的制造方法，利用一個掩膜版進行刻蝕工藝，形成兩個寬度尺寸不同的開口，并且合并了后續(xù)的填充工藝步驟，簡化了工藝步驟，降低了工藝成本。
[0035]具體地，本發(fā)明提供的快閃存儲器的制造方法，包括:
[0036]提供半導體襯底，在所述半導體襯底上依次形成耦合氧化層、浮柵多晶硅層以及ONO隔離層；
[0037]在所述ONO隔離層上形成控制多晶硅層；
[0038]在所述控制多晶硅層上方形成氮化硅層；
[0039]在所述氮化硅層中形成第一開口和第二開口，所述第一開口和第二開口露出下方的控制多晶硅層，所述第一開口用于形成存儲單元結(jié)構(gòu)，所述第二開口對應于控制多晶硅層的電連接的接觸窗口的位置設(shè)置，所述第一開口的寬度為所述第二開口的寬度的1.5倍以上；
[0040]依次形成第一氧化硅層和刻蝕停止層，所述第一氧化硅層和刻蝕停止層覆蓋所述第一開口和第二開口的側(cè)壁和底部；
[0041]進行高溫沉積工藝，在所述刻蝕停止層上形成第二氧化硅層，并進行高溫回流工藝，利用所述第二氧化硅層的高溫流動性將所述第二開口填滿；
[0042]將第二開口以外的刻蝕停止層上方的第二氧化硅層去除；
[0043]進行刻蝕工藝，將所述刻蝕停止層和位于氮化硅層上方以及第一開口底部的第一氧化硅層去除，位于第一開口側(cè)壁的第一氧化硅層被保留，位于第二開口內(nèi)的第二氧化硅層、刻蝕停止層和第一氧化硅層作為保護層被保留，該保護層用于保護第二開口下方的的控制多晶硅層。下面結(jié)合具體的實施例對本發(fā)明的技術(shù)方案進行詳細的說明。
[0044]為了更好地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，請參考圖5-圖9所示的本發(fā)明一個實施例的疊柵式快閃存儲器的制造方法剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0045]首先，請參考圖5所示，提供半導體襯底100，在所述半導體襯底100上依次形成多個材料層，為了簡化圖示，在圖5中將多個材料層以復合結(jié)構(gòu)200表示。所述復合結(jié)構(gòu)200的制作過程包括:在所述半導體襯底100上依次形成耦合氧化層、浮柵多晶硅層以及ONO隔離層，其中所述ONO隔離層包括:依次形成于所述浮柵多晶硅層上的氧化硅層、氮化硅層和氧化硅層。所述半導體襯底100的材質(zhì)為硅。所述耦合氧化層的材質(zhì)為氧化硅，所述浮柵多晶硅層的材質(zhì)為多晶硅。所述耦合氧化層、浮柵多晶硅層以及ONO隔離層的制作方法與現(xiàn)有技術(shù)相同，在此不做贅述。
[0046]然后，所述復合結(jié)構(gòu)200的ONO隔離層上形成控制多晶硅層300。所述控制多晶硅層300的材質(zhì)為多晶硅。所述控制多晶硅層300的一部分將在后續(xù)通過刻蝕工藝形成存儲單元結(jié)構(gòu)的控制柵，該部分控制多晶硅層300上方將會形成第一開口，所述控制多晶硅層300的另一部分對應于該存儲單元結(jié)構(gòu)的控制柵與外部電連接的接觸窗口進行設(shè)計和相應的工藝，該部分的控制多晶硅層300上方將會有第二開口，具體將在后續(xù)步驟中進行說明。
[0047]然后，繼續(xù)參考圖5，在所述控制多晶硅層300上方形成氮化硅層400。作為一個實施例，所述氮化硅層400的厚度范圍為3700-4700埃。在優(yōu)選的實施例中，所述氮化硅層的厚度范圍為4000-4400埃。
[0048]接著，繼續(xù)參考圖5，利用一個掩膜版，進行光刻和刻蝕工藝，對所述控制多晶硅層400進行刻蝕，在所述控制多晶硅層400內(nèi)形成第一開口和第二開口，其中所述第一開口和第二開口露出下方的控制多晶硅層300，所述第一開口用于形成存儲單元結(jié)構(gòu)，即所述第一開口下方露出的控制多晶硅層300將在后續(xù)通過刻蝕工藝形成存儲器件的控制柵，使得第一開口所在區(qū)域形成器件存儲區(qū)，所述第二開口對應于控制多晶硅層的電連接的接觸窗口的位置設(shè)置，具體而言，所述第二開口位置下方的控制多晶硅層在后續(xù)的刻蝕工藝去步驟中將被保留，并且通過與該第二開口對應的接觸窗口，該第二開口下方的控制多晶硅層可將存儲器件的控制柵與外部電連接。
