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半導體裝置和存儲系統(tǒng)的制作方法

文檔序號:9376609閱讀:389來源:國知局
半導體裝置和存儲系統(tǒng)的制作方法
【專利說明】半導體裝置和存儲系統(tǒng)
[0001]相關申請的交叉引用
[0002]本申請要求在2014年5月8日向韓國知識產(chǎn)權局提交的申請?zhí)枮?0-2014-0054885的韓國專利申請的優(yōu)先權,其全部內容通過引用結合于此。
技術領域
[0003]各種實施例通常涉及一種半導體裝置,尤指一種能夠防止刷新錯誤的半導體裝置以及一種使用所述半導體裝置的存儲系統(tǒng)。
【背景技術】
[0004]—種半導體裝置可以包括多個存儲器塊,例如多個存儲器存儲體(以下簡稱為“存儲體”)。
[0005]半導體裝置可以根據(jù)外部設備的控制對多個存儲體執(zhí)行刷新操作,外部設備例如是存儲器控制器(例如,CPU、GPU等等)。
[0006]控制器向半導體裝置提供全部存儲體刷新命令或單個存儲體刷新命令,其中,全部存儲體刷新命令用于對所有的多個存儲體都執(zhí)行刷新操作,單個存儲體刷新命令用于對多個存儲體中的任何一個存儲體執(zhí)行刷新操作。

【發(fā)明內容】

[0007]在一實施例中,一種半導體裝置可以包括多個存儲體,其被配置成響應于地址計數(shù)值及行激活信號來執(zhí)行刷新操作。半導體裝置還可以包括刷新控制塊,其被配置成響應于刷新命令和存儲體地址來更新刷新存儲體信息,所述刷新存儲體信息限定被指定以執(zhí)行刷新操作的存儲體,以及響應于刷新存儲體信息來激活計數(shù)控制信號。此外,半導體裝置還可以包括計數(shù)器,其被配置成響應于計數(shù)控制信號的激活來改變地址計數(shù)值。
[0008]在一實施例中,一種存儲系統(tǒng)可以包括存儲器控制器,其被配置成提供行地址以作為限定要刷新的存儲體的信息,以及連同行地址提供刷新命令。另外,存儲系統(tǒng)可以包括半導體裝置,其被配置成響應于刷新命令針對至少一個存儲體執(zhí)行刷新操作,所述至少一個存儲體對應于所述行地址并且被指定以執(zhí)行刷新操作。
[0009]在一實施例中,一種存儲系統(tǒng)可以包括存儲器控制器,其配置成提供行地址以作為限定要刷新的存儲體的信息,并且連同行地址提供刷新命令。存儲系統(tǒng)還可以包括半導體裝置,其被配置成響應于刷新命令針對至少一個存儲體執(zhí)行刷新操作,所述至少一個存儲體對應于所述行地址以執(zhí)行刷新操作,以及當針對多個存儲體刷新指定完成時,改變用于指定要刷新的字線的地址計數(shù)值。
[0010]在一實施例中,一種存儲系統(tǒng)可以包括存儲器控制器,其被配置成提供行地址以作為限定要刷新的存儲體的信息,并且連同行地址提供刷新命令。存儲系統(tǒng)還可以包括半導體裝置,其被配置成響應于刷新命令針對對應于行地址的至少一個存儲體執(zhí)行刷新操作,其中一或多個存儲體獨立地增加針對存儲體的地址計數(shù)值,以及針對與針對存儲體的地址計數(shù)值相對應的字線執(zhí)行刷新操作。
【附圖說明】
[0011]圖1是根據(jù)一實施例的能夠防止刷新錯誤的半導體裝置的框圖。
[0012]圖2是示出圖1中所示的刷新控制塊的內部配置的框圖。
[0013]圖3是根據(jù)一實施例的存儲系統(tǒng)的框圖。
[0014]圖4是根據(jù)圖3的行地址映射表。
[0015]圖5是示出圖3中所示的刷新控制塊的內部配置的框圖。
