本發(fā)明涉及一種封裝基板，尤指一種半導(dǎo)體封裝制程所用的封裝基板及封裝件。
背景技術(shù)：
：于半導(dǎo)體封裝發(fā)展中，長期使用導(dǎo)線架(leadframe)作為承載主動元件的承載件，其主要原因是其具有較低制造成本與較高可靠度的優(yōu)點(diǎn)。然而，隨著電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，電子產(chǎn)品在型態(tài)上趨于輕薄短小，在功能上則朝高性能、高功能、高速化的研發(fā)方向。因此，為滿足半導(dǎo)體裝置的高積集度(Integration)及微型化(Miniaturization)需求，故封裝制程漸以具有高密度及細(xì)間距的線路的封裝基板取代導(dǎo)線架。如圖1A所示，現(xiàn)有封裝基板1包含介電結(jié)構(gòu)10、設(shè)于該介電結(jié)構(gòu)10上的第一線路層11以及第二線路層12，且該介電結(jié)構(gòu)10具有核心層100、分別設(shè)于該核心層100相對兩側(cè)的多個(gè)第一介電層101與多個(gè)第二介電層102，且該核心層100中具有多個(gè)導(dǎo)電通孔120以電性連接該第一及第二線路層11,12。于封裝制程時(shí)，是將半導(dǎo)體主動元件13設(shè)于該第一介電層101上并以打線方式(或覆晶方式)電性連接該第一線路層11，再以封裝膠體14包覆該半導(dǎo)體主動元件13以形成封裝件。惟，現(xiàn)有封裝基板1的厚度極薄，并于制程中呈現(xiàn)整版面態(tài)樣，且該第一與第二介電層101,102的材質(zhì)及厚度為相同，故于封裝過程中，該封裝基板1于溫度循環(huán)(temperaturecycle)時(shí)，其與該半導(dǎo)體主動元件13(或封裝膠體14)間容易因熱膨脹系數(shù)差異(CTEMismatch)，而使該封裝基板1容易發(fā)生翹曲(warpage)，如上凸情況(圖1A所示的虛線輪廓)或下凹情況(圖1B所示的封裝基板1’的虛線輪廓)，導(dǎo)致封裝件平面度不佳，以致于后續(xù)接置電路板時(shí)，會發(fā) 生不沾錫(Nonwetting)的問題，而使電性連接不佳。此外，翹曲的情況也會造成該半導(dǎo)體主動元件13發(fā)生碎裂，致使產(chǎn)品良率降低。又，若增加介電層的厚度，雖可減緩翹曲的情況，但會增加該封裝基板1的厚度，因而不符合輕薄短小的需求。因此，如何克服上述現(xiàn)有技術(shù)的種種問題，實(shí)已成為目前業(yè)界亟待克服的難題。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的種種缺失，本發(fā)明為提供一種封裝件及其封裝基板，以減少該封裝基板翹曲的形變量。本發(fā)明的封裝基板，其包括：第一電路結(jié)構(gòu)，其包含至少一第一介電層及形成于該第一介電層上的第一線路層；以及第二電路結(jié)構(gòu)，其包含至少一第二介電層及形成于該第二介電層上的第二線路層，且該第一電路結(jié)構(gòu)的重量等于該第二電路結(jié)構(gòu)的重量。前述的封裝基板中，該第一電路結(jié)構(gòu)與該第二電路結(jié)構(gòu)相鄰接。本發(fā)明還提供一種封裝基板，其包括：核心層，其具有相對的第一表面與第二表面；第一電路結(jié)構(gòu)，其設(shè)于該核心層的第一表面上并包含至少一第一介電層及形成于該第一介電層上的第一線路層；以及第二電路結(jié)構(gòu)，其設(shè)于該核心層的第二表面上并包含至少一第二介電層及形成于該第二介電層上的第二線路層，且該第二電路結(jié)構(gòu)的重量等于該核心層與該第一電路結(jié)構(gòu)的重量總和。前述的兩種封裝基板中，該第一電路結(jié)構(gòu)還包含形成于該第一介電層與該第一線路層上的絕緣保護(hù)層。