專利名稱：具有電接地?zé)岢恋碾娮友b置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開總體上涉及一種集成電路，并且更具體地說，涉及一種電子裝置及制造電子裝置的方法。
背景技術(shù)：
從電子裝置排熱仍然是電子系統(tǒng)設(shè)計的重要方面。這類裝置的集成密度的增加導(dǎo)致了電子裝置的功率密度(即，每單位面積耗散的功率量)的穩(wěn)定增加。減小互連跡線(金屬線)的尺寸通常導(dǎo)致對高溫的靈敏度更大，并且諸如溫度激活電遷移的效應(yīng)變得更值得注意。諸如這些以及減輕它們的相關(guān)成本的各種因素的組合已經(jīng)導(dǎo)致更為關(guān)注關(guān)于電子裝置的部件和系統(tǒng)制造方的與熱相關(guān)的系統(tǒng)設(shè)計問題。因此，提供實施時間較少并因此成本較低的改進的熱管理方法證明在本領(lǐng)域中是有益的。

發(fā)明內(nèi)容
本公開的實施方式提供了一種電子裝置和制造電子裝置的方法。在一個實施方式中，所述電子裝置包括附接至基板的集成電路(IC)封裝，和附接至所述IC封裝的熱沉。 另外，所述電子裝置還包括具有導(dǎo)電性的膜，所述膜接觸所述熱沉和所述IC封裝，并且延伸至所述基板以向所述熱沉提供接地連接。在另一方面，本公開提供了一種制造電子裝置的方法，所述方法包括將集成電路 (IC)封裝連接至基板，將熱沉耦合至所述IC封裝，以及淀積具有導(dǎo)電性的膜，所述膜接觸所述熱沉和所述IC封裝，并且延伸至所述基板以向所述熱沉提供接地連接。前述內(nèi)容已經(jīng)概述了本公開的優(yōu)選和另選特征，使得本領(lǐng)域技術(shù)人員可以更好地理解以下對本公開的詳細描述。下面，對本公開的、形成本公開權(quán)利要求書的主旨的附加特征進行描述。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認識到，可以容易地使用所公開的概念和具體實施方式
，作為用于設(shè)計或修改實現(xiàn)與本公開相同的目的的其它結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)。


為更徹底地理解本公開，現(xiàn)在，對結(jié)合附圖進行的下列描述進行參考，在附圖中圖IA例示了一電子裝置，示出了采用未接地外部熱沉的超模壓(overmolded)導(dǎo)線接合球柵陣列(BGA)集成電路(IC)封裝的示例；圖IB例示了一電子裝置，示出了根據(jù)本公開的原理構(gòu)造的、采用具有接地連接的外部熱沉的超模壓導(dǎo)線接合BGA IC封裝的實施方式；圖2A例示了一電子裝置，示出了采用未接地集成熱沉的超模壓導(dǎo)線接合BGA IC 封裝的示例；圖2B例示了一電子裝置，示出了根據(jù)本公開的原理構(gòu)造的、采用具有接地連接的單一熱沉的超模壓導(dǎo)線接合BGA IC封裝的實施方式；圖2C例示了一電子裝置，示出根了據(jù)本公開的原理的構(gòu)造的、采用具有接地連接的組合熱沉的超模壓導(dǎo)線接合BGA IC封裝的實施方式；圖3A例示了一電子裝置，示出了采用未接地金屬層熱沉的暴露管芯超模壓倒裝芯片(flip chip)BGA IC封裝的示例;圖IBB例示了一電子裝置，示出了根據(jù)本公開的原理的構(gòu)造的、采用具有接地連接的單一熱沉的暴露管芯超模壓倒裝芯片BGA IC封裝的實施方式；圖3C例示了一電子裝置，示出了根據(jù)本公開的原理的構(gòu)造的、采用具有接地連接的組合熱沉的暴露管芯超模壓倒裝芯片BGA