本發(fā)明屬于一種人工晶體生長領(lǐng)域，特別是CBO晶體生長。

背景技術(shù)：

三硼酸銫（化學(xué)式CsB3O5，簡稱CBO）是硼酸鹽中一種新型的非線性晶體，非線性系數(shù)和LBO大致相同，紫外波段透光能力優(yōu)于BBO，抗激光損傷閾值高于BBO，特別在晶體制備上優(yōu)于BBO和LBO，CBO是同成分熔融化合物，不用采用外加助熔劑，可以有效減少助熔劑帶來影響。

該晶體雖然在某些方面具有比BBO和LBO更好的性能，但是該晶體具有潮解性，以及生長過程揮發(fā)嚴重，在晶體生長過程，隨著晶體長大，籽晶容易斷掉，晶體掉入熔體，給生長完整晶體帶來困難。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明采用鉑金片包裹籽晶，籽晶末端剩余1.8mm露出外面，見圖1，晶體下種過程中，籽晶末端2mm浸入熔體，利用熔體封住鉑片和籽晶交界處，該方法使的籽晶不再裸露于空氣中，一方面防止揮發(fā)物腐蝕籽晶，另一方面又防止籽晶潮解；使得晶體生長過程，籽晶不再斷掉，得到完整的晶體毛坯。

附圖說明

圖1是籽晶示意圖。

具體實施方式

稱取一定量的碳酸銫和硼酸為原料，其中銫過量5％（摩爾百分比），于普通硅碳棒爐子900℃條件下熔融反應(yīng)至原料全部熔解，裝入φ60坩堝，然后放入熔鹽爐中生長，將籽晶用鉑片包裹，籽晶末端剩余1.8mm露出外面，籽晶于飽和溫度點高5℃條件下下種，籽晶浸沒熔體2mm，然后溫度降回飽和溫度，開始生長，經(jīng)過3個月得到完整晶體。