一種芯片中壞塊地址的跳轉(zhuǎn)方法和裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種芯片中壞塊地址的跳轉(zhuǎn)方法和裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著現(xiàn)代化技術(shù)的不斷發(fā)展，嵌入式設(shè)備發(fā)展迅速，尤其是應(yīng)用于智能系統(tǒng)，它們廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、手機(jī)、導(dǎo)航等領(lǐng)域，這些嵌入式設(shè)備大多都搭載了大容量的閃存芯片，以滿足系統(tǒng)和數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存要求。
[0003]然而，由于閃存芯片的生產(chǎn)工藝導(dǎo)致內(nèi)部會(huì)存在無(wú)法進(jìn)行讀寫(xiě)操作的壞塊，但是嵌入式設(shè)備在設(shè)計(jì)過(guò)程中，會(huì)對(duì)壞塊出現(xiàn)的范圍有一定的要求，而閃存芯片的生產(chǎn)廠家一般只能保證閃存芯片無(wú)壞塊或?qū)膲K的數(shù)量進(jìn)行控制，因而閃存芯片的生產(chǎn)廠家需要在閃存芯片出廠時(shí)進(jìn)行壞塊檢測(cè)，嵌入式設(shè)備的生產(chǎn)商也會(huì)在設(shè)備生產(chǎn)前對(duì)采購(gòu)的閃存芯片進(jìn)行測(cè)試，以檢測(cè)其壞塊出現(xiàn)的區(qū)域是否在允許的范圍內(nèi)。
[0004]在市場(chǎng)上有很多針對(duì)閃存芯片的燒寫(xiě)、檢測(cè)工具，它們功能強(qiáng)大，具備檢測(cè)、燒寫(xiě)、擦除、校驗(yàn)等功能，但是普遍價(jià)格昂貴，使用復(fù)雜，速度慢?；蛘呃瞄W存芯片內(nèi)設(shè)置的比較電路進(jìn)行壞塊位置的比對(duì)，一組壞塊地址信息需要一個(gè)比較電路進(jìn)行比對(duì)，過(guò)多的比較電路會(huì)占用閃存芯片的面積，造成閃存芯片的面積過(guò)大，也提高了閃存芯片的制作成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種芯片中壞塊地址的跳轉(zhuǎn)方法和裝置，以解決比較電路占用閃存芯片的面積，造成閃存芯片的面積過(guò)大，也提高了閃存芯片的制作成本的問(wèn)題。
[0006]為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種芯片中壞塊地址的跳轉(zhuǎn)方法，所述芯片包括第零芯片裸片和第一芯片裸片，所述方法包括:
[0007]將被訪問(wèn)的塊的地址信息輸入至所述第一芯片裸片；
[0008]將所述第零芯片裸片中鎖存的壞塊的地址信息依次輸出至所述第一芯片裸片；
[0009]在所述第一芯片裸片中比對(duì)所述壞塊的地址信息與所述被訪問(wèn)的塊的地址信息，得到比對(duì)結(jié)果；
[0010]根據(jù)所述比對(duì)結(jié)果進(jìn)行壞塊地址的跳轉(zhuǎn)。
[0011]優(yōu)選地，所述將被訪問(wèn)的塊的地址信息輸入至所述第一芯片裸片之前，所述方法還包括:
[0012]通過(guò)列地址將所述壞塊的地址信息鎖存到所述第零芯片裸片。
[0013]優(yōu)選地，所述通過(guò)列地址將所述壞塊的地址信息鎖存到所述第零芯片裸片，包括:
[0014]通過(guò)所述壞塊的地址信息在陣列中的列地址尋址讀出所述壞塊的地址信息；
[0015]通過(guò)譯碼將所述壞塊的地址信息從解碼數(shù)據(jù)輸入端鎖存至所述第零芯片裸片。
[0016]優(yōu)選地，所述將所述第零芯片裸片中鎖存的壞塊的地址信息依次輸出至所述第一芯片裸片，包括:
