專(zhuān)利名稱(chēng)：復(fù)合型led封裝基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及大功率LED封裝基板，具體涉及復(fù)合型LED封裝基板。
背景技術(shù)：
由于大功率LED燈珠在正常工作的狀態(tài)下會(huì)產(chǎn)生大量的熱量，因此LED封裝基板必須具備良好的導(dǎo)熱性能，以實(shí)現(xiàn)熱量的快速傳遞。目前，市場(chǎng)上通用的LED封裝基板一般采用金屬基板或者陶瓷基板作為芯片的承載體。然而，金屬基板與芯片的熱膨脹系數(shù)不匹配，容易產(chǎn)生熱應(yīng)力并影響芯片的性能；而陶瓷基板雖與芯片的熱膨脹系數(shù)匹配，但由于陶瓷基板的脆性大、機(jī)械強(qiáng)度低，在安裝時(shí)容易發(fā)生破碎情況，使用壽命較短
實(shí)用新型內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型的目的旨在于提供一種復(fù)合型LED封裝基板，通過(guò)采用低膨脹導(dǎo)熱層和金屬基板的結(jié)合結(jié)構(gòu)，既可確保其與芯片的熱膨脹系數(shù)匹配，減少熱應(yīng)力對(duì)芯片的影響；又可提高其機(jī)械強(qiáng)度，延長(zhǎng)其使用壽命。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案復(fù)合型LED封裝基板，包括金屬基板、芯片，所述金屬基板上設(shè)有安裝槽，安裝槽內(nèi)嵌裝有低膨脹導(dǎo)熱層；所述芯片設(shè)置在低膨脹導(dǎo)熱層的上表面。金屬基板的上表面設(shè)置有絕緣層，絕緣層上布置有銅箔電路，所述芯片與銅箔電路電性連接；所述安裝槽從金屬基板延伸至絕緣層的上表面。所述低膨脹導(dǎo)熱層的截面呈矩形。本實(shí)用新型所闡述的復(fù)合型LED封裝基板，其有益效果在于I、由于其采用低膨脹導(dǎo)熱層和金屬基板的結(jié)合結(jié)構(gòu)，通過(guò)低膨脹導(dǎo)熱層可確保其與芯片的熱膨脹系數(shù)相匹配，從而減少熱應(yīng)力對(duì)芯片的影響；而通過(guò)金屬基板可提高其機(jī)械強(qiáng)度，從而延長(zhǎng)其使用壽命；2、低膨脹導(dǎo)熱層和金屬基板的結(jié)合結(jié)構(gòu)，可降低其制作成本，提高其性能，便于廣泛使用。

圖I為本實(shí)用新型復(fù)合型LED封裝基板的結(jié)構(gòu)示意圖；其中，I、金屬基板；2、絕緣層；3、銅箔電路；4、低膨脹導(dǎo)熱層；5、芯片。
具體實(shí)施方式
下面，結(jié)合附圖以及具體實(shí)施方式
，對(duì)本實(shí)用新型復(fù)合型LED封裝基板做進(jìn)一步描述，以便于更清楚的理解本實(shí)用新型所要求保護(hù)的技術(shù)思路。如圖I所示，為本實(shí)用新型復(fù)合型LED封裝基板，包括呈矩形的金屬基板I、芯片
5。金屬基板I具有良好的導(dǎo)熱率，可便于將芯片5工作時(shí)產(chǎn)生的熱量快速傳導(dǎo)，從而延長(zhǎng)其使用壽命。金屬基板I上還設(shè)有安裝槽。安裝槽內(nèi)嵌裝有低膨脹導(dǎo)熱層4。所述低膨脹導(dǎo)熱層4的截面呈矩形，而芯片5設(shè)置在低膨脹導(dǎo)熱層4的上表面。由于低膨脹導(dǎo)熱層4與芯片5的熱膨脹相匹配，可減少熱應(yīng)力對(duì)芯片5的影響；而金屬基板I的機(jī)械強(qiáng)度高，可延長(zhǎng)其使用壽命。而且，低膨脹導(dǎo)熱層4與金屬基板I的結(jié)合，可便于降低其制作成本，提高其性能。顧名思義，所述低膨脹導(dǎo)熱層4可以采用陶瓷材料。此外，膨脹系數(shù)較低導(dǎo)熱率高的金屬，也可實(shí)現(xiàn)低膨脹導(dǎo)熱層4的功能。當(dāng)然，上述金屬基板I和低膨脹導(dǎo)熱層4的外形并不僅限于矩形，還可根據(jù)實(shí)際需求，設(shè)置為圓形等其他形狀。金屬基板I的上表面設(shè)置有絕緣層2，絕緣層2上布置有銅箔電路3，所述芯片5 與銅箔電路3電性連接；所述安裝槽從金屬基板I延伸至絕緣層2的上表面。對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可根據(jù)以上描述的技術(shù)方案以及構(gòu)思，做出其它各種相應(yīng)的改變以及形變，而所有的這些改變以及形變都應(yīng)該屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.復(fù)合型LED封裝基板，包括金屬基板、芯片，其特征在于所述金屬基板上設(shè)有安裝槽，安裝槽內(nèi)嵌裝有低膨脹導(dǎo)熱層；所述芯片設(shè)置在低膨脹導(dǎo)熱層的上表面。
2.如權(quán)利要求I所述的復(fù)合型LED封裝基板，其特征在于金屬基板的上表面設(shè)置有絕緣層，絕緣層上布置有銅箔電路，所述芯片與銅箔電路電性連接；所述安裝槽從金屬基板延伸至絕緣層的上表面。
3.如權(quán)利要求I所述的復(fù)合型LED封裝基板，其特征在于所述低膨脹導(dǎo)熱層的截面呈矩形。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)一種復(fù)合型LED封裝基板，包括金屬基板、芯片，所述金屬基板上設(shè)有安裝槽，安裝槽內(nèi)嵌裝有低膨脹導(dǎo)熱層；所述芯片設(shè)置在低膨脹導(dǎo)熱層的上表面。由于其采用低膨脹導(dǎo)熱層和金屬基板的結(jié)合結(jié)構(gòu)，通過(guò)低膨脹導(dǎo)熱層可確保其與芯片的熱膨脹系數(shù)相匹配，從而減少熱應(yīng)力對(duì)芯片的影響；而通過(guò)金屬基板可提高其機(jī)械強(qiáng)度，從而延長(zhǎng)其使用壽命。
文檔編號(hào)H01L33/48GK202487657SQ20122013346
公開(kāi)日2012年10月10日 申請(qǐng)日期2012年4月1日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月1日
發(fā)明者左海龍, 李鋒, 郭濤 申請(qǐng)人:深圳市可瑞電子實(shí)業(yè)有限公司