專利名稱：封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種封裝結(jié)構(gòu)，特別是一種對(duì)電子元件封裝進(jìn)行測(cè)試時(shí)有所改良的封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在今日，電子產(chǎn)品已跟人類的生活密不可分，而市場(chǎng)一直希望電子產(chǎn)品能盡可能的縮小、輕量化，為了讓電子產(chǎn)品的尺寸能符合市場(chǎng)需求，勢(shì)必要將電子元件的大小持續(xù)縮小。目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝都已經(jīng)達(dá)到以納米來(lái)計(jì)算大小的水平，要在此種尺寸下進(jìn)行電子元件的封裝并不是一件簡(jiǎn)單的事，而電子元件封裝的質(zhì)量對(duì)電子產(chǎn)品的質(zhì)量又有很大的影響，因此在封裝的工序或工法上有任何的突破、改良，對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)界都是巨大的貢獻(xiàn)。電子元件封裝的流程包括:基板制作、打線、晶粒接合、封膠、測(cè)試等，其中，測(cè)試是確認(rèn)產(chǎn)品質(zhì)量的重要步驟，包括老化實(shí)驗(yàn)、最終測(cè)試、外觀檢測(cè)。對(duì)于已經(jīng)封裝完成的電子元件，要確認(rèn)其是否能如期運(yùn)作，這就是最終測(cè)試(Final Test ；FT)的工作；最終測(cè)試可包括針測(cè)，就是以兩個(gè)探針接觸電子元件并過(guò)電，通常探針?biāo)佑|的部位都是在封裝外層的錫球(solder ball)，由于探針具有尖頭，因此在探針接觸錫球時(shí)，常會(huì)在錫球表面造成坑洞，如此除了對(duì)錫球的外觀造成損壞，也可能影響封裝產(chǎn)品的可靠度，實(shí)有改良的必要。因此，本實(shí)用新型提供了一種封裝結(jié)構(gòu)，由本實(shí)用新型所提供的封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行封裝，可避免在測(cè)試時(shí)因探針對(duì)錫球的接觸而使得錫球受損，使封裝產(chǎn)品的外觀及良率不被影響，進(jìn)而提升封裝產(chǎn)品的質(zhì)量。

實(shí)用新型內(nèi)容為了解決上述有關(guān)的問(wèn)題，本實(shí)用新型的一主要目的在于提供一種封裝結(jié)構(gòu)，通過(guò)提出一具有額外測(cè)試點(diǎn)封裝結(jié)構(gòu)，使封裝完成在進(jìn)行測(cè)試時(shí)，探針不需要接觸錫球，也就不會(huì)造成錫球的受損。依據(jù)上述各項(xiàng)目的，本實(shí)用新型提出一種封裝結(jié)構(gòu)，包含一基板，基板有一上表面及與相對(duì)的一下表面，并配置有多個(gè)貫穿上表面至下表面的貫穿孔，且于每一貫穿孔中皆形成一內(nèi)導(dǎo)線，并于內(nèi)導(dǎo)線位于基板的上表面及下表面的一端分別形成電性連接的一群第一外導(dǎo)線及一群第二外導(dǎo)線，其中，位于下表面的一端上的第二外導(dǎo)線以散出方式配置于基板的兩側(cè)，第二外導(dǎo)線并在下表面的中央?yún)^(qū)域形成一晶粒配置區(qū)；一晶粒，配置于晶粒配置區(qū)，并通過(guò)多個(gè)焊墊與外導(dǎo)線電性鏈接；及多個(gè)錫球，配置于下表面的兩側(cè)，并與外導(dǎo)線電性鏈接；其中，配置于上表面的第一外導(dǎo)線上形成多個(gè)測(cè)試點(diǎn)。其中該基板的材質(zhì)為高分子材料。其中該基板為一種印刷電路板。其中該基板為聚亞酰銨。[0012]其中所述錫球的聞度聞?dòng)诨虻扔谠摼Я５穆劧?。其中所述測(cè)試點(diǎn)由化學(xué)氣相沉積法形成。其中所述測(cè)試點(diǎn)由電鍍法形成。其中該晶粒以覆晶接合的方式與該基板接合。其中該下表面進(jìn)一步配置有一封裝層，該封裝層并覆蓋該晶粒及該焊墊。其中該封裝層的材質(zhì)為環(huán)氧樹脂。本實(shí)用新型的有益效果是:由本實(shí)用新型所提供的封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行封裝，可使探針在測(cè)試時(shí)僅需接觸測(cè)試點(diǎn)，而不需接觸錫球，避免錫球因與探針的接觸造成損壞，也使封裝產(chǎn)品的外觀及良率不被影響，進(jìn)而提升封裝產(chǎn)品的質(zhì)量。此外，由于本實(shí)用新型所提供的封裝結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，故除了可以提升封裝結(jié)構(gòu)的可靠度外，也可以有效地降低封裝的成本。