前述的兩種封裝基板中，該第二電路結(jié)構(gòu)還包含形成于該第二介電層與該第二線路層上的絕緣保護(hù)層。本發(fā)明也提供一種封裝件，其包括：第一電路結(jié)構(gòu)，其包含至少一第一介電層及形成于該第一介電層上的第一線路層；第二電路結(jié)構(gòu)，其包含至少一第二介電層及形成于該第二介電層上的第二線路層；以及封裝結(jié)構(gòu)，其設(shè)于該第二電路結(jié)構(gòu)上，且該第一電路結(jié)構(gòu)的重量等于該封裝結(jié)構(gòu)與該第二電路結(jié)構(gòu)的重量總和。前述的封裝件中，該第一電路結(jié)構(gòu)與該第二電路結(jié)構(gòu)相鄰接。本發(fā)明還提供一種封裝件，其包括：核心層，其具有相對的第一表面與第二表面；第一電路結(jié)構(gòu)，其設(shè)于該核心層的第一表面上并包含至少一第一介電層及形成于該第一介電層上的第一線路層；第二電路結(jié)構(gòu)，其設(shè)于該核心層的第二表面上并包含至少一第二介電層及形成于該第二介電層上的第二線路層；以及封裝結(jié)構(gòu)，其設(shè)于該第二電路結(jié)構(gòu)上，其中，該第一電路結(jié)構(gòu)的重量等于該核心層、該封裝結(jié)構(gòu)與該第二電路結(jié)構(gòu)的重量總和、或者該第一電路結(jié)構(gòu)與該核心層的重量總和等于該封裝結(jié)構(gòu)與該第二電路結(jié)構(gòu)的重量總和。前述的兩種封裝件中，該第一電路結(jié)構(gòu)還包含形成于該第一介電層與該第一線路層上的絕緣保護(hù)層。前述的兩種封裝件中，該第二電路結(jié)構(gòu)還包含形成于該第二介電層與該第二線路層上的絕緣保護(hù)層。前述的兩種封裝件中，該封裝結(jié)構(gòu)包含至少一電子元件，其設(shè)于該第二電路結(jié)構(gòu)上并電性連接該第二線路層。前述的兩種封裝件中，該封裝結(jié)構(gòu)還包含包覆該電子元件的封裝層。本發(fā)明又提供一種封裝件，包括：第一電路結(jié)構(gòu)，其包含至少一第一介電層及形成于該第一介電層上的第一線路層；第一封裝結(jié)構(gòu)，其設(shè)于該第一電路結(jié)構(gòu)上；第二電路結(jié)構(gòu)，其包含至少一第二介電層及形成于該第二介電層上的第二線路層；以及第二封裝結(jié)構(gòu)，其設(shè)于該第二電路結(jié)構(gòu)上，且該第一電路結(jié)構(gòu)與該第一封裝結(jié)構(gòu)的重量總和等于該第二封裝結(jié)構(gòu)與該第二電路結(jié)構(gòu)的重量總和、或者該第一封裝結(jié)構(gòu)的重量等于該第一電路結(jié)構(gòu)、該第二封裝結(jié)構(gòu)與該第二電路結(jié)構(gòu)的重量總和。前述的封裝件中，該第一電路結(jié)構(gòu)與該第二電路結(jié)構(gòu)相鄰接。本發(fā)明另提供一種封裝件，其包括：核心層，其具有相對的第一表面與第二表面；第一電路結(jié)構(gòu)，其設(shè)于該核心層的第一表面上并包含至少一第一介電層及形成于該第一介電層上的第一線路層；第一封裝結(jié)構(gòu)，其設(shè)于該第一電路結(jié)構(gòu)上；第二電路結(jié)構(gòu)，其設(shè)于該核心層的第二表面上并包含至少一第二介電層及形成于該第二介電層上的第 二線路層；以及第二封裝結(jié)構(gòu)，其設(shè)于該第二電路結(jié)構(gòu)上，其中，該第一電路結(jié)構(gòu)與該第一封裝結(jié)構(gòu)的重量總和等于該核心層、該第二封裝結(jié)構(gòu)與該第二電路結(jié)構(gòu)的重量總和。