本實(shí)用新型涉及電子顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種適于封裝的基板膜層及一種OLED器件封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)中有機(jī)發(fā)光顯示裝置主流采用激光熔融玻璃料封裝，如圖1所示。通過激光光斑105的能量對(duì)玻璃料103加熱，玻璃料103被加熱后融化，將上基板101和下基板102粘合在一起，完成對(duì)中間材料104的封裝。但是這種封裝方式，有如下問題：

激光光斑105的光斑中心106部分能量較高，邊緣部分能量較低，因此導(dǎo)致玻璃料103與光斑中心106對(duì)應(yīng)的部分可能產(chǎn)生過熔，而與邊緣對(duì)應(yīng)的部分可能出現(xiàn)熔化不完全的情況。而玻璃料在印刷過程中，由于玻璃料材料本身特性以及印刷工藝問題，本身就會(huì)出現(xiàn)中間薄邊緣厚的馬鞍形結(jié)構(gòu)。這種情況下，采用激光熔融玻璃料封裝，會(huì)進(jìn)一步加劇中間過熔、邊緣熔化不完全的情況出現(xiàn)。因此，現(xiàn)有技術(shù)中的封裝結(jié)構(gòu)在封裝完成時(shí)玻璃料的均勻性差，而且存在中間部分玻璃料過熔的不良情況。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為此，本實(shí)用新型所要解決的是現(xiàn)有技術(shù)中的封裝結(jié)構(gòu)在封裝完成時(shí)玻璃料的均勻性差，而且存在部分玻璃料過熔的不良情況。

為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的提供如下技術(shù)方案：

本實(shí)用新型提供一種適于封裝的基板膜層，包括基板以及設(shè)置于基板上的膜層，所述膜層包括沿遠(yuǎn)離所述基板方向依次設(shè)置的第一SiOx/SiNx層或SiOx和SiNx的混合層、保溫膜層和第二SiOx/SiNx層，所述保溫膜層存在至少一處低凹部，所述低凹部的厚度小于所述保溫膜層的厚度，所述的保溫膜層是能夠反射激光能量的材料。

可選地，上述的適于封裝的基板膜層，所述保溫膜層存在一處低凹部，所述低凹部位于所述保溫膜層的中心位置。

可選地，上述的適于封裝的基板膜層，所述低凹部為通過刻蝕方式得到的凹槽。

可選地，上述的適于封裝的基板膜層，所述凹槽內(nèi)部填充SiOx/SiNx材料。

可選地，上述的適于封裝的基板膜層，所述凹槽的寬度與所述保溫膜層的寬度的比值在1.3至1.6之間。

可選地，上述的適于封裝的基板膜層，所述保溫膜層(202)為金屬層。

可選地，上述的適于封裝的基板膜層，所述金屬層為鉬材料層。

可選地，上述的適于封裝的基板膜層，所述鉬材料層的厚度為

可選地，上述的適于封裝的基板膜層，所述鉬材料層的外徑為600um，內(nèi)徑為400um。

本實(shí)用新型還提供一種OLED器件封裝結(jié)構(gòu)，包括上述任一項(xiàng)的適于封裝的基板膜層、設(shè)置于所述基板膜層上的玻璃料和設(shè)置于所述玻璃料上的蓋板層。

本實(shí)用新型的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn)：

(1)本實(shí)用新型所述的適于封裝的基板膜層及OLED器件封裝結(jié)構(gòu)，其中適于封裝的基板膜層及OLED器件封裝結(jié)構(gòu)中，膜層包括沿遠(yuǎn)離所述基板方向依次設(shè)置的第一SiOx/SiNx層或SiOx和SiNx的混合層、保溫膜層和第二SiOx/SiNx層，保溫膜層存在至少一處低凹部，低凹部分厚度低，保溫效果較差，對(duì)應(yīng)于激光能量高的部分，邊緣保溫膜部分與激光邊緣能量低的部分相對(duì)，通過保溫膜阻止激光邊緣能量低的部分熱量損失，盡量保證在熔融時(shí)玻璃料中心部分和邊緣部分能量更均勻，避免出現(xiàn)中間過熔邊緣熔化不完全的情況出現(xiàn)。

