專利名稱：封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
封裝結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種封裝結(jié)構(gòu)。
技術(shù)背景晶圓級(jí)芯片尺寸封裝(Wafer Level Chip Size Packaging, WLCSP )技術(shù) 是對(duì)整片晶圓進(jìn)行封裝測(cè)試后再切割得到單個(gè)成品芯片的技術(shù)，封裝后的芯 片尺寸與棵片 一致。晶圓級(jí)芯片尺寸封裝技術(shù)改變傳統(tǒng)封裝如陶瓷無(wú)引線芯 片載具(Ceramic Leadless Chip Carrier )、有才幾無(wú)引線芯片載具(Organic Leadless Chip Carrier)和數(shù)碼相機(jī)模塊式的模式，順應(yīng)了市場(chǎng)對(duì)微電子產(chǎn)品日益輕、 小、短、薄化和低價(jià)化要求。經(jīng)晶圓級(jí)芯片尺寸封裝技術(shù)封裝后的芯片尺寸 達(dá)到了高度微型化，芯片成本隨著芯片尺寸的減小和晶圓尺寸的增大而顯著 降低。晶圓級(jí)芯片尺寸封裝技術(shù)是可以將IC設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試、基 板制造整合為一體的技術(shù)，是當(dāng)前封裝領(lǐng)域的熱點(diǎn)和未來(lái)發(fā)展的趨勢(shì)。中國(guó)發(fā)明專利申請(qǐng)第200610096808.X號(hào)公開(kāi)了 一種基于晶圓級(jí)芯片尺寸 封裝技術(shù)所制造的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。如圖1所示，所述封裝結(jié)構(gòu)包括具 有空腔壁110的蓋板105 (玻璃)、具有焊墊115的芯片120、以及玻璃片130, 其共同構(gòu)成玻璃-芯片-玻璃的三明治的封裝結(jié)構(gòu)。所述芯片120的形成有半 導(dǎo)體器件的表面通過(guò)焊墊115與空腔壁110連接；芯片120的背面與玻璃片130 的第一表面之間夾合有絕緣層；玻璃層130的另一表面部分覆有第一焊接掩膜 層及位于其上的焊接凸點(diǎn)(未標(biāo)記)；所述焊接凸點(diǎn)與焊墊115通過(guò)金屬層實(shí) 現(xiàn)電連接。在上述專利申請(qǐng)中，并未公開(kāi)其蓋板105的空腔壁110的具體布局，但 是現(xiàn)有技術(shù)公開(kāi)了一種蓋板上的空腔壁結(jié)構(gòu)，如圖2所示，包括位于蓋板上的單元腔IOO、 200、 300、 400,所述單元腔100、 200、 300、 400分立排布， 所述單元腔包括空腔及位于空腔周圍的單元空腔壁邊，比如單元腔100包括 空腔101及位于空腔101周圍的單元空腔壁102、單元腔200包括空腔201及 位于空腔201周圍的單元空腔壁202、單元腔300包括空腔301及位于空腔 301周圍的單元空腔壁302、單元腔400包括空腔401及位于空腔401周圍的 單元空腔壁402,所述空腔IOI、 201、 301、 401用于容納后續(xù)與背板粘合的 晶圓上的單元芯片區(qū)上的器件區(qū)。結(jié)合圖1，可以知道，上述單元空腔壁102、 202、 302、 402將與帶有焊 墊115的晶圓進(jìn)行粘合，然后需要對(duì)蓋板和與之粘合的晶圓進(jìn)行機(jī)械半切以 形成V形槽，因此，單元空腔壁102、 202、 302、 402需要^^受一定的枳4成應(yīng) 力，同時(shí)因?yàn)榭涨槐谄鹬紊w板的作用，也要承受一定的重力。但是由于 單元空腔壁102、 202、 302、 402上沒(méi)有與焊墊115相粘合處為中空，相對(duì)降 低了單元空腔壁102、 202、 302、 402與晶圓的結(jié)合力，在后續(xù)V形槽切割工 藝中產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力容易使空腔壁與晶圓剝離，從而導(dǎo)致大面積良率損失。