前述的兩種封裝件中，該第一電路結(jié)構(gòu)還包含形成于該第一介電層與該第一線路層上的絕緣保護(hù)層。前述的兩種封裝件中，該第二電路結(jié)構(gòu)還包含形成于該第二介電層與該第二線路層上的絕緣保護(hù)層。前述的兩種封裝件中，該第一封裝結(jié)構(gòu)包含至少一電子元件，其設(shè)于該第一電路結(jié)構(gòu)上并電性連接該第一線路層。例如，該第一封裝結(jié)構(gòu)還包含包覆該電子元件的封裝層。前述的兩種封裝件中，該第二封裝結(jié)構(gòu)包含至少一電子元件，其設(shè)于該第二電路結(jié)構(gòu)上并電性連接該第一線路層。例如，該第二封裝結(jié)構(gòu)還包含包覆該電子元件的封裝層。由上可知，本發(fā)明的封裝基板及封裝件中，藉由將整體結(jié)構(gòu)分成兩部分，且其中一部分的重量等于另一部分的重量，使中性軸位于該封裝基板(或封裝件)的形心處或重心處，以減少該封裝基板(或封裝件)翹曲的形變量。附圖說明圖1A為現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝件的剖視示意圖；圖1B為現(xiàn)有封裝基板的剖視示意圖；圖2及圖2’為本發(fā)明的封裝基板的第一實(shí)施例的不同樣式的剖視示意圖；圖2A至圖2C為本發(fā)明的封裝基板的第二實(shí)施例的制法的剖視示意圖；圖3A為本發(fā)明的封裝件的第一實(shí)施例的剖視示意圖；其中，圖3A’及圖3A”為圖3A的其它實(shí)施例；圖3B為本發(fā)明的封裝件的第二實(shí)施例的剖視示意圖；以及圖4為本發(fā)明的封裝件的第三實(shí)施例的剖視示意圖；其中，圖4’為圖4的另一實(shí)施例。符號說明1,1’,2,2’,2”,3,3’,4,4’封裝基板10介電結(jié)構(gòu)100,20,30,40核心層101,210,210’,310,410第一介電層102,220,220’,320,420第二介電層11,211,211’,311,411第一線路層12,221,221’,321,421第二線路層120導(dǎo)電通孔13主動元件14封裝膠體20a第一表面20b第二表面200,300,400導(dǎo)電盲孔21,21’,31,41第一電路結(jié)構(gòu)212,312,412第一絕緣保護(hù)層22,22’,32,42第二電路結(jié)構(gòu)222,322,422第二絕緣保護(hù)層3a,3a’,3a”,3b,4a,4a’封裝件33,33’,33”封裝結(jié)構(gòu)330,430,440電子元件331,431,441封裝層34導(dǎo)電凸塊34’焊線35導(dǎo)電元件43第一封裝結(jié)構(gòu)44第二封裝結(jié)構(gòu)t,d,h,h’,r,r’厚度。具體實(shí)施方式以下藉由特定的具體實(shí)施例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，熟悉此技藝 的人士可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)及功效。須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供熟悉此技藝的人士的了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件，故不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說明書中所引用的如“上”、“一”、“第一”及“第二”等用語，也僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的范圍，其相對關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)也視為本發(fā)明可實(shí)施的范疇。