[0049]為了保證刻蝕工藝的順利進行，并且為了在后續(xù)步驟中，將第一開口和第二開口的介質(zhì)層沉積過程中將第二開口填充滿，所述第一開口的寬度為所述第二開口的寬度的
1.5倍以上。優(yōu)選地，所述第二開口的深度寬度比應該是第一開口的深度寬度比的1.5倍以上，這樣更有利于刻蝕工藝的進行，以及有利于在后續(xù)工藝中將第二開口填滿介質(zhì)層。
[0050]作為一個實施例，所述第一開口和第二開口的深度相同。在本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例中，所述氮化硅層400的厚度范圍為3700-4700埃，所述第一開口的深度寬度比范圍為1:1-1.6，所述第二開口的深度寬度比不小于2。
[0051]在本發(fā)明的一個實施例中，所述第一開口的寬度范圍為3000-3600埃，所述第一開口的深度寬度比范圍為1.2-1.4，所述第二開口的寬度范圍為1400-1700埃，所述第二開口的深度寬度比范圍為2.1-2.3，在所述范圍內(nèi)，可以保證刻蝕工藝的穩(wěn)定性和刻蝕工藝窗口，同時，在后續(xù)在第一開口和第二開口中沉積介質(zhì)層(第二氧化硅層)過程中可以充分利用介質(zhì)層(第二氧化硅層)的流動性，將第二開口填滿，而第一開口仍然是敞開。
[0052]作為優(yōu)選的實施例，所述第一開口的寬度范圍為3100-3500埃，所述第二開口的寬度范圍為1400-1600埃。
[0053]然后，請參考圖6，在所述氮化硅層400、第一開口和第二開口中形成第一氧化硅層500，所述第一氧化硅層500的厚度不易過厚，以免直接將第二開口填滿。之所以不將第二開口全部填充第一氧化硅層500，目的是要在第一氧化硅層500上設(shè)置刻蝕停止層，保證在刻蝕工藝進行過程中能夠保證第一開口的側(cè)壁處的第一氧化層500，具體將會在后續(xù)進行說明。
[0054]作為一個實施例，所述第一氧化硅層500的厚度范圍為1000-2000埃，比如所述第一氧化層500的厚度可以為1000埃、1300埃、1500埃、1700?；蛘?000埃。所述第一氧化硅層500利用低壓化學氣相沉積工藝制作。所述第一氧化層500覆蓋所述第一開口的側(cè)壁和底部以及第二開口的側(cè)壁和底部，其中位于第一開口的側(cè)壁的第一氧化硅層500在后續(xù)的工藝步驟中將作為側(cè)墻被保留，而第一開口中的第一氧化硅層500將和第二開口中填充的其他介質(zhì)層一起，作為保護層，保護下方的控制多晶硅層300。
[0055]接著，繼續(xù)參考圖6，在所述第一氧化硅層500上形成刻蝕停止層600，所述刻蝕停止層600的厚度不超過500埃。所述刻蝕停止層600用于保護下方的第一氧化層500。所述刻蝕停止層600材質(zhì)為氮化硅或氮氧化硅，優(yōu)選為氮化硅。在能夠保證對下方第一氧化層500的保護的前提下，所述刻蝕停止層600的厚度應該盡可能薄，以、作為優(yōu)選的實施例，所述刻蝕停止層600的厚度范圍為50-150埃。
[0056]接著，請參考圖7，進行高溫沉積工藝，在所述刻蝕停止層600上形成第二氧化硅層700，所述第二氧化硅層700將所述第二開口填滿。所述高溫沉積工藝的溫度范圍為:750-1000攝氏度。在高溫沉積工藝后，進行高溫回流工藝，第二氧化硅層700在高溫條件下會具有一定的流動性，借助于所述第二開口的合適的深度寬度比以及該第二氧化層700的流動性，該第二氧化硅層700能夠?qū)⒌诙_口填滿。所述高溫回流工藝的溫度范圍為750-1000攝氏度。為了在上述高溫回流溫度范圍內(nèi)活得較好的流動性，優(yōu)選地，所述第二氧化硅層700的材質(zhì)為摻磷氧化硅或磷硅玻璃(PSG)，第二氧化硅層700利用等離子增強化學氣相沉積(PECVD)工藝制作。
[0057]在第二開口內(nèi)填充第二氧化硅層700，正好將第二開口填滿，一方面是由于對第二開口的深度寬度比以及第一開口的深度寬度比進行優(yōu)選