專利名稱：真空制程氣導裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型關于一種真空制程氣導裝置，其目的達到有效均勻分布氣體于反應 腔體內(nèi)部，完成均勻分布的電漿粒子。
背景技術：
真空鍍膜技術中的濺鍍法(Sputtering)，其原理是在一真空腔體中通入工作氣體 (通常為Ar或N2)，并以基材為陽極，以靶材為陰極，使得工作氣體在高壓電場作用下，會被 解離呈離子與電子，及形成電漿(Plasma)，而電漿中的正離子于高壓電場中會加速移動并 轟擊靶材(Target)的表面，使靶材原子或團簇(Cluster)濺飛出并沉積、附著在目標基材 (Substrare)的表面上，以形成薄膜； 現(xiàn)有一真空濺鍍設備的進氣裝置，是能多組地直立設置于一真空濺鍍設備的一反 應腔用以將工作氣體(如Ar、N2、(V ..等)分路地輸送入該反應腔體中；每組真空濺鍍設備 的進氣裝置是包含一直立地容置于該反應腔體中的矩條氣柱，以及一 自該反應腔體外部延 伸至其內(nèi)部中并連接該氣柱的進氣管；該氣柱包括一中空的長柱體、一設置于該長柱體的 一表面中心處且用以連接該進氣管的一端的進氣孔，以及多數(shù)內(nèi)外相通地密布于該長柱體 的相反另一表面上的出氣孔；因此，工作氣體會經(jīng)過該進氣管輸送入該氣柱的長柱體內(nèi)部， 續(xù)經(jīng)該多數(shù)出氣孔而擴散至該反應腔體內(nèi)部； 然而，由于該氣柱上只有唯一的中心進氣點(即該進氣孔處)，相當容易造成工作 氣體過度集中于該氣柱的中間段部，而該氣柱的上、下段部處的氣體量卻較為稀薄、不均的 現(xiàn)象，如此一來，不僅會連帶影響到該反應腔體內(nèi)部所通入工作氣體的擴散均勻性，還會影 響濺鍍作業(yè)的品質(zhì)效率，尤其所述不良現(xiàn)象的負面影響，將隨著真空濺鍍設備的尺寸規(guī)格 日漸增大而更趨明顯、嚴重。

發(fā)明內(nèi)容本實用新型提供一種真空制程氣導裝置，以解決上述背景技術中存在的技術問 題。
本實用新型關于一種真空制程氣導裝置，主要包含 —反應腔體，該反應腔體均勻分散導入的氣體，使得整個反應腔體內(nèi)置空間均勻 分布電漿粒子； —氣體導引柱，該氣體導引柱設有一個以上的氣體引入接頭，該氣體引入接頭將 氣體經(jīng)由回路引入至反應腔體內(nèi)部，形成電漿粒子； —隔板，于腔體內(nèi)設置一個以上的隔板，該隔板可因使用者的需求，調(diào)整隔板大小 與置放位置，有效將電漿粒子均勻分布于反應腔體內(nèi)部； —擋板，使氣體經(jīng)由腔體內(nèi)部回路導引致噴嘴出氣，通過擋板有效集中于反應區(qū) 內(nèi)； 該氣體導引柱上設有噴嘴，該噴嘴將氣體噴入反應腔體內(nèi)，該反應腔體一側設有該擋板，該氣體導引柱設有一個以上的該氣體引入接頭和一個以上隔板。 作動程序?qū)⑼饨拥臍怏w通過氣體導引柱所設置的氣體引入接頭進入，由噴嘴噴 出，形成一側邊進入前面噴出的動作，其在氣體導引柱中央的U型槽設有一個以上的隔板， 可因應所引入氣體的多寡，將隔板調(diào)整至適當?shù)奈恢门c大小，使得反應腔體均勻分布氣體， 形成均勻分布的電漿粒子，且在反應腔體一側設有擋板，使得制成氣體能有效集中于反應 區(qū)內(nèi)，其中，該噴嘴為一外接裝置，可達到快速拆卸、方便維修的功效，完成一真空制程氣導 裝置； 由此，可達到有效均勻分布氣體于反應腔體內(nèi)部，完成均勻分布的電漿粒子，達到 了有益的技術效果。

