含各向異性導(dǎo)熱散熱器的設(shè)備及其制作方法相關(guān)申請(qǐng)案的交叉參考本發(fā)明要求2011年2月14日遞交的發(fā)明名稱為“各向異性高導(dǎo)熱輕型散熱器”的美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)No.61/442,552及2011年3月24日提交的發(fā)明名稱為“含各向異性導(dǎo)熱散熱器的設(shè)備及其制作方法”的美國(guó)專利申請(qǐng)No.13/071,015在先申請(qǐng)優(yōu)先權(quán)，該在先申請(qǐng)的內(nèi)容以引入的方式并入本文本中。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明大致涉及散熱器，更具體地，涉及具有各向異性導(dǎo)熱散熱器的設(shè)備及其制作方法。

背景技術(shù)：
隨著電路的運(yùn)行速度越來(lái)越快和集成密度越來(lái)越高，熱管理越來(lái)越具挑戰(zhàn)性。鋁等散熱材料由于導(dǎo)熱系數(shù)較低而無(wú)法提供足夠快速的散熱，而具有快速導(dǎo)熱性的金剛石或金剛石涂覆材料又價(jià)格昂貴，并且/或難于以低成本進(jìn)行大批量生產(chǎn)。盡管銅比鋁昂貴，但銅質(zhì)散熱器的導(dǎo)熱系數(shù)要大于鋁質(zhì)散熱器。然而，銅的密度要大于鋁。因此，銅質(zhì)散熱器在很多應(yīng)用場(chǎng)合都不適用。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的示例性實(shí)施例大致解決或規(guī)避了上述及其他問(wèn)題，并實(shí)現(xiàn)了其技術(shù)優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明一實(shí)施例提供了一種設(shè)備，所述設(shè)備包括具有導(dǎo)熱核心層的電路 板，在所述電路板上設(shè)置有一芯片。所述設(shè)備還包括設(shè)置于所述芯片之上的散熱器。所述散熱器沿第一方向的導(dǎo)熱率高于其沿第二方向的導(dǎo)熱率。所述第一方向與所述第二方向垂直。所述散熱器熱耦合于所述導(dǎo)熱核心層。本發(fā)明另一實(shí)施例提供一種印制電路板組件，所述印制電路板組件包括具有導(dǎo)熱核心層的基板，所述基板上設(shè)置有半導(dǎo)體設(shè)備。所述印制電路板組件還包括設(shè)置于所述半導(dǎo)體設(shè)備之上的各向異性導(dǎo)熱散熱器。所述散熱器的底面熱耦合于所述導(dǎo)熱核心層。所述散熱器的底面比所述散熱器的對(duì)端頂面更接近于所述半導(dǎo)體設(shè)備。本發(fā)明另一實(shí)施例提供了一種形成印制電路板組件的方法，所述方法包括將半導(dǎo)體設(shè)備放置于基板之上，并將各向異性導(dǎo)熱散熱器放置于所述半導(dǎo)體之上。所述基板具有導(dǎo)熱核心層。所述方法還包括將所述散熱器的底面熱耦合于所述導(dǎo)熱核心層。所述散熱器的底面比所述散熱器的對(duì)端頂面更接近于所述半導(dǎo)體設(shè)備。以上簡(jiǎn)要描述了本發(fā)明一實(shí)施例的特征，以便更好地理解下文中有關(guān)本發(fā)明的具體描述。下文中還將描述本發(fā)明實(shí)施例的附加特征及優(yōu)點(diǎn)，且該附加特征及優(yōu)點(diǎn)構(gòu)成本發(fā)明的權(quán)利要求的主題。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該意識(shí)到可以基于本發(fā)明公開(kāi)的構(gòu)思及具體實(shí)施方式，對(duì)其他結(jié)構(gòu)或工藝進(jìn)行改進(jìn)或設(shè)計(jì)，以實(shí)現(xiàn)與本發(fā)明相同的目的。本領(lǐng)域技術(shù)人員還應(yīng)意識(shí)到此類(lèi)等效構(gòu)造并不脫離本發(fā)明所附權(quán)利要求的精神和范圍。