一種鉭酸鋰芯片的研磨裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域，具體涉及一種鉭酸鋰芯片的研磨裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]鉭酸鋰是一種重要的具有多功能壓電、鐵電和電光、聲光、非線(xiàn)性、光折變及激光活性等特點(diǎn)的晶體材料，是一種光學(xué)性能多、綜合指標(biāo)好的人工晶體。
[0003]鉭酸鋰芯片可用于紅外熱釋電探測(cè)器的敏感層，而用于人體紅外感應(yīng)傳感器原器件的，鉭酸鋰芯片的厚度要求是在0.05mm以下。
[0004]通常加工的方法是采用研磨，在研磨時(shí)，厚度測(cè)量必須要停機(jī)后將研磨的芯片全部取下進(jìn)行厚度測(cè)量，測(cè)量后再重新上盤(pán)研磨。由于芯片此時(shí)非常薄，數(shù)量多，在取片和上盤(pán)的過(guò)程中，費(fèi)時(shí)費(fèi)力，芯片極易碎裂，并且在研磨過(guò)程中要多次測(cè)量，研磨時(shí)間控制不好還會(huì)研磨過(guò)頭(即比標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的還薄)。
[0005]所以，用于紅外熱釋電探測(cè)器的敏感層的鉭酸鋰芯片的研磨的成品率比較低，且加工成本高。
[0006]因此，設(shè)計(jì)一種新型的研磨裝置，能提高鉭酸鋰芯片的研磨的成品率，且加工成本低，是本領(lǐng)域需要解決的技術(shù)問(wèn)題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0007]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題:設(shè)計(jì)一種新型的研磨裝置，能提高鉭酸鋰芯片的研磨的成品率，且加工成本低。
[0008]為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下:
[0009]一種鉭酸鋰芯片的研磨裝置，包括機(jī)臺(tái)，所述機(jī)臺(tái)上設(shè)有可轉(zhuǎn)動(dòng)的下研磨盤(pán)，所述下研磨盤(pán)為圓形；所述下研磨盤(pán)上設(shè)有能轉(zhuǎn)動(dòng)的上研磨盤(pán)，所述上研磨盤(pán)也為圓形，且直徑與所述下研磨盤(pán)一致；所述上研磨盤(pán)的轉(zhuǎn)動(dòng)軸心與所述下研磨盤(pán)一致，但轉(zhuǎn)動(dòng)方向相反；所述機(jī)臺(tái)還設(shè)有頻率監(jiān)測(cè)裝置，所述上研磨盤(pán)的上端面設(shè)有多個(gè)供所述頻率監(jiān)測(cè)裝置的探測(cè)頭伸入的通孔，所述頻率監(jiān)測(cè)裝置與驅(qū)動(dòng)所述下研磨盤(pán)和上研磨盤(pán)的電機(jī)電氣連接。
[0010]優(yōu)選的，所述下研磨盤(pán)還放置有多個(gè)厚度小于所述鉭酸鋰芯片的游星輪。
[0011]優(yōu)選的，驅(qū)動(dòng)所述下研磨盤(pán)和上研磨盤(pán)的電機(jī)為步進(jìn)電機(jī)。
[0012]優(yōu)選的，所述通孔的直徑為4?6mm。
[0013]優(yōu)選的，所述下研磨盤(pán)的上下位置可調(diào)。
[0014]通過(guò)上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型的一種鉭酸鋰芯片的研磨裝置，設(shè)置了一個(gè)能雙面研磨的下研磨盤(pán)和上研磨盤(pán)，下研磨盤(pán)和上研磨盤(pán)以相反的方向轉(zhuǎn)動(dòng)，這樣提高了研磨的速度，為了準(zhǔn)確控制鉭酸鋰芯片的厚度，設(shè)置了一個(gè)頻率監(jiān)測(cè)裝置(鉭酸鋰芯片自身的頻率與其厚度有嚴(yán)格的函數(shù)關(guān)系，為一一對(duì)應(yīng)的)，通過(guò)實(shí)時(shí)監(jiān)控鉭酸鋰芯片的頻率，就可以知道鉭酸鋰芯片實(shí)時(shí)的厚度，達(dá)到規(guī)定的厚度后，頻率監(jiān)測(cè)裝置會(huì)自動(dòng)發(fā)出停止研磨的控制信號(hào)，也就能準(zhǔn)確的控制鉭酸鋰芯片的厚度。其有益效果是:能提高鉭酸鋰芯片的研磨的成品率，且加工成本低。
【附圖說(shuō)明】
[0015]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0016]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例所公開(kāi)的一種鉭酸鋰芯片的研磨裝置的示意圖。
[0017]圖中數(shù)字所表示的相應(yīng)部件名稱(chēng):
[0018]1.機(jī)臺(tái)2.下研磨盤(pán)3.上研磨盤(pán)31.通孔4.頻率監(jiān)測(cè)裝置41.探測(cè)頭5.游星輪6.鉭酸鋰芯片。
【具體實(shí)施方式】
[0019]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0020]附圖僅用于示例性說(shuō)明，不能理解為對(duì)本專(zhuān)利的限制。
[0021]為了更簡(jiǎn)潔的說(shuō)明本實(shí)施例，在附圖或說(shuō)明中，會(huì)省略某些本技術(shù)領(lǐng)域普通技術(shù)人員公知的、但與本專(zhuān)利的主要內(nèi)容不相關(guān)的零部件。另外，為了更便于讀圖，附圖中某些零部件會(huì)有放大、縮小和部分省略，但并不代表實(shí)際產(chǎn)品的尺寸或全部結(jié)構(gòu)；在不影響讀圖、且不會(huì)產(chǎn)生歧義的情況下，某些零部件可能未按機(jī)械制圖國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)來(lái)制圖。
[0022]實(shí)施例.