圖2及圖2’為本發(fā)明的封裝基板2,2’的第一實(shí)施例的剖面示意圖。如圖2所示，該封裝基板2為無核心層(coreless)樣式，其包括：第一電路結(jié)構(gòu)21以及第二電路結(jié)構(gòu)22，且該第一電路結(jié)構(gòu)21的重量等于該第二電路結(jié)構(gòu)22的重量。所述的第一電路結(jié)構(gòu)21包含至少一第一介電層210及形成于該第一介電層210上的第一線路層211。所述的第二電路結(jié)構(gòu)22包含至少一第二介電層220及形成于該第二介電層220上的第二線路層221，且可選擇性形成至少一導(dǎo)電盲孔200于該第一與第二介電層210,220中，以電性連接該第一與第二線路層211,221。于本實(shí)施例中，該第一電路結(jié)構(gòu)21具有單一第一介電層210，且該第二電路結(jié)構(gòu)22具有單一第二介電層220，即該封裝基板2具有兩層介電層，并壓合該第一介電層210與該第二介電層220，使該第一電路結(jié)構(gòu)21與該第二電路結(jié)構(gòu)22相鄰接。此外，該第一電路結(jié)構(gòu)21的厚度t與該第二電路結(jié)構(gòu)22的厚度d為相等或不相等。因此，本實(shí)施例的封裝基板2藉由該第一電路結(jié)構(gòu)21的重量等于該第二電路結(jié)構(gòu)22的重量(例如，利用調(diào)整該第一電路結(jié)構(gòu)21的厚度t與該第二電路結(jié)構(gòu)22的厚度d)，以令中性軸(neutralaxis)位于該封裝基板2的中間位置，藉此降低該封裝基板2發(fā)生如圖1B所示的 翹曲的機(jī)率。其中，所述的中間位置為該封裝基板2的形心處或重心處。又，如圖2’所示，該封裝基板2’可為芯板式(core)態(tài)樣，其還包括一具有相對的第一表面20a與第二表面20b的核心層20，使該第一電路結(jié)構(gòu)21設(shè)于該核心層20的第一表面20a上，且該第二電路結(jié)構(gòu)22設(shè)于該核心層20的第二表面20b上，其中，該第二電路結(jié)構(gòu)22的重量等于該核心層20與該第一電路結(jié)構(gòu)21的重量總和。因此，藉由該第二電路結(jié)構(gòu)22的重量等于該核心層20與該第一電路結(jié)構(gòu)21的重量總和，以令中性軸位于該封裝基板2’的中間位置，藉此降低該封裝基板2’發(fā)生翹曲的機(jī)率。其中，所述的中間位置為該封裝基板2’的形心處或重心處。請參閱圖2A至圖2C，其為本發(fā)明的封裝基板2”的第二實(shí)施例的制法，第二實(shí)施例與第一實(shí)施例大致相同，主要差異在于電路結(jié)構(gòu)的層數(shù)，故以下詳述相異處，而不贅述相同處。如圖2A所示，提供一介電結(jié)構(gòu)，如相迭的第一介電層210與第二介電層220。如圖2B所示，形成第一線路層211于該第一介電層210上，且形成第二線路層221于該第二介電層220上。如圖2C所示，重復(fù)形成第一介電層210’與第一線路層211’于該第一介電層210與第一線路層211上，使該第一電路結(jié)構(gòu)21’具有多個(gè)介電層與線路層，且重復(fù)形成第二介電層220’與第二線路層221’于該第二介電層220與第二線路層221上，使該第二電路結(jié)構(gòu)22’具有多個(gè)介電層與線路層。于本實(shí)施例中，該第一電路結(jié)構(gòu)21’還包含形成于該第一介電層210’與第一線路層211’上的如防焊層的第一絕緣保護(hù)層212，且該第二電路結(jié)構(gòu)22’還包含形成于該第二介電層220’與第二線路層221’上的如防焊層的第二絕緣保護(hù)層222。此外，該第一介電層210,210’的厚度r,r’與該第二介電層220,220’的厚度h,h’為相等或不相等，如下表。