附圖說(shuō)明為便于理解，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行描述。圖1，包括圖1A至圖1C，為本發(fā)明一實(shí)施例提供的各向異性散熱器，其中圖1A為橫剖面圖，圖1B及圖1C為俯視圖；圖2，包括圖2A至圖2C，為本發(fā)明實(shí)施例提供的設(shè)備，所述設(shè)備具有各向異性導(dǎo)熱散熱器，且其較熱的一側(cè)熱耦合于散熱鰭片，其中圖2A和圖 2C為橫剖面圖，圖2B為俯視圖；圖3，包括圖3A和圖3B，為本發(fā)明一實(shí)施例提供的散熱器所含的頂部散熱鰭片，其中圖3A為橫剖面圖，圖3B為俯視圖；圖4為本發(fā)明一實(shí)施例提供的電路板內(nèi)所含的單獨(dú)或同心核心層；圖5為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的曲面型散熱器；圖6，包括圖6A和圖6B，為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的用于將熱量從散熱器傳遞到基板的多條通道；圖7為本發(fā)明一實(shí)施例提供的具有多個(gè)散熱器的設(shè)備，所述多個(gè)散熱器中的至少一個(gè)散熱器具有各向異性導(dǎo)熱性；圖8，包括圖8A和圖8B，為本發(fā)明一實(shí)施例提供的散熱器中的通孔結(jié)構(gòu)，其中圖8A為橫剖面圖，圖8B為俯視圖；及圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的形成印制電路板組件的一種方法的流程圖。各圖中的對(duì)應(yīng)數(shù)字和符號(hào)一般指代對(duì)應(yīng)的部件，另有說(shuō)明除外。這些圖用于清晰描述本發(fā)明實(shí)施例的相關(guān)方面，且不一定按比例繪成。具體實(shí)施方式下面對(duì)本發(fā)明各實(shí)施例的實(shí)施和使用進(jìn)行詳細(xì)探討。然而，應(yīng)了解，本發(fā)明為多種具體場(chǎng)合提供了許多可行性發(fā)明構(gòu)思。所探討的具體實(shí)施例僅僅是實(shí)施和使用本發(fā)明的具體方法的示例，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明范圍的限制。本發(fā)明實(shí)施例使用一種輕型各向異性散熱器為芯片排熱。與傳統(tǒng)散熱器從頂部垂直排熱不同，本發(fā)明實(shí)施例中的各向異性散熱器從側(cè)面排出至少一部分熱量。下面將描述本發(fā)明實(shí)施例，以使用基板（如電路板）和/或與附接于所述各向異性散熱器底面的底部散熱鰭片從側(cè)面散熱。下面將結(jié)合圖1對(duì)一種散熱器組件的示例性實(shí)施例進(jìn)行描述；結(jié)合圖2至圖8對(duì)本發(fā)明的其他實(shí)施例進(jìn)行描述；且結(jié)合圖9對(duì)一種形成所述散熱器組件的工藝進(jìn)行描述。在各實(shí)施例中，圖1至圖8所描述的實(shí)施例可單獨(dú)或 組合使用。例如，圖1至圖8的某一子集可在一些實(shí)施例中組合使用。圖1，包括圖1A至圖1C，為本發(fā)明一實(shí)施例提供的各向異性散熱器，其中圖1A為橫部面圖，圖1B及圖1C為俯視圖。參閱圖1A，芯片10安裝于基板20之上。在各實(shí)施例中，所述芯片10可以是任何類(lèi)型的芯片，如微處理器芯片、信號(hào)處理器芯片、ASIC芯片、系統(tǒng)芯片、內(nèi)存芯片、可編程門(mén)陣列芯片等。在各實(shí)施例中，所述芯片10可以為半導(dǎo)體封裝或含有分立器件的半導(dǎo)體芯片。盡管只描述了單個(gè)芯片，本發(fā)明實(shí)施例還包括在所述基板20上安裝多個(gè)芯片。在各實(shí)施例中，所述基板20可以為電路板、線路卡等。所述基板20的頂面朝向所述芯片10，其上可設(shè)置連接器，例如，用于將所述芯片10與外部電路和其他與附接于所述基板20的部件進(jìn)行連接。