IC封裝的實施方式；圖4A例示了一電子裝置，示出了采用未接地?zé)岢恋募蔁岢恋寡b芯片BGA IC封裝的示例；圖4B例示了一電子裝置，示出了根據(jù)本公開的原理的構(gòu)造的、采用具有接地連接的單一熱沉的集成熱沉倒裝芯片BGA IC封裝的實施方式；圖4C例示了一電子裝置，示出了根據(jù)本公開的原理的構(gòu)造的、采用具有接地連接的組合熱沉的集成熱沉倒裝芯片BGA IC封裝的實施方式；圖5A例示了一電子裝置，示出了采用未接地?zé)岢恋穆愎苄镜寡b芯片BGA IC封裝的示例；圖5B例示了一電子裝置，示出了根據(jù)本公開的原理的構(gòu)造的、采用具有接地連接的單一熱沉的裸管芯倒裝芯片BGA IC封裝的實施方式；圖5C例示了一電子裝置，示出了根據(jù)本公開的原理的構(gòu)造的、采用具有接地連接的組合熱沉的裸管芯倒裝芯片BGA IC封裝的實施方式；圖6A例示了一電子裝置，示出了采用未接地?zé)岢恋男酒塀GAIC封裝的示例；圖6B例示了一電子裝置，示出了根據(jù)本公開的原理的構(gòu)造的、采用具有接地連接的單一熱沉的芯片級BGA IC封裝的實施方式；圖6C例示了一電子裝置，示出了根據(jù)本公開的原理的構(gòu)造的、采用具有接地連接的組合熱沉的芯片級BGA IC封裝的實施方式；以及圖7例示了根據(jù)本公開的原理執(zhí)行的、制造電子裝置的方法的實施方式的流程圖。
具體實施例方式為了改善集成電路(IC)封裝的熱管理，將金屬熱沉附接至IC封裝或硅管芯表面。 熱沉設(shè)計和附接工藝通常與電接地不兼容。隨著電路速度的增加，外部電磁干擾會劣化裝置的性能。電磁干擾可以通過將金屬熱沉電連接至裝置或板的地而顯著降低。許多IC封裝的成本約束不允許將熱沉插入IC封裝本身內(nèi)，而是依賴于要在電路板層制成的熱沉。在這種情況下，需要用于將電接地?zé)岢粮浇又罥C封裝的低成本解決方案。對于可以容許一些附加成本的較高端IC封裝來說，目前存在兩種提供電接地?zé)岢恋募夹g(shù)。在針對導(dǎo)線接合超模壓裝置的第一種技術(shù)中，可以利用導(dǎo)電環(huán)氧樹脂將集成熱沉附接至IC封裝基板。遺憾的是，這種方法因?qū)щ姯h(huán)氧樹脂堅硬(在將外部壓力施加至該裝置時因接觸面積較小而導(dǎo)致在熱沉到基板接觸面處的應(yīng)力增大)的事實而成為問題。這可能導(dǎo)致基板破裂和填充區(qū)失效。
在針對用于倒裝芯片裝置的熱沉的第二種技術(shù)中，可以經(jīng)由導(dǎo)電環(huán)氧樹脂將熱沉電接地至基板。然而，這種技術(shù)需要IC封裝的、典型為每側(cè)幾毫米的附加空間的實質(zhì)基板面積。而且，在環(huán)氧樹脂與基板焊盤之間需要低接觸歐姆或電阻接觸面。諸如在移動電話和筆記本計算機中所使用的、小形狀因子倒裝芯片裝置通常無法在尺寸上增加而仍配合到可用于它們的小空間中。另外，利用常規(guī)技術(shù)這種接地引線成為問題。而且，隨著裝置持續(xù)減小，對于這種裝置的可用空間也持續(xù)減小。對于板空間限制不那么嚴重的較大裝置來說，歐姆、低電阻接觸面也成為問題。在這些裝置中，基板互連焊盤(例如，凸起(bump))典型地由其上具有或沒有焊料的銅制成。 因為銅和焊料在暴露至空氣中時形成高電阻或非歐姆氧化物，所以它們無法充當良好接觸面連接。這個問題通過在將熱沉接地的焊盤上結(jié)合諸如金的貴金屬來避免。對于基板上的兩種類型的表面加工的需求，增加了基板設(shè)計和制造工藝的復(fù)雜性以及成本。因此，這些基板既不是低成本的，也不容易制造。