第二介電層220’的厚度h’(微米)454545第二介電層220的厚度h(微米)402060第一介電層210的厚度r(微米)406020第一介電層210’的厚度r’(微米)454545因此，藉由該第一電路結(jié)構(gòu)21’的重量等于該第二電路結(jié)構(gòu)22’的重量，以令中性軸位于該封裝基板2”的中間位置，藉此降低該封裝基板2”發(fā)生翹曲的機(jī)率。其中，所述的中間位置為該封裝基板2”的形心處或重心處。請參閱圖3A、圖3A’及圖3A”，其為本發(fā)明的封裝件的第一實(shí)施例的剖面示意圖。如圖3A及圖3A’所示，本發(fā)明的封裝件3a包括：一封裝基板3、以及設(shè)于該封裝基板3上的封裝結(jié)構(gòu)33,33’，且該封裝基板3具有第一電路結(jié)構(gòu)31與第二電路結(jié)構(gòu)32。于本實(shí)施例中，該封裝基板3為無核心層(coreless)態(tài)樣，故該第一電路結(jié)構(gòu)31與該第二電路結(jié)構(gòu)32相鄰接。所述的第一電路結(jié)構(gòu)31包含至少一第一介電層310、形成于該第一介電層310上的第一線路層311、及形成于該第一介電層310與該第一線路層311上的第一絕緣保護(hù)層312。于本實(shí)施例中，該第一絕緣保護(hù)層312外露該第一線路層311，以供外露的該第一線路層311結(jié)合如焊球的導(dǎo)電元件35，故該第一電路結(jié)構(gòu)31的外側(cè)作為植球側(cè)。所述的第二電路結(jié)構(gòu)32包含至少一第二介電層320、形成于該第二介電層320上的第二線路層321、及形成于該第二介電層320與該第二線路層321上的第二絕緣保護(hù)層322，且可選擇性形成多個(gè)導(dǎo)電盲孔300于該第一與第二介電層310,320中，以電性連接該第一與第二線路層311,321。于本實(shí)施例中，該第二絕緣保護(hù)層322外露該第二線路層321，以供外露的該第二線路層321電性結(jié)合該封裝結(jié)構(gòu)33,33’，故該第二電路結(jié)構(gòu)32作為置晶側(cè)。然而，所述的置晶側(cè)與植球側(cè)可依制程而定，并不限于上述。此外，該第一電路結(jié)構(gòu)31具有多個(gè)第一介電層310，且該第二電路結(jié)構(gòu)32具有單一第二介電層320，使該第一電路結(jié)構(gòu)31的厚度與該第二電路結(jié)構(gòu)32的厚度不相等；當(dāng)然，該第一電路結(jié)構(gòu)31的厚度與 該第二電路結(jié)構(gòu)32的厚度可相等。所述的封裝結(jié)構(gòu)33設(shè)于該第二電路結(jié)構(gòu)32上，且該第一電路結(jié)構(gòu)31的重量等于該封裝結(jié)構(gòu)33,33’與該第二電路結(jié)構(gòu)32的重量總和。于本實(shí)施例中，如圖3A所示，該封裝結(jié)構(gòu)33包含至少一電子元件330，其設(shè)于該第二電路結(jié)構(gòu)32上并電性連接該第二線路層320。具體地，所述的電子元件330為主動元件、被動元件或其組合，其中，該主動元件為例如半導(dǎo)體芯片，且該被動元件為例如電阻、電容及電感。于另一實(shí)施例中，如圖3A’所示，該封裝結(jié)構(gòu)33’包含至少一電子元件330及包覆該電子元件330的封裝層331。具體地，該封裝層331形成于該第二電路結(jié)構(gòu)32上，以包覆該電子元件330。另外，該電子元件330以覆晶方式設(shè)于該第二電路結(jié)構(gòu)32上，即藉由多個(gè)導(dǎo)電凸塊34電性連接該第二線路層321。