所述基板20可包括核心層30，如圖1A所示。所述核心層30可包括具有高導(dǎo)熱性的金屬材料。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述核心層30包括銅、鋁，及其組合。所述核心層30可以內(nèi)嵌于所述基板20的絕緣層，也可與所述基板20頂面的連接器分開(kāi)設(shè)置。散熱器40設(shè)置于所述芯片10的頂面并與所述芯片10牢固附接。在各實(shí)施例中，所述芯片10采用導(dǎo)熱工藝熱耦合于所述散熱器40。在各實(shí)施例中，所述散熱器40和所述芯片10通過(guò)熱介面材料（TIM）層進(jìn)行熱耦合。若所述散熱器40底面和/或所述芯片10的頂面的表面粗糙度過(guò)大（或具有其他缺陷），孔洞將占據(jù)絕大部分介面區(qū)，從而減少接觸面積。如此一來(lái)，介面的導(dǎo)熱性效果將受到一小部分介面區(qū)的限制。通常情況下，通過(guò)氣隙進(jìn)行熱傳遞的其他形式（對(duì)流、輻射）比熱傳導(dǎo)的效率更低?？赏ㄟ^(guò)TIM來(lái)克服這些限制。例如，在各實(shí)施例中，TIM層可插置于所述散熱器40及所述芯片10之間以增大接觸面積，從而為所述芯片10提供更好的散熱性能。所述TIM層可以包括任何能夠增大熱接觸面積并具有良好導(dǎo)熱性的合適材料。形成所述TIM層的材料的例子包括熱膠（例如熱脂）、環(huán)氧材料、相變材料、熱膠帶、以及涂硅布等；所述熱膠帶包括石墨膠帶、聚酰亞胺膠帶，和鋁膠帶。在各實(shí)施例中，還可以使用膠帶和/或螺釘來(lái)施加機(jī)械壓力，從而增大所述散熱器40和所述芯片10之間的接觸面積。與所述芯片10的介面相似，所述散熱器40也可使用TIM層與所述塊50附接。在一些實(shí)施例中，所述散熱器40也可設(shè)置于所述塊50（例如通過(guò)旋緊螺釘），以使所述散熱器40和所述塊50之間的熱介面面積最大化。在一些實(shí)施例中，所述塊50也可設(shè)置于所述散熱器40所形成的凹槽內(nèi)，以便增大所述散熱器和所述塊50之間的接觸面積。所述散熱器40通過(guò)塊50和連接件60耦合于所述基板20的所述核心層30。所述塊50可以為良好的熱導(dǎo)體，例如銅、金、鉑、鋁和及其組合等金屬和合金。所述連接件60可包括銅或鋁，例如，在一實(shí)施例中可以為銅通孔或銅溝槽。所述塊50可與所述連接件60耦合，例如，通過(guò)焊點(diǎn)或通過(guò)其他合適的連接裝置。所述連接件60與所述基板20的所述核心層30耦合，然后形成所述散熱器的一部分。所述核心層30的面積較大，有助于為所述芯片10通過(guò)所述散熱器40進(jìn)行散熱。在各實(shí)施例中，所述散熱器40具有各向異性導(dǎo)熱性。換句話說(shuō)，所述散熱器40在至少一個(gè)水平方向（圖1A所示的x軸）比在垂直方向（圖1A所示的y軸）能夠提供更好的導(dǎo)熱性能。在一些實(shí)施例中，所述散熱器40沿水平平面（x軸和y軸，而非z軸）具有相似的導(dǎo)熱性。在各實(shí)施例中，優(yōu)選地，所述基板20作為散熱裝置解決了各向異性散熱器無(wú)法從所述芯片10垂直散熱，同時(shí)加快所述芯片10外部熱傳遞的問(wèn)題。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述散熱器40包括在由x軸和y軸形成的x-y 平面內(nèi)定向排列的導(dǎo)熱纖維。各層導(dǎo)熱纖維可使用比所述導(dǎo)熱纖維導(dǎo)熱性低的材料進(jìn)行附接。由于所述導(dǎo)熱纖維沿所述x軸和y軸定向排列，沿x-y平面的導(dǎo)熱性遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于沿z-x或z-y垂直平面的導(dǎo)熱性。在各實(shí)施例中，可通過(guò)修改所述導(dǎo)熱纖維與非傳導(dǎo)基料（例如環(huán)氧基料）的比率來(lái)更改所述散熱器40的導(dǎo)熱系數(shù)。