為能更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型，以下結(jié)合較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如后，其中:圖1是本實(shí)用新型的封裝結(jié)構(gòu)基板剖面示意圖；圖2是本實(shí)用新型的封裝結(jié)構(gòu)數(shù)組下視圖；圖3是本實(shí)用新型的封裝結(jié)構(gòu)數(shù)組上視圖；圖4是本實(shí)用新型的第一實(shí)施例封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖；圖5是本實(shí)用新型的第二實(shí)施例封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型是一種封裝結(jié)構(gòu)，通過(guò)提出新的元件，使電子元件封裝的產(chǎn)品更容易進(jìn)行測(cè)試，進(jìn)一步提高產(chǎn)品的可靠度，其中所提到的封裝工法或工序皆為已知的半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)，故在下述說(shuō)明中，并不完整描述。此外，于下述內(nèi)文中的附圖，并未依據(jù)實(shí)際的相關(guān)尺寸完整繪制，其作用僅在表達(dá)與本實(shí)用新型特征有關(guān)的示意圖。請(qǐng)參閱圖1，是本實(shí)用新型的封裝結(jié)構(gòu)基板剖面示意圖。如圖1所示，基板12是由高分子材料所構(gòu)成，例如:印刷電路板或是聚亞酰胺(Polyimide ；PI);基板12具有一上表面120及和與上表面120對(duì)應(yīng)的一下表面122，基板12并配置有多個(gè)貫穿上表面120至下表面122的貫穿孔(圖未示)，在每一貫穿孔(圖未示)中都配置有內(nèi)導(dǎo)線(trace) 123，且內(nèi)導(dǎo)線123的兩端分別在上表面120及下表面122延伸并形成外導(dǎo)線121a、121b，其中，夕卜導(dǎo)線121a以電鍍(Plating)或化學(xué)氣相沉積(PECVD)法在上表面120形成多個(gè)測(cè)試點(diǎn)18，外導(dǎo)線121b以扇出(fan out)方式配置于基板12的下表面122的兩側(cè),夕卜導(dǎo)線121b并在下表面122的中央?yún)^(qū)域形成一晶粒配置區(qū)1210 ;多個(gè)錫球16配置于下表面122的兩側(cè)，錫球16并與下表面122的外導(dǎo)線121b的扇出端電性連接。接著，請(qǐng)參閱圖2及圖3，是本實(shí)用新型的封裝結(jié)構(gòu)數(shù)組下視圖及本實(shí)用新型的封裝結(jié)構(gòu)數(shù)組上視圖。如圖2所示，一基板12上可以形成多組如圖1所示的結(jié)構(gòu)，可從基板12下方看到每組結(jié)構(gòu)均有至少兩個(gè)錫球16及至少兩組外導(dǎo)線121b ;再如圖3所示，從基板12的上方往下看，每組結(jié)構(gòu)均有至少兩個(gè)測(cè)試點(diǎn)18。[0029]接著，請(qǐng)參閱圖4，是本實(shí)用新型的第一實(shí)施例封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖。如圖4所示，晶粒14配置于晶粒配置區(qū)1210，使晶粒14上多個(gè)焊墊19面對(duì)下表面122，將焊墊19以覆晶(flip chip)的方式與下表面122接合，焊墊19并與外導(dǎo)線121b電性連接；晶粒14的高度等于或小于錫球16的高度，以避免封裝結(jié)構(gòu)I的下表面122朝下放置時(shí)，晶粒14受到擠壓而受損；至于其他元件配置方式均與圖1相同，故不再贅述；在完成封裝結(jié)構(gòu)I的封裝后，僅需以探針(圖未示)接觸測(cè)試點(diǎn)18，便能完成對(duì)封裝結(jié)構(gòu)I的最終測(cè)試。再接著，請(qǐng)參閱圖5，是本實(shí)用新型的第二實(shí)施例封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖。