1.一種電阻式存儲器裝置的寫入方法，其特征在于，包括：
接收一邏輯數據，判斷所述邏輯數據的邏輯電平，并且選擇一電阻式記憶胞；以及
依據所述邏輯數據的邏輯電平，在一寫入期間，提供一設定信號至所述電阻式記憶胞，或者提供一重置信號至所述電阻式記憶胞，
其中所述設定信號包括一第一設定脈沖以及與所述第一設定脈沖極性相反的一第二設定脈沖，以及所述重置信號包括一第一重置脈沖以及與所述第一重置脈沖極性相反的一第二重置脈沖。
2.根據權利要求1所述的電阻式存儲器裝置的寫入方法，其特征在于，所述第一設定脈沖的脈沖寬度大于或等于所述第二設定脈沖的脈沖寬度，以及所述第一重置脈沖的脈沖寬度大于或等于所述第二重置脈沖的脈沖寬度。
3.根據權利要求1所述的電阻式存儲器裝置的寫入方法，其特征在于，所述第一設定脈沖的脈沖寬度小于所述第二設定脈沖的脈沖寬度，以及所述第一重置脈沖的脈沖寬度小于所述第二重置脈沖的脈沖寬度。
4.根據權利要求1所述的電阻式存儲器裝置的寫入方法，其特征在于，所述第一設定脈沖的脈沖振幅的絕對值大于或等于所述第二設定脈沖的脈沖振幅的絕對值，以及所述第一重置脈沖的脈沖振幅的絕對值大于或等于所述第二重置脈沖的脈沖振幅的絕對值。
5.根據權利要求1所述的電阻式存儲器裝置的寫入方法，其特征在于，所述第一設定脈沖的脈沖振幅的絕對值小于所述第二設定脈沖的脈沖振幅的絕對值，以及所述第一重置脈沖的脈沖振幅的絕對值小于所述第二重置脈沖的脈沖振幅的絕對值。
6.一種電阻式存儲器裝置，其特征在于，包括：
一電阻式記憶胞陣列，包括多個電阻式記憶胞；以及
一控制單元，耦接至所述電阻式記憶胞陣列，用以接收一邏輯數據，判斷所述邏輯數據的邏輯電平，并且從所述多個電阻式記憶胞當中選擇一電阻式記憶胞，以及依據所述邏輯數據的邏輯電平，在一寫入期間，所述控制單元提供一設定信號至所述電阻式記憶胞，或者提供一重置信號至所述電阻式記憶胞，
其中所述設定信號包括一第一設定脈沖以及與所述第一設定脈沖極性相反的一第二設定脈沖，以及所述重置信號包括一第一重置脈沖以及與所述第一重置脈沖極性相反的一第二重置脈沖。
7.根據權利要求6所述的電阻式存儲器裝置，其特征在于，所述第一設定脈沖的脈沖寬度大于或等于所述第二設定脈沖的脈沖寬度，以及所述第一重置脈沖的脈沖寬度大于或等于所述第二重置脈沖的脈沖寬度。
8.根據權利要求6所述的電阻式存儲器裝置，其特征在于，所述第一設定脈沖的脈沖寬度小于所述第二設定脈沖的脈沖寬度，以及所述第一重置脈沖的脈沖寬度小于所述第二重置脈沖的脈沖寬度。
9.根據權利要求6所述的電阻式存儲器裝置，其特征在于，所述第一設定脈沖的脈沖振幅的絕對值大于或等于所述第二設定脈沖的脈沖振幅的絕對值，以及所述第一重置脈沖的脈沖振幅的絕對值大于或等于所述第二重置脈沖的脈沖振幅的絕對值。
10.根據權利要求6所述的電阻式存儲器裝置，其特征在于，所述第一設定脈沖的脈沖振幅的絕對值小于所述第二設定脈沖的脈沖振幅的絕對值，以及所述第一重置脈沖的脈沖振幅的絕對值小于所述第二重置脈沖的脈沖振幅的絕對值。