發(fā)明內(nèi)容本申請(qǐng)所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種能夠承受較高機(jī)械應(yīng)力的封裝結(jié)構(gòu)。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N封裝結(jié)構(gòu)，包括蓋板；單元腔， 位于蓋板上并分立排布，所述單元腔包括空腔及位于空腔周圍的各個(gè)單元空 腔壁邊；切割道，位于相鄰單元腔之間；焊墊區(qū)，位于各個(gè)單元空腔壁邊上 并分立排布；間隙區(qū)，各個(gè)單元空腔壁邊上焊墊區(qū)之外區(qū)域；相鄰單元腔的 對(duì)應(yīng)單元空腔壁邊經(jīng)由切割道部分連接。所述部分連接為相鄰單元腔的對(duì)應(yīng)單元空腔壁邊上的至少一個(gè)焊墊區(qū)對(duì) 應(yīng)連接。所述部分連接為相鄰單元腔的對(duì)應(yīng)單元空腔壁邊上的每個(gè)焊墊區(qū)以—— 對(duì)應(yīng)方式連4妻。所述部分連接為相鄰單元腔的對(duì)應(yīng)單元空腔壁邊上的焊墊區(qū)以間隔方式 對(duì)應(yīng)連沖妄。所述部分連接為相鄰單元腔的對(duì)應(yīng)單元空腔壁邊上的每?jī)蓚€(gè)焊墊區(qū)及其 之間的間隙區(qū)以間隔一個(gè)焊墊區(qū)方式對(duì)應(yīng)連4妄。所述單元空腔壁邊包括兩端部分，所述兩端部分為間隙區(qū)，所述部分連 接為相鄰單元腔的對(duì)應(yīng)單元空腔壁邊上的兩端部分連接。所述封裝結(jié)構(gòu)還包括晶圓，所述晶圓分為分立的單元芯片區(qū)及相鄰單元 芯片區(qū)之間的通道，所述單元芯片區(qū)分為器件區(qū)和位于器件區(qū)外圍的連接區(qū)， 所述器件區(qū)和連接區(qū)之間具有間隔，所述連接區(qū)內(nèi)形成有分立的焊墊，所述 連接區(qū)與蓋板上的單元空腔壁邊相對(duì)應(yīng)，所述晶圓上通道與蓋板上的切割道 相對(duì)應(yīng)，所述器件區(qū)和連接區(qū)之間形成有隔離帶，所述隔離帶與器件區(qū)和連 接區(qū)之間均有間隔。所述隔離帶位于所述晶圓與所述蓋板壓合后的單元空腔壁邊與晶圓器件 區(qū)之間的中間位置。所述隔離帶與器件區(qū)之間的間隔為40pm ~ 250pm。 所述隔離帶與連接區(qū)之間的間隔為40pm ~ 250)im。 所述隔離帶的寬度為3^im 20^im,所述隔離帶與晶圓器件區(qū)高度相同。所述隔離帶材料為聚合物、氮化硅、氧化硅、或者氮氧化硅中一種或者 其組合。與現(xiàn)有技術(shù)方案相比，本技術(shù)方案通過(guò)在蓋板上將相鄰單元腔的對(duì)應(yīng)單元空腔壁邊設(shè)置為經(jīng)由切割道部分連接，可以提高空腔壁與芯片之間的連接 力，防止后續(xù)V形槽切割工藝中產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力使空腔壁與芯片剝離，導(dǎo)致 大面積良率損失的問(wèn)題。同時(shí)，為了防止在空腔壁與芯片壓合過(guò)程中，起粘合作用的固化膠過(guò)多 溢出污染到芯片上的器件區(qū)的微鏡頭，本技術(shù)方案通過(guò)將相鄰單元腔的對(duì)應(yīng) 單元空腔壁邊設(shè)置為經(jīng)由切割道部分連接而不是全部連接，這樣在相鄰單元 空腔壁邊不相連的切割道位置形成空隙，這樣可以容納多余的固化膠。本技術(shù)方案還通過(guò)在晶圓上的器件區(qū)和連接區(qū)之間形成隔離帶，可以進(jìn) 一步防止在空腔壁與芯片壓合過(guò)程中，起粘合作用的固化膠溢出污染微鏡頭 的問(wèn)題。