下面所討論的本公開的實施方式提供了用于實現(xiàn)針對熱沉的低成本電接地的解決方案。圖IA例示了一電子裝置，示出了采用未接地外部熱沉的超模壓導(dǎo)線接合球柵陣列(BGA)集成電路(IC)封裝100的示例。該超模壓導(dǎo)線接合BGA IC封裝100包括連接至基板110的集成電路105，在基板110中一電路連接至集成電路105?；?10附接至焊料球組，其中，焊料球IlOA典型用于將集成電路105進一步連接至另一基板，例如印刷布線板 (PWB)。當然，在其它實施方式中也可以采用除了焊料球以外的連接。采用導(dǎo)線接合體組 (其中，導(dǎo)線接合體120是典型的)將集成電路105連接至基板110。如圖所示，超模壓化合物125用于密封集成電路105和導(dǎo)線接合體120。通過熱連接材料135將外部熱沉130 耦合至超模壓化合物125，并由此耦合至集成電路105。該外部熱沉130成為EMI源，由此使集成電路105性能劣化。圖IB例示了一電子裝置，示出了根據(jù)本公開的原理構(gòu)造的、采用具有接地連接的外部熱沉的超模壓導(dǎo)線接合BGA IC封裝150的實施方式。在所示實施方式中，如圖所示， 該超模壓導(dǎo)線接合BGA IC封裝150采用與超模壓導(dǎo)線接合BGA IC封裝100的結(jié)構(gòu)相對應(yīng)的結(jié)構(gòu)。膜160A、160B具有導(dǎo)電性，接觸超模壓導(dǎo)線接合BGA IC封裝150的外部熱沉155， 并且延伸至基板165，以向外部熱沉155提供接地連接。在這種情況下，膜160A、160B可以被限定為厚度在IOnm與Imm之間的材料。更優(yōu)選的是，膜160A、160B可以處于500nm與 0. Imm之間。在所示實施方式中，膜160A、160B包括導(dǎo)電聚合物，其中，所述導(dǎo)電聚合物包括導(dǎo)電的第二相材料(conductive second phasematerial)，如金屬或碳。如果需要高導(dǎo)電性接地連接，則導(dǎo)電金屬可以典型地為銀或銀化合物。另選的是，如果希望較低導(dǎo)電性接地連接，則可以選擇和采用另一金屬。在一個實施方式中，膜160A、160B的導(dǎo)電性對應(yīng)于大約每厘米100姆歐。例如，通過利用噴墨器淀積膜160A、160B，將外部熱沉155電連接至基板165 上的接地點可以提供相對于當前方法的低成本電接地?zé)岢?。圖2A例示了一電子裝置，示出了采用未接地集成熱沉的超模壓導(dǎo)線接合BGA IC 封裝200的示例。超模壓導(dǎo)線接合BGA IC封裝200包括連接至基板210的集成電路205， 該基板210具有連接至集成電路205的電路。基板210附接至焊料球組，其中，如前所述，焊料球210A典型用于進一步連接集成電路205。采用導(dǎo)線接合體組(其中，導(dǎo)線接合體220是典型的)將集成電路205連接至基板210。如圖所示，超模壓化合物225用于密封集成電路205和導(dǎo)線接合體220。將集成熱沉240直接耦合至超模壓化合物225，并由此耦合至集成電路205。如前所述，該集成熱沉240成為EMI源，由此使集成電路205的性能劣化。圖2B例示了一電子裝置，示出了根據(jù)本公開的原理構(gòu)造的、采用具有接地連接的單一熱沉的超模壓導(dǎo)線接合BGA IC封裝250的實施方式。在所示實施方式中，如圖所示， 該超模壓導(dǎo)線接合BGA IC封裝250采用與超模壓導(dǎo)線接合BGA IC封裝200的結(jié)構(gòu)相對應(yīng)的結(jié)構(gòu)。