專利名稱：顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包括有機(jī)EL (電致發(fā)光)發(fā)光元件或類似物的有 源矩陣型顯示裝置。
背景技術(shù)：
在圖像顯示裝置(例如，液晶顯示器等)中，大量像素以矩陣 形式排列，并根據(jù)關(guān)于將被顯示的圖像的信息，對(duì)每個(gè)像素控制光 的強(qiáng)度，由此來顯示圖像。雖然對(duì)于有機(jī)EL顯示器等來說情況是這樣，但有機(jī)EL顯示 器是在每個(gè)像素電路中都具有發(fā)光元件的所謂發(fā)光型顯示器，并且 與液晶顯示器相比，具有可提供較高的圖像可視性、消除背光的需 要以及例如具有較高響應(yīng)速度的優(yōu)點(diǎn)。此外，有機(jī)EL顯示器與液晶顯示器等顯著不同之處在于每 個(gè)發(fā)光元件的亮度通過流經(jīng)發(fā)光元件的電流的值來控制，乂人而獲得 顏色的層次，也就是i兌，發(fā)光元件是電流控制型的。與液晶顯示器一樣，作為有才幾EL顯示器的可能的驅(qū)動(dòng)方式， 存在簡單矩陣方式和有源矩陣方式。前者具有簡單的結(jié)構(gòu)，但存在 包括例如難以實(shí)現(xiàn)大尺寸高清晰度顯示器的問題。因此，通過設(shè)置 在像素電路內(nèi)的有源元件或典型的TFT(薄膜晶體管)，來控制流 經(jīng)每個(gè)像素電路中的發(fā)光元件的電流的有源矩陣方式已經(jīng)被積極 開發(fā)。圖1是示出普通有才幾EL顯示裝置的構(gòu)造的框圖。如圖1所示，該顯示裝置1包括具有以m x n矩陣形式排列 的多個(gè)像素電路(PXLC )2a的像素陣列單元2;水平選擇器(HSEL) 3;寫入掃描器(WSCN) 4;由水平選4奪器3選l奪且凈皮^是供對(duì)應(yīng)于 亮度信息的數(shù)據(jù)信號(hào)的信號(hào)線(數(shù)據(jù)線)SGLl SGLn;以及由寫 入掃描器4選擇和驅(qū)動(dòng)的掃描線WSL1 ~ WSLm。順<更指出，水平選l奪器3和寫入掃描器4可以在多晶石圭上形成， 或由位于^f象素外圍的MOSIC等形成。圖2是示出圖1中的像素電路2a構(gòu)造的實(shí)例的電路圖(參見 第5,684,365號(hào)美國專利(專利文獻(xiàn)1 )和公開號(hào)為第Hei 8-234683 號(hào)的日本專利(專利文獻(xiàn)2))。圖2的像素電路在已經(jīng)提出的大量電路中具有最簡單的電路構(gòu) 造，并且是所謂的雙晶體管驅(qū)動(dòng)方式電路。圖2的像素電路2a包括p通道薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管(下文中稱 作TFT) 11和TFT12、電容器Cll、以及作為發(fā)光元件的有才幾EL 發(fā)光元件(OLED) 13。在圖2中，SGL表示信號(hào)線，WSL表示掃描線。在許多情況下，有機(jī)EL發(fā)光元件具有電流才交正特性，因此可 以被稱作為OLED (有機(jī)發(fā)光二極管)。盡管在圖2和其它附圖中 發(fā)光元件使用的是二極管的符號(hào)，但在以下的描述中，電流才交正特 性對(duì)于OLED不是必然需要的。在圖2中，TFT 11的源極被連接至電源電位VCC。發(fā)光元件 13的陰極被連接至接地電位GND。圖2的像素電路2a的操作如下步驟ST1:當(dāng)掃描線WSL被設(shè)置為被選擇狀態(tài)(此時(shí)為低電平)、且寫入 電位Vdata被施加到信號(hào)線SGL時(shí)，TFT 12對(duì)電容器Cll進(jìn)行充 電或方文電，且TFT 11的柵-才及電位變?yōu)閷懭腚娢籚data。步驟ST2:當(dāng)掃描線WSL ^皮設(shè)置為非選擇狀態(tài)時(shí)(此時(shí)為高電平)，信號(hào) 線SGL和TFT 11 ;波此^皮電斷開。然而，TFT 11的柵-才及電位-故電容 器Cll穩(wěn)定地4呆持。步驟ST3:流經(jīng)TFT 11和發(fā)光元件13的電流具有對(duì)應(yīng)于TFT 11的柵-才及 源極間電壓Vgs的值，并且，發(fā)光元件13以對(duì)應(yīng)于電流值的亮度 持續(xù)發(fā)光。像在上述步驟ST1中，選擇掃描線WSL并將提供給數(shù)據(jù)線的 亮度信息傳輸至像素的內(nèi)部的操作在下文中將被稱作"寫入"。如上所述， 一旦寫入電^f立Vdata 4皮寫入到圖2的l象素電i 各2a 中，發(fā)光元件13就以恒定的亮度持續(xù)發(fā)光，直至寫入電位Vdata 下一次纟皮重寫。如上所述，在像素電路2a中，通過改變施加到作為驅(qū)動(dòng)(驅(qū) 動(dòng))晶體管的TFT 11的柵極的電壓來控制流經(jīng)EL發(fā)光元件13的 電5危的{直。此時(shí)，p通道驅(qū)動(dòng)晶體管的源極被連接至電源電位VCC，且 TFT11—直在飽和區(qū)域中操作。因此，TFT11是具有由以下等式1所表示的值的恒流源。(等式l)Ids = 1/2卞(W/L)Cox(Vgs畫Vthl)2 …(l)其中，p表示載流子遷移率，Cox表示每單位面積的柵極電容， W表示柵極寬度，L表示柵極長度，Vgs表示TFT 11的柵極源極間 電壓，以及Vth表示TFT 11的閾值。簡單矩陣型圖像顯示裝置中的每個(gè)發(fā)光元件僅在當(dāng)發(fā)光元件 被選4奪時(shí)發(fā)光。另一方面，如上所述，即使在寫入#:作結(jié)束之后， 有源矩陣方式中的發(fā)光元件還繼續(xù)發(fā)光。因此，有源矩陣方式在大 尺寸高清晰度顯示器方面尤其有優(yōu)勢(shì)，原因在于例如，與簡單矩陣 方式相比，發(fā)光元件的峰值亮度和峰值電流能夠被降低。圖3是示出有才幾EL發(fā)光元件的電流-電壓(I-V)特性的長期 變化的示意圖。在圖3中，實(shí)線代表的曲線表示初始狀態(tài)時(shí)的特性， 而虛線代表的曲線表示長期變化之后的特性?？偟膩碚f，如圖3所示，有機(jī)EL發(fā)光元件的I-V特性隨時(shí)間 的推移而劣化。然而，因?yàn)閳D2的雙晶體管驅(qū)動(dòng)是恒定電流驅(qū)動(dòng)，所以如上所 述恒定電流將持續(xù)流經(jīng)有才幾EL發(fā)光元件，并且，即^f吏當(dāng)有才幾EL 發(fā)光元件的I-V特性劣化時(shí)，有機(jī)EL發(fā)光元件的發(fā)光亮度也不隨 時(shí)間而降1氐。圖2的像素電3各2a以p通道TFT形成。如果圖2的^f象素電^各 2a能夠用n通道TFT形成，那么現(xiàn)有的非晶態(tài)硅(a-Si)工藝能夠 被用于TFT的制造中。因此TFT襯底的成本能夠被降低。接下來將描述用n通道TFT代替晶體管的基本像素電路。圖4是示出用n通道TFT代替圖2的電^各中的p通道TFT的 ^象素電^各的電^各圖。