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)封裝結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為圖1所示封裝結(jié)構(gòu)空腔壁的仰視平面示意圖； 圖3為本發(fā)明的第一實(shí)施例的空腔壁的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖4為本發(fā)明的第二實(shí)施例的空腔壁的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖5為本發(fā)明的第三實(shí)施例的空腔壁的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖6為本發(fā)明的第四實(shí)施例的空腔壁的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖7本發(fā)明的第五實(shí)施例的晶圓的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明通過(guò)在蓋板上將相鄰單元腔的對(duì)應(yīng)單元空腔壁邊設(shè)置為經(jīng)由切割 道部分連接，可以提高空腔壁與芯片之間的連接力，防止后續(xù)V形槽切割工 藝中產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力使空腔壁與芯片剝離，導(dǎo)致大面積良率損失的問(wèn)題。同時(shí)，為了防止在空腔壁與芯片壓合過(guò)程中，起粘合作用的固化膠過(guò)多 溢出污染到芯片上的器件區(qū)的微鏡頭，本發(fā)明通過(guò)將相鄰單元腔的對(duì)應(yīng)單元 空腔壁邊設(shè)置為經(jīng)由切割道部分連接而不是全部連接，在相鄰單元空腔壁邊 不相連的切割道位置形成空隙，這樣可以容納多余的固化膠。本技術(shù)方案還通過(guò)在晶圓上的器件區(qū)和連接區(qū)之間形成隔離帶，可以進(jìn) 一步防止在空腔壁與芯片壓合過(guò)程中，起粘合作用的固化膠溢出污染微鏡頭 的問(wèn)題。上述技術(shù)方案適合于影像傳感器芯片封裝、MEMS芯片封裝以及LED發(fā) 光二極管的封裝領(lǐng)域。下面以影像傳感器芯片封裝為例，結(jié)合附圖對(duì)本申請(qǐng)的具體實(shí)施方式
進(jìn) 行詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明首先提供一種封裝結(jié)構(gòu)，包括蓋板；單元腔，位于蓋板上并分 立排布，所述單元腔包括空腔及位于空腔周圍的單元空腔壁，所述空腔用于 容納單元芯片區(qū)上的器件區(qū)，所述單元空腔壁包括環(huán)繞的各個(gè)單元空腔壁邊； 切割道，位于相鄰單元腔之間；焊墊區(qū)，位于各個(gè)單元空腔壁邊上并分立排 布；間隙區(qū)，位于各個(gè)單元空腔壁邊上焊墊區(qū)之外區(qū)域；相鄰單元腔的對(duì)應(yīng) 單元空腔壁邊經(jīng)由切割道部分連接。參考圖3，給出本發(fā)明的第一實(shí)施例的空腔壁的結(jié)構(gòu)示意圖。包括蓋板，未整體示出，其整體結(jié)構(gòu)請(qǐng)參見(jiàn)圖1的105;單元腔100、 200、 300、 400,位于蓋板上并分立排布，所述蓋々反上的單 元腔呈陣列排布，本實(shí)施例以四個(gè)單元腔為例加以說(shuō)明，所述單元腔100、200、 300、 400分別包括空腔101、 201、 301、 401及分別位于空腔101、 201、 301、 401周圍的單元空腔壁102、 202、 302、 402,所述空腔101、 201、 301、 401 用于容納后續(xù)與之粘接的單元芯片區(qū)上的器件區(qū)，所述單元空腔壁102、 202、302、 402包括環(huán)繞排布的各個(gè)單元空腔壁邊，比如單元腔100的單元空腔壁 邊102a ~ 102d、單元腔200的單元空腔壁邊202a ~ 202d、單元腔300的單元 空腔壁邊302a ~ 302d、單元腔400的單元空腔壁邊402a ~ 402d;切割道10,位于相鄰單元腔之間；比如相鄰的單元腔100與單元腔200 之間，相鄰的單元腔200與單元腔300之間，相鄰的單元腔300與單元腔400 之間，以及相鄰的單元腔400與單元腔100之間；焊墊區(qū)，位于各個(gè)單元空腔壁邊上并分立排布，比如單元空腔壁邊102a~ 102d上的焊墊區(qū)103、單元空腔壁邊202a 202d上的焊墊區(qū)203、單元空腔 壁邊302a~ 302d上的焊墊區(qū)303、單元空腔壁邊402a~ 402d上的焊墊區(qū)403;間隙區(qū)，各個(gè)單元空腔壁邊上焊墊區(qū)之外區(qū)域。