[0023]如圖1所示，一種鉭酸鋰芯片的研磨裝置，包括機(jī)臺(tái)1，機(jī)臺(tái)I上設(shè)有可轉(zhuǎn)動(dòng)的下研磨盤(pán)2，下研磨盤(pán)2為圓形；下研磨盤(pán)2上設(shè)有能轉(zhuǎn)動(dòng)的上研磨盤(pán)3，上研磨盤(pán)3也為圓形，且直徑與下研磨盤(pán)2 —致；上研磨盤(pán)3的轉(zhuǎn)動(dòng)軸心與下研磨盤(pán)2 —致，但轉(zhuǎn)動(dòng)方向相反；機(jī)臺(tái)I還設(shè)有頻率監(jiān)測(cè)裝置4，上研磨盤(pán)3的上端面設(shè)有多個(gè)供頻率監(jiān)測(cè)裝置的探測(cè)頭41伸入的通孔31，頻率監(jiān)測(cè)裝置4與驅(qū)動(dòng)下研磨盤(pán)2和上研磨盤(pán)3的電機(jī)(未在附圖中示出)電氣連接。
[0024]通過(guò)研磨盤(pán)來(lái)研磨，就是把磨料放在研磨盤(pán)上，通過(guò)研磨盤(pán)的轉(zhuǎn)動(dòng)來(lái)研磨工件的端面，這是本領(lǐng)域技術(shù)人員都了解的，不作詳述。
[0025]而通過(guò)下研磨盤(pán)2和上研磨盤(pán)3同時(shí)相反轉(zhuǎn)動(dòng)的雙面研磨方式，可大大提高研磨的速度。
[0026]由于鉭酸鋰的耦合系數(shù)和頻率常數(shù)較大，而且鉭酸鋰芯片自身的頻率與其厚度有嚴(yán)格的函數(shù)關(guān)系，為一一對(duì)應(yīng)的，所以監(jiān)測(cè)鉭酸鋰芯片的頻率能得到比較準(zhǔn)確的數(shù)值，也就是能準(zhǔn)確的知道其厚度。
[0027]為了監(jiān)測(cè)的精確，上研磨盤(pán)3還設(shè)有通孔31，以便頻率監(jiān)測(cè)裝置的探測(cè)頭41伸入，更接近鉭酸鋰芯片6。
[0028]其中，下研磨盤(pán)2還放置有多個(gè)厚度小于鉭酸鋰芯片6的游星輪5。游星輪是應(yīng)用在玻璃，鏡片，硅片，硬盤(pán)等各種平面拋光工序的夾具，又被稱(chēng)為拋光治具，拋光墊等，在本實(shí)施例中，是為了避免多個(gè)鉭酸鋰芯片之間的碰撞。
[0029]其中，驅(qū)動(dòng)下研磨盤(pán)2和上研磨盤(pán)3的電機(jī)為步進(jìn)電機(jī)。步進(jìn)電機(jī)反應(yīng)迅速，動(dòng)作靈敏，且控制方便，更好的保證了加工的精度。
[0030]其中，通孔31的直徑為4?6mm。這是與頻率監(jiān)測(cè)裝置的探測(cè)頭相匹配的，能更精確的監(jiān)測(cè)到鉭酸鋰芯片的頻率。
[0031]其中，下研磨盤(pán)2的上下位置可調(diào)。這是便于鉭酸鋰芯片6的上料、取料。
[0032]通過(guò)上述實(shí)施例，本實(shí)用新型的一種鉭酸鋰芯片的研磨裝置，設(shè)置了一個(gè)能雙面研磨的下研磨盤(pán)和上研磨盤(pán)，下研磨盤(pán)和上研磨盤(pán)以相反的方向轉(zhuǎn)動(dòng)，這樣提高了研磨的速度，為了準(zhǔn)確控制鉭酸鋰芯片的厚度，設(shè)置了一個(gè)頻率監(jiān)測(cè)裝置(鉭酸鋰芯片自身的頻率與其厚度有嚴(yán)格的函數(shù)關(guān)系，為一一對(duì)應(yīng)的)，通過(guò)實(shí)時(shí)監(jiān)控鉭酸鋰芯片的頻率，就可以知道鉭酸鋰芯片實(shí)時(shí)的厚度，達(dá)到規(guī)定的厚度后，頻率監(jiān)測(cè)裝置會(huì)自動(dòng)發(fā)出停止研磨的控制信號(hào)，也就能準(zhǔn)確的控制鉭酸鋰芯片的厚度。其有益效果是:能提高鉭酸鋰芯片的研磨的成品率，且加工成本低。