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述導(dǎo)熱纖維可以為石墨烯等碳同位素，石墨烯具有單層石墨結(jié)構(gòu)。例如，在一實(shí)施例中，石墨烯纖維復(fù)合物可用作所述散熱器40。在各實(shí)施例中，所述散熱器40包括通過(guò)基料連結(jié)起來(lái)的石墨烯層，軋制石墨烯板，包括分布于基料的納米管，和/或由所述基料分隔并分布于所述基料的疊層石墨烯。所述基料可以包括合適的粘接基料，例如，環(huán)氧基料，且其導(dǎo)熱性可低于石墨烯。所述散熱器40中的所述石墨烯層沿所述x-y平面定向排列，從而使所述散熱器40具有較高的各向異性導(dǎo)熱屬性。在各實(shí)施例中，所述散熱器40沿x軸、y軸，和/或x軸和y軸的導(dǎo)熱系數(shù)可以為大約500W/mK至大約1200W/mK，在一實(shí)施例中可以為大約1000W/mK。與之相比，z軸導(dǎo)熱系數(shù)可以低于大約100W/mK，在一實(shí)施例中可以大約為20W/mK。優(yōu)選地，盡管銅的密度為大約8克/cm3，且鋁的密度為大約2.7克/cm3，但所述散熱器40的材料密度為大約1-3克/cm3。此外，與銅和鋁不同，所述散熱器40的材料的熱膨脹系數(shù)可與硅相當(dāng)，因此可以避免因所述芯片10和所述散熱器40之間的觸點(diǎn)熱失效而導(dǎo)致的問(wèn)題。圖1B所示的實(shí)施例中，所述散熱器40從兩條相鄰邊耦合于所述核心層30。在圖1C所示的另一實(shí)施例中，所述散熱器40從所有四邊耦合于所述核心層30。盡管圖1B和圖1C所示的所述連接件60為溝槽式，本發(fā)明實(shí)施例也包括多個(gè)環(huán)形或長(zhǎng)方形通孔。圖2，包括圖2A至圖2C，為本發(fā)明實(shí)施例提供的具有附加散熱鰭片的 散熱器。圖2包括圖1所有的特征，且包括另一底部散熱鰭片結(jié)構(gòu)。圖2A為橫剖面圖，圖2B為俯視圖。參閱圖2A，多個(gè)底部鰭片110放置于所述散熱器40的底面。在各實(shí)施例中，所述多個(gè)底部鰭片110可以組成合適的導(dǎo)熱材料，如銅、鋁等。由于具有較大的側(cè)面導(dǎo)熱性，所述散熱器40的底面很可能比其頂面更熱。因此，在所述散熱器40的底面增加鰭片可幫助所述散熱器40排除一部分熱量。所述鰭片可以采用自然風(fēng)冷或強(qiáng)制風(fēng)冷通道進(jìn)行散熱。在圖2C所示的可選實(shí)施例中，所述多個(gè)底部鰭片110可以耦合于其他鰭片結(jié)構(gòu)120以提升所述鰭片的冷卻速度。所示的垂直鰭片結(jié)構(gòu)120僅是為了舉例，但在多個(gè)實(shí)施例中，可采用任何合適的結(jié)構(gòu)。圖3，包括圖3A和圖3B，為本發(fā)明一實(shí)施例提供的散熱器所含的頂部散熱鰭片。參閱圖3A所示的橫剖面圖，多個(gè)頂部鰭片150被設(shè)置于所述散熱器40的頂面。在各實(shí)施例中，可采用任何合適的結(jié)構(gòu)形成所述多個(gè)頂部鰭片150，以增強(qiáng)散熱效率。盡管沒(méi)有單獨(dú)描述，本發(fā)明的實(shí)施例也可以只包括所述頂部鰭片150，而不包括所述多個(gè)底部鰭片110。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，將所述散熱器40的厚度作為所述散熱器40的各向異性函數(shù)進(jìn)行選擇。例如，如果沿x方向的導(dǎo)熱性是沿z方向的導(dǎo)熱性的n倍，那么所述散熱器40的厚度可以為大約5/n到大約1/n。圖4為本發(fā)明一實(shí)施例提供的電路板內(nèi)所含的單獨(dú)或同心核心層。與現(xiàn)有實(shí)施例不同，所述基板20可以包括多個(gè)隔熱區(qū)。例如，所述基板20的中部410可以不包括所述核心層30，以避免干擾從所述芯片10到所述基板20的電子信號(hào)。所述芯片10可以耦合于外部電路/電位，例如，通過(guò)所述基板20下側(cè)所設(shè)置的多個(gè)觸點(diǎn)80。