膜260A、260B具有導(dǎo)電性，接觸超模壓導(dǎo)線接合BGA IC封裝250的集成熱沉255， 并且延伸至基板沈5，以向集成熱沉255提供接地連接。膜沈(^、26( 提供可相比于上面關(guān)于圖IB討論的接地特性的接地特性。圖2C例示了一電子裝置，示出了根據(jù)本公開的原理的構(gòu)造的、采用具有接地連接的組合熱沉的超模壓導(dǎo)線接合BGA IC封裝270的實施方式。在所示實施方式中，如圖所示， 該超模壓導(dǎo)線接合BGA IC封裝270采用與超模壓導(dǎo)線接合BGA IC封裝200的基本結(jié)構(gòu)相對應(yīng)的基本結(jié)構(gòu)。超模壓導(dǎo)線接合BGA IC封裝270還包括外部熱沉272，其通過熱連接材料(thermal interface material) 275 熱耦合至集成熱沉沘0。膜^5A、285B具有導(dǎo)電性，接觸外部熱沉272和集成熱沉觀0，并且延伸至基板沈5，以向組合的外部和集成熱沉272、280提供接地連接。膜沈(^、26( 向組合的外部和集成熱沉272、280提供可相比于上面關(guān)于圖IB討論的接地特性的接地特性。圖3A例示了一電子裝置，示出了采用未接地金屬層熱沉的暴露管芯超模壓倒裝芯片(flip chip) BGA IC封裝300的示例。該暴露管芯超模壓倒裝芯片BGA IC封裝300包括連接至基板310的集成電路305。該基板310附接至焊料球(典型地表示為焊料球210A) 組，以進一步連接集成電路305。采用凸塊組(其中，凸塊220是典型的)將集成電路305 連接至基板310。如圖所示，超模壓化合物325用于密封集成電路305。將金屬層熱沉345 直接耦合至集成電路305，以形成單一熱沉。如前所述，該金屬層熱沉345成為EMI源，由此使集成電路305性能劣化。圖IBB例示了一電子裝置，示出了根據(jù)本公開的原理的構(gòu)造的、采用具有接地連接的單一熱沉的暴露管芯超模壓倒裝芯片BGA IC封裝350的實施方式。在所示實施方式中， 如圖所示，該暴露管芯超模壓倒裝芯片BGA IC封裝350采用與暴露管芯超模壓倒裝芯片 BGAIC封裝300的結(jié)構(gòu)相對應(yīng)的結(jié)構(gòu)。膜355A1、355A2、355B1、355B2具有導(dǎo)電性，接觸暴露管芯超模壓倒裝芯片BGA IC封裝350的金屬層熱沉352，并且延伸至基板358，以向金屬層熱沉352提供接地連接。膜355A1、355A2、355B1、355B2提供可相比于上面關(guān)于圖IB討論的接地特性的接地特性。圖3C例示了一電子裝置，示出了根據(jù)本公開的原理的構(gòu)造的、采用具有接地連接的組合熱沉的暴露管芯超模壓倒裝芯片BGA IC封裝360的實施方式。在所示實施方式中， 如圖所示，該暴露管芯超模壓倒裝芯片BGA IC封裝360采用與暴露管芯超模壓倒裝芯片 BGAIC封裝300的基本結(jié)構(gòu)相對應(yīng)的基本結(jié)構(gòu)。暴露管芯超模壓倒裝芯片BGA IC封裝360 還包括外部熱沉370，其直接耦合至金屬層熱沉372。膜385A1、385A2、385B1、385B2具有導(dǎo)電性，接觸外部熱沉370和金屬層熱沉372， 并且延伸至基板390，以向組合的外部和金屬層熱沉370、372提供接地連接。膜385A1、 385A2、385B1、385B2提供可相比于上面關(guān)于圖IB討論的接地特性的接地特性。
