專利名稱：導(dǎo)線架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種導(dǎo)線架，且特別是有關(guān)于一種用以承載發(fā)光晶片的導(dǎo)線架。
背景技術(shù)：
請參閱圖1，圖1是繪示先前技術(shù)的導(dǎo)線架1的示意圖。如圖1所示，導(dǎo)線架
1用以承載發(fā)光二極管2，且包含絕緣本體10、基座12、第一支架14及第二支架 16。實際上，導(dǎo)線架1系一熱電分離的發(fā)光二極管導(dǎo)線架。基座12可為散熱塊， 用以導(dǎo)去發(fā)光二極管2產(chǎn)生的熱量。第一支架14及第二支架16通過接線分別電性 連接至發(fā)光二極管2的正負(fù)電極，用以提供電源給發(fā)光二極管2。
如圖1所示，導(dǎo)線架1位于電路板3上。第一支架14的第一接觸面140及第 二支架16的第二接觸面160分別與電路板3接觸且電性連接。第一接觸面140及 第二接觸面160皆與基座12的第三接觸面120大致共平面。藉此，導(dǎo)線架1的第 一支架14及第二支架16焊接于電路板3上后，基座12的第三接觸面可接觸電路 板3，將熱量傳導(dǎo)至電路板3以避免熱量累積在基座12及發(fā)光二極管2。
但是，制造流程中，未被折彎的第一支架14及第二支架16先與基座12 —起 置入模具中；再將絕緣本體10射出成型以部份地包覆第一支架14、第二支架16 及基座12;最后再將第一支架14及第二支架16折彎，如圖1所示。因此，第一 支架14與第二支架16實際上會有略大于90度的折彎角。因此，導(dǎo)線架l經(jīng)過錫 爐加熱讓第一支架14及第二支架16沾錫以附著于電路板3后，基座12無法緊密 地與電路板3(或于其上提供的導(dǎo)熱部)接觸，進(jìn)而降低散熱效率。
現(xiàn)今電子產(chǎn)品在設(shè)計上有著輕薄化的趨勢，因此電子產(chǎn)品內(nèi)部元件的高度會受 到限制。因此，承載發(fā)光二極管的導(dǎo)線架在高度限制下，結(jié)構(gòu)有所不同。請參閱圖 2所示，圖2是繪示先前技術(shù)的另一導(dǎo)線架4的示意圖。制造流程中，較薄的絕緣 本體40承受第一支架44及第二支架46往內(nèi)折彎的應(yīng)力后，絕緣本體40的受力處 可能會碎裂或是變形，因此第一支架44及第二支架46皆往外彎曲，如圖2所示。 雖然避免了絕緣本體40無法承受應(yīng)力的問題，但是往外彎曲的第一支架44及第二 支架46卻增加了導(dǎo)線架4的總寬度，亦即增加電路板焊接墊的配置面積。在實際 應(yīng)用上，由于無法較為密集地排列多個導(dǎo)線架4，整體混光上較不均勻，且在固定 區(qū)域內(nèi)能設(shè)置的發(fā)光二極管較少，或是產(chǎn)品整體尺寸無法有效地縮小。藉此，本發(fā)明提供一種導(dǎo)線架，用以解決上述問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供一種導(dǎo)線架，用以承載至少一發(fā)光晶片。
根據(jù)一具體實施例，本發(fā)明的導(dǎo)線架包含絕緣本體、基座以及支架。基座被絕 緣本體部份地包覆，并包含第一表面及相對于第一表面的第二表面。第一表面與絕 緣本體構(gòu)成固晶區(qū)域，固晶區(qū)域用以承載該至少一發(fā)光晶片。支架被絕緣本體部份 地包覆，支架包含第一連接部及第二連接部。第一連接部包含露出于絕緣本體的第 三表面并電性連接至該至少一發(fā)光晶片。第二連接部折彎包覆部分絕緣本體并包含 背向絕緣本體的第四表面。
其中，定義第一表面系高度參考面且第二表面系低于高度參考面，第三表面系 高于第一表面且第四表面系高于第二表面。
藉此，本發(fā)明的導(dǎo)線架的支架略高于基座，具有較大空間以容納彎折的支架。 進(jìn)而，導(dǎo)線架貼合于電路板或散熱板后，基座能緊密地與電路板或散熱板貼合。另 外，于不更動導(dǎo)線架總高度的前提下，支架略高于基座能相對地增加支架所包覆的 部份絕緣本體的厚度。進(jìn)而，絕緣本體能承受較大應(yīng)力，使得支架能往內(nèi)彎曲而仍 能維持導(dǎo)線架整體尺寸。