然而，于其它實(shí)施例中，該電子元件330也可利用打線封裝方式，如圖3A”所示的封裝件3a”，即該電子元件330采用焊線34’電性連接該第二線路層321；或者，該電子元件330也可嵌埋于該第二介電層320中(未圖示)。因此，藉由該第一電路結(jié)構(gòu)31的重量等于該封裝結(jié)構(gòu)33,33’與該第二電路結(jié)構(gòu)32的重量，以令中性軸位于該封裝件3a,3a’,3a”的中間位置，藉此降低該封裝件3a,3a’,3a”發(fā)生翹曲的機(jī)率。其中，所述的中間位置為該封裝件3a,3a’,3a”的形心處或重心處。請參閱圖3B，為本發(fā)明的封裝件的第二實(shí)施例的剖面示意圖，本實(shí)施例與該封裝件的第一實(shí)施例大致相同，主要差異在于封裝基板的態(tài)樣，故以下詳述相異處，而不再贅述相同處。如圖3B所示，該封裝件3b的封裝基板3’還包括一核心層30，且該第一與第二電路結(jié)構(gòu)31,32分別設(shè)于該核心層30的第一與第二表面30a,30b上，并可選擇性形成至少一導(dǎo)電盲孔300于該核心層30中，以電性連接該第一與第二線路層311,321。于本實(shí)施例中，該第一電路結(jié)構(gòu)31具有單一第一介電層310，且該第二電路結(jié)構(gòu)32具有多個(gè)第二介電層320，使該第一電路結(jié)構(gòu)31的厚度與該第二電路結(jié)構(gòu)32的厚度不相等；當(dāng)然，該第一電路結(jié)構(gòu)31的厚度與該第二電路結(jié)構(gòu)32的厚度可相等。此外，該第一電路結(jié)構(gòu)31的重量等于該核心層30、該封裝結(jié)構(gòu)33”與該第二電路結(jié)構(gòu)32的重量總和?；蛘?，該第一電路結(jié)構(gòu)31與該核心層30的重量總和等于該封裝結(jié)構(gòu)33”與該第二電路結(jié)構(gòu)32的重量總和。因此，藉由該第一電路結(jié)構(gòu)31的重量等于該核心層30、該封裝結(jié)構(gòu)33”與該第二電路結(jié)構(gòu)32的重量總和(或藉由該第一電路結(jié)構(gòu)31與該核心層30的重量總和等于該封裝結(jié)構(gòu)33”與該第二電路結(jié)構(gòu)32的重量總和)，以令中性軸位于該封裝件3b的中間位置，藉此降低該封裝件3b發(fā)生翹曲的機(jī)率。其中，所述的中間位置為該封裝件3b的形心處或重心處。請參閱圖4，其為本發(fā)明的封裝件的第三實(shí)施例的剖面示意圖。本實(shí)施例與封裝件的上述實(shí)施例大致相同，主要差異在于第一電路結(jié)構(gòu)上設(shè)有封裝結(jié)構(gòu)，故以下詳述相異處，而不再贅述相同處。如圖4所示，本發(fā)明的封裝件4a包括：一封裝基板4、以及分別設(shè)于該封裝基板4上、下側(cè)上的第一封裝結(jié)構(gòu)43與第二封裝結(jié)構(gòu)44，且該封裝基板4具有第一電路結(jié)構(gòu)41與第二電路結(jié)構(gòu)42。于本實(shí)施例中，該封裝基板4為無核心層(coreless)樣式，故該第一電路結(jié)構(gòu)41與該第二電路結(jié)構(gòu)42相鄰接。所述的第一電路結(jié)構(gòu)41包含至少一第一介電層410、形成于該第一介電層410上的第一線路層411、及形成于該第一介電層410與該第一線路層411上的第一絕緣保護(hù)層412。于本實(shí)施例中，該第一絕緣保護(hù)層412外露該第一線路層411，以供外露的該第一線路層411電性結(jié)合該第一封裝結(jié)構(gòu)43。所述的第二電路結(jié)構(gòu)42包含至少一第二介電層420、形成于該第二介電層420上的第二線路層421、及形成于該第二介電層420與該第二線路層421上的第二絕緣保護(hù)層422。