圖4A例示了一電子裝置，示出了采用未接地?zé)岢恋募蔁岢恋寡b芯片BGA IC封裝400的示例。該集成熱沉倒裝芯片BGA IC封裝400包括連接至基板410的集成電路405。 通過熱連接材料435將集成熱沉440耦合至集成電路405，以形成單一熱沉。如前所述，該集成熱沉440成為EMI源。圖4B例示了一電子裝置，示出了根據(jù)本公開的原理的構(gòu)造的、采用具有接地連接的單一熱沉的集成熱沉倒裝芯片BGA IC封裝450的實施方式。在所示實施方式中，如圖所示，該集成熱沉倒裝芯片BGAIC封裝450采用與集成熱沉倒裝芯片BGA IC封裝400的結(jié)構(gòu)相對應(yīng)的結(jié)構(gòu)。膜455A、455B具有導(dǎo)電性，接觸集成熱沉倒裝芯片BGA IC封裝400的集成熱沉452，并且延伸至基板458，以向集成熱沉452提供接地連接。膜455A、455B提供可相比于上面關(guān)于圖IB討論的接地特性的接地特性。圖4C例示了一電子裝置，示出了根據(jù)本公開的原理的構(gòu)造的、采用具有接地連接的組合熱沉的集成熱沉倒裝芯片BGA IC封裝460的實施方式。在所示實施方式中，如圖所示，該集成熱沉倒裝芯片BGAIC封裝460采用與集成熱沉倒裝芯片BGA IC封裝400的基本結(jié)構(gòu)相對應(yīng)的基本結(jié)構(gòu)。集成熱沉倒裝芯片BGA IC封裝460還包括外部熱沉470，其通過熱連接材料475耦合至集成熱沉478，以形成組合的外部和集成熱沉475、478。膜485A、 485B具有導(dǎo)電性，接觸外部熱沉470和集成熱沉478，并且延伸至基板490，以向組合的外部和集成熱沉475、478提供接地連接。膜485A、485B提供可相比于上面關(guān)于圖IB討論的接地特性的接地特性。圖5A例示了一電子裝置，示出了采用未接地?zé)岢恋穆愎苄镜寡b芯片BGA IC封裝 500的示例。該集成熱沉倒裝芯片BGA IC封裝500包括連接至基板510的集成電路505。 金屬層熱沉545直接耦合至集成電路505，以形成單一熱沉。如前所述，該金屬層熱沉545 成為EMI源。圖5B例示了一電子裝置，示出了根據(jù)本公開的原理的構(gòu)造的、采用具有接地連接的單一熱沉的裸管芯倒裝芯片BGA IC封裝550的實施方式。在所示實施方式中，如圖所示，該裸管芯倒裝芯片BGA IC封裝550采用與裸管芯倒裝芯片BGA IC封裝500的結(jié)構(gòu)相對應(yīng)的結(jié)構(gòu)。膜555A、555B具有導(dǎo)電性，接觸裸管芯倒裝芯片BGA IC封裝550的金屬層熱沉552，并且延伸至基板557，以向金屬層熱沉552提供接地連接。膜555A、555B提供可相比于上面關(guān)于圖IB討論的接地特性的接地特性。圖5C例示了一電子裝置，示出了根據(jù)本公開的原理的構(gòu)造的、采用具有接地連接的組合熱沉的裸管芯倒裝芯片BGA IC封裝560的實施方式。在所示實施方式中，如圖所示， 該裸管芯倒裝芯片BGA IC封裝560采用與裸管芯倒裝芯片BGA IC封裝500的基本結(jié)構(gòu)相對應(yīng)的基本結(jié)構(gòu)。裸管芯倒裝芯片BGA IC封裝560還包括外部熱沉570，其直接耦合至金屬層熱沉578，以形成組合的外部和金屬層熱沉570、578。膜585A、585B具有導(dǎo)電性，接觸外部熱沉570和金屬層熱沉578，并且延伸至基板590，以向組合的外部和金屬層熱沉570、 578提供接地連接。膜585A、585B提供可相比于上面關(guān)于圖IB討論的接地特性的接地特性。圖6A例示了一電子裝置，示出了采用未接地?zé)岢恋男酒塀GAIC封裝600的示例。