圖4的像素電路2b包括n通道TFT21和22、電容器C21、以 及作為發(fā)光元件的有才幾EL發(fā)光元件(OLED )23。在圖4中，SGL 表示數(shù)據(jù)線，WSL表示掃描線。在該l象素電路2b中，作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT21的漏極側(cè)被連 4妄至電源電位VCC, TFT 21的源擬j皮連4妾至EL發(fā)光元件23的陽 才及，由此形成源才及跟隨(source follower)電^各。圖5是示出初始狀態(tài)中EL發(fā)光元件23和作為驅(qū)動(dòng)晶體管的 TFT 21的工作點(diǎn)的示意圖。在圖5中，橫坐標(biāo)軸表示TFT21的漏 才及源才及間電壓Vds,而纟從坐標(biāo)軸表示TFT 21的漏才及源才及間的電流 Ids。如圖5所示，通過EL發(fā)光元件23和作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 21 的工作點(diǎn)來確定源才及電壓，該電壓具有依賴于柵4及電壓的不同值。因?yàn)門FT21在飽和區(qū)域中^L驅(qū)動(dòng)，所以，TFT21傳遞具有如 上述等式1所示出的等式的電流值的電流Ids，該等式1涉及與工 作點(diǎn)處的源才及電壓相^于應(yīng)的4冊(cè)才及源4及間電壓Vgs 。具有如上所述的結(jié)構(gòu)的有源矩陣型有4幾El顯示器具有用于驅(qū) 動(dòng)EL發(fā)光元件的TFT電^各和作為發(fā)光層的EL發(fā)光元件的層壓結(jié) 構(gòu)。頂部發(fā)光結(jié)構(gòu)和底部發(fā)光結(jié)構(gòu)的有源矩陣型有機(jī)EL顯示器已 為人所知。例如，在公開號(hào)為第2005-203196號(hào)的日本專利(專利文獻(xiàn)3) 中披露了頂部發(fā)光結(jié)構(gòu)的無源矩陣型有機(jī)EL元件。在普通的底部發(fā)光結(jié)構(gòu)的情況下，發(fā)射的光需要乂人TFT襯底側(cè) 引出，因此TFT結(jié)構(gòu)可能受到EL發(fā)光面積=孔徑比的限制。另一方面，在頂部發(fā)光結(jié)構(gòu)的情況下，發(fā)的光需要從相反的襯 底側(cè)引出。因此，頂部發(fā)光結(jié)構(gòu)不受TFT結(jié)構(gòu)的影響，從而能夠增 力口 EL發(fā)光面積、=孑L4圣比。發(fā)明內(nèi)容在底部發(fā)光結(jié)構(gòu)中，光在TFT襯底側(cè)引出。因此可實(shí)現(xiàn)厚度的 增加，即，上電極(通常是陰極)的電阻的降低。此外，因?yàn)槟軌?使用例如鋁(Al)等的低電阻材料，所以，由上電極的電阻所引起 的電壓降相對(duì)不會(huì)出現(xiàn)問題。另一方面，在頂部發(fā)光結(jié)構(gòu)中，光在^H"底的相反側(cè)引出。只于于 上電極(通常是陰極)，要求在可見光區(qū)域中具有相對(duì)高的透射率。因此很難實(shí)現(xiàn)厚度的增加，即，上電極電阻的降低，并且很難使用例如鋁(Al)等的低電阻材料(=具有低透射率的材料)。因此，在頂部發(fā)光結(jié)構(gòu)中，由上電極的電阻所引起的電壓降存 在嚴(yán)重的問題。由于該電壓降，當(dāng)面斧反的尺寸增加時(shí)，面才反平面中上電才及的電 壓會(huì)發(fā)生改變，因此導(dǎo)致面板的面內(nèi)(in-plane)亮度差。即，面板的尺寸越大以及面板的清晰度越高，這些問題的影響 就越大。期望抑制發(fā)光元件的電極部件中的電壓降、阻止面板的面內(nèi)亮 度差的發(fā)生，乂人而獲得高畫質(zhì)的圖Y象。根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，提供了一種顯示裝置，其中，包括 發(fā)光區(qū)域的各個(gè)像素以矩陣形式排列，該顯示裝置包括第一電極， 形成在從像素的發(fā)光區(qū)域到位于發(fā)光區(qū)域外圍的非發(fā)光區(qū)域；第二 電極，被形成為被像素共用；以及發(fā)光材料層，形成在第一電極和 第二電才及之間；其中，第一電才及和第二電才及中的至少一個(gè)的非發(fā)光 區(qū)域中的膜厚大于發(fā)光區(qū)域中的膜厚。優(yōu)選地， 一發(fā)光部被設(shè)置在第二電極所形成的表面一側(cè)，第二 電極在非發(fā)光區(qū)域中具有第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的層壓結(jié)構(gòu)，在 可見光區(qū)域中，第一導(dǎo)電層具有比第二導(dǎo)電層高的透射率，以及， 第 一導(dǎo)電層被形成為在包括發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域的整個(gè)區(qū)域上 凈皮像素共用。優(yōu)選地，第二導(dǎo)電層具有比第一導(dǎo)電層低的薄層電阻(sheet resistance )。優(yōu)選地，對(duì)于層壓在非發(fā)光區(qū)域中的第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電 層，第二導(dǎo)電層以比第一導(dǎo)電層大的膜厚形成，并且，至少第二導(dǎo)射的光的光導(dǎo)功能。優(yōu)選地， 一發(fā)光部被設(shè)置在第一電極所形成的表面一側(cè)，第一 電極在非發(fā)光區(qū)域中具有第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的層壓結(jié)構(gòu)，在 可見光區(qū)域中，第一導(dǎo)電層具有比第二導(dǎo)電層高的透射率，且第一 導(dǎo)電層被形成于包括發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域的每個(gè)像素中。優(yōu)選地，第二導(dǎo)電層具有比第一導(dǎo)電層低的薄層電阻。優(yōu)選地，顯示裝置是頂部發(fā)光型的。優(yōu)選地，顯示裝置是底部發(fā)光型的。優(yōu)選地，每個(gè)像素至少包括發(fā)光元件、驅(qū)動(dòng)晶體管和開關(guān)晶體管，并且，驅(qū)動(dòng)晶體管和發(fā)光元件浮皮;波此串連地連接在電源線和基 〉,電^f立之間。根據(jù)本發(fā)明，例如，第二電極具有第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的 雙層結(jié)構(gòu)，第一導(dǎo)電層形成于整個(gè)顯示區(qū)域之上，且第二導(dǎo)電層形 成于顯示區(qū)域的非發(fā)光區(qū)域中，該非發(fā)光區(qū)域不是發(fā)光部。由此第 二電一及的電阻祐J爭j氐。根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制發(fā)光元件的電極部件中的電壓降、阻止 面4反的面內(nèi)亮度差的發(fā)生，乂人而獲4尋高畫質(zhì)的圖1象。