[0033]以上所述的僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種鉭酸鋰芯片的研磨裝置，其特征在于，包括機(jī)臺(tái)，所述機(jī)臺(tái)上設(shè)有可轉(zhuǎn)動(dòng)的下研磨盤(pán)，所述下研磨盤(pán)為圓形；所述下研磨盤(pán)上設(shè)有能轉(zhuǎn)動(dòng)的上研磨盤(pán)，所述上研磨盤(pán)也為圓形，且直徑與所述下研磨盤(pán)一致；所述上研磨盤(pán)的轉(zhuǎn)動(dòng)軸心與所述下研磨盤(pán)一致，但轉(zhuǎn)動(dòng)方向相反；所述機(jī)臺(tái)還設(shè)有頻率監(jiān)測(cè)裝置，所述上研磨盤(pán)的上端面設(shè)有多個(gè)供所述頻率監(jiān)測(cè)裝置的探測(cè)頭伸入的通孔，所述頻率監(jiān)測(cè)裝置與驅(qū)動(dòng)所述下研磨盤(pán)和上研磨盤(pán)的電機(jī)電氣連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鉭酸鋰芯片的研磨裝置，其特征在于，所述下研磨盤(pán)還放置有多個(gè)厚度小于所述鉭酸鋰芯片的游星輪。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鉭酸鋰芯片的研磨裝置，其特征在于，驅(qū)動(dòng)所述下研磨盤(pán)和上研磨盤(pán)的電機(jī)為步進(jìn)電機(jī)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鉭酸鋰芯片的研磨裝置，其特征在于，所述通孔的直徑為4?6mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鉭酸鋰芯片的研磨裝置，其特征在于，所述下研磨盤(pán)的上下位置可調(diào)。
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種鉭酸鋰芯片的研磨裝置，包括機(jī)臺(tái)，機(jī)臺(tái)上設(shè)有可轉(zhuǎn)動(dòng)的下研磨盤(pán)，下研磨盤(pán)為圓形；下研磨盤(pán)上設(shè)有能轉(zhuǎn)動(dòng)的上研磨盤(pán)，上研磨盤(pán)也為圓形，且直徑與下研磨盤(pán)一致；上研磨盤(pán)的轉(zhuǎn)動(dòng)軸心與下研磨盤(pán)一致，但轉(zhuǎn)動(dòng)方向相反；機(jī)臺(tái)還設(shè)有頻率監(jiān)測(cè)裝置，上研磨盤(pán)的上端面設(shè)有多個(gè)供頻率監(jiān)測(cè)裝置的探測(cè)頭伸入的通孔，頻率監(jiān)測(cè)裝置與驅(qū)動(dòng)下研磨盤(pán)和上研磨盤(pán)的電機(jī)電氣連接。該實(shí)用新型的一種鉭酸鋰芯片的研磨裝置，能提高鉭酸鋰芯片的研磨的成品率，且加工成本低。
【IPC分類(lèi)】B24B37-005, B24B37-08
【公開(kāi)號(hào)】CN204546248
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520135368
【發(fā)明人】尹明, 汪力
【申請(qǐng)人】昆山科尼電子器材有限公司
【公開(kāi)日】2015年8月12日
【申請(qǐng)日】2015年3月10日