本發(fā)明涉及一種接地裝置及使用方法，確切地說是一種半導(dǎo)體設(shè)備中用于屏蔽成膜區(qū)域打火的接地裝置及使用方法，屬于半導(dǎo)體薄膜沉積應(yīng)用及制備技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備中，有一類設(shè)備的工作原理或薄膜制備工藝要求是，真空反應(yīng)腔體內(nèi)，噴淋裝置位于上方，薄膜襯底及其承載件位于下方，在噴淋裝置上加載射頻電壓使其形成上電極，薄膜襯底下方的承載件接地形成下電極，薄膜生長過程中通入工藝氣體，在上電極加載高頻電壓，既在工藝氣體均勻地從噴淋裝置中噴出時，上電極噴淋裝置與下電極接地的薄膜襯底承載件之間產(chǎn)生射頻電場，使工藝氣體發(fā)生輝光放電，獲得足夠的能量在薄膜襯底上反應(yīng)生長薄膜。但在這一過程中，上電極噴淋裝置與下電極薄膜襯底承載件之間，會因各種因素，如：承載件表面有尖點等硬件缺陷、射頻電源不穩(wěn)定及反應(yīng)腔體中有顆粒等等，產(chǎn)生打火，直接導(dǎo)致薄膜在襯底上被燒焦，噴淋裝置表面和承載件表面產(chǎn)生焦糊狀印記等嚴(yán)重后果，損壞薄膜襯底致使薄膜生長失敗，還要將有打火印記的硬件拆卸清洗、若無法恢復(fù)還將報廢，造成薄膜生產(chǎn)中斷及硬件損壞等重大損失。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明以消除上電極噴淋裝置與下電極薄膜襯底承載件之間的打火，自身接地并與上電極噴淋裝置形成新的上下電極并產(chǎn)生射頻電場，充分活化工 藝氣體分子，并使工藝氣體均勻通過本發(fā)明落到薄膜襯底上反應(yīng)生成薄膜為目的確保薄膜襯底上不產(chǎn)生打火，使工藝氣體平穩(wěn)反應(yīng)生成薄膜產(chǎn)品。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用下述技術(shù)方案：

半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備在進行生長薄膜工藝時，噴淋裝置加載射頻電壓，噴淋裝置作為上電極，薄膜襯底下方的承載件接地，作為下電極，當(dāng)通入工藝氣體時，上下電極產(chǎn)生射頻電場，增強工藝氣體化學(xué)反應(yīng)。本發(fā)明將安裝于上下電極之間，亦薄膜襯底上方，與上電極形成新的上下電極結(jié)構(gòu)，使工藝氣體分子充分活化的同時，均勻的從該發(fā)明下方落到襯底上反應(yīng)生長薄膜，防止打火產(chǎn)生在薄膜襯底上。

具體技術(shù)方案：一種接地裝置，將一導(dǎo)電優(yōu)良的金屬，制成片狀，并加工出密集且排列均勻的小孔，將其嵌入到片狀絕緣盤內(nèi)部，使其有一部分露出于絕緣片，再在絕緣片上加工出與此金屬片小孔排列方式相同的小孔。所述絕緣片的小孔略小于金屬片的小孔，這樣，絕緣片除了在某一特定位置露出金屬片的一部分，金屬片的其他部分完全被絕緣片包覆。

使用方法，將絕緣片安裝于反應(yīng)腔中，置于上電極噴淋裝置與下電極薄膜襯底承載件之間，使暴露于絕緣片外部的一部分優(yōu)良導(dǎo)電金屬與腔體或其他接地零件接觸，這時，上電極噴淋裝置與包覆導(dǎo)電金屬片的絕緣片就形成了上下電極，工藝反應(yīng)使將射頻電壓加載到噴淋裝置上，噴淋裝置與絕緣片之間就產(chǎn)生了射頻電場，使工藝氣體輝光放電，在輝光放電區(qū)域產(chǎn)生大量高能電子，促使工藝氣體分子活化，均勻地通過絕緣片密集而排列均勻的小孔并吸附在薄膜襯底上，發(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成薄膜。同時，將可能產(chǎn)生打火的區(qū)域限定在噴淋裝置與絕緣片之間，消除絕緣片與薄膜襯底之間的區(qū)域的電位 差，使工藝反應(yīng)平穩(wěn)進行。

