(gòu)造100發(fā)生異常不良時，可追蹤到所使用的基板IIO，進一步 可根據(jù)該基板辨識碼130迅速追溯到基板條(母板)，找出故障來源，避免 后續(xù)的錯誤，進而提升產(chǎn)品的良率。
本發(fā)明的第二具體實施例，請參閱圖7所示，揭示另一種具有基板辨 識碼的半導體封裝構(gòu)造。該半導體封裝構(gòu)造200主要包括一基板210、 一晶 片220以及一基板辨識碼230。該基板210具有一上表面211以及一下表面 212。該晶片220設(shè)置于該基板210的該上表面211。其中該下表面212形 成有一線路層213與一焊罩層214并包括有一非線路區(qū)215，該焊罩層214 大致覆蓋該線路層213與該非線路區(qū)215。此外，該基板210具有一中央槽 孔218與多個周邊槽孔219,其中該中央槽孔218可供多個電性連接元件 270通過，將該晶片220主動面的多個焊墊221電性連接至該基板210。較 佳地，該基板210的該上表面211可缺乏線路層與焊罩層，以構(gòu)成一種成 本更低的基板結(jié)構(gòu)。
一封膠體240形成于該基板210的該上表面211以及局部的該下表面 212,以密封該晶片210、該些電性連接元件270、該中夾槽孔218與該些 周邊槽孔219。即該封膠體240可更突出地局部形成于該基板210的該下表 面212,其中如圖7及圖8所示，該封膠體240覆蓋于該中央槽孔218的部 分可為一中央封膠條，覆蓋于該些周邊槽孔219的部分可包括多個位于角 隅的虛置凸塊或是周邊封膠條。
該基板辨識碼230以激光刻印方式燒制于該基板210的該下表面212 并避開該線路層213。此外，如圖7所示，該半導體封裝構(gòu)造200可另包括 一商品標記250，其以激光刻印方式燒制于該封"史體240的上表面，用以注
明商品的規(guī)格及制造者?？衫冒雽w封裝設(shè)備的同一激光標印機臺，以激光刻印方式燒制該商品標記250,之后翻轉(zhuǎn)該基板210,再進行該基板辨 識碼230的燒制。在本實施例中，如圖7及圖8所示，該基板辨識碼230 可形成于該封膠體240外露于該基板210的該下表面212的部位。如，該 基板辨識碼230可形成于該封膠體240密封該中央槽孔218的一中央封膠 條，較佳地，位于該中央封膠條的一側(cè)邊；或者，該基4反辨識碼230形成 于該封膠體240密封該些周邊槽孔219的虛置凸塊，其中該虛置凸塊無電 性連接元件通過，在燒制時不會損傷到該電性連接元件270、該基板210的 該線路層213或該晶片220的內(nèi)部積體電路。
據(jù)上所述，本發(fā)明的基板辨識碼130與230續(xù)存于半導體封裝構(gòu)造100 與200，位于較為不明顯部位但仍可由目視觀察得知，且不會損傷基板IIO 與210的線路結(jié)構(gòu)與晶片120與220內(nèi)的積體電路。此外，可在同一激光 刻印步驟16中以兩面激光光束照射方式，在封膠體或基板的焊罩層等絕緣 材料燒制基板辨識碼與商品標記，用以標示基板的生產(chǎn)批號及注明商品的 規(guī)格及，造者，可以在，導體封J工藝后進;亍基4反的品f管理與異常追
刻印步驟，具有制作的方便性，并且不會損傷基板的線路層。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式 上的限制，本發(fā)明技術(shù)方案范圍當依所附申請專利范圍為準。任何熟悉本 專業(yè)的技術(shù)人員可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變 化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技 術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本 發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種半導體封裝構(gòu)造，其特征在于包括一基板，具有一上表面以及一下表面，其中該下表面形成有一線路層與一焊罩層并包括有一非線路區(qū)，該焊罩層大致覆蓋該線路層與該非線路區(qū)；一晶片，設(shè)置于該基板的該上表面；以及一基板辨識碼，以激光刻印方式燒制于該基板的該下表面并避開該線路層。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的 基板辨識碼形成于該焊罩層位于該非線路區(qū)的區(qū)域內(nèi)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體封裝構(gòu)造，其特征在于還包括一封 膠體，形成于該基板的該上表面，以密封該晶片。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導體封裝構(gòu)造，其特征在于還包括一商 品標記，以激光刻印方式燒制于該封月交體。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的 封膠體更局部形成于該基板的該下表面。