圖1是示出普通有機(jī)EL顯示裝置的構(gòu)造的框圖；圖2是示出圖1中的像素電if各的構(gòu)造的實(shí)例的電if各圖；圖3是示出有才幾EL發(fā)光元件的電流-電壓(I-V)特性的長期 變化的示意圖；圖4是示出用n通道TFT耳又代圖2的電3各中的p通道TFT的 像素電路的電路圖；圖5是示出初始狀態(tài)中作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT和EL發(fā)光元件 的工作點(diǎn)的示意圖；圖6是示出使用根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的像素電路的有機(jī)EL 顯示裝置的構(gòu)造的框圖；圖7是示出根據(jù)第 一 實(shí)施例的像素電路的具體構(gòu)造的電路圖；圖8A、圖8B和圖8C是示出圖7中像素電路的基本操作的時(shí) 序圖；圖9是輔助說明用于提高畫質(zhì)等的第一措施的實(shí)例的示意圖， 并且，是頂部發(fā)光結(jié)構(gòu)的主要部分的示意性剖視圖；圖IO是示出第一導(dǎo)電層的蒸發(fā)掩膜的實(shí)例的示意圖；圖11是示出第二導(dǎo)電層的蒸發(fā)掩膜的實(shí)例的示意圖；圖12是輔助說明用于提高畫質(zhì)等的第二措施的實(shí)例的示意圖， 并且，是另一頂部發(fā)光結(jié)構(gòu)的主要部分的示意性剖一見圖；圖13是輔助說明用于提高畫質(zhì)等的第三措施的實(shí)例的示意圖， 并且，是底部發(fā)光結(jié)構(gòu)的主要部分的示意性剖視圖；圖14是輔助i兌明用于凈是高畫質(zhì)等的第四措施的實(shí)例的示意圖，并且，是另一底部發(fā)光結(jié)構(gòu)的主要部分的示意性剖—見圖；圖15A、圖15B、圖15C、圖15D和圖15E是圖7中^象素電^各 的具體操作的時(shí)序圖；圖16是輔助說明圖7中像素電路的操作的示意圖，并且是示 出發(fā)光期間的狀態(tài)的示意圖；圖17是輔助說明圖7中像素電路的操作的示意圖，并且是示 出非發(fā)光期間電壓Vss被設(shè)置的狀態(tài)的示意圖；圖18是輔助說明圖7中像素電路的操作的示意圖，并且是示 出偏置信號(hào)一皮輸入的狀態(tài)的示意圖；圖19是輔助說明圖7中像素電路的操作的示意圖，并且是示 出電壓Vcc ^皮"i殳置的狀態(tài)的示意圖；圖20是輔助-沈明圖7中像素電路的操作的示意圖，并且是示 出當(dāng)電壓Vcc被設(shè)置時(shí)驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電壓的轉(zhuǎn)變的示意圖；圖21是輔助說明圖7中像素電路的操作的示意圖，并且是示 出當(dāng)數(shù)據(jù)信號(hào)Vsig被寫入時(shí)的狀態(tài)的示意圖；圖22是輔助說明圖7中像素電路的操作的示意圖，并且是示 出對(duì)應(yīng)于高遷移率和低遷移率的驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電壓的轉(zhuǎn)變的 示意圖；圖23是輔助說明圖7中像素電路的才乘作的示意圖，并且是示 出發(fā)光狀態(tài)的示意圖；圖24是示出使用根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的像素電路的有機(jī)EL 顯示裝置的構(gòu)造的框圖；圖25是示出根據(jù)第二實(shí)施例的像素電路的具體構(gòu)造的電路圖；以及圖26A、圖26B、圖26C、圖26D、圖26E和圖26F是圖25中像素電路的基本操作的時(shí)序圖。
具體實(shí)施方式
在下文中將參考附圖描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。圖6是示出使用根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的像素電路的有機(jī)EL 顯示裝置的構(gòu)造的框圖。圖7是示出根據(jù)第 一 實(shí)施例的像素電路的具體構(gòu)造的電路圖。如圖6和圖7所示，該顯示裝置100包括具有以mxn矩陣形 式排列的^f象素電^各101的^f象素陣列單元102;水平選4奪器(HSEL ) 103;寫入掃描器(WSCN) 104;電源驅(qū)動(dòng)掃描器(PDSCN ) 105; 由水平選擇器103選4奪、并且祐j是供偏置信號(hào)Vofs或?qū)?yīng)于亮度信 息的凄t據(jù)信號(hào)Vsig的IIT入信號(hào)SIN的信號(hào)線SGL101 ~ SGL10n; 由寫入掃描器104的柵極脈沖(掃描脈沖)GP選擇并驅(qū)動(dòng)的作為 驅(qū)動(dòng)配線的掃描線WSL101 WSL10m;以及由電源驅(qū)動(dòng)掃描器 105提供的被選擇性地設(shè)置為電壓VCC (例如，電源電壓)或電壓 VSS (例如，負(fù)側(cè)電壓)的電源4言號(hào)PSG所馬區(qū)動(dòng)的作為馬區(qū)動(dòng)配線的 電源馬區(qū)動(dòng)線PSL101 - PSL10m。通過源極電極和漏極電極中的另外一個(gè)連接到所述第一節(jié)點(diǎn)，并且通過柵極 電極連接到所述第二節(jié)點(diǎn)；以及
光電二極管，其連接在第二電壓和所述第二節(jié)點(diǎn)之間，以進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換。
12. —種在CMOS圖像傳感器中形成像素結(jié)構(gòu)的方法，包括
形成第一導(dǎo)電性襯底；
在該第一導(dǎo)電性襯底中形成第二導(dǎo)電性光電二極管區(qū)域； 在該第二導(dǎo)電性光電二極管區(qū)域上形成電容器電極。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述電容器電極基本上覆蓋所述
第二導(dǎo)電性光電二極管區(qū)域。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述電容器電極部分地覆蓋所述 第二導(dǎo)電性光電二極管區(qū)域。
15. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述電容器電極由耦合到靈敏度 控制信號(hào)的透明導(dǎo)電膜形成，該透明導(dǎo)電膜為多晶硅。
16. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括在所述第二導(dǎo)電性光電二極管 區(qū)域上形成電介質(zhì)膜，并且在該電介質(zhì)膜上形成所述電容器電極。
17. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括
將第一晶體管通過源極電極和漏極電極中的一個(gè)連接到第一節(jié)點(diǎn)，通過 源極電極和漏極電極中的另外 一 個(gè)連接到輸出節(jié)點(diǎn)，并且通過柵極電極接收 行選擇信號(hào)；
將第二晶體管通過源極電極和漏極電極中的 一個(gè)連接到第 一 電壓，通過 源極電極和漏極電極中的另外 一 個(gè)連接到第二節(jié)點(diǎn)，并且通過柵極電極接收 復(fù)位控制信號(hào)；
將第三晶體管通過源極電極和漏極電極中的一個(gè)連接到第一電源，通過 源極電極和漏極電極中的另外一個(gè)連接到第一節(jié)點(diǎn)，并且通過柵極電極連接 到第二節(jié)點(diǎn)；和
將光電二極管連接在第二電壓和所述第二節(jié)點(diǎn)之間，以進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換。圖8A示出的是施加到掃描線WSL的4冊(cè)極脈沖(掃描脈沖) GP。圖8B示出的是施加到電源驅(qū)動(dòng)線PSL的電源信號(hào)PSG。圖 8C示出的是施加到信號(hào)線SGL的輸入信號(hào)SIN。對(duì)于像素電^各101中的發(fā)光元件113的光發(fā)射，在非發(fā)光期間， 如圖8A-圖8C所示，電源信號(hào)VSS(例如，負(fù)電壓)^皮施加到電 源驅(qū)動(dòng)線PSL，且偏置信號(hào)Vofs通過信號(hào)線SGL傳送，然后經(jīng)由 TFT 112被輸入到第二節(jié)點(diǎn)ND112。其后，電源信號(hào)VCC(對(duì)應(yīng)于 電源電壓)#1施力口到電源驅(qū)動(dòng)線PSL。因此TFT 111的閾值#皮才交正。其后，對(duì)應(yīng)于亮度信息的數(shù)據(jù)信號(hào)Vsig被施加到信號(hào)線SGL, 由此，該信號(hào)經(jīng)由TFT 112 4皮寫入到第二節(jié)點(diǎn)ND112。此時(shí)，該寫 入是在電流通過TFT 111時(shí)批^亍，/人而以同時(shí)和并4亍的方式^^亍遷 移率4交正。然后，TFT 112被設(shè)置為非導(dǎo)通狀態(tài)，且發(fā)光元件113根據(jù)亮度信息進(jìn)行發(fā)光。具有如上所述結(jié)構(gòu)的有源矩陣型有才幾EL顯示裝置100具有用 于驅(qū)動(dòng)EL發(fā)光元件的TFT電^各和作為發(fā)光層的EL發(fā)光元件的層壓結(jié)構(gòu)，且#:制造為頂部發(fā)光結(jié)構(gòu)或底部發(fā)光結(jié)構(gòu)的顯示裝置。在根據(jù)本實(shí)施例的顯示裝置100中，進(jìn)行以下措施以補(bǔ)救由于生，即，通過在頂部發(fā)光結(jié)構(gòu)或底部發(fā)光結(jié)構(gòu)中降低被形成為將發(fā) 光元件113的發(fā)光元件材料層夾在中間的第一電極(例如，陽極電 極)或第二電極(例如，陰極電極)的電阻，來才是高畫質(zhì)等。圖9是輔助-〖兌明用于4是高畫質(zhì)等的第一措施的實(shí)例的示意圖， 并且是頂部發(fā)光結(jié)構(gòu)的主要部分的示意性剖一見圖。如圖9所示，具有頂部發(fā)光結(jié)構(gòu)的顯示裝置IOOA包4舌由例 如玻璃形成的襯底121;在襯底121上為各個(gè)^f象素電^各101形成的 多個(gè)TFT 122 (圖7中的TFT 111);在乂人各個(gè)Y象素電i 各101的發(fā)光 區(qū)域EA到位于發(fā)光區(qū)域EA外圍的非發(fā)光區(qū)域NEA的區(qū)域之上形 成的作為第一電極的陽極電極層123，陽極電極層123被連接至非 發(fā)光區(qū)域NEA中的TFT 122 ( TFT 111的源4及)；形成在整個(gè)區(qū)域 之上作為第二電才及的陰才及電才及層124, 乂人而為l象素所共用；以及形 成在陽極電極層123和陰極電極層124之間的整個(gè)區(qū)域之上的發(fā)光 材料層(EL層)125。作為第二電極的陰極電極層124在每個(gè)像素電路101的非發(fā)光 區(qū)i或NEA中具有第一導(dǎo)電層1241和第二導(dǎo)電層1242的層壓結(jié)構(gòu)。 在包括發(fā)光區(qū)域EA和非發(fā)光區(qū)域NEA的整個(gè)區(qū)域之上，以被像素 共用的方式^又形成第一導(dǎo)電層1241。圖9中的參考符號(hào)126和127表示絕緣膜。此外，第一導(dǎo)電層1241由在可見光區(qū)域中具有比第二導(dǎo)電層 1242高的透射率的層形成。例如，第一導(dǎo)電層1241由ITO的透明電才及或類似物形成。第 二導(dǎo)電層1242理想地由低電阻材料形成。例如，低電阻材料理想 地是例如A1、 Ag、 Cu或類似物的金屬或包括一種或多種金屬的合 金。陽才及電才及層123由例如Al或類々乂物的材沖牛形成。在圖9的結(jié)構(gòu)的情況下，作為第二電^l的陰^^電才及層124通過 在形成EL層125之后在EL層125上形成第一導(dǎo)電層1241而構(gòu)造 的，然后，在非發(fā)光區(qū)域NEA中選擇性地形成第二導(dǎo)電層1242。在這種情況下，使用的是如圖10和圖11中所示出的蒸發(fā)膜130A和130B。作為第二電極的陰極電極層124中的第二導(dǎo)電層1242具有比 第一導(dǎo)電層1241低的薄層電阻。對(duì)于非發(fā)光區(qū)域NEA中層壓的第一導(dǎo)電層1241和第二導(dǎo)電層 1242，第二導(dǎo)電層1242以大于第一導(dǎo)電層1241的膜厚形成。至少 第二導(dǎo)電層1242具有用于以垂直于各層的層壓方向的方向(正交 于襯底121的主平面的方向)引導(dǎo)從EL發(fā)光元件113的發(fā)光部113A 所發(fā)射的光的光導(dǎo)功能。例如，第一導(dǎo)電層1241以納米級(jí)的膜厚形成，第二導(dǎo)電層1242 以《效米級(jí)的膜厚形成。在本實(shí)施例中，由于第二導(dǎo)電層1242由例如Al等具有高反射 率的材料形成，因此，從發(fā)光部113A發(fā)射的一部分光當(dāng)在第二導(dǎo) 電層1242的側(cè)部反射時(shí)，在圖9中一皮向上引導(dǎo)。該光導(dǎo)功能使所發(fā)射的光被有效地引出d因此，具有圖9的頂部發(fā)光結(jié)構(gòu)的顯示裝置100A實(shí)現(xiàn)了陰極 電極層124的低電阻。因此，能夠抑制發(fā)光元件的電極部件中的電 壓降、阻止面板的面內(nèi)亮度差的發(fā)生，/人而獲得高畫質(zhì)的圖Y象。