(2)本實(shí)用新型所述的適于封裝的基板膜層及OLED器件封裝結(jié)構(gòu)，低凹部分為中心位置處的凹槽，凹槽部分與激光中心能量高的部位相對(duì)，并且在凹槽內(nèi)部填充SiOx/SiNx材料，因?yàn)榘疾蹆?nèi)填充了與被加熱的第二SiOx/SiNx層相同的材料，因此在加熱時(shí)凹槽內(nèi)的SiOx/SiNx材料的熱量與邊緣保溫膜對(duì)應(yīng)的第二SiOx/SiNx層的熱量更加均勻。

(3)本實(shí)用新型所述的適于封裝的基板膜層及OLED器件封裝結(jié)構(gòu)，為了使保溫膜層與激光光斑的能量分布相匹配，設(shè)置凹槽的寬度與所述保溫膜層的寬度的比值在1.3至1.6之間，優(yōu)選為該比值為1.5。采用該比例關(guān)系的保溫膜層能夠更好的保證玻璃料與激光光斑邊緣部分相對(duì)應(yīng)的位置的溫度得到提升，從而提高熔融時(shí)的均勻性。

(4)本實(shí)用新型所述的適于封裝的基板膜層及OLED器件封裝結(jié)構(gòu)，保溫膜層為金屬層，采用金屬結(jié)構(gòu)不但能夠阻止邊緣部分能量的損失，還能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)激光能量的折射、反射，從而進(jìn)一步提高激光邊緣部分能量的利用效率。優(yōu)選地，選擇鉬材料作為保溫膜材料，其具有非常好的導(dǎo)熱性能，能夠在激光熔融時(shí)促進(jìn)邊緣部分玻璃料的熱量。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本實(shí)用新型的一些實(shí)施方式，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)激光熔融玻璃料封裝結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖2為本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例所述適于封裝的基板膜層的結(jié)構(gòu)剖面示意圖；

圖3為本實(shí)用新型另一個(gè)實(shí)施例所述適于封裝的基板膜層的結(jié)構(gòu)剖面示意圖；

圖4為本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例所述適于封裝的基板膜層的結(jié)構(gòu)的俯視圖；

圖5為本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例所述OLED器件封裝結(jié)構(gòu)的激光熔融方式示意圖。

具體實(shí)施方式

以下參照附圖對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施方式進(jìn)行說明。需要注意的是，本文中的術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”等(如果存在)用于在類似要素之間進(jìn)行區(qū)別，并且不一定是描述特定的次序或者按時(shí)間的順序。要理解，這樣使用的這些術(shù)語(yǔ)在適當(dāng)?shù)沫h(huán)境下是可互換的，使得在此描述的主題的實(shí)施例如是能夠以與那些說明的次序不同的次序或者以在此描述的另外的次序來進(jìn)行操作。術(shù)語(yǔ)“連接”應(yīng)被寬泛地理解并且指的是電連接、機(jī)械連接、無線連接，直接地連接或者通過中間電路和/或元件間接地連接。

實(shí)施例1

本實(shí)施例提供一種適于封裝的基板膜層，包括基板1以及設(shè)置于基板上的膜層2，所述膜層包括沿遠(yuǎn)離所述基板方向依次設(shè)置的第一SiOx/SiNx層或SiOx和SiNx的混合層201、保溫膜層202和第二SiOx/SiNx層203，所述保溫膜層202存在至少一處低凹部，所述低凹部的厚度小于所述保溫膜層202的厚度。