本發(fā)明的相鄰單元腔的對(duì)應(yīng)單元空腔壁邊經(jīng)由切割道部分連接，所述部 分連接比如可以為相鄰單元腔的對(duì)應(yīng)單元空腔壁邊上的至少一個(gè)焊墊區(qū)對(duì)應(yīng) 連接。作為一個(gè)實(shí)施例，所述部分連接為相鄰單元腔的對(duì)應(yīng)單元空腔壁邊上的 每個(gè)焊墊區(qū)以——對(duì)應(yīng)方式連接，具體地請(qǐng)參考圖3,單元空腔壁邊102a上 的焊墊區(qū)103與單元空腔壁邊202a上的焊墊區(qū)203對(duì)應(yīng)連接，單元空腔壁邊 202b上的焊墊區(qū)203與單元空腔壁邊402d上的焊墊區(qū)403對(duì)應(yīng)連接，單元空 腔壁邊402a上的焊墊區(qū)403與單元空腔壁邊302a上的焊墊區(qū)303對(duì)應(yīng)連接， 單元空腔壁邊302d上的焊墊區(qū)303與單元空腔壁邊102b上的焊墊區(qū)103對(duì) 應(yīng)連接，其余單元空腔壁邊上的焊墊區(qū)相對(duì)應(yīng)連接，在此不再——列舉。本實(shí)施例中，通過(guò)將相鄰單元腔的對(duì)應(yīng)單元空腔壁邊上的每個(gè)焊墊區(qū)以 ——對(duì)應(yīng)方式連接，焊墊區(qū)之外的間隙區(qū)在對(duì)應(yīng)的切割道位置處形成空隙， 在后續(xù)與晶圓采用固化膠粘合過(guò)程中，這些空隙可以容納多余的固化膠，防 止溢出的固化膠污染晶圓上的微透鏡。同時(shí)，本發(fā)明的相鄰單元腔的對(duì)應(yīng)單元空腔壁邊部分連接的方式還可以 有所變形，請(qǐng)參考圖4，為本發(fā)明的第二實(shí)施例的空腔壁的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4中各個(gè)部分及其標(biāo)號(hào)表示的含義與第一實(shí)施例中圖3的對(duì)應(yīng)部分相 同，在此不加詳述。如圖4所示，所述部分連接為相鄰單元腔的對(duì)應(yīng)單元空腔壁邊上的焊墊 區(qū)以間隔方式對(duì)應(yīng)連接。例如單元空腔壁邊102a上的焊墊區(qū)103與單元空腔 壁邊202a上的焊墊區(qū)203以一個(gè)焊墊區(qū)間隔一個(gè)焊墊區(qū)的方式對(duì)應(yīng)連接，單 元空腔壁邊202b上的焊墊區(qū)203與單元空腔壁邊402d上的焊墊區(qū)403以一 個(gè)間隔一個(gè)方式對(duì)應(yīng)連"l妄，單元空腔壁邊402a上的焊墊區(qū)403與單元空腔壁 邊302a上的焊墊區(qū)303以一個(gè)間隔一個(gè)方式對(duì)應(yīng)連接，單元空腔壁邊302d 上的焊墊區(qū)303與單元空腔壁邊102b上的焊墊區(qū)103以一個(gè)間隔一個(gè)方式對(duì) 應(yīng)連接，其余單元空腔壁邊上的焊墊區(qū)相對(duì)應(yīng)連接，在此不再一一列舉。同時(shí)，本發(fā)明的相鄰單元腔的對(duì)應(yīng)單元空腔壁邊部分連接的方式還可以 有所變形，請(qǐng)參考圖5，為本發(fā)明的第三實(shí)施例的空腔壁的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5所示，所述部分連接為相鄰單元腔的對(duì)應(yīng)單元空腔壁邊上的每?jī)?個(gè)焊墊區(qū)及其之間的間隙區(qū)以間隔一個(gè)焊墊區(qū)方式對(duì)應(yīng)連"t妄。比如單元空腔 壁邊102a上的每?jī)蓚€(gè)焊墊區(qū)103及其之間的間隙區(qū)與單元空腔壁邊202a上的 每?jī)蓚€(gè)焊墊區(qū)203及其之間的間隙區(qū)以間隔一個(gè)焊墊區(qū)的方式對(duì)應(yīng)連^f妄，其 余單元空腔壁邊上的焊墊區(qū)相對(duì)應(yīng)連接，在此不再——列舉。同時(shí)，本發(fā)明的每個(gè)單元空腔壁邊包括兩端部分和中間部分，所述兩端 部分為間隙區(qū)，所述中間部分為從該邊具有第一個(gè)焊墊區(qū)起至該邊的最后一 個(gè)焊墊區(qū)為止。