所述基板20中的通孔可用于將與所述 芯片10相鄰的所述基板20的頂側(cè)與帶有所述多個(gè)觸點(diǎn)80的所述基板20的底側(cè)進(jìn)行耦合。在本實(shí)施例中，所述核心層30可以形成多個(gè)獨(dú)立的層，或圍繞所述中部410的單個(gè)同心層，例如，從所有側(cè)面。圖5為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的曲面型散熱器。在本實(shí)施例中，所述散熱器40被彎曲以增大所述各接觸表面的接觸面積。所增加的接觸面積改進(jìn)了通過(guò)觸點(diǎn)的熱傳遞，從而改進(jìn)了所述芯片10的散熱。例如，所述塊50的高度可以大于所述芯片10的高度。所述散熱器40可插置于所述夾具55和所述芯片10之間的空隙。當(dāng)所述夾具55被降低時(shí)，所述散熱器40與所述芯片10的頂面接觸。從所述夾具55及所述塊50施加的壓力確保所述散熱器40和所述芯片10之間的接觸面積，以及所述散熱器40和所述塊50之間的接觸面積最大化。在各實(shí)施例中，所述夾具55可由其他機(jī)構(gòu)取代，例如，膠帶、框架等。圖6，包括圖6A和圖6B，為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的用于將熱量從散熱器傳遞到基板的多條通道。如圖6所示，可用多條導(dǎo)熱通道來(lái)提高所述散熱器40的導(dǎo)熱效率。在圖6A中，可采用多個(gè)塊50和連接件60。在圖6B所示的另一實(shí)施例中，所述連接件60的數(shù)量要多于塊50的數(shù)量。這有助于增大所述連接件60的橫截面面積，從而增強(qiáng)所述連接件60的熱傳遞能力。圖7為本發(fā)明一實(shí)施例提供的具有多個(gè)散熱器的設(shè)備，所述多個(gè)散熱器中的至少一個(gè)散熱器具有各向異性導(dǎo)熱性。參閱圖7，與現(xiàn)有實(shí)施例相同，散熱器40設(shè)置于芯片10之上。然而，另一散熱器710設(shè)置于所述散熱器40之上。所述另一散熱器710可提供各向同性導(dǎo)熱，然而所述散熱器40可提供各向異性導(dǎo)熱。因此，在此實(shí)施例中，熱量從所述散熱器40的底側(cè)通過(guò)所述基板20和/或各實(shí)施例中描述的所述多 個(gè)底部鰭片110被有效傳遞。可選地，到達(dá)所述散熱器40頂面的部分熱量通過(guò)第二散熱器得以排出，所述第二散熱器可包括更多、更大的鰭片，例如，多個(gè)頂部鰭片150。更大、更寬的鰭片結(jié)構(gòu)確保通過(guò)所述散熱器40沿z軸傳導(dǎo)的熱量能夠被所述另一散熱器710有效排出。圖8，包括圖8A和圖8B，為本發(fā)明一實(shí)施例提供的散熱器中的通孔結(jié)構(gòu)，其中圖8A為橫剖面圖，圖8B為俯視圖。所述通孔結(jié)構(gòu)可沿垂直方向有效散熱，特別是與本發(fā)明的其他實(shí)施例，如圖3中的頂部鰭片150，圖7中的另一散熱器710等結(jié)合使用時(shí)。參閱圖8A和圖8B，在所述散熱器40內(nèi)設(shè)置有多個(gè)通孔210。在各實(shí)施例中，所述通孔210填充沿垂直軸（z軸）具有良好傳導(dǎo)性的傳導(dǎo)物質(zhì)。例如，所述通孔210可以填充銅等具有高導(dǎo)熱率的材料?？蛇x地，所述通孔210可以鍍上導(dǎo)熱和/或?qū)щ姴牧?，以進(jìn)一步提升其傳導(dǎo)性。在一個(gè)實(shí)施例中，所述通孔210可以涂覆上一層銀，而其內(nèi)核填充銅等高導(dǎo)熱材料。在另一實(shí)施例中，所述通孔210的外側(cè)壁可以直接涂覆金剛石和/或石墨烯等。圖8B也描述了所述散熱器40內(nèi)設(shè)置的多個(gè)貫通基板條220。與所述通孔210不同，所述貫通基板條220的長(zhǎng)度要大于寬度。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，選擇所述貫通基板條220的排列方向以最大程度避免通過(guò)所述散熱器40的側(cè)面導(dǎo)熱的中斷。