關(guān)于本發(fā)明的優(yōu)點與精神可以通過以下的發(fā)明詳述及附圖得到進(jìn)一步的了解。


圖1是先前技術(shù)的導(dǎo)線架的示意圖。
圖2是先前技術(shù)的另一導(dǎo)線架的示意圖。
圖3A是根據(jù)本發(fā)明的一具體實施例的導(dǎo)線架的示意圖。
圖3B是圖3A的仰視圖。
圖3C是圖3A的俯視圖。
圖3D是圖3C沿A-A線的剖面圖。
具體實施例方式
請參閱圖3A至圖3D。圖3A是根據(jù)本發(fā)明的一具體實施例的導(dǎo)線架7的示意 圖。圖3B是圖3A的仰視圖。圖3C是圖3A的俯視圖。圖3D是圖3C沿A-A線 的剖面圖。如圖3A至圖3D所示，本發(fā)明的導(dǎo)線架7用以承載發(fā)光晶片8，且包 含絕緣本體70、基座72、第一支架74及第二支架76。第一支架74與第二 76分 別電性連接至發(fā)光晶片8的正極及負(fù)極，以提供電源給發(fā)光晶片。需注意的是，由 于第一支架74與第二支架76的結(jié)構(gòu)相同且相對絕緣本體70對稱，因此為了方便解說，接下來將只描述第一支架74。
于此實施例中，基座72被絕緣本體70部份地包覆，并包含第一表面720及相 對于第一表面720的第二表面722。第二表面722露出于絕緣本體70。以熱電分離 式的導(dǎo)線架7而言，基座72—般為導(dǎo)熱性佳的金屬所制成的散熱塊，基座72的第 二表面722接觸電路板9(如圖3D中的虛線所示)，發(fā)光晶片8通過基座72將產(chǎn)生 的熱量傳導(dǎo)至電路板9。
第一表面720與絕緣本體70構(gòu)成固晶區(qū)域7200，固晶區(qū)域7200用以承載發(fā) 光晶片8。發(fā)光晶片8可為發(fā)光二極管及雷射二極管等半導(dǎo)體發(fā)光晶片。如圖3A 所示，固晶區(qū)域7200上只置放一個發(fā)光晶片8，但本發(fā)明不以此為限，固晶區(qū)域 7200可依實際需求置放復(fù)數(shù)個發(fā)光晶片8以增加發(fā)光亮度或產(chǎn)生另一種混光顏色。
第一支架74被絕緣本體70部份地包覆，第一支架74包含第一連接部740及 第二連接部742。第一連接部740包含露出于絕緣本體70的第三表面7400，并透 過接線電性連接至發(fā)光晶片8以提供電源。第二連接部742折彎地包覆部分絕緣本 體70并包含背向絕緣本體70的第四表面7420。
于此實施例中，為了在導(dǎo)線架7上定義高度及正負(fù)方向以辨別導(dǎo)線架7中各元 件的相對高低，定義第一表面720系高度參考面且第二表面722系低于高度參考面。 因此，如圖3D所示，第三表面7400系高于第一表面720，且第四表面7420系高 于第二表面722。
另外，由于導(dǎo)線架7的總高度受限，若往內(nèi)彎折的支架部份(亦即，第二連接 部742)直接置放于絕緣本體70下方，會增加導(dǎo)線架7總高度。因此，如圖3D及 圖3B所示，絕緣本體70另包含凹陷部702，用以容納第二連接部742。于第一支 架74厚度不變的前提下，第二連接部742置放于絕緣本體70的凹陷部702可提升 第四表面7420的高度。進(jìn)而，若第一支架74無法確實地折彎成直角(亦即，第二 連接部742與基座72的第二表面722的間呈一鈍角)，凹陷部702仍能有效容納第 二連接部742，使得于導(dǎo)線架7貼合于電路板9后，基座72亦能緊密地與電路板9 相接觸。需注意的是，如圖3D所示，第二連接部742與電路9間有一高度差，但 是導(dǎo)線架7經(jīng)過錫爐后，電路板9上的錫膏(未顯示)可沾上第二連接部742，以彌 補(bǔ)此高度差且致使第一支架74可電性連接至電路板9。該高度差的范圍為此技術(shù) 領(lǐng)域的人所習(xí)知，在此不再贅述。另外，該高度差于圖3D中系夸大繪示，非謂本 發(fā)明的該高度差限于圖3D所示。