圖2所示為一種具體示例，其中與所述基板1相鄰的一層可選擇SiOx/SiNx層或SiOx和SiNx的混合層中的任一種，在SiOx/SiNx層或SiOx和SiNx的混合層201之上包括一層保溫膜層202。保溫膜層202中心部分通過激光刻蝕等工藝成型有低凹部，圖2所示的低凹部是位于保溫膜層的中心位置的凹槽204，且數(shù)量為1，在保溫膜層202的上部沉積第二SiOx/SiNx層203，此為一種優(yōu)選的方案。在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，低凹部可以為多個(gè)、形狀也可以任意設(shè)置，例如可以在保溫膜層上通過激光刻蝕的方式得到若干條形間隙、圓形間隙、菱形間隙等，使其厚度小于或等于保溫膜層厚度，這些間隙由于保溫膜厚度低，因此在加熱時(shí)，對(duì)所對(duì)應(yīng)的材料保溫效果差。本實(shí)施例中以圖2所示的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明，圖2中所述保溫膜層202中心部分為空，邊緣為保溫膜，中空部分與激光中心能量高的部位相對(duì)，邊緣保溫膜部分與激光邊緣能量低的部分相對(duì)，通過保溫膜阻止激光邊緣能量低的部分熱量損失，盡量保證在熔融時(shí)玻璃料中心部分和邊緣部分能量更均勻，避免出現(xiàn)中間過熔邊緣熔化不完全的情況出現(xiàn)。

進(jìn)一步的，所述的凹槽內(nèi)可以填充不反射能量的材料。作為一種優(yōu)選的方案，如圖3所示，在所述凹槽204內(nèi)部填充SiOx/SiNx材料，即所述第二SiOx/SiNx層203的材料嵌入至所述凹槽204。因?yàn)榘疾?04內(nèi)填充了與被加熱的第二SiOx/SiNx層相同的材料，因此在加熱時(shí)凹槽內(nèi)的SiOx/SiNx材料的熱量與邊緣保溫膜對(duì)應(yīng)的第二SiOx/SiNx層的熱量更加均勻。

另外，如圖3所示為基板膜層的俯視圖，其中所述凹槽204的寬度R2與所述保溫膜層202的寬度R1的比值在1.3至1.6之間，優(yōu)選為1.5。例如外徑為600um，內(nèi)徑為400um。采用該比例關(guān)系的保溫膜能夠更好的保證玻璃料與激光光斑邊緣部分相對(duì)應(yīng)的位置的溫度得到提升，從而提高熔融時(shí)的均勻性。

本實(shí)施例還提供一種優(yōu)選方案，所述保溫膜層202為金屬層。進(jìn)一步優(yōu)選為鉬材料層。具體地，所述鉬材料層的厚度為保溫膜層采用金屬結(jié)構(gòu)不但能夠阻止邊緣部分能量的損失，還能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)激光能量的折射、反射，從而進(jìn)一步提高激光邊緣部分能量的利用效率。選擇鉬材料作為保溫膜材料，其具有非常好的導(dǎo)熱性能，能夠在激光熔融時(shí)促進(jìn)邊緣部分玻璃料的熱量。

實(shí)施例2

本實(shí)施例提供一種OLED器件封裝結(jié)構(gòu)，包括實(shí)施例1所述的適于封裝的基板膜層、設(shè)置于所述基板膜層上的玻璃料3和設(shè)置于所述玻璃料3上的蓋板層4。

如圖5所示，采用本實(shí)施例中的封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行激光熔融時(shí)，激光光斑105中心106對(duì)應(yīng)于保溫膜層202的低凹部，而激光光斑的邊緣部分對(duì)應(yīng)于保溫膜層202的保溫膜部分，因此在激光熔融過程中，玻璃料邊緣部分的熱量損失比中心部分的熱量損失小，玻璃料的溫度能夠更均勻，使邊緣部分的玻璃料熔融，并均勻流動(dòng)填充，達(dá)到提高封裝效果的作用。

盡管已描述了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對(duì)這些實(shí)施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實(shí)施例以及落入本實(shí)用新型范圍的所有變更和修改。