圖12是輔助說明用于提高畫質(zhì)等的第二措施的例子的示意圖， 并且是頂部發(fā)光結(jié)構(gòu)的主要部分的示意性剖^L圖。圖12中的顯示裝置100B與圖9中的顯示裝置100A不同之處 在于，陰極電極層124B的第一導(dǎo)電層1241和第二導(dǎo)電層1242是 以不同順序?qū)訅旱摹＞唧w來說，在圖12的顯示裝置100B中，在每個(gè)^f象素電if各101 的非發(fā)光區(qū)域NEA中選擇性地形成第二導(dǎo)電層1242，其后，在整 個(gè)區(qū)域之上以被像素所共用的方式形成第一導(dǎo)電層1241。第一導(dǎo)電 層1241是第二導(dǎo)電層1242之上的上層。同樣在該結(jié)構(gòu)中，因?yàn)榈诙?dǎo)電層1242是由例如Al等具有高 反射率的材料形成的，所以，即使當(dāng)有光通過半透明的第一導(dǎo)電層 1241時(shí)，例如，從發(fā)光部113A所發(fā)射的部分光當(dāng)在第二導(dǎo)電層1242的側(cè)部上發(fā)射時(shí)，-故引導(dǎo)到圖12中的上部。該光導(dǎo)功能使所發(fā)射的光被有效地引出。因此，具有圖12的頂部發(fā)光結(jié)構(gòu)的顯示裝置100B實(shí)現(xiàn)了陰極 電極層124B的低電阻。因此，能夠抑制發(fā)光元件的電極部件中的 電壓降、阻止面板的面內(nèi)亮度差的發(fā)生，從而獲得高畫質(zhì)的圖l象。圖13是輔助說明用于提高畫質(zhì)等的第三措施的實(shí)例的示意圖， 并且是底部發(fā)光結(jié)構(gòu)的主要部分的示意性剖一見圖。如圖13所示，具有底部發(fā)光結(jié)構(gòu)的顯示裝置100C包括由例 如玻璃形成的透明襯底131;在襯底131上為各個(gè)像素電路101形 成的多個(gè)TFT 132 (圖7中的TFT 111);在從各個(gè)像素電路101的 發(fā)光區(qū)域EA到位于發(fā)光區(qū)域EA外圍的非發(fā)光區(qū)域NEA的區(qū)域之 上形成的作為第一電極的陽極電極層133,陽極電極層133被連接 至非發(fā)光區(qū)域NEA中的TFT 132 ( TFT 111的源才及)；形成在整個(gè) 區(qū)域之上作為第二電極的陰才及電極層134，從而為像素所共用；以 及形成在陽極電極層133和陰極電極層134之間的整個(gè)區(qū)域之上的 發(fā)光材泮+層(EL層)135。作為第 一電極的陰極電極層133在每個(gè)像素電路101的非發(fā)光 區(qū)i或NEA中具有第一導(dǎo)電層1331和第二導(dǎo)電層1332的層壓結(jié)構(gòu)。 在每個(gè)像素的發(fā)光區(qū)域EA和非發(fā)光區(qū)域NEA中僅形成第 一導(dǎo)電層 1331。
圖13中的參考符號(hào)136和137表示絕緣膜。
此外，第一導(dǎo)電層1331由在可見光區(qū)J:或中具有比第二導(dǎo)電層 1332高的透射率的層形成。
例如，第一導(dǎo)電層1331由ITO的透明電極或類似物形成。第 二導(dǎo)電層1332理想地由j氐電阻材4牛形成。例如，^f氐電阻材津牛理想 地是例如A1、 Ag、 Cu或類似物的金屬或包括一種或多種金屬的合 金。
陰才及電才及層134由例如Al或類似物的材并牛形成。
在圖13的結(jié)構(gòu)的情況下，作為第一電4及的陽才及電才及層133通 過形成一皮連4妄至TFT 132的第一導(dǎo)電層1331來構(gòu)造，然后，在非 發(fā)光區(qū)域NEA中選擇性地形成第二導(dǎo)電層1332。
作為第一電極的陽極電極層133中的第二導(dǎo)電層1332具有比 第一導(dǎo)電層1331 ^氐的薄層電阻。
因此，具有圖13的底部發(fā)光結(jié)構(gòu)的顯示裝置100C實(shí)現(xiàn)了陽極 電極層133的低電阻。因此，能夠抑制發(fā)光元件的電極部件中的電 壓降、阻止面板的面內(nèi)亮度差的發(fā)生，乂人而獲得高畫質(zhì)的圖4象。
圖14是輔助說明用于提高畫質(zhì)等的第四措施的例子的示意圖， 并且是底部發(fā)光結(jié)構(gòu)的主要部分的示意性剖一見圖。圖14中的顯示裝置IOOD與圖13中的顯示裝置IOOC不同之 處在于，陽才及電才及層133D的第一導(dǎo)電層1331和第二導(dǎo)電層1332 是以不同順序?qū)訅?。具體來i兌，在圖14的顯示裝置100D中，在每個(gè)〗象素電^各101 的非發(fā)光區(qū)域NEA中選擇性地形成第二導(dǎo)電層1332,其后，在從 非發(fā)光區(qū)域NEA至發(fā)光區(qū)域EA的區(qū)域之上形成第 一導(dǎo)電層1331 。 第一導(dǎo)電層1331是第二導(dǎo)電層1332之上的上層。因此，具有圖14的底部發(fā)光結(jié)構(gòu)的顯示裝置IOOD實(shí)現(xiàn)了陽極 電極層133D的低電阻。因此，能夠抑制發(fā)光元件的電極部件中的 電壓降、阻止面板的面內(nèi)亮度差的發(fā)生，從而獲得高畫質(zhì)的圖像。^接下來將參考圖15A 圖15E以及圖16~圖23,考慮4象素電 路的操作來描述上述結(jié)構(gòu)的更具體的操作。圖15A示出的是施加到掃描線WSL的柵極脈沖(掃描脈沖) GP。圖15B的是示出施加到電源驅(qū)動(dòng)線PSL的電源信號(hào)PSG。圖 15C示出的是施加到信號(hào)線SGL的輸入信號(hào)SIN。圖15D的是示 出第二節(jié)點(diǎn)ND112的電^立VND112。圖15E的是示出第一節(jié)點(diǎn) ND111的電^f立VNDlll。首先，在發(fā)光元件113的發(fā)光狀態(tài)期間，如圖15B和圖16所 示，電源驅(qū)動(dòng)線PSL處于電源電壓VCC, TFT112處于截止?fàn)顟B(tài)。此時(shí)，因?yàn)樽鳛轵?qū)動(dòng)晶體管的TFT111被設(shè)置為在飽和區(qū)域中 才乘作，所以流經(jīng)EL發(fā)光元件113的電流Ids采用由對(duì)應(yīng)于TFT 111的柵極源極間電壓Vgs的等式1所表示的值。接下來，在非發(fā)光期間中，如圖15B和圖17所示，作為電源 線的電源驅(qū)動(dòng)線PSL被設(shè)置為電壓Vss。此時(shí)，當(dāng)電壓Vss低于 EL發(fā)光元件113的閾值Vthel與陰才及電壓Vcat的和時(shí)，即，Vss < Vthel + Vcat， EL發(fā)光元件113熄滅，且作為電源線的電源驅(qū)動(dòng)線 PSL變?yōu)樽鳛轵?qū)動(dòng)晶體管的TFT 111的源才及。此時(shí)，如圖15E所示， EL發(fā)光元件113的陽極(節(jié)點(diǎn)NDlll)被充電到電壓Vss。