[0016]圖6是根據(jù)一實施例的存儲系統(tǒng)的框圖。
[0017]圖7是圖6中所示的刷新控制塊的電路圖。
【具體實施方式】
[0018]以下將參考附圖通過各種實施例來描述能夠防止刷新錯誤的半導體裝置和使用該半導體裝置的存儲系統(tǒng)??刂破骺梢酝ㄟ^多次提供單個存儲體刷新命令,促使對所有的多個存儲體執(zhí)行刷新操作。在多次提供單個存儲體刷新命令的過程中,控制器還應當按照預定次序提供用于選擇對應存儲體的地址,即存儲體地址。然而,在由于控制器的操作錯誤、通信錯誤等原因提供了錯誤存儲體地址的情況中,不得不跳過對應存儲體的刷新操作,結果很可能造成儲存數(shù)據(jù)的損毀。本文描述一種能夠避免刷新錯誤以允許對多個存儲體穩(wěn)定地且自由地執(zhí)行刷新操作的半導體裝置及一種使用該半導體裝置的存儲系統(tǒng)。
[0019]參考圖1,半導體裝置100可以包括多個存儲器存儲體(以下簡稱為“存儲體”)BKO至BK7、計數(shù)器300、刷新控制塊400、激活信號產(chǎn)生塊500、選擇塊600和命令解碼器700。
[0020]多個存儲體BKO至BK7可以被配置成響應于行激活信號RACT〈0:7>和內部行地址RAi,對與選中存儲體BKi (i為O至η中之一)的規(guī)定字線電親接的存儲器單元執(zhí)行刷新操作。
[0021]在多個存儲體BKO至ΒΚ7中,規(guī)定字線可以響應于內部行地址RAi來選擇。
[0022]在多個存儲體BKO至ΒΚ7中,可以激活與行激活信號RACT〈0: 7>之中被激活的信號位相對應的一個存儲體的規(guī)定字線或所有的存儲體BKO至BK7的規(guī)定字線。
[0023]計數(shù)器300可以被配置成響應于計數(shù)控制信號CJJP來增加內部地址計數(shù)值ADD_CNT0
[0024]刷新控制塊400可以被配置成響應于單個存儲體刷新命令SBKREF和存儲體地址BA〈0:m>,檢測對所有的多個存儲體BKO至BK7的刷新操作的指定完成。刷新控制塊400還可以激活計數(shù)控制信號C_UP。
[0025]刷新控制塊400可以被配置成響應于單個存儲體刷新命令SBKREF和存儲體地址BA〈0:m>,來儲存在多個存儲體BKO至BK7之中被完全刷新的存儲體的信息。刷新控制塊400還可以基于儲存的信息來檢測對所有的多個存儲體BKO至BK7的刷新操作的指定完成,以及激活計數(shù)控制信號C_UP。
[0026]刷新控制塊400可以被配置成響應于全部存儲體刷新命令REF來激活計數(shù)控制信號CJJP而與存儲體地址BA〈0:m>無關。
[0027]激活信號產(chǎn)生塊500可以被配置成根據(jù)激活命令ACT、單個存儲體刷新命令SBKREF、全部存儲體刷新命令REF以及存儲體地址BA〈0:m>,產(chǎn)生行激活信號RACT〈0:7>。
[0028]當輸入激活命令ACT時,激活信號產(chǎn)生塊500可以被配置成產(chǎn)生行激活信號RACKO:7>以激活與存儲體地址BA〈0:m>相對應的存儲體。
[0029]當輸入單個存儲體刷新命令SBKREF時,激活信號產(chǎn)生塊500可以被配置成產(chǎn)生行激活信號RACT〈0:7>以激活與存儲體地址BA〈0:m>相對應的存儲體。
[0030]例如,如果輸入了激活命令ACT或單個存儲體刷新命令SBKREF,并且存儲體地址BA〈0:m>具有用來指定存儲體BKO的值,則激活信號產(chǎn)生塊500僅可以將行激活信號RACT〈0>輸出至邏輯高。