如圖5所示，封裝結(jié)構(gòu)I’為封裝結(jié)構(gòu)I在下表面122進(jìn)一步配置一個(gè)高分子材質(zhì)所形成的封裝層17，例如:此高分子材質(zhì)可以為一種環(huán)氧樹脂(epoxy);而封裝層17是以涂布、點(diǎn)膠…等方式配置，并覆蓋了晶粒14、焊墊19及一部份的外導(dǎo)線121b ;封裝結(jié)構(gòu)I’其余元件配置方式均與封裝結(jié)構(gòu)I相同，故不再贅述。由本實(shí)用新型所提供的封裝結(jié)構(gòu)1、1’進(jìn)行封裝，可使探針(圖未示)在測(cè)試時(shí)僅需接觸測(cè)試點(diǎn)18，而不需接觸錫球16，避免錫球16因與探針(圖未示)的接觸造成損壞，也使封裝產(chǎn)品的外觀及良率不被影響，進(jìn)而提升封裝產(chǎn)品的質(zhì)量。雖然本實(shí)用新型以前述的較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本實(shí)用新型，任何熟習(xí)相像技藝者，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍須視本 說(shuō)明書所附的申請(qǐng)專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 一基板，該基板有一上表面及與相對(duì)的一下表面，并配置有多個(gè)貫穿該上表面至該下表面的貫穿孔，且于每一該貫穿孔中皆形成一內(nèi)導(dǎo)線，并于所述內(nèi)導(dǎo)線位于該基板的該上表面及該下表面的一端分別形成電性連接的一群第一外導(dǎo)線及一群第二外導(dǎo)線，其中，位于該下表面的一端上的該群第二外導(dǎo)線以散出方式配置于該基板的兩側(cè)，該群第二外導(dǎo)線并在該下表面的中央?yún)^(qū)域形成一晶粒配置區(qū)； 一晶粒，配置于該晶粒配置區(qū)，并通過(guò)多個(gè)焊墊與所述外導(dǎo)線電性鏈接；及 多個(gè)錫球，配置于該下表面的兩側(cè)，并與所述外導(dǎo)線電性鏈接； 其中，配置于該上表面的該群第一外導(dǎo)線上形成多個(gè)測(cè)試點(diǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中該基板的材質(zhì)為高分子材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中該基板為一種印刷電路板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中該基板為聚亞酰銨。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中所述錫球的聞度聞?dòng)诨虻扔谠摼Я５穆劧取?br> 6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中所述測(cè)試點(diǎn)由化學(xué)氣相沉積法形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中所述測(cè)試點(diǎn)由電鍍法形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中該晶粒以覆晶接合的方式與該基板接合。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中該下表面進(jìn)一步配置有一封裝層，該封裝層并覆蓋該晶粒及該焊墊。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中該封裝層的材質(zhì)為環(huán)氧樹脂。
專利摘要一種封裝結(jié)構(gòu)，包括一基板、一晶粒及多個(gè)錫球，其特征在于該基板另外提供一可與探針接合的元件，使探針尖頭在與基板接觸進(jìn)行最終測(cè)試時(shí)，不需要再與錫球接合而造成錫球的損傷，除了能使封裝結(jié)構(gòu)的外觀保持完整，并能進(jìn)一步提升封裝結(jié)構(gòu)的可靠度。
文檔編號(hào)H01L23/488GK202977405SQ20122063646
公開(kāi)日2013年6月5日 申請(qǐng)日期2012年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月28日
發(fā)明者陳石磯 申請(qǐng)人:標(biāo)準(zhǔn)科技股份有限公司