例如，在一實(shí)施例中，如果所述通過(guò)散熱器40沿x軸的側(cè)面導(dǎo)熱性大于通過(guò)y軸的導(dǎo)熱性，最好將所述貫通基板條220沿y軸排列。與所述通孔210相似，所述貫通基板條220可以填充沿垂直軸（z軸）具有良好傳導(dǎo)性的傳導(dǎo)物質(zhì)。例如，所述貫通基板條220可以填充銅等具有高導(dǎo)熱率的材料?？蛇x地，所述貫通基板條220可以鍍一層導(dǎo)熱和/或?qū)щ姴牧?，以進(jìn)一步提升其傳導(dǎo)性。在一實(shí)施例中，所述貫通基板條220可以涂覆一層銀，而其內(nèi)核填充銅等高導(dǎo)熱材料。在另一實(shí)施例中，所述貫通基板條220的外側(cè)壁可以直接涂覆金剛石和/或石墨烯等。圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的形成印制電路板組件的一種方法的流程圖。參閱圖9所示的流程圖，圖1至圖8所示的芯片10可以設(shè)置于具有導(dǎo)熱核心層，如圖1至圖8（框810）所示的核心層30，的基板上。所述基板的例子包括圖1至圖8描述的所述基板20。所述具有各向異性導(dǎo)熱性的散熱器，如圖1至圖8描述的散熱器40，被設(shè)置于所述半導(dǎo)體設(shè)備（框820）之上。所述散熱器熱耦合于所述基板（框830和840）。在各實(shí)施例中，所述散熱器的底面可能使用熱介面材料（TIM）等進(jìn)行耦合。TIM層可涂覆于所述塊的頂面和/或所述散熱器的底面。所述塊和所述散熱器之間可根據(jù)需要通過(guò)固化工藝或高溫工藝實(shí)現(xiàn)熱結(jié)合。所述塊的對(duì)端底面可以使用焊接工藝與所述連接件60進(jìn)行耦合，所述連接件可以是通孔或溝槽。所述連接件可以與導(dǎo)熱核心層進(jìn)行熱耦合（如，在所述基板的制作過(guò)程中）。因此，上述實(shí)施例提供了一種低成本，在至少一個(gè)側(cè)向（如x軸、y軸，或x軸和y軸）具有很高導(dǎo)熱率的各向異性散熱器。盡管z軸導(dǎo)熱率可能仍然較低（如大約20W/mK），此處描述的各實(shí)施例可采用一種使側(cè)向?qū)嵝宰畲蠡姆椒▉?lái)克服此限制。優(yōu)選地，本實(shí)施例提供了一種相對(duì)鋁質(zhì)或銅質(zhì)散熱器更低成本的散熱器。除了較低的成本，本實(shí)施例還提供了一種相對(duì)鋁質(zhì)或銅質(zhì)散熱器更輕的散熱器。因此，此處描述的輕型散熱器特別適合于路由器和服務(wù)器組件等對(duì)重量敏感的應(yīng)用。盡管已對(duì)本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行了詳細(xì)描述，但應(yīng)該理解，在不脫離所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可對(duì)本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行變更、替換和修改。例如，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下可對(duì)此處描述的多種特征、功能、工藝和材料作出修改。此外，本申請(qǐng)的范圍不限于此申請(qǐng)書(shū)中所描述的工藝、機(jī)器、生產(chǎn)、物質(zhì)組成、裝置、方法和步驟的具體實(shí)施例。本領(lǐng)域普通人員應(yīng)該意識(shí)到：本發(fā)明公開(kāi)的現(xiàn)有的或即將開(kāi)發(fā)的工藝、機(jī)器、生產(chǎn)、物質(zhì)組成、裝置、方法，或步驟可以用來(lái)實(shí)現(xiàn)與所述對(duì)應(yīng)實(shí)施例基本相同的功能或產(chǎn)生相同的結(jié)果。 相應(yīng)地，此類(lèi)工藝、機(jī)器、生產(chǎn)、物質(zhì)組成、裝置，或步驟應(yīng)屬于所附權(quán)利要求的范圍。