本發(fā)明的有益效果及特點在于：

使用具有簡單結(jié)構(gòu)的絕緣件，將優(yōu)良導(dǎo)電性能的金屬片嵌入到絕緣件中，金屬片與絕緣件都有排列規(guī)律相同的密集小孔且金屬片的小孔略小于絕緣件小孔，使絕緣件完全包覆金屬片而僅暴露出絕緣件一部分金屬。另，這一部分金屬接觸腔體或其他接地零件,與加載射頻電壓的噴淋裝置組成上下電極，使薄膜襯底脫離射頻電場區(qū)域，避免薄膜因打火而制備失敗。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的導(dǎo)電金屬件結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明的安裝示意圖。

圖3是圖2的局部放大圖。

具體實施方式

實施例

參照圖1，一種接地裝置，選用金屬鉬材料，制成圓形薄片2，在圓形薄片2的邊緣處，連接一條金屬鉬圓柱3，在金屬鉬圓柱3的另一端連接一片狀金屬鉬圓環(huán)1，圓環(huán)1外徑為A，在圓形薄片2上，均勻并規(guī)律排列鉬金屬片小孔4，所有鉬金屬片小孔4的直徑為D。

參照圖2和圖3，加工一圓筒形陶瓷件6，使陶瓷件6完全包覆金屬鉬零件，即陶瓷件6底面及厚度完全包覆金屬鉬圓形薄片2，加工與金屬鉬薄片2具有相同排列規(guī)律的小孔10，使小孔10直徑d略小于鉬金屬片小孔4直徑D。陶瓷件6的圓筒壁完全包覆金屬鉬的圓柱3。圓筒形陶瓷件6筒壁外徑為B，使金屬鉬圓環(huán)1外徑A略大于圓筒形陶瓷件6的筒壁外徑B，則 陶瓷件6筒壁上端包覆金屬鉬的圓環(huán)1時，圓環(huán)1露出陶瓷件6筒壁上端邊緣。

所述圓環(huán)1露出陶瓷件6筒壁上端邊緣的尺寸是金屬鉬圓環(huán)1外徑A與筒壁外徑B差的1/2。

安裝時，將陶瓷件6放入薄膜襯底承載件11上方，薄膜襯底承載件11為接地狀態(tài)，金屬鉬圓環(huán)1露出陶瓷件6筒壁上端邊緣(A-B)/2的部分接觸接地狀態(tài)的腔體9，此時，包覆金屬鉬的陶瓷件6與薄膜襯底承載件11之間同為零電勢，二者之間沒有電位差。這樣，在位于上蓋板8中的有絕緣陶瓷件7隔離的噴淋裝置5上加載射頻電壓，并通入工藝氣體，工藝氣體從噴淋裝置5噴出，工藝氣體粒子被作為上電極的噴淋裝置5和包覆金屬鉬的下電極陶瓷件6之間產(chǎn)生的射頻電場活化，經(jīng)過陶瓷件6上與金屬鉬薄片2具有相同排列規(guī)律的小孔10均勻落在承載件11的薄膜襯底上，形成薄膜，這一過程中，打火將發(fā)生在上電極的噴淋裝置5和包覆金屬鉬的下電極陶瓷件6之間，而薄膜在薄膜襯底上形成的這一過程則發(fā)生在包覆金屬鉬的陶瓷件6與薄膜襯底承載件11之間，由于二者沒有電位差，覆膜反應(yīng)不會受到打火的干擾。