于本實(shí)施例中，該第二絕緣保護(hù)層422外露該第二線路層421，以供外露的該第二線路層421電性結(jié)合該第二封裝結(jié)構(gòu)44。所述的第一封裝結(jié)構(gòu)43設(shè)于該第一電路結(jié)構(gòu)41上。于本實(shí)施例中，該第一封裝結(jié)構(gòu)43包含至少一電子元件430及包覆該電子元件430的封裝層431，且該電子元件430設(shè)于該第一電路結(jié)構(gòu)41上并電性連 接該第一線路層410。有關(guān)電子元件430的型式可參考上述。所述的第二封裝結(jié)構(gòu)44設(shè)于該第二電路結(jié)構(gòu)42上。于本實(shí)施例中，該第二封裝結(jié)構(gòu)44包含至少一電子元件440及包覆該電子元件440的封裝層441，且該電子元件440設(shè)于該第二電路結(jié)構(gòu)42上并電性連接該第二線路層420。有關(guān)電子元件440的型式可參考上述。此外，該第一電路結(jié)構(gòu)41與該第一封裝結(jié)構(gòu)43的重量總和等于該第二封裝結(jié)構(gòu)44與該第二電路結(jié)構(gòu)42的重量總和?；蛘?，該第一封裝結(jié)構(gòu)43的重量等于該第一電路結(jié)構(gòu)41、該第二封裝結(jié)構(gòu)44與該第二電路結(jié)構(gòu)42的重量總和。因此，藉由該第一電路結(jié)構(gòu)41與該第一封裝結(jié)構(gòu)43的重量總和等于該第二封裝結(jié)構(gòu)44與該第二電路結(jié)構(gòu)42的重量總和(或藉由該第一封裝結(jié)構(gòu)43的重量等于該第一電路結(jié)構(gòu)41、該第二封裝結(jié)構(gòu)44與該第二電路結(jié)構(gòu)42的重量總和)，以令中性軸位于該封裝件4a的中間位置，藉此降低該封裝件4a發(fā)生翹曲的機(jī)率。其中，所述的中間位置為該封裝件4a的形心處或重心處。另外，如圖4’所示，該封裝基板4’也可為具芯板(core)的樣式，故該封裝基板4’還包含一核心層40，其夾設(shè)于該第一電路結(jié)構(gòu)41與該第二電路結(jié)構(gòu)42之間，并可選擇性形成至少一導(dǎo)電盲孔400于該核心層40中，以電性連接該第一與第二線路層411,421，且該第一電路結(jié)構(gòu)41與該第一封裝結(jié)構(gòu)43的重量總和等于該核心層40、該第二封裝結(jié)構(gòu)44與該第二電路結(jié)構(gòu)42的重量總和。因此，藉由該第一電路結(jié)構(gòu)41與該第一封裝結(jié)構(gòu)43的重量總和等于該核心層40、該第二封裝結(jié)構(gòu)44與該第二電路結(jié)構(gòu)42的重量總和，以令中性軸位于該封裝件4a’的中間位置，藉此降低該封裝件4a’發(fā)生翹曲的機(jī)率。其中，所述的中間位置為該封裝件4a’的形心處或重心處。綜上所述，本發(fā)明的封裝件及其封裝基板，藉由將整體結(jié)構(gòu)分成兩部分，且其中一部分的重量等于另一部分的重量，使中性軸位于該封裝基板(或封裝件)的形心處或重心處，以減少該封裝基板(或封裝件)翹曲的形變量。上述實(shí)施例僅用以例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于 限制本發(fā)明。任何熟習(xí)此項(xiàng)技藝的人士均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實(shí)施例進(jìn)行修改。因此本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍，應(yīng)如權(quán)利要求書所列。當(dāng)前第1頁1 2 3