聚硅氧烷-聚碳酸酯共聚物及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及聚硅氧烷-聚碳酸酯共聚物及其制造方法。更具體地，本發(fā)明涉及聚硅氧烷-聚碳酸酯共聚物，其中構(gòu)成該共聚物的硅氧烷單體的分子量維持在特別高的水平和因此在甚至低硅氧烷含量的情況下，可實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的低溫抗沖擊性，和維持共聚物的粘度在低的水平和因此可改進(jìn)流動(dòng)性和可模塑性；和涉及聚硅氧烷-聚碳酸酯共聚物的制造方法。
【專利說明】聚硅氧烷-聚碳酸酯共聚物及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及聚硅氧烷-聚碳酸酯共聚物及其制造方法。更具體地，本發(fā)明涉及聚硅氧烷-聚碳酸酯共聚物，其中構(gòu)成該共聚物的硅氧烷單體的分子量維持在特別高的水平和因此在甚至低硅氧烷含量的情況下，可實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的低溫抗沖擊性，和維持共聚物的粘度在低的水平和因此可改進(jìn)流動(dòng)性與可模塑性；和涉及聚硅氧烷-聚碳酸酯共聚物的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]聚碳酸酯具有良好的機(jī)械性能，例如拉伸強(qiáng)度，抗沖擊性，等，且還具有良好的尺寸穩(wěn)定性，耐熱性和光學(xué)透明度。因此，它被廣泛地用于許多工業(yè)中。然而，盡管聚碳酸酯在室溫下具有良好的抗沖擊性，但其抗沖擊性在低溫下快速變糟。
[0003]為了改進(jìn)這一缺點(diǎn)，研究了各種聚合物，且已知聚硅氧烷-聚碳酸酯共聚物具有相對良好的低溫抗沖擊性。然而，目前使用的聚硅氧烷-聚碳酸酯共聚物常規(guī)地要求高含量的硅氧烷，以顯示低溫抗沖擊性，和因此制造成本必然增加。另外，它們的問題是流動(dòng)性和可模塑性因該共聚物分子量的增加而劣化。
[0004]因此，需要開發(fā)聚硅氧烷-聚碳酸酯共聚物，它可顯示出低溫抗沖擊性，甚至在采用低硅氧烷含量的情況下，同時(shí)具有改進(jìn)的流動(dòng)性和可模塑性。
[0005][現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]
[0006]<專利文獻(xiàn)>
[0007]US2003/0105226A
[0008]發(fā)明公開
[0009]技術(shù)問題
[0010]本發(fā)明擬解決在以上所述的現(xiàn)有技術(shù)中牽涉的問題。本發(fā)明的技術(shù)目的是提供在甚至采用低硅氧烷含量的情況下，顯示出優(yōu)良的低溫抗沖擊性，同時(shí)具有改進(jìn)的流動(dòng)性和可模塑性的聚硅氧烷-聚碳酸酯共聚物。
[0011]該問題的解決方案
[0012]本發(fā)明提供一種聚硅氧烷-聚碳酸酯共聚物，它包括下述化學(xué)式Ia或化學(xué)式I的羥基封端的硅氧烷和下述化學(xué)式4的聚碳酸酯嵌段作為重復(fù)單元，其中羥基封端的硅氧烷的數(shù)均分子量為2，500至15，000:
[0013][化學(xué)式1a]
[0014]
【權(quán)利要求】
1.一種聚硅氧烷-聚碳酸酯共聚物，它包含下述化學(xué)式Ia或化學(xué)式I的羥基封端的硅氧烷和下述化學(xué)式4的聚碳酸酯嵌段作為重復(fù)單元，其中羥基封端的硅氧烷的數(shù)均分子量(Mn)為 2，500-15, 000: [化學(xué)式Ia]
2.權(quán)利要求1的聚硅氧烷-聚碳酸酯共聚物，它的粘均分子量是15，000-30，000。
3.權(quán)利要求1的聚硅氧烷-聚碳酸酯共聚物，其中在聚硅氧烷-聚碳酸酯共聚物內(nèi)的羥基封端的硅氧烷的含量為1-1Owt%。
4.權(quán)利要求1-3任何一項(xiàng)的聚硅氧烷-聚碳酸酯共聚物的制備方法，該方法包括: 混合數(shù)均分子量為2，500至15，000的羥基封端的硅氧烷和低聚的聚碳酸酯并使它們在界面反應(yīng)條件下反應(yīng)以形成聚硅氧烷-聚碳酸酯中間體的步驟；和 通過使用第一聚合催化劑聚合該中間體的步驟。
5.權(quán)利要求4的聚硅氧烷-聚碳酸酯共聚物的制備方法，其中低聚的聚碳酸酯的粘均分子量是800-20,000。
【文檔編號】C08L83/10GK103958573SQ201280053477
【公開日】2014年7月30日 申請日期:2012年10月26日 優(yōu)先權(quán)日:2011年10月31日
【發(fā)明者】金宰顯, 申景茂, 李泓瞮, 張倫珠, 陳善喆 申請人:株式會社三養(yǎng)社