本發(fā)明涉及屏蔽材料領域，具體涉及一種復合微球顆粒電磁吸波填料以及具有該電磁吸波填料的電磁屏蔽材料。
背景技術：
電磁波是電磁場的一種運動形態(tài)，它以輻射的方式向空間內(nèi)傳播。電磁波不僅會對電子設備的信號產(chǎn)生干擾，還會對人體健康造成危害，長期遭受電磁波輻射會造成人體免疫力下降、記憶力減退等各種病癥，因此需利用電磁屏蔽設施對電磁波進行屏蔽?，F(xiàn)有的電磁屏蔽設施大多采用金屬網(wǎng)或石墨板對電磁波進行屏蔽，不同頻段的屏蔽需使用不同材質的金屬網(wǎng)或不同厚度的石墨板，單一種類的金屬網(wǎng)和石墨板所屏蔽的電磁波頻段較窄，且金屬網(wǎng)和石墨板均較重，對電磁波的吸收率也較低，屏蔽波段較高時其所使用厚度也會隨之增加。
技術實現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的就在于為了解決上述問題而提供一種復合微球顆粒電磁吸波填料。
本發(fā)明通過以下技術方案來實現(xiàn)上述目的：
一種復合微球顆粒電磁吸波填料，包括硅酸鹽納米材料、磁性金屬微粉、多晶鐵纖維、導電高聚物和粘結劑，其中：
在本實施例中，所述硅酸鹽納米材料為中空硅酸鹽納米微球，密度為0.8g/cm3。
在本實施例中，所述磁性金屬微粉為粒徑為20nm-1.5μm的fe粉、ni粉或co粉的金屬單質或其合金微粒，鍍制于所述硅酸鹽納米材料的微球表面，厚度為2.0μm。
在本實施例中，所述多晶鐵纖維為納米級多晶纖維,摻雜于所述磁性金屬微粉內(nèi)。
在本實施例中，所述導電高聚物為聚乙炔、聚噻吩、聚苯胺或聚苯撐中的任一種。
在本實施例中，所述粘結劑為環(huán)氧有機硅、聚氨酯或丙烯酸中的任一種。
一種具有電磁吸波填料的電磁屏蔽材料，包括基板和屏蔽層，所述屏蔽層設置在所述基板上面，所述屏蔽層上面設置有導電層，所述導電層上面設置有離型膜。
在本實施例中，所述基板為絕緣板。
在本實施例中，所述屏蔽層為利用所述電磁吸波填料制成的纖維狀板。
在本實施例中，所述導電層為納米導電石墨涂層，厚度為0.4-0.6mm。
有益效果在于：厚度薄、質量輕、吸收力強，還可滿足多頻段屏蔽，大大提高了電磁屏蔽的屏蔽功能。
附圖說明
圖1是本發(fā)明所述一種具有電磁吸波填料的電磁屏蔽材料的結構視圖。
1、離型膜；2、導電層；3、屏蔽層；4、基板。
具體實施方式
下面結合附圖對本發(fā)明作進一步說明：
如圖1所示，一種復合微球顆粒電磁吸波填料，包括硅酸鹽納米材料、磁性金屬微粉、多晶鐵纖維、導電高聚物和粘結劑，其中：
在本實施例中，所述硅酸鹽納米材料為中空硅酸鹽納米微球，密度為0.8g/cm3，不僅重量輕，且具有較高的介電常數(shù)和復磁導率，可吸收高頻電磁波。
在本實施例中，所述磁性金屬微粉為粒徑為20nm-1.5μm的fe粉、ni粉或co粉的金屬單質或其合金微粒，鍍制于所述硅酸鹽納米材料的微球表面，厚度為2.0μm，所述磁性金屬微粉具有較高的磁導率虛部及磁損耗角正切值，主要通過磁滯損耗、渦流損耗及自然共振損耗等機制吸收衰減電磁波。
在本實施例中，所述多晶鐵纖維為納米級多晶纖維,摻雜于所述磁性金屬微粉內(nèi)，從而改變所述磁性金屬微粉低頻段吸收性差的缺點，增加所述磁性金屬微粉吸收電磁波的頻帶寬度范圍。
在本實施例中，所述導電高聚物為聚乙炔、聚噻吩、聚苯胺或聚苯撐中的任一種，所述導電高聚物可反射電磁波。
在本實施例中，所述粘結劑為環(huán)氧有機硅、聚氨酯或丙烯酸中的任一種。
一種具有電磁吸波填料的電磁屏蔽材料，包括基板4和屏蔽層3，所述屏蔽層3設置在所述基板4上面，所述屏蔽層3上面設置有導電層2，所述導電層2上面設置有離型膜1。
在本實施例中，所述基板4為絕緣板。
在本實施例中，所述屏蔽層3為利用所述電磁吸波填料制成的纖維狀板，所述屏蔽層3用于屏蔽電磁波。
在本實施例中，所述導電層2為納米導電石墨涂層，厚度為0.4-0.6mm，所述導電層2用于屏蔽靜電。
以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理、主要特征和優(yōu)點。本行業(yè)的技術人員應該了解，本發(fā)明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護范圍由所附的權利要求書及其效物界定。