[0017]通過(guò)所述壞塊的地址信息在陣列中的列地址將所述第零芯片裸片中鎖存的預(yù)設(shè)數(shù)量的所述壞塊的地址信息依次串聯(lián)輸出至所述第一芯片裸片。
[0018]優(yōu)選地，所述根據(jù)所述比對(duì)結(jié)果進(jìn)行壞塊地址的跳轉(zhuǎn)，包括:
[0019]若所述比對(duì)結(jié)果表示所述壞塊的地址信息包括所述被訪問(wèn)的塊的地址信息，則進(jìn)行壞塊地址的跳轉(zhuǎn)。
[0020]相應(yīng)地，本發(fā)明還提供了一種芯片中壞塊地址的跳轉(zhuǎn)裝置，所述芯片包括第零芯片裸片和第一芯片裸片，所述裝置包括:
[0021 ] 訪問(wèn)地址輸入模塊，用于將被訪問(wèn)的塊的地址信息輸入至所述第一芯片裸片；
[0022]壞塊地址輸出模塊，用于將所述第零芯片裸片中鎖存的壞塊的地址信息依次輸出至所述第一芯片裸片；
[0023]地址比對(duì)模塊，用于在所述第一芯片裸片中比對(duì)所述壞塊的地址信息與所述被訪問(wèn)的塊的地址信息，得到比對(duì)結(jié)果；
[0024]跳轉(zhuǎn)模塊，用于根據(jù)所述比對(duì)結(jié)果進(jìn)行壞塊地址的跳轉(zhuǎn)。
[0025]優(yōu)選地，所述裝置還包括:
[0026]壞塊地址鎖存模塊，用于在所述訪問(wèn)地址輸入模塊將被訪問(wèn)的塊的地址信息輸入至所述第一芯片裸片之前，通過(guò)列地址將所述壞塊的地址信息鎖存到所述第零芯片裸片。
[0027]優(yōu)選地，所述壞塊地址鎖存模塊，包括:
[0028]壞塊地址讀出模塊，用于通過(guò)所述壞塊的地址信息在陣列中的列地址尋址讀出所述壞塊的地址信息；
[0029]壞塊地址輸入模塊，用于通過(guò)譯碼將所述壞塊的地址信息從解碼數(shù)據(jù)輸入端鎖存至所述第零芯片裸片。
[0030]優(yōu)選地，所述壞塊地址輸出模塊通過(guò)所述壞塊的地址信息在陣列中的列地址將所述第零芯片裸片中鎖存的預(yù)設(shè)數(shù)量的所述壞塊的地址信息依次串聯(lián)輸出至所述第一芯片裸片。
[0031]優(yōu)選地，所述跳轉(zhuǎn)模塊若所述比對(duì)結(jié)果表示所述壞塊的地址信息包括所述被訪問(wèn)的塊的地址信息，則進(jìn)行壞塊地址的跳轉(zhuǎn)。
[0032]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明包括以下優(yōu)點(diǎn):
[0033]芯片在出廠前需要進(jìn)行壞塊檢測(cè)，如果檢測(cè)到存在壞塊，會(huì)把壞塊的地址信息寫(xiě)入陣列的特定位置中，壞塊的地址信息在芯片壽命范圍內(nèi)不會(huì)被改變，用戶也不能改變。
[0034]芯片中包括第零芯片裸片和第一芯片裸片，將被訪問(wèn)的塊的地址信息輸入至第一芯片裸片；將第零芯片裸片中鎖存的壞塊的地址信息依次輸出至第一芯片裸片，即將壞塊的地址信息依次串聯(lián)在一起輸入至第一芯片裸片；在第一芯片裸片中比對(duì)壞塊的地址信息與被訪問(wèn)的塊的地址信息，得到比對(duì)結(jié)果；根據(jù)比對(duì)結(jié)果進(jìn)行壞塊地址的跳轉(zhuǎn)。將壞塊的地址信息依次串聯(lián)在一起通過(guò)掃描式比對(duì)，則只需要一個(gè)第一芯片裸片，節(jié)省了芯片的面積，降低了芯片的制作成本。
【附圖說(shuō)明】
[0035]圖1是本發(fā)明實(shí)施例一中的一種芯片中壞塊地址的跳轉(zhuǎn)方法的步驟流程圖；
[0036]圖2是本發(fā)明實(shí)施例二中的一種芯片中壞塊地址的跳轉(zhuǎn)方法的原理示意圖；
[0037]圖3是本發(fā)明實(shí)施例二中的一種芯片中壞塊地址的跳轉(zhuǎn)方法的步驟流程圖；
[0038]圖4是本發(fā)明實(shí)施例二中的一種芯片中壞塊地址的跳轉(zhuǎn)方法的匹配波形示意圖；