該芯片級BGA IC封裝600包括連接至印刷布線板(PWB)基板610的集成電路605。金屬層熱沉645直接耦合至集成電路605，以形成單一熱沉。如前所述，該金屬層熱沉645成為EMI源。圖6B例示了一電子裝置，示出了根據(jù)本公開的原理的構(gòu)造的、采用具有接地連接的單一熱沉的芯片級BGA IC封裝650的實施方式。在所示實施方式中，如圖所示，該芯片級BGA IC封裝650采用與芯片級BGA IC封裝600的結(jié)構(gòu)相對應(yīng)的結(jié)構(gòu)。膜655A、655B具有導(dǎo)電性，接觸芯片級倒裝芯片級BGA IC封裝650的金屬層熱沉652，并且延伸至PWB基板 658，以向金屬層熱沉652提供接地連接。膜655A、655B提供可相比于上面關(guān)于圖IB討論的接地特性的接地特性。圖6C例示了一電子裝置，示出了根據(jù)本公開的原理的構(gòu)造的、采用具有接地連接的組合熱沉的芯片級BGA IC封裝660的實施方式。在所示實施方式中，如圖所示，該芯片級BGA IC封裝660采用與芯片級BGA IC封裝600的基本結(jié)構(gòu)相對應(yīng)的基本結(jié)構(gòu)。芯片級 BGA IC封裝660還包括外部熱沉670，其直接耦合至金屬層熱沉678，以形成組合的外部和金屬層熱沉670、678。膜685A、685B具有導(dǎo)電性，接觸外部熱沉670和金屬層熱沉678，并且延伸至PWB基板690，以向組合的外部和金屬層熱沉670、678提供接地連接。膜685A、685B 提供可相比于上面關(guān)于圖IB討論的接地特性的接地特性。圖7例示了根據(jù)本公開的原理執(zhí)行的、制造電子裝置的方法(總體上指示為700) 的實施方式的流程圖。該方法700在步驟705開始。接著，在步驟710，將集成電路(IC)封裝連接至基板，并且在步驟715，將熱沉耦合至該IC封裝。在一個實施方式中，耦合熱沉包括耦合與集成熱沉、外部熱沉或IC封裝的金屬層相對應(yīng)的單一熱沉。在另一實施方式中，耦合熱沉包括耦合與外部熱沉、集成熱沉以及IC 封裝的金屬層中的至少兩個相對應(yīng)的組合熱沉。在又一實施方式中，耦合熱沉包括將金屬層直接耦合至IC封裝。在另一實施方式中，耦合熱沉包括將熱沉耦合至至少部分地密封IC 封裝的模塑化合物。在又一實施方式中，耦合熱沉包括將熱連接材料設(shè)置在熱沉與IC封裝之間。在步驟720，淀積具有導(dǎo)電性的膜，所述膜接觸熱沉和IC封裝，并延伸至基板，以向熱沉提供接地連接。在一個實施方式中，淀積膜包括淀積其中具有導(dǎo)電金屬的導(dǎo)電聚合物。在另一實施方式中，淀積膜包括與大約每厘米100姆歐相對應(yīng)的導(dǎo)電性。在又一實施方式中，淀積膜包括利用噴墨器淀積膜。在又一實施方式中，淀積膜包括將其淀積至IC封裝的至少一部分，該IC封裝從由以下各項所構(gòu)成的組中選擇超模壓導(dǎo)線接合球柵陣列(BGA)封裝、暴露管芯超模壓倒裝芯片BGA封裝、集成熱沉倒裝芯片BGA封裝、裸管芯倒裝芯片BGA封裝，以及芯片級BGA封裝。該方法700在步驟725結(jié)束。雖然已經(jīng)針對按特定次序執(zhí)行的特定步驟對在此公開的方法進行了描述和示出， 但應(yīng)當理解，在不脫離本公開的教導(dǎo)的情況下，這些步驟可以組合、再劃分，或重新排序，來形成等同方法。因此，除非在此明確地進行了指示，這些步驟的次序或分組不是對本公開的限制。本公開所涉及領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當認識到，在不脫離本公開的情況下，可以對所述示例實施方式進行其它和進一步的添加、刪除、置換以及修改。