請(qǐng)參考圖6,為本發(fā)明的第四實(shí)施例的空腔壁的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖6所示，所述部分連接為相鄰單元腔的對(duì)應(yīng)單元空腔壁邊上的兩端部分連接，所述兩端部分的定義請(qǐng)參照上述描述。由于現(xiàn)有的相鄰單元空腔壁邊之間形成的切割道均在形成空腔工藝中同 時(shí)形成，其底部與空腔底部齊平，因此本發(fā)明的上述第一至第四實(shí)施例中的進(jìn)行改進(jìn)形成，比如可以通過(guò)在上述單元空腔壁邊需要連接處在形成空腔工 藝中不刻除，而刻除無(wú)需相連的部分，形成空隙；還可以通過(guò)在已經(jīng)形成切 割道中分別以上述——對(duì)應(yīng)方式、間隔方式、每?jī)蓚€(gè)焊墊區(qū)及其之間的間隙 區(qū)隔一個(gè)焊墊區(qū)方式、或者每個(gè)單元空腔壁邊兩端的在切割道對(duì)應(yīng)位置處填 充材料形成本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，其具體形成工藝本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)現(xiàn)有的光 刻技術(shù)及蝕刻技術(shù)容易推知，在此不加詳述。同時(shí)，本發(fā)明還給出一種更為優(yōu)化的封裝結(jié)構(gòu)，即第五實(shí)施例，所述封 裝結(jié)構(gòu)中的蓋板結(jié)構(gòu)可以采用上述第一實(shí)施例至第四實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)，但是 對(duì)與蓋板相對(duì)應(yīng)的晶圓結(jié)構(gòu)進(jìn)行了改進(jìn)，形成本發(fā)明的第五實(shí)施例，當(dāng)然根 據(jù)第五實(shí)施例與前四個(gè)實(shí)施例的組合，可以形成不同的技術(shù)方案，在此不應(yīng) 過(guò)分限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。如圖7所示，為本發(fā)明的第五實(shí)施例的晶圓的結(jié)構(gòu)示意圖。包括晶圓， 所述晶圓分為分立的單元芯片區(qū)500、 600、 700、 800,相鄰單元芯片區(qū)之間 形成通道50，例如單元芯片區(qū)500與單元芯片區(qū)600之間形成通道50 (其余 依次類推)，所述通道50與前述實(shí)施例中的蓋板上的切割道10相對(duì)應(yīng)。所述單元芯片區(qū)500、 600、 700、 800分別分為器件區(qū)501、 601、 701、 801和位于器件區(qū)501、 601、 701、 801外圍的連接區(qū)502、 602、 702、 802， 所述器件區(qū)501、 601、 701、 801和連接區(qū)502、 602、 702、 802之間分別具 有間隔，所述連接區(qū)502、 602、 702、 802內(nèi)形成有分立的焊墊503、 603、 703、 803，所述器件區(qū)501、 601、 701、 801及后續(xù)形成的隔離帶與前述實(shí)施例中蓋板100上的單元腔101、 201、 301、 401相對(duì)應(yīng)，所述連接區(qū)502、 602、 702、 802與前述實(shí)施例中的蓋板上的單元空腔壁102、 202、 302、 402相對(duì)應(yīng)，所 述焊墊503、 603、 703、 803分別與前述實(shí)施例中的焊墊區(qū)103、 203、 303、 403相對(duì)應(yīng)。所述器件區(qū)501、 601、 701、 801和連接區(qū)502、 602、 702、 802之間還 分別設(shè)置有隔離帶504、 604、 704、 804,所述隔離帶504、 604、 704、 804與 器件區(qū)501、 601、 701、 801和連4妄區(qū)502、 602、 702、 802之間均有間隔。所述隔離帶504、 604、 704、 804位于所述晶圓與所述蓋板壓合后的單元 空腔壁邊與晶圓器件區(qū)之間的中間位置。