圖1為本實用新型真空制程氣導裝置的結構外觀組成示意圖(一 )； 圖2為本實用新型真空制程氣導裝置的結構外觀組成示意圖(二 )； 圖3為本實用新型真空制程氣導裝置的隔板示意圖； 圖4為本實用新型真空制程氣導裝置的剖面氣體流動示意圖。 附圖標記說明 1-反應腔體；2_氣體引入接頭；3_噴嘴；4_隔板；5_擋板；6_氣體導引柱；7_回
路板；100-真空制程氣導裝置。
具體實施方式
請參閱圖1、2，為本實用新型真空制程氣導裝置的結構外觀組成示意圖，由圖可 知，本實用新型真空制程氣導裝置100，主要包含 —反應腔體l，該反應腔體1均勻分散導入的氣體，使得整個反應腔體1內(nèi)置空間 均勻分布電漿粒子； —氣體導引柱6，該氣體導引柱6設有一個以上的氣體引入接頭2，該氣體引入接 頭2將氣體引入至反應腔體1內(nèi)部，形成電漿粒子； —隔板4，可因使用者的需求，調(diào)整隔板4大小與置放位置，有效將電漿粒子均勻 分布于反應腔體1內(nèi)部； —擋板5，有效集中經(jīng)由氣體引入接頭2導引的氣體，由噴嘴3噴出并集中于反應 區(qū)內(nèi)； 作動程序?qū)⑼饨拥臍怏w通過氣體導引柱6所設置的氣體引入接頭2進入，由噴嘴 3噴出，形成一側邊進入前面噴出的動作，其在氣體導引柱6中央的U型槽設有一個以上的 隔板4，可因應所引入氣體的多寡，將隔板4調(diào)整至適當?shù)奈恢门c大小，使得反應腔體1均勻 分布氣體，形成均勻分布的電漿粒子，且在反應腔體1 一側設有擋板5，能有效集中氣體于 反應區(qū)內(nèi)，其中，該噴嘴3為一外接裝置，可達到快速拆卸、方便維修的功效，完成一真空制 程氣導裝置。 請參閱圖3，為本實用新型真空制程氣導裝置的隔板示意圖，由圖可知，真空制程 氣導裝置100，在該氣體導引柱6設有一個以上隔板4，可因應所引入氣體的多寡，將隔板4 調(diào)整至適當?shù)奈恢门c大小，使得反應腔體均勻分布氣體，形成均勻分布的電漿粒子。[0027] 請參閱圖4，為本實用新型真空制程氣導裝置的剖面氣體流動示意圖，由圖可知， 真空制程氣導裝置100，由氣體引入接頭2將氣體導引進入通過回路板7將氣體有效均勻分 布由噴嘴3噴出，且噴嘴3前緣有一擋板5擋住，避免氣體滲出而分布不均于腔體內(nèi)部，完 成了氣體有側邊進入前面噴出的動作。 以上對本實用新型的描述是說明性的，而非限制性的，本專業(yè)技術人員理解，在權 利要求限定的精神與范圍之內(nèi)可對其進行許多修改、變化或等效，但是它們都將落入本實 用新型的保護范圍內(nèi)。
權利要求一種真空制程氣導裝置，其特征在于，包含一反應腔體、一氣體導引柱、氣體引入接頭、隔板、一擋板、一噴嘴，該氣體導引柱上設有噴嘴，該噴嘴將氣體噴入反應腔體內(nèi)，該反應腔體一側設有該擋板，該氣體導引柱設有一個以上的氣體引入接頭和一個以上隔板。
2. 如權利要求1所述的真空制程氣導裝置，其特征在于，該噴嘴為一外接裝置。
專利摘要本實用新型關于一種真空制程氣導裝置，主要包含一反應腔體，一氣體導引柱，氣體引入接頭，一隔板，一擋板，一噴嘴所組成，作動程序?qū)⑼饨拥臍怏w通過氣體導引柱所設置的氣體引入接頭進入，由噴嘴噴出，形成一側邊進入前面噴出的動作，其在氣體導引柱中央的U型槽設有隔板，均勻分布氣體于反應腔體，形成均勻分布的電漿粒子，且在反應腔體一側設有擋板，使得制成氣體能有效集中于反應區(qū)內(nèi)，完成一真空制程氣導裝置，由此，可達到有效均勻分布氣體于反應腔體內(nèi)部，完成均勻分布的電漿粒子。
文檔編號C23C14/56GK201473586SQ20092016570
公開日2010年5月19日 申請日期2009年7月15日 優(yōu)先權日2009年7月15日
發(fā)明者曾子峻, 楊成杰, 林煌琦, 鄭祥炬 申請人:仕貫真空科技股份有限公司