此外，如圖15A、 15C、 15D和15E以及圖18所示，當(dāng)信號(hào)線 SGL的電位變?yōu)槠秒妷篤ofs時(shí)，柵極脈沖GP被設(shè)置為高電平以 導(dǎo)通TFT 112，由此TFT 111的柵極電位被設(shè)置為偏置電壓Vofs。此時(shí)，TFT 111的沖冊(cè)才及源才及間電壓采用^f直(Vofs _ Vss )。當(dāng)TFT 111的棚-才及源才及間電壓(Vofs - Vss )不高于(低于)TFT 111的閾 值電壓Vth時(shí)，無法4丸4亍閾值的4交正才喿作。因此，TFT 111的棚-才及 源極間電壓(Vofs-Vss)需要高于TFT 111的閾值電壓Vth,即， Vofs _ Vss > Vth 。然后，在閾值校正操作中，施加到電源驅(qū)動(dòng)線PSL的電源信號(hào) PSG再一次被設(shè)置為電源電壓Vcc。通過將電源驅(qū)動(dòng)線PSL設(shè)置為電源電壓Vcc, EL發(fā)光元件113 的陽才及(節(jié)點(diǎn)ND111)起TFT 111的源4及的作用，電流3o圖19所 示流動(dòng)。EL發(fā)光元件113的等效電^各用如圖19中示出的二才及管和電容 表示。因此，只要滿足關(guān)系Vel ^ Vcat + Vthel ( EL發(fā)光元件113的 泄漏電流比流經(jīng)TFT 111的電流小許多)，TFT 111的電流就凈皮用于 對(duì)電容器Clll和Cel進(jìn)行充電。此時(shí)，如圖20所示，跨過電容Cel的電壓Vel隨時(shí)間升高。在 經(jīng)過一定時(shí)間之后，TFT111的柵極源極間電壓呈現(xiàn)值Vth。此時(shí)， Vel = Vofs - Vth ^ Vcat + Vthd。如圖15A和15C以及圖21所示，在閾值抵消操作結(jié)束之后， 信號(hào)線SGL通過處于導(dǎo)通狀態(tài)的TFT 112被設(shè)置為電位Vsig。數(shù) 據(jù)信號(hào)Vsig是對(duì)應(yīng)于灰階的電壓。此時(shí)，如圖15D所示，因?yàn)門FT 112是導(dǎo)通的，所以TFT 111的棚"級(jí)電位是電位Vsig。因?yàn)殡娏鱅ds 乂人作為電源線的電源驅(qū)動(dòng)線PSL流出，所以源才及電4立隨時(shí)間升高。此時(shí)，當(dāng)TFT 111的源極電壓不超過EL發(fā)光元件113的閾值 電壓Vthel與陰極電壓Vcat的和時(shí)(當(dāng)EL發(fā)光元件113的泄漏電 流比流經(jīng)TFT 111的電流小許多時(shí))，流經(jīng)TFT 111的電流一皮用于對(duì) 電容器Clll和Cel充電。此時(shí)，因?yàn)門FT111的閾值校正操作已經(jīng)完成，所以，通過TFT 111傳送的電;克反映了遷移率|a。具體來it，如圖22所示，當(dāng)遷移率ji高時(shí)，此時(shí)的電流量大， 源極電壓快速升高。相反，當(dāng)遷移率p低時(shí)，電流量小，且源極電 壓緩慢升高。因此，TFT 111的柵極源極間電壓反映遷移率p而降 低，并在經(jīng)過 一 定時(shí)間之后變?yōu)橥耆Ｕw移率的柵極源極間電壓 Vgs。最后，如圖15A~圖15C以及圖23所示，才冊(cè)才及月永沖GP變?yōu)?低電平以截止TFT 112, 乂人而結(jié)束寫入，并且，EL發(fā)光元件113進(jìn)行發(fā)光。因?yàn)門FT 111的初M及源才及間電壓是恒定的，TFT 111將恒定電 流Ids發(fā)送至EL發(fā)光元件113，在電流Ids流經(jīng)EL發(fā)光元件113 時(shí)，電壓Vel升高至電壓Vx，且EL發(fā)光元件113發(fā)光。同樣在像素電路101中，當(dāng)發(fā)光時(shí)間延長時(shí)，發(fā)光元件113的 I-V特性^皮改變。因此，圖23中點(diǎn)B (節(jié)點(diǎn)ND111 )的電位也被改 變。然而，TFT 111的斥冊(cè)才及源才及間電壓一皮〗呆持在恒定的值，因此流 經(jīng)EL發(fā)光元件113的電流不變。因此，即使當(dāng)發(fā)光元件113的I-V 特性劣化時(shí)，恒定電流Ids—直持續(xù)流動(dòng)，因此，發(fā)光元件113的 亮度不變。在這樣驅(qū)動(dòng)的像素電路中，陰極電極層或陽極電極層的電阻被 降低。因此，能夠抑制發(fā)光元件的電極部件中的電壓降、阻止面板 的面內(nèi)亮度差的發(fā)生，從而獲得高畫質(zhì)的圖像。在該第一實(shí)施例中，上面已經(jīng)描述了對(duì)于具有圖7中電路(即， 包括兩個(gè)晶體管和一個(gè)電容器的2Tr+lC像素電路)的顯示裝置100 來說，作為用于提高畫質(zhì)的有效措施的第一至第四措施的例子。然而，雖然第一至第四4晉施的例子對(duì)于具有2Tr+lC ^f象素電^各 的顯示裝置IOO是有效的，但是，這些措施也可以被應(yīng)用于具有這 樣構(gòu)造的顯示裝置，即，除了與OLED和開關(guān)晶體管串聯(lián)連接的驅(qū) 動(dòng)(驅(qū)動(dòng))晶體管外，還針對(duì)遷移率和閾值抵消分別設(shè)置了 TFT等。在這些顯示裝置中，包括五個(gè)晶體管和一個(gè)電容器的5Tr+ 1C 的像素電路的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的實(shí)例將作為第二實(shí)施例在以下被 描述。圖24是示出使用根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的像素電路的有機(jī) EL顯示裝置的構(gòu)造的^f匡圖。圖25是示出根據(jù)該實(shí)施例的像素電路的具體構(gòu)造的電路圖。如圖24和圖25所示，該顯示裝置200包4舌具有以mxn矩 陣形式排列的1象素電^各201的i象素陣列單元202;水平選4奪器 (HSEL) 203;寫掃描器(WSCN ) 204;驅(qū)動(dòng)掃描器(DSCN ) 205; 第一自動(dòng)歸零(auto-zero)電3各(AZRD1 ) 206;第二自動(dòng)歸零電 路(AZRD2) 207;由水平選擇器203選擇并且被提供對(duì)應(yīng)于亮度 信息的數(shù)據(jù)信號(hào)的信號(hào)線SGL;由寫掃描器204選4奪并驅(qū)動(dòng)的作為 第二驅(qū)動(dòng)配線的掃描線WSL;由驅(qū)動(dòng)掃描器205選擇并驅(qū)動(dòng)的作 為第一驅(qū)動(dòng)配線的驅(qū)動(dòng)線DSL;由第一 自動(dòng)歸零電路206選4奪并驅(qū) 動(dòng)的作為第四驅(qū)動(dòng)配線的第一自動(dòng)歸零線AZL1;以及由第二自動(dòng) 歸零電^各207選4奪并驅(qū)動(dòng)的作為第三驅(qū)動(dòng)配線的第二自動(dòng)歸零線 AZL2。