各個(gè)隔離帶504、 604、 704、 804與各個(gè)器件區(qū)501、 601、 701、 801之 間的相應(yīng)間隔為40pm ~ 250pm,蓋板上各個(gè)單元及晶圓上各個(gè)單元之間的間 隔基本相同，但是容許有少許誤差。各個(gè)隔離帶504、 604、 704、 804與各個(gè)連接區(qū)502、 602、 702、 802之 間的相應(yīng)間隔為40|im~250pm,也即蓋板與晶圓壓合后，各個(gè)隔離帶504、 604、 704、 804與蓋板上單元空腔壁邊之間的間隔為40nm~250|im,蓋板上 各個(gè)單元及晶圓上各個(gè)單元基本相同，但是容許有少許誤差。各個(gè)隔離帶504、 604、 704、 804的寬為3fim ~ 20(im。 由于晶圓的器件區(qū)形成有微透鏡及其下面的半導(dǎo)體器件層，因此所述隔 離帶504、 604、 704、 804的高度不能低于微透鏡的高度，即所述隔離帶504、 604、 704、 804距離晶圓表面的高度要根據(jù)晶圓上器件區(qū)的半導(dǎo)體器件層的高 度而確定?；旧?，所述隔離帶與晶圓器件區(qū)高度相同。本實(shí)施例中，所述隔離帶可以為聚合物、氮化硅、氧化硅、或者氮氧化 硅中一種或者組合。當(dāng)為聚合物時(shí)，比如可以為聚四氟乙烯等。當(dāng)然，所述 隔離帶也可以為其他絕緣性材料，但是為了節(jié)約成本，最好采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝中較為常見(jiàn)的材料，比如氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅。由于第一、第二、第三實(shí)施例中的連接部分均位于蓋板上的焊墊區(qū)，而 后續(xù)進(jìn)行機(jī)械半切時(shí)會(huì)產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力，所述連接部分可以對(duì)機(jī)械應(yīng)力起到緩沖的作用，從而保護(hù)焊勢(shì)免受損傷；此外，由于連接部分的存在，在后續(xù)進(jìn)行化學(xué)電鍍的時(shí)候，所述連接部分也可以進(jìn)一步保護(hù)晶圓上的焊墊，防止焊 墊腐蝕。因此，本發(fā)明的技術(shù)方案更為優(yōu)選前述第一、第二、第三實(shí)施例及 其與第五實(shí)施例的組合。于此，半導(dǎo)體集成電路芯片、熱學(xué)傳感器芯片、力學(xué)傳感器芯片或微機(jī)電元 件等器件的封裝也可以采用本申請(qǐng)所描述的封裝結(jié)構(gòu)和封裝方法，同樣也能 提高空腔壁與芯片之間的連接力，防止后續(xù)v形槽切割工藝中產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng) 力使空腔壁與芯片剝離，導(dǎo)致大面積良率損失的問(wèn)題的目的。雖然本發(fā)明以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng) 域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因 此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種封裝結(jié)構(gòu)，包括蓋板；單元腔，位于蓋板上并分立排布，所述單元腔包括空腔及位于空腔周圍的各個(gè)單元空腔壁邊；切割道，位于相鄰單元腔之間；焊墊區(qū)，位于各個(gè)單元空腔壁邊上并分立排布；間隙區(qū)，各個(gè)單元空腔壁邊上焊墊區(qū)之外區(qū)域；其特征在于，相鄰單元腔的對(duì)應(yīng)單元空腔壁邊經(jīng)由切割道部分連接。
2. 如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述部分連接為相鄰單 元腔的對(duì)應(yīng)單元空腔壁邊上的至少一個(gè)焊墊區(qū)對(duì)應(yīng)連4妄。
3. 如權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述部分連接為相鄰單 元腔的對(duì)應(yīng)單元空腔壁邊上的每個(gè)焊墊區(qū)以——對(duì)應(yīng)方式連接。
