本實用新型涉及一種粘籽晶的裝置。

背景技術(shù)：

碳化硅單晶具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率等，與硅單晶相比，碳化硅的優(yōu)異性能更能滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫、高壓、高頻、高功率及抗輻射的新要求。

現(xiàn)有技術(shù)生產(chǎn)碳化硅的方法是液相法生長碳化硅技術(shù)，通過加熱的方式將硅在高純石墨坩堝中融化，形成碳在硅中的溶液，再將頭部貼付有籽晶的石墨軸伸入到溶液中進行生長。籽晶和石墨軸之間一般通過碳粘合劑或者含碳的有機物燒結(jié)固化來實現(xiàn)連結(jié)：首先將碳粘合劑或者含碳的有機物涂到石墨軸上，手工涂勻后，然后將籽晶按壓到石墨軸上，使籽晶和石墨軸完全貼合，再通過燒結(jié)實現(xiàn)可靠的連結(jié)。在燒結(jié)的過程中，膠中的氣體會逐漸排出，膠逐漸固化，通過分子間作用力將籽晶和石墨軸之間緊密的連結(jié)在一起。但膠固化的時間不統(tǒng)一，邊緣部位的氣體排出路徑較短，比較容易的排出，但中心部位的氣體排出路徑相對較長，比較難以排出。如果籽晶邊緣的膠先固化后，會堵塞中心部位氣體的排出通道，造成邊緣粘結(jié)牢固，但中間有氣泡的現(xiàn)象。這種有氣泡的籽晶在生長過程中，由于空氣存在于籽晶和石墨軸之間，會出現(xiàn)熱膨脹，導(dǎo)致籽晶脫落或者應(yīng)力過大導(dǎo)致晶體開裂。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對上述問題，本實用新型提供一種粘籽晶的裝置。采用本實用新型，可以有效避免氣泡的產(chǎn)生并且保證籽晶和石墨軸的可靠連接。

本實用新型采用以下技術(shù)方案：一種粘籽晶裝置，包括石墨軸，石墨軸下部的籽晶貼付面上設(shè)有凹槽。

應(yīng)用時，將碳粘合劑或者含碳的有機物均勻涂抹于籽晶貼付面上時，要保證只有貼付面上貼有碳粘合劑或者含碳的有機物，而凹槽內(nèi)沒有碳粘合劑或者含碳的有機物。將籽晶粘貼在石墨軸的貼付面上，使之貼合緊密；對石墨軸進行燒結(jié)，將碳粘合劑或者含碳的有機物燒結(jié)固化。由于有凹槽的存在，碳粘合劑或者含碳的有機物中的氣體可以沿著這些流通通道不受限制的排出，使碳粘合劑或者含碳的有機物固化均勻，防止了籽晶脫落或者因為應(yīng)力過大導(dǎo)致晶體開裂，有效的提高了粘貼籽晶的合格率，有利于籽晶更好的生長，保證了生產(chǎn)，降低了加工生產(chǎn)成本。

本實用新型所述的凹槽可以為任何圖案，前提為有一定數(shù)量和深度的凹槽。優(yōu)選的，所述的凹槽深度為1-5mm，寬度為0.1-2mm。所述的凹槽呈米字型排布或平行排布。

綜上所述，本實用新型在籽晶貼付面上加工出一些具有一定深度的凹槽，有利于石墨軸在貼付籽晶后燒結(jié)固化過程中氣泡排出，使粘合劑或者含碳的有機物固化均勻，防止了籽晶脫落或者因為應(yīng)力過大導(dǎo)致晶體開裂，有效的提高了粘貼籽晶的合格率，有利于籽晶更好的生長，保證了生產(chǎn)，降低了加工生產(chǎn)成本。

附圖說明

圖1為本實用新型實施例1結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實用新型實施例2結(jié)構(gòu)示意圖；

圖中1為石墨軸，2為籽晶貼付面，3為凹槽。

具體實施方式

實施例1

一種粘籽晶裝置，包括石墨軸1，石墨軸1下部的籽晶貼付面2上設(shè)有凹槽3。

所述的凹槽3深度為1mm，寬度為0.1mm。

所述的凹槽3呈米字型排布。

實施例2

一種粘籽晶裝置，包括石墨軸1，石墨軸1下部的籽晶貼付面2上設(shè)有凹槽3。

所述的凹槽3深度為5mm，寬度為2mm。

所述的凹槽3平行排布。

實施例3

一種粘籽晶裝置，包括石墨軸1，石墨軸1下部的籽晶貼付面2上設(shè)有凹槽3。

所述的凹槽3深度為3mm，寬度為1mm。

所述的凹槽3呈米字型排布。

實施例4

一種粘籽晶裝置，包括石墨軸1，石墨軸1下部的籽晶貼付面2上設(shè)有凹槽3。

所述的凹槽3深度為5mm，寬度為0.1mm。

所述的凹槽3平行排布。