絕緣本體70挖開一空間(即前述的凹陷部702)以置放第一支架74的第二連接 部742。若第一連接部740與第二連接部742之間的高度差不夠大(亦即，第一連接 部740與第二連接部742所包圍的部份絕緣本體70太薄)，于折彎第一支架74時， 太薄的絕緣本體70將因承受應(yīng)力后容易產(chǎn)生變形或碎裂。因此本發(fā)明的導(dǎo)線架7也提高第一連接部740的高度(亦即，第三表面7400高于第一表面720)，致使增加 了絕緣本體70在第一連接部740到第二連接部742之間的厚度。進(jìn)而，絕緣本體 70能承受較大應(yīng)力，第一支架74無須向外彎折以減少導(dǎo)線架7所需電路板9上的 焊墊面積。并且，在排列多個導(dǎo)線架7時，導(dǎo)線架7之間的距離能減少，致使整體 混光能更加均勻。需補(bǔ)充說明的是，于實際應(yīng)用上，本發(fā)明的導(dǎo)線架7的第三表面 7400與第二表面722的高度差可小于0.7mm，亦即，本發(fā)明的導(dǎo)線架7可應(yīng)用于 高度限制條件較嚴(yán)苛的產(chǎn)品中。
相較于先前技術(shù)，本發(fā)明的導(dǎo)線架的支架略高于基座，具有較大空間以容納彎 折的支架。進(jìn)而，導(dǎo)線架貼合于電路板或散熱板后，基座能緊密地與電路板或散熱 板貼合。另外，于不更動導(dǎo)線架整體高度的前提下，支架略高于基座能相對地增加 支架所包覆的部份絕緣本體的厚度。進(jìn)而，絕緣本體能承受較大應(yīng)力，使得支架能 往內(nèi)彎曲而仍能維持導(dǎo)線架整體尺寸。
通過以上較佳具體實施例的詳述，是希望能更加清楚描述本發(fā)明的特征與精 神，而并非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本發(fā)明的范疇加以限制。相反地， 其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排于本發(fā)明所欲申請的專利范圍的 范疇內(nèi)。因此，本發(fā)明所申請的專利范圍的范疇?wèi)?yīng)該根據(jù)上述的說明作最寬廣的解 釋，以致使其涵蓋所有可能的改變以及具相等性的安排。
權(quán)利要求
1. 一種導(dǎo)線架，用以承載至少一發(fā)光晶片，該導(dǎo)線架包含一絕緣本體；一基座，被該絕緣本體部份地包覆，該基座包含一第一表面及相對于該第一表面的一第二表面，該第一表面與該絕緣本體構(gòu)成一固晶區(qū)域，該固晶區(qū)域用以承載該至少一發(fā)光晶片；以及一支架，被該絕緣本體部份地包覆，該支架包含一第一連接部及一第二連接部，該第一連接部包含露出于該絕緣本體的一第三表面并電性連接至該至少一發(fā)光晶片，該第二連接部折彎包覆部分該絕緣本體并包含背向該絕緣本體的一第四表面；其中，定義該第一表面系一高度參考面且該第二表面系低于該高度參考面，該第三表面系高于該第一表面且該第四表面系高于該第二表面。
2. 如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)線架，其特征在于，該絕緣本體具有一凹陷部，用以 容納該支架的該第二連接部。
3. 如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)線架，其特征在于，該第三表面與該第二表面的一高 度差小于0.7mm。
4.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)線架，其特征在于，該第二表面露出于該絕緣本體。
全文摘要
本發(fā)明揭露一種導(dǎo)線架，包含絕緣本體、基座以及支架。基座包含第一表面及相對于第一表面的第二表面。第一表面與絕緣本體構(gòu)成固晶區(qū)域以承載至少一發(fā)光晶片。支架包含第一連接部及第二連接部。第一連接部包含露出于絕緣本體的第三表面。第二連接部折彎包覆部分絕緣本體并包含背向絕緣本體的第四表面。其中，定義第一表面系高度參考面且第二表面系低于高度參考面。第三表面系高于第一表面且第四表面系高于第二表面。
文檔編號H01L33/00GK101483209SQ200810000379
公開日2009年7月15日 申請日期2008年1月9日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月9日
發(fā)明者林士杰, 陳立敏, 高昆山 申請人:一詮精密工業(yè)股份有限公司