如圖24和圖25所示，根據(jù)本實(shí)施例的像素電路201包括p 通道TFT211; n通道TFT 212 — 215;電容器C211;由有才幾EL發(fā) 光元件(OLED:光電元件)形成的發(fā)光元件216;第一節(jié)點(diǎn)ND211; 以及第二節(jié)點(diǎn)ND212。TFT211形成第一開關(guān)晶體管。TFT213形成第二開關(guān)晶體管。 TFT215形成第三開關(guān)晶體管。TFT214形成第四開關(guān)晶體管。順便指出，用于提供電源電壓Vcc (電源電位)的線對(duì)應(yīng)于第 一基準(zhǔn)電位。接地電位GND對(duì)應(yīng)于第二基準(zhǔn)電位。VSS1對(duì)應(yīng)于第 四基準(zhǔn)電位。VSS2對(duì)應(yīng)于第三基準(zhǔn)電位。在像素電路201中，TFT211、作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT212、第 一節(jié)點(diǎn)ND211、以及發(fā)光元件(OLED) 216 4皮4皮此串聯(lián)連4妄在第 一基準(zhǔn)電位(本實(shí)施例中的電源電位Vcc)和第二基準(zhǔn)電位(本實(shí) 施例中的接地電位GND)之間。具體來說，發(fā)光元件216的陰極被連接至接地電位GND。發(fā)光元件216的陽極被連接至第一節(jié)點(diǎn) ND211。 TFT 212的源擬j皮連4妄至第一節(jié)點(diǎn)ND211。 TFT 212的漏 極被連接至TFT 211的漏極。TFT 211的源極被連接至電源電位 Vcc。TFT 212的4冊(cè)才及^皮連4妾至第二節(jié)點(diǎn)ND212。 TFT 211的棚4及洋皮 連4妻至驅(qū)動(dòng)線DSL。TFT 213的漏核j皮連接至第一節(jié)點(diǎn)ND211和電容器C211的第 一電才及。TFT 213的源招j皮連4妻至固定電位VSS2。 TFT 213的才冊(cè)才及 被連接至第二自動(dòng)歸零線AZL2。電容器C211的第二電極被連接 至第二節(jié)點(diǎn)ND212。TFT 214的源極和漏極被分別連接在信號(hào)線SGL和第二節(jié)點(diǎn) ND212之間。TFT 214的棚-極^皮連^妄至掃描線WSL。TFT215的源極和漏極被分別連接在第二節(jié)點(diǎn)ND212和預(yù)定電 位Vssl之間。TFT 215的柵極被連接至第一 自動(dòng)歸零線AZL1。因此，根據(jù)本實(shí)施例的像素電路201^^皮構(gòu)造為，使作為像素電 容的電容器C211被連接至作為驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 212的柵極和源 極之間，TFT 212的源極電位在非發(fā)光期間經(jīng)由作為開關(guān)晶體管的 TFT 213 ^皮連4妻至固定電位，并在TFT 212的棚4及和漏才及之間建立 連4妄以4交正閾〗直Vth。作為第 一 實(shí)施例已經(jīng)被描述的用于提高畫質(zhì)的第 一 至第四措 施在現(xiàn)在的第二實(shí)施例中被采用。通過采取期望的措施，能夠抑制發(fā)光元件的電極部件中的電壓 降、阻止面才反的面內(nèi)亮度差的發(fā)生，從而獲得高畫質(zhì)的圖^f象。^接下來將參考附圖26A 圖26F，考慮^象素電^各的才喿作來描述 上述結(jié)構(gòu)的操作。順便指出，圖26A示出的是施加到驅(qū)動(dòng)線DSL的驅(qū)動(dòng)信號(hào)DS。 圖26B示出的是施加到掃描線WSL的驅(qū)動(dòng)信號(hào)WS (對(duì)應(yīng)于第一 實(shí)施例中的柵極脈沖GP )。圖26C示出的是施力。到第 一 自動(dòng)歸零線 AZL1的驅(qū)動(dòng)信號(hào)AZ1。圖26D示出的是施加到第二自動(dòng)歸零線 AZL2的作為驅(qū)動(dòng)信號(hào)的自動(dòng)歸零信號(hào)AZ2。圖26E示出的是第二 節(jié)點(diǎn)ND212的電4立。圖26F示出的是第一節(jié)點(diǎn)ND211的電^f立。由驅(qū)動(dòng)掃描器205提供給驅(qū)動(dòng)線DSL的驅(qū)動(dòng)信號(hào)DS被保持在 高電平。由寫入掃描器204提供給掃描線WSL的驅(qū)動(dòng)信號(hào)WS被 保持在低電平。由自動(dòng)歸零電路206提供給自動(dòng)歸零線AZL1的驅(qū) 動(dòng)信號(hào)AZ1被保持在低電平。由自動(dòng)歸零電路207提供給自動(dòng)歸零 線AZL2的驅(qū)動(dòng)信號(hào)AZ2被保持在高電平。纟吉果是，TFT213導(dǎo)通。J:匕日于，電:;產(chǎn)";fu纟至TFT213,并且TFT212 的源才及電4立Vs (第一節(jié)點(diǎn)ND211的電^f立)卩條至電4立VSS2。因此， 施加到發(fā)光元件216的電壓是0V，因此發(fā)光元件216不發(fā)光。在這種情況下，即使當(dāng)TFT 214導(dǎo)通時(shí)，由電容器C211所保 持的電壓，即，TFT212的柵極電壓也不會(huì)改變。^妄下來，在EL發(fā)光元^f牛216的非發(fā)光期間，如圖26C和圖26D 所示，在提供給自動(dòng)歸零線AZL2的驅(qū)動(dòng)信號(hào)AZ2被保持在高電平 的狀態(tài)下，提供給自動(dòng)歸零線AZL1的驅(qū)動(dòng)信號(hào)AZ1被設(shè)置為高電 平。因此，第二節(jié)點(diǎn)ND212的電位變?yōu)殡娢籚SS1。在提供給自動(dòng)歸零線AZL2的驅(qū)動(dòng)信號(hào)AZ2 ^皮變?yōu)榈碗娖街?后，由驅(qū)動(dòng)掃描器205提供給驅(qū)動(dòng)線DSL的驅(qū)動(dòng)信號(hào)DS僅在預(yù)定 期間內(nèi)^皮變?yōu)閖氐電平。因此，TFT213^皮截止，而TFT215和TFT212凈皮導(dǎo)通。因此， 電流流經(jīng)TFT 212和TFT 211的通^各，并且第 一節(jié)點(diǎn)的電位升高。然后，由驅(qū)動(dòng)掃描器205提供給驅(qū)動(dòng)線DSL的驅(qū)動(dòng)信號(hào)DS被 變?yōu)楦唠娖?，且?qū)動(dòng)信號(hào)AZ1被變?yōu)榈碗娖?。作為上述的結(jié)果，驅(qū)動(dòng)晶體管TFT212的閾值Vth被校正，且 第二節(jié)點(diǎn)ND212和第一節(jié)點(diǎn)ND211之間的電4立差變?yōu)殚撝礦th。