第二編程操作2ndPGM再編程的狀態(tài)P21的校驗電壓VR21可比用于校驗通過第一編程操作IstPGM編程的狀態(tài)Pll的校驗電壓VRll高。
[0068]在一些實施例中，第二編程操作2ndPGM可通過ISPP方法來執(zhí)行。
[0069]在一些實施例中，第二編程操作2ndPGM可執(zhí)行關于所有編程狀態(tài)的校驗操作。如果所有編程狀態(tài)P21至P27的校驗操作通過，則可完成第二編程操作2ndPGM。
[0070]在第三編程操作3fdPGM中，通過第二編程操作2ndPGM編程的狀態(tài)P21至P27可被再編程以轉(zhuǎn)換成更精細的狀態(tài)P31至P37。如圖7所示，狀態(tài)P31至P37可彼此分離以具有預定的讀裕度。這里，狀態(tài)P31至P37的讀裕度可大于通過第二編程操作2ndPGM形成的狀態(tài)P21至P27的讀裕度。即，第三編程操作3^Ρ6Μ對通過第二編程操作2ndPGM編程的三位數(shù)據(jù)進行再編程。例如，通過第二編程操作2ndPGM編程的狀態(tài)P21可通過第三編程操作3rdPGM來被再編程以轉(zhuǎn)換成狀態(tài)P31，因此，與狀態(tài)P31對應的閾值電壓分布可比與狀態(tài)P21對應的閾值電壓分布窄。即，用于校驗通過第三編程操作YdPGM再編程的狀態(tài)P31的校驗電壓VR31可高于用于校驗通過第二編程操作2ndPGM編程的狀態(tài)P21的校驗電壓VR21。
[0071]在一些實施例中，第三編程操作3fdPGM可通過ISPP方法來執(zhí)行。
[0072]在一些實施例中，第三編程操作3riPGM可執(zhí)行關于所有編程狀態(tài)的校驗操作。如果所有的編程狀態(tài)P31至P37的校驗操作通過，則可完成第三編程操作3riPGM。結(jié)果，可最終完成二位編程操作。
[0073]在一些實施例中，從第二編程操作2ndPGM的校驗電壓到第三編程操作3fdPGM的校驗電壓的增加量可小于從第一編程操作IstPGM的校驗電壓到第二編程操作2ndPGM的校驗電壓的增加量(例如，(VR31-VR21)<(VR21-VRll))o S卩，相比于通過第二編程操作2ndPGM來進行編程，用戶數(shù)據(jù)區(qū)域30的存儲單元可通過第三編程操作YdPGM來更精確地被編程。
[0074]可選擇地，在一些實施例中，從第二編程操作2ndPGM的校驗電壓到第三編程操作YdPGM的校驗電壓的增加量可大于從第一編程操作IstPGM的校驗電壓到第二編程操作2ndPGM的校驗電壓的增加量(例如，(VR31-VR21)>(VR21-VRll))o S卩，在一些實施例中，相比于通過第三編程操作3riPGM來進行編程，用戶數(shù)據(jù)區(qū)域30的存儲單元可通過第二編程操作2ndPGM來更精確地被編程。
[0075]在圖7中示出的第一編程操作IstPGM對三位數(shù)據(jù)進行編程。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此。在一些實施例中，第一編程操作IstPGM可對二位數(shù)據(jù)進行編程。在完成二位數(shù)據(jù)的第一編程操作IstPGM之后，第二編程操作2ndPGM可對三位數(shù)據(jù)進行編程。
[0076]在圖7中示出的三位編程操作包括三個編程操作lstPGM、2ndPGM和3fdPGM。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此。即，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的編程操作可通過包括至少兩個編程操作的再編程方法來執(zhí)行。存儲單元之間的耦合效應可通過再編程方法來降低。
[0077]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導體裝置中，外圍電路部10可設置在用作用戶數(shù)據(jù)區(qū)域的第二存儲部30下面，由此提高了半導體裝置的集成度。另外，用作緩沖區(qū)域的第一存儲部20也可設置在第二存儲部30下面并且設置在外圍電路部10的一側(cè)處，從而可進一步提高半導體裝置的集成度。此外，第二存儲部30可使用第一存儲部20而被再編程，由此降低了包括在第二存儲部30中的存儲單元之間的耦合效應。S卩，能夠提高半導體裝置的集成度和性能。
[0078]圖8是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導體裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的布置關系的剖視框圖。
[0079]參照圖8，在根據(jù)一些實施例的半導體裝置101中，第一存儲部可包括緩沖RAM20a和緩沖區(qū)域20b。緩沖RAM 20a可具有易失性存儲裝置(例如，DRAM或SRAM)或易失性存儲單元電路結(jié)構(gòu)(例如，DRAM或SRAM的存儲單元電路結(jié)構(gòu))。緩沖區(qū)域20b可具有在圖3中示出的二維的(或平面的)NAND閃速存儲器結(jié)構(gòu)。圖8的半導體裝置101的編程方法可與參照圖6和圖7描述的編程方法相同或相似。
