技術(shù)編號：3356945
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實用新型關(guān)于一種真空制程氣導(dǎo)裝置，其目的達(dá)到有效均勻分布?xì)怏w于反應(yīng) 腔體內(nèi)部，完成均勻分布的電漿粒子。背景技術(shù)真空鍍膜技術(shù)中的濺鍍法(Sputtering)，其原理是在一真空腔體中通入工作氣體 (通常為Ar或N2)，并以基材為陽極，以靶材為陰極，使得工作氣體在高壓電場作用下，會被 解離呈離子與電子，及形成電漿(Plasma)，而電漿中的正離子于高壓電場中會加速移動并 轟擊靶材(Target)的表面，使靶材原子或團(tuán)簇(Cluster)濺飛出并沉積、附著在目...
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