在這種狀態(tài)經(jīng)過預(yù)定期間之后，由寫掃描器204提供給掃描線 WSL的驅(qū)動(dòng)信號(hào)WS在高電平被保持了預(yù)定期間，使得數(shù)據(jù)從數(shù) 據(jù)線被寫入到節(jié)點(diǎn)ND212。當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)WS處于高電平時(shí)，由驅(qū)動(dòng) 掃描器205提供給驅(qū)動(dòng)線DSL的驅(qū)動(dòng)信號(hào)DS被改變?yōu)楦唠娖?。?qū) 動(dòng)信號(hào)WS立即^皮變?yōu)椤截惦娖健t匕時(shí)，TFT212,皮導(dǎo)通，而TFT214凈皮截止，,人而4丸4亍遷移率 的才交正。在這種情況下，因?yàn)門FT 214 ^皮截止、而且TFT 212的才冊(cè)極源 極間電壓Vgs是恒定的，所以，TFT212將恒定電流Ids傳送至EL 發(fā)光元件216。因此，第 一 節(jié)點(diǎn)ND211的電位升高至電流Ids流經(jīng) EL發(fā)光元件216時(shí)的電壓Vx，且EL發(fā)光元件216發(fā)光。同樣在本電路中，隨著EL發(fā)光元件的發(fā)光時(shí)間^皮延長，EL發(fā) 光元件的電流-電壓(I-V)特性發(fā)生改變。因此，第一節(jié)點(diǎn)ND211 的電^f立也一皮改變。然而，因?yàn)門FT 212的柵-4及源才及間電壓Vgs初d呆持在恒定值，所以流經(jīng)EL發(fā)光元件216的電流不變。因此，即使 當(dāng)EL發(fā)光元件216的I-V特性劣化時(shí)，恒定電流Ids也將一直持續(xù) 流動(dòng)，使得EL發(fā)光元件216的亮度不變。因此，在這樣驅(qū)動(dòng)的像素電路中，陰極電極層或陽極電極層的 電阻被降低。因此，能夠抑制發(fā)光元件的電極部件中的電壓降、阻 止面一反的面內(nèi)亮度差的發(fā)生，乂人而獲得高畫質(zhì)的圖4象。本領(lǐng)域4支術(shù)人員應(yīng)理解，在所附的^l利要求或其等同物的范圍 內(nèi)，可根據(jù)設(shè)計(jì)要求和其它因素來進(jìn)行各種^f奮改、組合、子組合、 和替換。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，其中，包括發(fā)光區(qū)域的各個(gè)像素以矩陣形式排列，所述顯示裝置包括第一電極，形成于從所述像素的發(fā)光區(qū)域至位于所述發(fā)光區(qū)域外圍的非發(fā)光區(qū)域；第二電極，被形成為被所述像素共用；以及發(fā)光材料層，形成于所述第一電極和所述第二電極之間；其中，所述第一電極和所述第二電極中的至少一個(gè)的所述非發(fā)光區(qū)域中的膜厚大于所述發(fā)光區(qū)域中的膜厚。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中， 一發(fā)光部被設(shè)置在所述第二電極所形成的表面?zhèn)?，所述第二電極在所述非發(fā)光區(qū)域中具有第一導(dǎo)電層和第 二導(dǎo)電層的層壓結(jié)構(gòu)，在可見光區(qū)域中，所述第一導(dǎo)電層具有比所述第二導(dǎo)電 層高的透射率，以及所述第 一導(dǎo)電層被形成為在包括所述發(fā)光區(qū)域和所述非 發(fā)光區(qū)域的整個(gè)區(qū)域之上被所述4象素共用。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其沖，所述第二導(dǎo)電層具有比所述第一導(dǎo)電層低的薄層 電阻。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，對(duì)于層壓在所述非發(fā)光區(qū)域中的所述第一導(dǎo)電層 和所述第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層以比所述第一導(dǎo)電層大的 膜厚形成，并且至少所述第二導(dǎo)電層具有用于以垂直于各個(gè)層白勺^^^" 乂七白勺T^J ^ 戶^T ^Lv^^ J71
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中， 一發(fā)光部被設(shè)置于所述第 一電才及所形成的表面?zhèn)?，所述第一電極在所述非發(fā)光區(qū)域中具有第一導(dǎo)電層和第 二導(dǎo)電層的層壓結(jié)構(gòu)，在可見光區(qū)域中，所述第一導(dǎo)電層具有比所述第二導(dǎo)電 層高的透射率，以及所述第一導(dǎo)電層形成于包括所述發(fā)光區(qū)域和所述非發(fā)光 區(qū)域的每個(gè)像素中。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中，所述第二導(dǎo)電層具有比所述第一導(dǎo)電層低的薄層 電阻。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述顯示裝置是頂部發(fā)光型。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述顯示裝置是底部發(fā)光型。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，每個(gè)所述像素至少包括發(fā)光元件， 驅(qū)動(dòng)晶體管，以及開關(guān)晶體管，并且所述驅(qū)動(dòng)晶體管和所述發(fā)光元件彼此^皮串聯(lián)連4妻在電源 線,口基準(zhǔn)電〗立之間。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種顯示裝置，在該顯示裝置中，包括發(fā)光區(qū)域的各個(gè)像素以矩陣形式排列，該顯示裝置包括第一電極，形成于從像素的發(fā)光區(qū)域到位于發(fā)光區(qū)域外圍的非發(fā)光區(qū)域；第二電極，被形成為被各個(gè)像素共用；以及發(fā)光材料層，形成于第一電極和第二電極之間；其中，第一電極和第二電極中的至少一個(gè)的非發(fā)光區(qū)域中的膜厚大于發(fā)光區(qū)域中的膜厚。根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制發(fā)光元件的電極部分中的電壓降、阻止面板的面內(nèi)亮度差的發(fā)生，從而獲得高畫質(zhì)的圖像。
文檔編號(hào)H01L27/32GK101221975SQ20081000045
公開日2008年7月16日 申請(qǐng)日期2008年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月12日
發(fā)明者淺野慎 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社