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導體封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的 基板辨識碼形成于該封膠體外露于該基板的該下表面的部位。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體封裝構(gòu)造，其特征在于另包括有多 個外接端子，其設(shè)置于該基板的該下表面。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的 基板辨識碼位于該基板的該下表面的一邊緣。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的 基板辨識碼貫穿該焊罩層。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1或9所述的半導體封裝構(gòu)造，其特征在于其中所 述的基板的該下表面還形成有一虛置金屬墊，其位于該非線路區(qū)內(nèi)。
11、 一種半導體封裝構(gòu)造的制造方法，其特征在于該方法包括的步驟有提供一基板，具有一上表面以及一下表面，其中該下表面形成有一 線路層與一焊罩層并包括有一非線路區(qū)，該焊罩層大致覆蓋該線路層與該 非線^各區(qū)；設(shè)置一晶片于該基板的該上表面；以及以激光刻印方式燒制 一基板辨識碼于該基板的該下表面并避開該線路層。
12、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導體封裝構(gòu)造的制造方法，其特征在于其中所述的基板辨識碼形成于該焊罩層位于該非線路區(qū)的區(qū)域內(nèi)。
13、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導體封裝構(gòu)造的制造方法，其特征在 于還包括的步驟為形成一封膠體于該基板的該上表面，以密封該晶片。
14、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導體封裝構(gòu)造的制造方法，其特征在 于還包括的步驟為以激光刻印方式燒制 一商品標記于該封膠體。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導體封裝構(gòu)造的制造方法，其特征在 于其中所述的商品標記與該基板辨識碼以 一次翻轉(zhuǎn)雙面激光標印方式達 成。
16、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導體封裝構(gòu)造的制造方法，其特征在 于其中所述的封膠體更局部形成于該基板的該下表面。
17、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導體封裝構(gòu)造的制造方法，其特征在 于其中所述的基板辨識碼形成于該封膠體外露于該基板的該下表面的部 位。
18、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導體封裝構(gòu)造的制造方法，其特征在 于還包括的步驟為設(shè)置多個外接端子于該基板的該下表面。
19、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導體封裝構(gòu)造的制造方法，其特征在 于其中所述的基板辨識碼位于該基板的該下表面的 一邊緣。
20、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導體封裝構(gòu)造的制造方法，其特征在 于其中所述的基板辨識碼貫穿該焊罩層。
21、 根據(jù)權(quán)利要求11或20所述的半導體封裝構(gòu)造的制造方法，其特 征在于其中所述的基板的該下表面另形成有一虛置金屬墊，其位于該非線 路區(qū)內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種具有基板辨識碼的半導體封裝構(gòu)造及其制造方法。一基板的下表面形成有一線路層與一焊罩層，該焊罩層大致覆蓋該線路層與一非線路區(qū)。一晶片設(shè)置于該基板的該上表面。該基板辨識碼避開該線路層并以激光刻印方式燒制于該基板的該焊罩層或封膠體，用以標示基板的生產(chǎn)批號。故可由封裝構(gòu)造追蹤基板批號，做為品質(zhì)管理與異常追溯且不變更使用外觀。此外，該基板辨識碼的形成可以使用既有的半導體封裝使用的激光刻印機臺，并同時實施在激光刻印步驟，具有制作的方便性，并且不會損傷基板的線路層。
文檔編號H01L23/544GK101488492SQ200810000499
公開日2009年7月22日 申請日期2008年1月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月14日
發(fā)明者余秉勛, 洪菁蔚, 王進發(fā), 陳錦弟 申請人:力成科技股份有限公司