[0080]圖9是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導體裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的布置關系的剖視框圖。圖10是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的圖9的半導體裝置的剖視圖。
[0081]參照圖9和圖10，在根據(jù)一些實施例的半導體裝置102中，第一存儲部20可為緩沖RAM。第一存儲部(即，緩沖RAM) 20可具有易失性存儲裝置(例如，DRAM或SRAM)或易失性存儲單元電路結(jié)構(gòu)(例如，DRAM或SRAM的存儲單元電路結(jié)構(gòu))。在這種情況下，包括在第一存儲部20中的下單元晶體管TR2不包括浮置柵電極、電荷存儲層和電荷阱層。如果緩沖RAM 20具有DRAM的單元結(jié)構(gòu)，則緩沖RAM 20可包括電連接到下單元晶體管TR2的源極區(qū)的電容器?？蛇x擇地，第一存儲部(即，緩沖RAM) 20可具有諸如相變隨機存取存儲器(PRAM)、鐵電隨機存取存儲器(FRAM)、磁隨機存取存儲器(MRAM)或電阻隨機存取存儲器(RRAM)的非易失性存儲裝置的結(jié)構(gòu)。在一些實施例中，第一存儲部(即，緩沖RAM)20可具有NOR型閃速存儲裝置的結(jié)構(gòu)。半導體裝置102的其他元件可與參照圖4和圖5描述的半導體裝置的相應的元件相同或相似。
[0082]在對半導體裝置102進行編程的方法中，外圍電路部(即，存儲控制器)10可將從輸入/輸出緩沖器接收的編程數(shù)據(jù)輸入到第一存儲部(即，緩沖RAM)20中，然后，第二存儲部(即，用戶數(shù)據(jù)區(qū)域)30可使用在第一存儲部(即，緩沖RAM) 20中輸入的數(shù)據(jù)進行編程。
[0083]圖11是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導體裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的布置關系的剖視框圖。
[0084]參照圖11，根據(jù)一些實施例的半導體裝置103可包括外圍電路部10、第一存儲部20和第二存儲部30。外圍電路部10可為存儲控制器，第一存儲部20可為第一用戶數(shù)據(jù)區(qū)域，第二存儲部30可為第二用戶數(shù)據(jù)區(qū)域。即，第一存儲部20也可為主存儲區(qū)域的一部分。即，第一存儲部20和第二存儲部30可組成主存儲器。第一存儲部20的電路圖可與在圖3中示出的相同，第二存儲部30的電路圖可與在圖4中示出的相同。半導體裝置103的剖視圖可與在圖5中示出的相同。第一存儲部20可通過SLC編程方法來進行編程，因此第一存儲部20的每個下存儲單元可存儲一位數(shù)據(jù)。第二存儲部30可通過MLC編程方法來進行編程，因此第二存儲部30的每個上存儲單元可存儲多位數(shù)據(jù)(即，兩位或更多位數(shù)據(jù))。
[0085]圖12至圖15是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導體裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的布置關系的平面圖。
[0086]如圖12中所示，第一存儲部20可設置成僅與外圍電路部10的一個側(cè)相鄰?？蛇x擇地，如圖13中所示，第一存儲部20可設置成與外圍電路部10的兩個側(cè)相鄰。在一些實施例中，如圖14中所示，第一存儲部20可設置成與外圍電路部10的三個側(cè)相鄰。在一些實施例中，如圖15中所示，第一存儲部20可設置成圍繞外圍電路部10的四個側(cè)。在一些實施例中，第一存儲部20可與外圍電路部10的一個或更多個側(cè)接觸。
[0087]圖16是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的包括半導體裝置的存儲系統(tǒng)的一個示例的示意框圖。
[0088]參照圖16，存儲系統(tǒng)1100可在個人數(shù)字助理(PDA)、便攜式計算機、上網(wǎng)平板電腦、無線電話、移動電話、數(shù)字音樂播放器、存儲卡或無線地接收或傳輸信息數(shù)據(jù)的其他電子產(chǎn)品中使用。
[0089]存儲系統(tǒng)1100可包括控制器1110、輸入/輸出(I/O)單元1120、存儲裝置1130、接口單元1140和數(shù)據(jù)總線1150?？刂破?110、I/O單元1120、存儲裝置1130和接口單元1140中的至少兩個可通過數(shù)據(jù)總線1150彼此通信。
[0090]控制器1110可包括微處理器、數(shù)字信號處理器、微控制器和其他邏輯裝置中的至少一種。所述其他邏輯裝置的功能可與微處理器、數(shù)字信號處理器和微控制器的功能相似。存儲裝置1130可存儲將通過控制器1110執(zhí)行的指令。I/O單元1120可接收來自