[0039]圖5是本發(fā)明實(shí)施例三中的一種芯片中壞塊地址的跳轉(zhuǎn)裝置的結(jié)構(gòu)圖；
[0040]圖6是本發(fā)明實(shí)施例四中的一種芯片中壞塊地址的跳轉(zhuǎn)裝置的結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0041]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。
[0042]下面通過(guò)列舉幾個(gè)具體的實(shí)施例詳細(xì)介紹本發(fā)明提供的一種芯片中壞塊地址的跳轉(zhuǎn)方法和裝置。
[0043]實(shí)施例一
[0044]本發(fā)明實(shí)施例一提供了一種芯片中壞塊地址的跳轉(zhuǎn)方法。本發(fā)明實(shí)施例中的芯片可以包括第零芯片裸片和第一芯片裸片。
[0045]參照?qǐng)D1，示出了本發(fā)明實(shí)施例一中的一種芯片中壞塊地址的跳轉(zhuǎn)方法的步驟流程圖。
[0046]步驟100，將被訪問(wèn)的塊的地址信息輸入至所述第一芯片裸片。
[0047]在芯片上電結(jié)束后，用戶可以對(duì)芯片進(jìn)行正常的操作，以讀操作為例，在正常的讀數(shù)據(jù)之前，首先要進(jìn)行壞塊(bad block)掃描，被訪問(wèn)的塊可以為芯片中的其中一個(gè)塊。
[0048]以NAND FLASH 為例，NAND FLASH 中共有 1024 個(gè) block，地址從 O 到 1023，若被訪問(wèn)的block的地址為314，則將RA<15:6> = 314(block的地址，即行地址為314)輸入到Diel〈ll:0>(第一芯片裸片)。
[0049]步驟102，將所述第零芯片裸片中鎖存的壞塊的地址信息依次輸出至所述第一芯片裸片。
[0050]芯片在出廠前需要測(cè)試，如果測(cè)試到壞塊的存在，則會(huì)將壞塊的地址信息寫(xiě)入到陣列(ARRAY)的特定位置中。在給芯片上電后，自動(dòng)將ARRAY中的壞塊的地址信息讀出。
[0051]第零芯片裸片用于存儲(chǔ)從ARRAY中讀出的壞塊的地址信息。
[0052]步驟104，在所述第一芯片裸片中比對(duì)所述壞塊的地址信息與所述被訪問(wèn)的塊的地址信息，得到比對(duì)結(jié)果。
[0053]壞塊的地址信息和被訪問(wèn)的塊的地址信息均存儲(chǔ)在第一芯片裸片中。
[0054]若壞塊的地址信息包括被訪問(wèn)的塊的地址信息，則Hi t〈 11: 0> (比對(duì)結(jié)果)全為I ;若壞塊的地址信息不包括被訪問(wèn)的塊的地址信息，則表示被訪問(wèn)的塊是正常的塊。
[0055]步驟106，根據(jù)所述比對(duì)結(jié)果進(jìn)行壞塊地址的跳轉(zhuǎn)。
[0056]芯片內(nèi)部電路會(huì)根據(jù):0>的值來(lái)確定跳轉(zhuǎn)到替換壞塊的塊的操作。
[0057]本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)采用上述方案，芯片在出廠前需要進(jìn)行壞塊檢測(cè)，如果檢測(cè)到存在壞塊，會(huì)把壞塊的地址信息寫(xiě)入陣列的特定位置中，壞塊的地址信息在芯片壽命范圍內(nèi)不會(huì)被改變，用戶也不能改變。
[0058]芯片中包括第零芯片裸片和第一芯片裸片，將被訪問(wèn)的塊的地址信息輸入至第一芯片裸片；將第零芯片裸片中鎖存的壞塊的地址信息依次輸出至第一芯片裸片，即將壞塊的地址信息依次串聯(lián)在一起輸入至第一芯片裸片；在第一芯片裸片中比對(duì)壞塊的地址信息與被訪問(wèn)的塊的地址信息，得到比對(duì)結(jié)果；根據(jù)比對(duì)結(jié)果進(jìn)行壞塊地址的跳轉(zhuǎn)。將壞塊的地址