[0031]如果輸入了全部存儲體刷新命令REF,則激活信號產(chǎn)生塊500可以將所有的行激活信號RACT〈0:7>輸出至邏輯高而與存儲體地址BA〈0:m>無關。
[0032]選擇塊600可以被配置成響應于單個存儲體刷新命令SBKREF或全部存儲體刷新命令REF來選擇地址計數(shù)值ADD_CNT。選擇塊600還可以輸出內部行地址RAi。
[0033]選擇塊600可以被配置成響應于激活命令ACT來選擇行地址RA〈0: n>,并且輸出內部行地址RAi。
[0034]命令解碼器700可以被配置成對從半導體裝置100外部的存儲器控制器提供的命令CMD進行解碼。命令解碼器700還可以產(chǎn)生激活命令ACT、單個存儲體刷新命令SBKREF及全部存儲體刷新命令REF。
[0035]行地址RA〈0:n>和存儲體地址BA〈0:m>可以從半導體裝置100外部的存儲器控制器提供。
[0036]參考圖2,刷新控制塊400可以包括解碼器410、儲存控制單元420、儲存單元430及AND邏輯440。
[0037]解碼器410可以被配置成對單個存儲體刷新命令SBKREF及存儲體地址BA〈0:m>進行解碼,并且產(chǎn)生解碼信號DEC〈0: 7>。
[0038]當輸入單個存儲體刷新命令SBKREF時,解碼器410對存儲體地址BA〈0:m>進行解碼。解碼器410還激活對應的解碼信號DEC〈0:7>。
[0039]儲存控制單元420可以被配置成將解碼信號DECXO: 7>與全部存儲體刷新命令REF相或(OR),并且輸出所得信號。
[0040]儲存控制單元420可以包括多個NOR門,NOR門接收全部存儲體刷新命令REF和解碼信號DEC〈0:7>的相應信號位。儲存控制單元420還可以包括多個反相器,反相器將多個NOR門的相應輸出反相。
[0041]儲存單元430可以被配置成響應于儲存控制單元420的輸出信號來設定刷新存儲體信息 REF_B<0:7>o
[0042]儲存單元430可以被配置成根據(jù)計數(shù)控制信號CJJP來復位刷新存儲體信息REF_B<0:7>o
[0043]儲存單元430可以包括觸發(fā)器F/F,其數(shù)目對應于刷新存儲體信息REF_B〈0: 7>的信號位數(shù)目。
[0044]多個觸發(fā)器F/F經(jīng)由其置位端子S被輸入儲存控制單元420的輸出信號。多個觸發(fā)器F/F經(jīng)由其復位端子R被共同輸入計數(shù)控制信號C_UP。
[0045]AND邏輯440可以被配置成將儲存單元430的刷新存儲體信息REF_B〈0: 7>相與(AND),并且輸出計數(shù)控制信號CJJP。
[0046]以下將描述如上述配置、根據(jù)一實施例的半導體裝置100的刷新操作。
[0047]舉例來說,假定從半導體裝置100外部的存儲器控制器提供了單個存儲體刷新命令SBKREF,并且提供了存儲體地址BA〈0:m>,使得多個存儲體BKO至BK7可以被順序指定。
[0048]如果輸入了單個存儲體刷新命令SBKREF和用來指定存儲體BKO的存儲體地址BA〈0:m>,則解碼信號DECXO: 7>之一,例如解碼信號DEC〈0>被輸出成激活電平,例如高電平。
[0049]由于解碼信號DEC〈0>為高電平,所以儲存單元430的多個觸發(fā)器F/F之一的刷新存儲體信息REF_B〈0>被設定成高電平。
[0050]此時,由于其余的刷新存儲體信息REF_B〈l:n>為低電平,所以計數(shù)控制信
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