4. 如權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述部分連接為相鄰單 元腔的對(duì)應(yīng)單元空腔壁邊上的焊墊區(qū)以間隔方式對(duì)應(yīng)連接。
5. 如權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述部分連接為相鄰單 元腔的對(duì)應(yīng)單元空腔壁邊上的每?jī)蓚€(gè)焊墊區(qū)及其之間的間隙區(qū)以間隔一個(gè)焊 墊區(qū)方式對(duì)應(yīng)連4妄。
6. 如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述單元空腔壁邊包括 兩端部分，所述兩端部分為間隙區(qū)，所述部分連接為相鄰單元腔的對(duì)應(yīng)單元 空腔壁邊上的兩端部分連接。
7. 如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝 結(jié)構(gòu)還包括晶圓，所述晶圓分為分立的單元芯片區(qū)及相鄰單元芯片區(qū)之間的 通道，所述單元芯片區(qū)分為器件區(qū)和位于器件區(qū)外圍的連接區(qū)，所述器件區(qū) 和連接區(qū)之間具有間隔，所述連接區(qū)內(nèi)形成有分立的焊墊，所述連接區(qū)與蓋板上的單元空腔壁邊相對(duì)應(yīng)，所述晶圓上通道與蓋板上的切割道相對(duì)應(yīng)，所 述器件區(qū)和連接區(qū)之間形成有隔離帶，所述隔離帶與器件區(qū)和連接區(qū)之間均 有間隔。
8. 如權(quán)利要求7所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述隔離帶位于所述晶 圓與所述蓋板壓合后的單元空腔壁邊與晶圓器件區(qū)之間的中間位置。
9. 如權(quán)利要求7所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述隔離帶與器件區(qū)之 間的間隔為40jim ~ 250nm。
10. 如權(quán)利要求7所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述隔離帶與連接區(qū) 之間的間P鬲為40, ~ 250拜。
11. 如權(quán)利要求7所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述隔離帶的寬度為 3jum ~ 20jum，
12. 如權(quán)利要求7所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述隔離帶與晶圓器 件區(qū)高度相同。
13. 如權(quán)利要求7所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述隔離帶材料為聚 合物、氮化硅、氧化硅、或者氮氧化硅中一種或者其組合。
全文摘要
本發(fā)明提供一種封裝結(jié)構(gòu)，包括蓋板；單元腔，位于蓋板上并分立排布，所述單元腔包括空腔及位于空腔周圍的單元空腔壁；切割道，位于相鄰單元腔之間；焊墊區(qū)，位于各個(gè)單元空腔壁邊上并分立排布；間隙區(qū)，位于各個(gè)單元空腔壁邊上焊墊區(qū)之外區(qū)域；相鄰單元腔的對(duì)應(yīng)單元空腔壁邊經(jīng)由切割道部分連接。本發(fā)明通過(guò)在蓋板上將相鄰單元腔的對(duì)應(yīng)單元空腔壁邊設(shè)置為經(jīng)由切割道部分連接，可以提高空腔壁與芯片之間的結(jié)合力，防止后續(xù)V形槽切割工藝中產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力使空腔壁與芯片剝離，導(dǎo)致大面積良率損失的問(wèn)題。
文檔編號(hào)H01L23/02GK101593733SQ20091015122
公開(kāi)日2009年12月2日 申請(qǐng)日期2009年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月29日
發(fā)明者俞國(guó)慶, 春 劉, 琦 王, 蔚 王, 王文龍, 鄒秋紅 申請(qǐng)人:晶方半導(dǎo)體科技(蘇州)有限公司