8
權(quán)利要求
1.一種電子裝置，包括附接至基板的集成電路(IC)封裝； 附接至所述IC封裝的熱沉；以及具有導(dǎo)電性的膜，所述膜接觸所述熱沉和所述IC封裝，并延伸至所述基板，以向所述熱沉提供接地連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中，所述膜包括導(dǎo)電聚合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中，所述膜連接至所述IC封裝的至少一部分，所述IC封裝從由以下各項所構(gòu)成的組中選擇超模壓導(dǎo)線接合球柵陣列(BGA)封裝； 暴露管芯超模壓倒裝芯片BGA封裝； 集成熱沉倒裝芯片BGA封裝； 裸管芯倒裝芯片BGA封裝；以及芯片級BGA封裝。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中，所述熱沉是與外部熱沉、集成熱沉以及所述 IC封裝的金屬層中的至少兩種相對應(yīng)的組合熱沉。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中，所述熱沉耦合至密封所述IC封裝的至少一部分的模塑化合物。
6.一種制造電子裝置的方法，包括 將集成電路(IC)封裝連接至基板； 將熱沉耦合至所述IC封裝；淀積具有導(dǎo)電性的膜，所述膜接觸所述熱沉和所述IC封裝，并延伸至所述基板，以向所述熱沉提供接地連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，淀積所述膜包括利用噴墨器來淀積所述膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，淀積所述膜包括淀積其中具有導(dǎo)電金屬的導(dǎo)電聚合物。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，淀積所述膜包括將其淀積至所述IC封裝的至少一部分，所述IC封裝從由以下各項所構(gòu)成的組中選擇超模壓導(dǎo)線接合球柵陣列(BGA)封裝； 暴露管芯超模壓倒裝芯片BGA封裝； 集成熱沉倒裝芯片BGA封裝； 裸管芯倒裝芯片BGA封裝；以及芯片級BGA封裝。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，耦合所述熱沉包括耦合與外部熱沉、集成熱沉以及所述IC封裝的金屬層中的至少兩種相對應(yīng)的組合熱沉。
全文摘要
本發(fā)明涉及具有電接地?zé)岢恋碾娮友b置及其制造方法。一種電子裝置包括附接至基板的集成電路(IC)封裝，和附接至所述IC封裝的熱沉。另外，所述電子裝置還包括具有導(dǎo)電性的膜，所述膜接觸所述熱沉和所述IC封裝，并延伸至所述基板，以向所述熱沉提供接地連接。一種制造電子裝置的方法包括將IC封裝連接至基板，將熱沉耦合至所述IC封裝，以及淀積具有導(dǎo)電性的膜，所述膜接觸所述熱沉和所述IC封裝，并延伸至所述基板，以向所述熱沉提供接地連接。
文檔編號H01L21/56GK102263075SQ201110123120
公開日2011年11月30日 申請日期2011年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月26日
發(fā)明者J·W·奧森巴赫, L·W·高里克, R·D·艾克斯 申請人:Lsi公司